半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
阅读说明：本技术 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 (Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium ) 是由 中川崇 早稻田崇之 中谷公彦 出贝求 于 2020-01-07 设计创作，主要内容包括：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于,使半导体器件的制造工序简化。半导体器件的制造方法具有下述工序：(a)通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从含氟气体产生的含氟自由基,从而使第1基底及第2基底中的一者的基底的表面以F封端的方式改性的工序；和(b)通过向使一者的基底的表面改性后的衬底供给成膜气体,从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。(The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing apparatus and a recording medium. The problem is to simplify the manufacturing process of a semiconductor device. The method for manufacturing a semiconductor device comprises the following steps: (a) a step of supplying fluorine-containing radicals generated from a fluorine-containing gas to a substrate having a surface on which a 1 st base and a 2 nd base are exposed, thereby modifying the surface of one of the 1 st base and the 2 nd base so as to be F-terminated; and (b) supplying a film forming gas to the substrate whose surface is modified, thereby forming a film on the surface of the other of the 1 st base and the 2 nd base different from the one of the bases.)
技术领域
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行下述处理的情况，即，在衬底表面露出的多种基底中，选择性地在特定基底的表面上使膜生长并形成膜(以下，也将该处理称为选择生长或选择成膜)(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-243193号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于提供能够使半导体器件的制造工序简化的技术。
用于解决课题的手段
根据本发明的一方式，提供进行以下工序的技术：
(a)通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给从含氟气体产生的含氟自由基，从而使所述第1基底及所述第2基底中的一者的基底的表面以F封端的方式改性的工序；和
(b)通过向使所述一者的基底的表面改性后的所述衬底供给成膜气体，从而在所述第1基底及所述第2基底中的与所述一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。
发明效果
根据本发明，能够使半导体器件的制造工序简化。
附图说明
图1是本发明的一方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，以纵剖视图示出处理炉202部分的图。
图2是本发明的一方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线剖视图示出处理炉202部分的图。
图3是本发明的一方式中优选使用的衬底处理装置的控制器121的概略构成图，是以框图示出控制器121的控制系统的图。
图4是示出本发明一方式的选择生长中的处理时序的图。
图5的(a)是包含氧化硅膜的基底200a及包含氮化硅膜的基底200b分别在表面露出的晶片200的表面的剖面局部放大图；图5的(b)是使用从含氟气体产生的含氟自由基选择性地使基底200a的表面改性后的晶片200的表面的剖面局部放大图；图5的(c)是在基底200b的表面上选择性地形成氮化硅膜后的晶片200的表面的剖面局部放大图；图5的(d)是将图5的(c)所示的晶片200暴露在大气中后的晶片200的表面的剖面局部放大图。
图6是改性处理前的晶片200中的基底200a的表面的剖面局部放大图。
图7的(a)～图7的(d)分别是改性处理后的晶片200中的基底200a的表面的剖面局部放大图。
图8是分别示出在晶片上形成的氮化硅膜的厚度的测量结果的图。
