一种显示面板及其制造方法
阅读说明：本技术 一种显示面板及其制造方法 (Display panel and manufacturing method thereof ) 是由 陈宇怀 黄志杰 苏智昱 于 2021-02-09 设计创作，主要内容包括：本发明涉及显示面板技术领域,特别涉及一种显示面板及其制造方法,包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层,通过在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽,凹槽中填充有第一电极层,第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层,第一电极层和第二电极层分别作为电容的电极层,缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二绝缘层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层,第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同,第二电极层的材质与第二透明导电层的材质相同,这样能够进一步提高电容容量。(The invention relates to the technical field of display panels, in particular to a display panel and a manufacturing method thereof, the display panel comprises a glass substrate and a buffer layer arranged on one side surface of the glass substrate, at least one groove is arranged in a capacitor area on one side surface of the buffer layer far away from the glass substrate, a first electrode layer is filled in the groove, a first insulating layer, a second electrode layer and a first passivation layer are sequentially stacked and covered on one side surface of the first electrode layer far away from the buffer layer, the first electrode layer and the second electrode layer are respectively used as electrode layers of a capacitor, an active layer, a grid insulating layer, a first transparent conducting layer, a grid metal layer, a second insulating layer, a second transparent conducting layer, a source drain metal layer and a second passivation layer are sequentially stacked and covered on a TFT area on one side surface of the buffer layer far away from the glass substrate, the, the material of the second electrode layer is the same as that of the second transparent conductive layer, so that the capacitance can be further improved.)
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
随着有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。
IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高TFT(英文全称为Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率显示面板。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
氧化物半导体迁移率(10-30cm2/V.s)可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，且IGZO TFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更优越的Ioff，画素TFT只需要单栅极就可抑制漏电问题，有更利于TFT器件的小型化，实现超高分辨率TFT基板的制作。因此，搭配IGZO TFT驱动电路的高分辨率OLED显示器市场前景很好，为目前国内外主要面板制造厂研发热点。
GOA技术(GOA：Gate Driver IC on Array)是近年面板发展的一种新类型，其把驱动Gate信号的IC直接刻蚀在面板上，省去了Gate Driver IC的成本和把IC绑定在面板上的工序，更重要的是由于Gate Driver IC与显示面板为一个整体，使得产品更薄、分辨率更高、稳定性和抗振性更好。目前，GOA技术已经成为移动终端业的主流，智能手机几乎都使用这种液晶面板。
在阵列基板中为了使驱动电路具有更好的稳压效果，通常需要设置较大容量电容，这就造成驱动电路的占用面积较大无法进一步缩小显示面板边框尺寸，以及画素大小。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种能够提高电容容量的显示面板及其制造方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种显示面板，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层；
所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二绝缘层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，所述第二绝缘层上开设有第一过孔，所述第一过孔中均填充有第二透明导电层，所述第二透明导电层上开设有第二过孔，所述源漏极金属层上开设有第三过孔，所述第三过孔与第二过孔相对设置且相通，所述第二过孔和第三过孔中均填充有第二钝化层；
所述第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同；
所述第二电极层的材质与第二透明导电层的材质相同。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种显示面板的制造方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有缓冲层；在所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域形成至少一个的凹槽；