附图标记说明
200 晶片(衬底)
200a 基底(第1基底)
200b 基底(第2基底)
具体实施方式
＜本发明的一方式＞
以下，主要参照图1～图4说明本发明的一方式。
(1)衬底处理装置的构成
如图1所示，处理炉202具有作为加热机构(温度调节部)的加热器207。加热器207是圆筒形状，通过支承于保持板而被垂直地安装。加热器207也作为利用热量使气体活化(激发)的活化机构(激发部)发挥功能。
在加热器207的内侧，以与加热器207呈同心圆状地配设有反应管203。反应管203由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端封闭而下端开口的圆筒形状。在反应管203的下方，以与反应管203呈同心圆状地配设有歧管209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属材料构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。歧管209的上端部与反应管203的下端部卡合，以支承反应管203的方式构成。在歧管209与反应管203之间设有作为密封构件的O型圈220a。反应管203与加热器207同样地垂直安装。主要由反应管203和歧管209构成处理容器(反应容器)。在处理容器的筒中空部形成处理室201。处理室201以能够收容作为衬底的晶片200的方式构成。在该处理室201内进行针对晶片200的处理。
在处理室201内，以贯通歧管209的侧壁的方式分别设有作为第1～第3供给部的喷嘴249a～249c。也将喷嘴249a～249c分别称为第1～第3喷嘴。喷嘴249a～249c由例如石英或SiC等耐热性材料构成。喷嘴249a～249c分别与气体供给管232a～232c连接。喷嘴249a～249c是互不相同的喷嘴，喷嘴249a、249c分别与喷嘴249b相邻设置。
在气体供给管232a～232c上分别从气流的上游侧起依次设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a～241c及作为开闭阀的阀243a～243c。在气体供给管232a～232c的与阀243a～243c相比的下游侧分别连接气体供给管232d～232f。在气体供给管232d～232f上分别从气流的上游侧起依次设有MFC241d～241f及阀243d～243f。气体供给管232a～232f例如由SUS等金属材料构成。
如图2所示，喷嘴249a～249c在反应管203的内壁与晶片200之间的俯视观察时呈圆环状的空间中，分别以沿着反应管203的内壁自下而上地朝向晶片200的排列方向上方立起的方式设置。即，喷嘴249a～249c在晶片200被排列的晶片排列区域的侧方的、水平包围晶片排列区域的区域中，分别以沿着晶片排列区域的方式设置。在俯视观察时，喷嘴249b以夹着向处理室201内搬入的晶片200的中心而与后述的排气口231a在一条直线上相对的方式配置。喷嘴249a、249c以沿着反应管203的内壁(晶片200的外周部)从两侧夹入直线L(其穿过喷嘴249b与排气口231a的中心)的方式配置。直线L也是穿过喷嘴249b与晶片200的中心的直线。即，喷嘴249c也能够夹着直线L设置在与喷嘴249a相反一侧。喷嘴249a、249c以直线L为对称轴而线对称地配置。在喷嘴249a～249c的侧面分别设有进行气体供给的气体供给孔250a～250c。气体供给孔250a～250c分别以在俯视观察时与排气口231a相对(面对)的方式开口，能够朝向晶片200供给气体。气体供给孔250a～250c从反应管203的下部到上部设有多个。
从气体供给管232a经由MFC241a、阀243a、喷嘴249a向处理室201内供给含有卤元素和作为构成在晶片200上形成的膜的主元素的硅(Si)的气体、即卤代硅烷系气体。卤代硅烷系气体作为成膜气体、即Si源(原料气体)发挥作用。卤元素包含氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等。作为卤代硅烷系气体，例如能够使用含有Si及Cl的氯硅烷系气体，例如能够使用四氯化硅(SiCl4)气体。
从气体供给管232b经由MFC241b、阀243b、喷嘴249b向处理室201内供给含氟(F)气体。作为含F气体，例如能够使用三氟化氯(ClF3)气体。
从气体供给管232c经由MFC241c、阀243c、喷嘴249c向处理室201内供给作为含氮气体的氮化氢系气体。氮化氢系气体作为成膜气体、即N源(氮化气体、氮化剂)发挥作用。作为氮化氢系气体，例如，能够使用氨(NH3)气体。
作为非活性气体，从气体供给管232d～232f分别经由MFC241d～241f、阀243d～243f、气体供给管232a～232c、喷嘴249a～249c向处理室201内供给例如氮(N2)气体。N2气体作为吹扫气体、载气、稀释气体等发挥作用。
主要由气体供给管232a、232c、MFC241a、241c、阀243a、243c构成成膜气体供给系统(原料气体供给系统、反应气体供给系统)。主要由气体供给管232b、MFC241b、阀243b构成含氟气体供给系统。主要由气体供给管232d～232f、MFC241d～241f、阀243d～243f构成非活性气体供给系统。
上述各种供给系统中的任一种或全部供给系统也可以构成为将阀243a～243f、MFC241a～241f等集成而成的集成型供给系统248。集成型供给系统248构成为分别与气体供给管232a～232f连接，通过后述的控制器121来控制各种气体向气体供给管232a～232f内的供给动作、即阀243a～243f的开闭动作、由MFC241a～241f进行的流量调节动作等。集成型供给系统248构成为一体型或分体型集成单元，构成为能够以集成单元单位相对于气体供给管232a～232f等进行拆装，能够以集成单元单位进行集成型供给系统248的维护、更换、增设等。
在反应管203的侧壁下方，设有对处理室201内的气氛进行排气的排气口231a。如图2所示，排气口231a在俯视观察时设置在夹着晶片200而与喷嘴249a～249c(气体供给孔250a～250c)相对(面对)的位置。排气口231a也可以沿着反应管203的侧壁从下部向上部、即沿着晶片排列区域设置。在排气口231a上，连接有排气管231。在排气管231上，经由对处理室201内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器245及作为压力调节器(压力调节部)的APC(Auto Pressure Controller：自动压力控制器)阀244连接有作为真空排气装置的真空泵246。APC阀244构成为在使真空泵246动作的状态下使阀开闭，从而能够进行处理室201内的真空排气及真空排气停止，此外，通过在使真空泵246动作的状态下基于由压力传感器245检测的压力信息来调节阀开度，从而能够对处理室201内的压力进行调节。主要由排气管231、APC阀244、压力传感器245构成排气系统。也可以考虑将真空泵246包含在排气系统中。
在歧管209的下方，设有能够使歧管209的下端开口气密封闭的作为炉口盖体的密封盖219。密封盖219由例如SUS等金属材料构成，并形成为圆盘状。在密封盖219的上表面，设有与歧管209的下端抵接的作为密封构件的O型圈220b。在密封盖219的下方，设置有使后述的晶舟217旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯通密封盖219而与晶舟217连接。旋转机构267构成为，通过使晶舟217旋转而使晶片200旋转。密封盖219构成为，通过设置于反应管203的外部的作为升降机构的晶舟升降机115而沿垂直方向升降。晶舟升降机115构成为搬送装置(搬送机构)，其通过使密封盖219升降从而将晶片200向处理室201的内外进行搬入及搬出(搬送)。在歧管209的下方设有作为炉口盖体的闸板219s，其在使密封盖219下降并将晶舟217从处理室201内搬出的状态下，能够使歧管209的下端开口气密封闭。闸板219s由例如SUS等金属材料构成并形成为圆盘状。在闸板219s的上表面，设有与歧管209的下端抵接的作为密封构件的O型圈220c。闸板219s的开闭动作(升降动作、转动动作等)通过闸板开闭机构115s控制。
作为衬底支承件的晶舟217构成为，将多片例如25～200片晶片200以水平姿态且以使中心相互对齐的状态沿垂直方向排列并以多层支承、即空开间隔地排列。晶舟217由例如石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟217的下部将由例如石英、SiC等耐热性材料构成的隔热板218以多层支承。
在反应管203内设置有作为温度检测器的温度传感器263。基于由温度传感器263检测到的温度信息对向加热器207的通电状况进行调节，从而使得处理室201内的温度变为希望的温度分布。温度传感器263沿反应管203的内壁设置。
如图3所示，作为控制部(控制单元)的控制器121构成为具备CPU(CentralProcessing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、存储装置121c、I/O端口121d的计算机。RAM121b、存储装置121c、I/O端口121d以能够经由内部总线121e与CPU121a进行数据交换的方式构成。控制器121与构成为例如触摸面板等的输入输出装置122连接。
存储装置121c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在存储装置121c内以能够读取的方式存储有对衬底处理装置的动作进行控制的控制程序、记载有后述的衬底处理的步骤、条件等的工艺制程等。工艺制程是以使控制器121执行后述的衬底处理中的各步骤并能够获得规定结果的方式组合而得的，作为程序发挥功能。以下也将工艺制程、控制程序等简单地统称为程序。另外，也将工艺制程简称为制程。在本说明书中使用程序这一词语的情况下，存在仅包含制程情况、仅包含控制程序的情况或包含以上两者的情况。RAM121b构成为暂时保存由CPU121a读取的程序、数据等的存储区域(工作区域)。
I/O端口121d与上述的MFC241a～241f、阀243a～243f、压力传感器245、APC阀244、真空泵246、温度传感器263、加热器207、旋转机构267、晶舟升降机115、闸板开闭机构115s等连接。
CPU121a构成为，从存储装置121c读取控制程序并执行，并对应于来自输入输出装置122的操作命令的输入等而从存储装置121c读取制程。CPU121a构成为，按照所读取的制程的内容，对利用MFC241a～241f进行的各种气体的流量调节动作、阀243a～243g的开闭动作、APC阀244的开闭动作及基于压力传感器245的利用APC阀244进行的压力调节动作、真空泵246的起动及停止、基于温度传感器263的加热器207的温度调节动作、利用旋转机构267进行的晶舟217的旋转及旋转速度调节动作、利用晶舟升降机115进行的晶舟217的升降动作、利用闸板开闭机构115s进行的闸板219s的开闭动作等进行控制。