S2、形成有源层，所述有源层覆盖于缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上；
S3、形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖于有源层表面；
S4、形成第一电极层和第一透明导电层，所述第一电极层填充于凹槽内，所述第一透明导电层覆盖于栅极绝缘层表面；
S5、形成栅极金属层，所述栅极金属层覆盖于第一透明导电层表面；
S6、形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖于第一电极层表面，所述第二绝缘层覆盖于第一透明导电层表面；在所述第二绝缘层中形成第一过孔；
S7、形成第二电极层和第二透明导电层，所述第二电极层覆盖于第一绝缘层表面，所述第二透明导电层覆盖于栅极绝缘层表面；所述第一过孔中填充有第二透明导电层；在所述第二透明导电层中形成第二过孔；
S8、形成源漏极金属层，所述源漏极金属层覆盖于第二透明导电层表面；在源漏极金属层中形成第三过孔，所述第三过孔与第二过孔相对设置且相通；
S9、形成第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层覆盖于第二电极层表面，所述第二钝化层覆盖于源漏极金属层表面，且所述第二过孔和第三过孔中均填充有第二钝化层。
本发明的有益效果在于：
通过在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层，第一电极层和第二电极层分别作为电容的电极层，第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容，缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二绝缘层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同，第二电极层的材质与第二透明导电层的材质相同，这样能够进一步提高电容容量，同时也能减小电容的占用面积，具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。
附图说明
图1为根据本发明的一种显示面板的结构示意图；
图2为根据本发明的一种显示面板的制造方法的步骤流程图；
标号说明：
1、玻璃基板；
2、缓冲层；
3、电容区域；31、第一电极层；32、第一绝缘层；33、第二电极层；34、第一钝化层；
4、TFT区域；41、有源层；42、栅极绝缘层；43、第一透明导电层；44、栅极金属层；45、第二绝缘层；46、第二透明导电层；47、源漏极金属层；48、第二钝化层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种显示面板，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层；
所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二绝缘层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，所述第二绝缘层上开设有第一过孔，所述第一过孔中均填充有第二透明导电层，所述第二透明导电层上开设有第二过孔，所述源漏极金属层上开设有第三过孔，所述第三过孔与第二过孔相对设置且相通，所述第二过孔和第三过孔中均填充有第二钝化层；
所述第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同；
所述第二电极层的材质与第二透明导电层的材质相同。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层，第一电极层和第二电极层分别作为电容的电极层，第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容，缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二绝缘层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同，第二电极层的材质与第二透明导电层的材质相同，这样能够进一步提高电容容量，同时也能减小电容的占用面积，具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。
进一步的，所述第一电极层的材质为氧化铟锡，所述第一电极层的厚度范围为
由上述描述可知，第一电极层采用氧化铟锡，且第一电极层的厚度范围为能够进一步提高电容容量。
进一步的，所述凹槽中的第一电极层与玻璃基板接触。
进一步的，所述凹槽的竖直截面形状为方形。
进一步的，所述第一过孔的数量为两个，所述第二过孔和第三过孔均位于两个第一过孔之间。
请参照图2，本发明提供的另一种技术方案：
一种显示面板的制造方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有缓冲层；在所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域形成至少一个的凹槽；
S2、形成有源层，所述有源层覆盖于缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上；
S3、形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖于有源层表面；
S4、形成第一电极层和第一透明导电层，所述第一电极层填充于凹槽内，所述第一透明导电层覆盖于栅极绝缘层表面；
S5、形成栅极金属层，所述栅极金属层覆盖于第一透明导电层表面；
S6、形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖于第一电极层表面，所述第二绝缘层覆盖于第一透明导电层表面；在所述第二绝缘层中形成第一过孔；
S7、形成第二电极层和第二透明导电层，所述第二电极层覆盖于第一绝缘层表面，所述第二透明导电层覆盖于栅极绝缘层表面；所述第一过孔中填充有第二透明导电层；在所述第二透明导电层中形成第二过孔；
S8、形成源漏极金属层，所述源漏极金属层覆盖于第二透明导电层表面；在源漏极金属层中形成第三过孔，所述第三过孔与第二过孔相对设置且相通；
S9、形成第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层覆盖于第二电极层表面，所述第二钝化层覆盖于源漏极金属层表面，且所述第二过孔和第三过孔中均填充有第二钝化层。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层，第一电极层和第二电极层分别作为电容的电极层，第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容，缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二绝缘层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同，第二电极层的材质与第二透明导电层的材质相同，这样能够进一步提高电容容量，同时也能减小电容的占用面积，具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。