控制器121能够通过将在外部存储装置123中存储的上述程序安装于计算机而构成。外部存储装置123例如包含HDD等磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器等。存储装置121c、外部存储装置123构成为计算机能够读取的记录介质。以下也将它们简单统称为记录介质。在本说明书中使用记录介质这一词语的情况下，存在仅包含存储装置121c的情况、仅包含外部存储装置123的情况、或包含以上两者的情况。需要说明的是，程序向计算机的提供也可以不使用外部存储装置123而使用互联网、专用线路等通信手段来进行。
(2)衬底处理工序
主要使用图4、图5的(a)～图5的(d)说明下述选择生长(选择成膜)的处理时序例，即，使用上述的衬底处理装置，作为半导体器件的制造工序的一个工序，在作为衬底的晶片200的表面上露出的多种基底中、选择性地在特定基底的表面上使膜生长以形成膜。在以下说明中，构成衬底处理装置的各部分的动作由控制器121控制。
在图4所示的成膜时序中，进行下述步骤：
步骤A，通过向在表面露出包含氧化硅膜(SiO膜)的第1基底(基底200a)和包含氮化硅膜(SiN膜)的第2基底(基底200b)的晶片200供给从作为含氟气体的ClF3产生的含F自由基，从而使基底200a及基底200b中的一者的基底(在此为基底200a)的表面以F封端的方式改性；和
步骤B，通过向使基底200a的表面改性后的晶片200供给SiCl4气体及NH3气体作为成膜气体，从而在基底200a及基底200b中的与上述一者的基底不同的另一基底(在此为基底200b)的表面上作为膜而形成含有Si及N的膜即SiN膜。
需要说明的是，图4示出在步骤B中将非同时地进行下述步骤的循环进行规定次数(n次、n为1以上的整数)的情况，所述步骤为：向晶片200供给SiCl4气体的步骤B1和向晶片200供给NH3气体的步骤B2。
在本说明书中，方便起见，还存在将图4示出的成膜时序如下示出的情况。在以下的变形例等的说明中也使用同样的表述。
在本说明书中使用“晶片”这一词语的情况下，存在指晶片本身的情况、指晶片与在其表面形成的规定的层、膜的层叠体的情况。在本说明书中使用“晶片的表面”这一词语的情况下，存在指晶片本身的表面的情况、指在晶片上形成的规定的层等的表面的情况。在本说明书中记载“在晶片上形成规定的层”的情况下，存在指在晶片本身的表面上直接形成规定的层的情况、指在晶片上形成的层等上形成规定的层的情况。在本说明书中使用“衬底”这一词语的情况，也与使用“晶片”这一词语的情况的含义相同。
(晶片填充及晶舟装载)
在将多片晶片200向晶舟217装填(晶片填充)后，通过闸板开闭机构115s使闸板219s移动，使歧管209的下端开口开放(闸板打开)。然后，如图1所示，支承有多片晶片200的晶舟217通过晶舟升降机115而被抬升并被搬入处理室201内(晶舟装载)。在该状态下，密封盖219成为借助O型圈220b将歧管209的下端密封的状态。
如图5的(a)所示，成为在晶片200的表面使多种基底(此处，作为一例，为包含SiO膜(作为含氧(O)膜即氧化膜)的基底200a和包含作为氮化膜的SiN膜(非含O膜即非氧化膜)的基底200b)预先露出的状态。基底200a在整个区域(整面)范围内具有图6所示的经羟基(OH)封端的表面。对于基底200b来说，其具有许多区域未经OH封端的表面，即具有一部分区域经OH封端的表面。
(压力调节及温度调节)
通过真空泵246进行真空排气(减压排气)，以使处理室201内即晶片200所在的空间变为希望的压力(真空度)。此时，处理室201内的压力由压力传感器245测量，基于该测量到的压力信息对APC阀244进行反馈控制。另外，由加热器207加热以使处理室201内的晶片200变为希望的处理温度。此时，基于温度传感器263检测到的温度信息对向加热器207的通电情况进行反馈控制，以使处理室201内变为希望的温度分布。另外，使利用旋转机构267进行的晶片200的旋转开始。处理室201内的排气、晶片200的加热及旋转均至少在直至针对晶片200的处理结束的期间持续进行。
(选择生长)
然后，依次执行下述的步骤A～B。
[步骤A]
在该步骤中，向处理室201内的晶片200、即在表面露出基底200a和基底200b的晶片200供给ClF3气体。
具体来说，将阀243b打开，使ClF3气体流入气体供给管232b内。ClF3气体通过MFC241b进行流量调节，经由喷嘴249b向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时向晶片200供给ClF3气体(ClF3气体供给)。此时，将阀243d、243f打开，分别经由喷嘴249a、249c向处理室201内供给N2气体。也可以不实施N2气体供给。
作为本步骤中的处理条件，可例示：
ClF3气体供给流量：1～2000sccm、优选1～500sccm
ClF3气体供给时间：1秒～60分钟
N2气体供给流量(各气体供给管)：0～10000sccm
处理温度：室温(25℃)～300℃、优选室温～200℃
处理压力：1～2000Pa、优选1～1000Pa。
此处所述的条件是不对基底200a的表面进行蚀刻的条件、而是如后所述能够使基底200a的表面以F封端的方式改性(modification)的条件。
需要说明的是，本说明书中的“1～2000Pa”这样的数值范围的表述是指将下限值及上限值包含在其范围。因此，例如“1～2000Pa”是指“1Pa以上且2000Pa以下”。关于其他数值范围也相同。
在本步骤中的处理温度低于室温(25℃)的情况下，存在基底200a的表面的改性变得不充分的情况。通过将处理温度设为室温以上的温度，从而能够充分地进行基底200a的表面的改性。若处理温度超过300℃，则存在基底膜200a、200b中的至少任一个、特别是基底200b的表面被蚀刻而受到蚀刻损伤的情况。通过将处理温度设为300℃以下的温度，从而能够抑制基底膜200a、200b中的至少任一个、特别是基底200b的表面的蚀刻，能够抑制对基底200b的表面的蚀刻损伤。通过将处理温度设为200℃以下的温度，从而能够可靠地获得该效果。
通过在上述条件下向晶片200供给ClF3气体，从而能够从ClF3气体产生含F自由基，使基底200a的表面与含F自由基反应。作为含F自由基，能够举出F、ClF2、ClF等。在本步骤中，通过从ClF3气体产生的含F自由基的作用，能够使基底200a的表面在不蚀刻的情况下以F封端的方式改性。改性后的基底200a具有F封端了的表面。具体来说，基底200a的表面中的OH基如图7的(a)所例示由F等含F物质置换，其表面将被F封端。通过基底200a的表面被F封端，从而在后述步骤B中不易在基底200a的表面进行成膜反应。准确来说，能够使直到发生成膜反应的时间即潜伏期(incubation time)延长。需要说明的是，F封端了的基底200a的表面成为实质上不含有机成分的表面。
如图5的(b)所示，在本步骤中，能够在抑制基底200b的表面改性的同时选择性地(优先)使基底200a的表面改性。此时，也存在基底200b的表面的一部分被改性的情况，但该改性的量与基底200a的表面的改性量相比为少量。之所以能够实现这样的选择性(优先的)的改性，是因为在步骤A开始前的基底200b的表面的许多区域未经OH封端，而基底200a的表面的整个区域实施了OH封端。由于在基底200b的表面的许多区域中未形成OH封端，因此，在其许多区域中未形成F封端。但是，如上所述，也存在基底200b的表面的一部分区域形成有OH封端的情况，在该情况下，也存在在该一部分区域中借助含F自由基的作用而形成F封端的情况。与此相对，在基底200a的表面上，由于在其表面的整个区域中形成有OH封端，因此在含F自由基的作用下，在表面的整个区域形成非常稳定的F封端。
需要说明的是，基底200b的表面也存在其一部分由于含F自由基的作用而被蚀刻的情况。但是，即使在基底200b的表面的一部分被蚀刻的情况下，其蚀刻量也很少，能够通过调节处理条件使得基底200b的表面基本不会受到蚀刻损伤。无论是在基底200b的表面的一部分被改性的情况下，还是在基底200b的表面的一部分被蚀刻的情况下，都仍会在基底200b的表面的许多区域维持吸附位点。
在基底200a、200b中选择性地使基底200a的表面改性后，将阀243b关闭，停止向处理室201内的ClF3气体供给。然后，通过与步骤A中的吹扫相同的处理步骤，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除。
作为含F气体，除了ClF3气体以外，能够使用氟(F2)气体、氟化氯气体(ClF)气体、F2+一氧化氮(NO)气体、ClF3+NO气体、ClF+NO气体、三氟化氮(NF3)气体、氟化亚硝酰(FNO)气体、六氟化钨(WF6)气体或上述气体的混合气体。
[步骤B]
在该步骤中，依次执行步骤B1、B2。
〔步骤B1〕
在该步骤中，向使处理室201内的晶片200即基底200a、200b中的基底200a的表面选择性地改性后的晶片200供给SiCl4气体。
具体来说，将阀243a打开，使SiCl4气体流入气体供给管232a内。SiCl4气体通过MFC241a进行流量调节，经由喷嘴249a向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时向晶片200供给SiCl4气体(SiCl4气体供给)。此时，也可以将阀243e、243f打开，分别经由喷嘴249b、249c向处理室201内供给N2气体。
作为本步骤中的处理条件，可例示：
SiCl4气体供给流量：1～2000sccm、优选10～1000sccm
SiCl4气体供给时间：1～180秒、优选1～120秒
处理温度：350～600℃、优选400～550℃
处理压力：1～2000Pa、优选10～1333Pa。
其他处理条件与步骤A中的处理条件相同。
通过在上述条件下向晶片200供给SiCl4气体，从而在基底200a、200b中的包含未改性区域的基底200b的表面上，形成含有Cl的含Si层。即，以基底200b中的未改性区域即维持了吸附位点的区域为起点，形成含有Cl的含Si层。含有Cl的含Si层通过向基底200b的表面的、SiCl4的化学吸附、物理吸附、SiCl4的一部分分解得到的物质(SiClx)的化学吸附、由SiCl4的热分解带来的Si堆积等而形成。含有Cl的含Si层可以是SiCl4、SiClx的吸附层(物理吸附层、化学吸附层)，也可以是含有Cl的Si的堆积层。在本说明书中，也将含有Cl的含Si层简称为含Si层。