进一步的，所述第一电极层的材质为氧化铟锡，所述第一电极层的厚度范围为
由上述描述可知，第一电极层采用氧化铟锡，且第一电极层的厚度范围为能够进一步提高电容容量。
进一步的，所述凹槽中的第一电极层与玻璃基板接触。
进一步的，所述凹槽的竖直截面形状为方形。
进一步的，所述第一过孔的数量为两个，所述第二过孔和第三过孔均位于两个第一过孔之间。
请参照图1，本发明的实施例一为：
一种显示面板，包括玻璃基板1和设置在玻璃基板1一侧面的缓冲层2，所述缓冲层2远离玻璃基板1的一侧面的电容区域3开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层31，所述第一电极层31远离缓冲层2的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层32、第二电极层33和第一钝化层34，形成立体栅状式电容，通过立体栅状式电容相比原有平板式电容可以有效降低电容区的占用面积，保持相同的容量情况下，缩小电容尺寸；
所述缓冲层2远离玻璃基板1的一侧面的TFT区域4上依次层叠覆盖有有源层41、栅极绝缘层42、第一透明导电层43、栅极金属层44、第二绝缘层45、第二透明导电层46、源漏极金属层47和第二钝化层48，所述第二绝缘层45上开设有第一过孔，所述第一过孔中均填充有第二透明导电层46，所述第二透明导电层46上开设有第二过孔，所述源漏极金属层47上开设有第三过孔，所述第三过孔与第二过孔相对设置且相通，所述第二过孔和第三过孔中均填充有第二钝化层48；
所述有源层41的厚度范围为优选为
所述第一电极层31的材质与第一透明导电层43的材质相同；所述第一电极层31的厚度范围为优选为所述第一透明导电层43的厚度范围为优选为
所述第二电极层33的材质与第二透明导电层46的材质相同。
所述第一电极层31的材质为氧化铟锡，所述第一电极层31的厚度范围为优选为
所述凹槽中的第一电极层31与玻璃基板1接触。
所述凹槽的竖直截面形状为方形。
所述第一过孔的数量为两个，所述第二过孔和第三过孔均位于两个第一过孔之间。
所述缓冲层2的厚度范围为0.2μm-3μm，优选为2μm；所述缓冲层2可选的材料为有机光敏材料、PI、SiOx、SiNx、氧化钛等；
所述栅极金属层44的厚度范围为优选为所述栅极金属层44的材料可选用铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金；
所述栅极绝缘层42的厚度范围为优选为所述第一绝缘层32、第二绝缘层45和栅极绝缘层42的材料相同，可选SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等；所述第一绝缘层32的厚度范围为优选为
所述第二电极层33的厚度范围为优选为所述第二透明导电层46的厚度范围为优选为所述第二电极层33和第二透明导电层46的材料相同，可采用氧化铟锡；所述第二透明导电层46的材料采用氧化铟锡，通过以氧化铟锡作为桥接连接有源层与源漏极金属层47可以减少欧姆接触阻值，提高TFT电学性能；
所述源漏极金属层47的厚度范围为优选为所述源漏极金属层47的材料可选用铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金；
所述第一钝化层34的厚度范围为优选为所述第一钝化层34和第二钝化层48的材料相同，可选SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等；
上述提及的所有结构层，在实际工艺施作过程中，所述第一电极层31和有源层41为分布在不同区域的同一膜层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的；
所述第一绝缘层32和栅极绝缘层42为分布在不同区域的同一膜层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的；
所述第二电极层33和第二透明导电层46为分布在不同区域的同一膜层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的；
所述第二钝化层48的厚度范围为优选为所述第一钝化层34和第二钝化层48为分布在不同区域的同一膜层，在进行蒸镀制程是同时制作形成的；
本方案设计的显示面板，在保持容量相等的情况下，立体栅状式电容实际占用面积较平板式电容，理论上电容面积可再进一步缩减50％。
请参照图2，本发明的实施例二为：
一种显示面板的制造方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板1，在所述玻璃基板1表面覆盖有缓冲层2；在所述缓冲层2远离玻璃基板1的一侧面的电容区域3形成至少一个的凹槽；
S2、形成有源层41，所述有源层41覆盖于缓冲层2远离玻璃基板1的一侧面的TFT区域4上；
S3、形成栅极绝缘层42，所述栅极绝缘层42覆盖于有源层41表面；
S4、形成第一电极层31和第一透明导电层43，所述第一电极层31填充于凹槽内，所述第一透明导电层43覆盖于栅极绝缘层42表面；
S5、形成栅极金属层44，所述栅极金属层44覆盖于第一透明导电层43表面；
S6、形成第一绝缘层32和第二绝缘层45，所述第一绝缘层32覆盖于第一电极层31表面，所述第二绝缘层45覆盖于第一透明导电层43表面；在所述第二绝缘层45中形成第一过孔；
S7、形成第二电极层33和第二透明导电层46，所述第二电极层33覆盖于第一绝缘层32表面，所述第二透明导电层46覆盖于栅极绝缘层42表面；所述第一过孔中填充有第二透明导电层46；在所述第二透明导电层46中形成第二过孔；
S8、形成源漏极金属层47，所述源漏极金属层47覆盖于第二透明导电层46表面；在源漏极金属层47中形成第三过孔，所述第三过孔与第二过孔相对设置且相通；
S9、形成第一钝化层34和第二钝化层48，所述第一钝化层34覆盖于第二电极层33表面，所述第二钝化层48覆盖于源漏极金属层47表面，且所述第二过孔和第三过孔中均填充有第二钝化层48。
所述第一电极层31的材质为氧化铟锡，所述第一电极层31的厚度范围为优选为
所述凹槽中的第一电极层31与玻璃基板1接触。
所述凹槽的竖直截面形状为方形。
所述第一过孔的数量为两个，所述第二过孔和第三过孔均位于两个第一过孔之间。
综上所述，本发明提供的一种显示面板及其制造方法，通过在缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层和第一钝化层，第一电极层和第二电极层分别作为电容的电极层，第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容，缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有有源层、栅极绝缘层、第一透明导电层、栅极金属层、第二绝缘层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同，第二电极层的材质与第二透明导电层的材质相同，这样能够进一步提高电容容量，同时也能减小电容的占用面积，具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
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