在本步骤中，能够在抑制基底200a的表面上的含Si层形成的同时、在基底200b的表面上选择性地形成含Si层。需要说明的是，在由于某种原因而使得基底200a的表面的改性变得不充分等情况下，也存在在基底200a的表面上极少量地形成含Si层的情况，但即使在该情况下，在基底200a的表面上形成的含Si层的厚度也远比在基底200b的表面上形成的含Si层的厚度薄。之所以能够实现这样的含Si层的选择性形成，是由于在基底200a的表面存在的F封端成为阻碍向基底200a的表面上的、含Si层的形成(Si的吸附)的主要原因，即作为抑制剂(inhibitor)发挥功能。需要说明的是，在基底200a的表面存在的F封端在实施本步骤时也不会消失而被稳定地维持。
在基底200b的表面上形成含Si层后，将阀243a关闭，停止向处理室201内的SiCl4气体供给。然后，通过与步骤A中的吹扫相同的处理步骤，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除(吹扫)。
作为原料气体(成膜气体)，除了SiCl4气体以外，能够使用单氯硅烷(SiH3Cl、简称：MCS)气体、二氯硅烷(SiH2Cl2、简称：DCS)气体、三氯硅烷(SiHCl3、简称：TCS)气体、六氯乙硅烷(Si2Cl6、简称：HCDS)气体、八氯三硅烷(Si3Cl8、简称：OCTS)气体等氯硅烷系气体、四溴硅烷(SiBr4)气体等溴硅烷系气体、四碘硅烷(SiI4)气体等碘硅烷系气体。
〔步骤B2〕
在该步骤中，向处理室201内的晶片200即在基底200b上形成的含Si层供给NH3气体。
具体来说，将阀243c打开，使NH3气体流入气体供给管232c内。NH3气体通过MFC241c进行流量调节，经由喷嘴249c向处理室201内供给，并从排气口231a排气。此时向晶片200供给NH3气体(NH3气体供给)。此时，也可以将阀243d、243e打开，分别经由喷嘴249a、249b向处理室201内供给N2气体。
作为本步骤中的处理条件，可例示：
NH3气体供给流量：10～10000sccm
NH3气体供给时间：1～60秒、优选5～50秒
处理压力：1～4000Pa、优选1～1333Pa。
其他处理条件与步骤A中的处理条件相同。
通过在上述条件下向晶片200供给NH3气体，从而在基底200b的表面上形成的含Si层的至少一部分被氮化(改性)。通过含Si层的改性，从而在基底200b的表面上形成含有Si及N的层即氮化硅层(SiN层)。在形成SiN层时，含Si层中含有的Cl等杂质在由NH3气体进行的含Si层的改性反应的过程中构成至少含有Cl的气体状物质，并从处理室201内排出。由此，SiN层成为与在步骤B1中形成的含Si层相比Cl等杂质少的层。需要说明的是，基底200a的表面在实施本步骤时也未被改性而被维持。即，基底200a的表面未被改性(NH封端)，以经F封端的状态被稳定地维持。
在基底200b的表面上形成SiN层后，将阀243c关闭，停止向处理室201内的NH3气体供给。然后，通过与步骤A中的吹扫相同的处理步骤，将残留在处理室201内的气体等从处理室201内排除(吹扫)。
作为反应气体(成膜气体)，除了NH3气体以外，例如能够使用二氮烯(N2H2)气体、肼(N2H4)气体、N3H8气体等氮化氢系气体。
〔实施规定次数〕
通过使非同时即不同步地进行上述步骤B1、B2的循环进行规定次数(n次、n为1以上的整数)，从而如图5的(c)所示，能够在晶片200的表面所露出的基底200a、200b中的基底200b的表面上选择性地形成SiN膜。优选上述循环重复多次。即，优选使每一次循环所形成的SiN层的厚度比希望的膜厚薄，并使上述循环重复多次，直到通过层叠SiN层而形成的膜的膜厚达到希望的膜厚。
需要说明的是，在实施步骤B1、B2时，在基底200a的表面存在的F封端未消失而被维持，因此在基底200a的表面不形成SiN膜。但是，在由于某种原因而使得基底200a表面的改性变得不充分等情况下，也存在在基底200a的表面上极少量地形成SiN膜的情况，但即使在该情况下，在基底200a的表面上形成的SiN膜的厚度也远比在基底200b的表面上形成的SiN膜的厚度薄。在本说明书中，所谓在基底200a、200b中的“基底200b的表面上选择性地形成SiN膜”，不仅包含在基底200a的表面上完全不形成SiN膜的情况，如上所述也包含在基底200a的表面上形成非常薄的SiN膜的情况。
(后吹扫及大气压恢复)
在向基底200b上的SiN膜的选择性形成完成后，分别从喷嘴249a～249c向处理室201内供给作为吹扫气体的N2气体，并从排气口231a排气。由此，处理室201内被吹扫，残留在处理室201内的气体、反应副产物被从处理室201内除去(后吹扫)。之后，处理室201内的气氛被置换为非活性气体(非活性气体置换)、处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)。
(晶舟卸载及晶片取出)
通过晶舟升降机115而使密封盖219下降，歧管209的下端开口。并且，已处理的晶片200在支承于晶舟217的状态下被从歧管209的下端搬出(晶舟卸载)到反应管203的外部。在晶舟卸载后，闸板219s被移动，且歧管209的下端开口借助O型圈220c由闸板219s密封(闸板关闭)。已处理的晶片200在搬出到反应管203的外部后被从晶舟217取下(晶片取出)。
需要说明的是，如图5的(d)所示，基底200a的表面存在的F封端在处理后的晶片200暴露在大气中时，与规定的反应物、具体来说与大气中的水分(H2O)反应而消失。即，能够通过处理后的晶片200暴露在大气中来除去在基底200a的表面存在的F封端。通过从基底200a的表面将F封端除去，从而使得基底200a的表面状态被复原(reset)，能够在之后的工序中进行向基底200a的表面上的成膜处理。
(3)由本方式带来的效果
根据本方式，能够获得以下所示的一个或多个效果。
(a)通过进行步骤A、B，从而能够在晶片200的表面上所露出的基底200a、200b中的基底200b的表面上选择性地形成SiN膜。由此，例如在制造半导体器件时，能够省略包含光刻的图案处理等而将其工序简化。作为结果，能够提高半导体器件的生产率并降低制造成本。
(b)在进行了步骤B后，通过使处理后的晶片200暴露在大气中，从而能够使基底200a的表面存在的作为抑制剂的F封端消失。像这样，由于能够简单地除去F封端，因此不需要另行设置除去抑制剂的工序，能够简化半导体器件的制造工序，提高半导体器件的生产率并降低制造成本。
(c)由于步骤A及步骤B中的至少任一个、优选步骤A及B的各自均在非等离子体的气氛下进行，因此能够避免对晶片200的等离子体损伤，还能够将本方法应用于担心会造成等离子体损伤的工序。
(d)例如，在晶片200的表面形成有槽等凹部、在该凹部的底面形成有与成膜对象膜相同的膜、在侧面形成有与成膜对象膜不同的膜的情况下，若以填埋该凹部内的方式通过CVD法、原料交替供给法等进行成膜，则根据凹部的形状而存在在所形成的膜中产生孔隙、接缝的情况。根据本方式的方法，能够实现使膜从凹部的底面侧朝向上方生长的自下而上生长(bottom up growth)，能够进行无孔隙且无接缝的填埋。
(e)另外，例如，在使用SiN膜作为掩膜的情况下，若SiN膜被蚀刻，则存在该掩膜形状变形的情况。在该情况下，通过使用本方式的方法，从而能够对掩膜进行形状修复，能够以希望的形状进行蚀刻直到期望的蚀刻处理完成。
(f)另外，例如，在进行SADP(Self-Aligned Double Patterning：自对准双重成像)的情况下，若反复进行曝光和蚀刻，则存在微细精度恶化的情况。在该情况下，通过最终基于本方式的方法的选择生长进行膜厚调节，能够提高图案化精度。
(g)上述效果在使用ClF3气体以外的含F气体的情况、使用SiCl4气体以外的其他原料气体的情况、使用NH3气体以外的其他反应气体的情况、以及使用N2气体以外的其他非活性气体的情况下均能够同样地获得。
＜本发明的其他方式＞
以上，对本发明的方式进行了具体说明。但本发明不限定于上述方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行多种变更。
例如，在步骤A中，也可以通过在假催化剂存在的气氛下供给含F气体来促进含F自由基的产生。即，在步骤A中，也可以通过向收容有假催化剂的处理室201内供给含F气体来促进含F自由基的产生，并通过将按照这种方式产生的自由基向晶片200的表面供给，从而选择性(优先)地使基底200a、200b中的基底200a的表面改性。在此，所谓假催化剂，是促进含F气体的分解以促使从含F气体产生含F自由基的物质。借助使含F气体与假催化剂接触而产生的假催化剂的作用，能够促进从含F气体产生含F自由基以高效地产生含F自由基。
作为假催化剂，例如，能够使用最外表面未由自然氧化膜(SiO膜)覆盖的固体的Si、即Si材料在最外表面露出而裸露的Si构件。作为这样的构件，例如能够使用通过使用氟化氢(HF)水溶液的清洗等除去在最外表面形成的自然氧化膜而得的Si制晶片、例如裸Si晶片(以下记为“裸晶片”)。需要说明的是，在大气中保管的裸晶片的最外表面形成有自然氧化膜，在其最外表面上Si材料未裸露，在该状态下，则无法将裸晶片作为假催化剂使用。为了使裸晶片作为假催化剂发挥作用，需要将在裸晶片的最外表面形成的自然氧化膜除去，以在其最外表面上形成使Si材料露出的状态。
在将自然氧化膜被除去的裸晶片作为假催化剂使用的情况下，将自然氧化膜除去后的裸晶片与作为处理对象的晶片200一起保持在晶舟217的规定位置，通过在该状态下将晶舟217向处理室201内搬入，从而能够将作为假催化剂的裸晶片收容在处理室201内。需要说明的是，在该情况下，优选将作为假催化剂的裸晶片和作为处理对象的晶片200隔开一片而交替地向晶舟217装填，使作为处理对象的晶片200的上表面与作为假催化剂的裸晶片的表面相面对(相对)，将裸晶片配置在基底200a的正上方。在该情况下，在步骤A中，能够通过使含F气体与作为假催化剂的裸晶片接触而高效地产生含F自由基，能够将按照这种方式高效产生的含F自由基高效地向基底200a供给。
对于此时的选择生长中的处理步骤、处理条件来说，除了将作为假催化剂的自然氧化膜除去后的裸晶片向晶舟217设置以外，能够设为与上述方式的处理步骤、处理条件相同。在该情况下，在步骤A中，在作为假催化剂的裸晶片即Si存在的气氛下，作为含F气体供给ClF3气体，从而在晶片200的表面进行以下例示的反应。在以下例示的各种反应式中，分别地，(s)表示该物质为固体(固相)，(g)表示该物质为气体(气相)。在存在Si的气氛下，从ClF3气体产生的各种含F物质中的例如F、ClF2、ClF、SiF2、SiF3等相当于含F自由基。
Si(s)+ClF3(g)→SiF(s)+ClF2(g)
SiF(s)+ClF2(g)→SiF2(s)+ClF(g)
SiF2(s)+ClF(g)→SiF3(s)+Cl(g)
ClF3(g)→ClF2(g)+F(g)
在该情况下，也能够获得与上述方式相同的效果。另外，在步骤A中，通过在假催化剂存在的气氛下供给含F气体，从而与在不存在假催化剂的气氛下供给含F气体的情况相比，能够促进处理室201内含F自由基的产生，增大所产生的含F自由基的量。作为结果，在步骤A中，能够促使基底200a的表面改性，更加可靠地进行SiN膜向基底200b的表面上的选择性形成。另外，通过使用假催化剂，能够实现步骤A中的处理温度的低温化，能够有效抑制步骤A中的基底200b的表面蚀刻、能够有效抑制对基底200b的表面的蚀刻损伤。
需要说明的是，作为假催化剂，也可以取代裸晶片而使用Si制的板(Si板)、Si制的芯片(Si芯片)、Si制的片(Si片)、Si制的块(Si块)等。在将以上构件作为假催化剂使用的情况下，也与将裸晶片作为假催化剂使用的情况同样地，需要将在这些构件的在最外表面形成的自然氧化膜除去，在其最外表面上形成Si材料露出的状态。
另外，也可以在进行选择生长前、在处理室201内的构件的表面(反应管203的内壁、晶舟217的表面等)预先形成(预涂布)Si膜，将该Si膜(预涂布膜)作为假催化剂使用。作为预涂布膜的Si膜例如能够使用甲硅烷(SiH4)气体等硅烷系气体、并利用CVD法来形成。Si膜可以是无定形(非晶质)状态的Si膜、也可以多晶(多结晶)状态的Si膜，还可以是无定形与多晶的混晶状态的Si膜。
作为形成Si膜时的处理条件，可例示：
SiH4气体供给流量：10～2000sccm
N2气体供给流量(各气体供给管)：0～10000sccm
气体供给时间：10～400分钟
处理温度：450～550℃、优选450～530℃
处理压力：1～900Pa。
在该情况下，在步骤A中，通过使含F气体与作为假催化剂的Si膜(预涂布膜)接触，从而能够高效地产生含F自由基，能够将像这样高效产生的含F自由基高效地向基底200a供给。
需要说明的是，作为预涂布膜，除了Si膜以外，也可以使用SiN膜、碳化硅膜(SiC膜)、碳氮化硅膜(SiCN膜)、富硅SiN膜(SiRN膜)、富硅SiC膜(SiRC膜)、富硅SiCN膜(SiRCN膜)等。即，作为预涂布膜，除了Si以外也可以使用含有C、N的含Si膜。作为预涂布膜的SiN膜、SiC膜、SiCN膜、SiRN膜、SiRC膜、SiRCN膜，例如能够使用乙基甲基氨基硅烷(SiH3[N(CH3)(C2H5)])气体、二甲基氨基硅烷(SiH3[N(CH3)2])气体、二异丙基氨基硅烷(SiH3[N(C3H7)2])气体、二仲丁基氨基硅烷(SiH3[H(C4H9)2])气体等氨基硅烷系气体并通过CVD法形成。作为此时的处理条件，能够设为与形成作为上述的预涂布膜的Si膜时的处理条件相同的处理条件。需要说明的是，氨基硅烷系气体是包含Si和氨基的气体，也可以说是至少包含Si、N、C作为构成元素的气体。
在以上情况下，也能够通过在步骤A中使含F气体与作为假催化剂的SiN膜、SiC膜、SiCN膜、SiRN膜、SiRC膜、SiRCN膜(预涂布膜)接触，从而高效地产生含F自由基，能够将像这样高效产生的含F自由基高效地向基底200a供给。
对于将上述预涂布膜作为假催化剂使用的情况下的选择生长中的处理步骤、处理条件来说，除了在处理室201内的构件的表面预涂布上述的膜以外，能够设为与上述方式的处理步骤、处理条件相同。在像这样将预涂布膜作为假催化剂使用的情况下，也能够获得与将裸晶片作为假催化剂使用的情况相同的效果。需要说明的是，也可以将该情况下的预涂布膜称为假催化剂膜、假催化剂预涂布膜。
另外，也可以是，在将作为处理对象的晶片200收容在处理室201内后且在进行选择生长前，在晶片200的表面上即基底200a、200b的表面上形成Si膜，将该Si膜作为假催化剂即假催化剂膜使用。作为假催化剂膜，除了Si膜以外，也可以使用SiN膜、SiC膜、SiCN膜、SiRN膜、SiRC膜、SiRCN膜等。即，作为假催化剂膜，除了Si以外，也可以使用含有C、N的含Si膜。对于形成作为假催化剂膜的Si膜、SiN膜、SiC膜、SiCN膜、SiRN膜、SiRC膜、SiRCN膜时使用的气体、处理条件而言，能够分别设为与形成上述预涂布膜时使用的气体、处理条件相同。
在上述情况下，在步骤A中，通过使含F气体与假催化剂膜接触，从而能够高效地产生含F自由基，能够将按照这种方式高效产生的含F自由基向基底200a供给。即，能够使基底200a的表面以F封端的方式改性。需要说明的是，此时，在基底200b的表面上形成的假催化剂膜被蚀刻，吸附位点在基底200b的表面上露出。此时，还存在基底200b的表面也被轻微蚀刻的情况，但即使在该情况下，蚀刻量也是少量，其表面的吸附位点被维持。需要说明的是，由于基底200a由SiO膜构成、具有牢固的Si-O键，因此其表面未被蚀刻，而是该表面被适当地F封端、被施以适当的改性。
对于使用上述假催化剂膜的情况下的选择生长中的处理步骤、处理条件来说，除了在晶片200的表面上形成假催化剂膜以外，能够设为与上述方式的处理步骤、处理条件相同。即使在像这样将Si膜、SiN膜、SiC膜、SiCN膜、SiRN膜、SiRC膜、SiRCN膜等作为假催化剂使用的情况下，也能够获得与将裸晶片作为假催化剂使用的情况相同的效果。
另外，例如，作为假催化剂，不仅能够使用裸晶片、Si板、Si芯片、Si片、Si块、含Si预涂布膜、含Si假催化剂膜等固体状的假催化剂，也可以使用气体状的假催化剂。作为气体状的假催化剂即假催化剂气体，能够使用通过与含F气体接触来促进含F气体的分解、从含F气体产生含F自由基的气体。作为假催化剂气体，具体来说，例如能够使用氧(O2)气体、一氧化二氮(N2O)气体、二氧化氮(NO2)气体、NO气体、HF气体、NH3气体及氢(H2)气体中的至少任一种气体。以上气体的供给例如能够使用喷嘴249a、249c等与向处理室201内的含F气体供给同时进行。
在该情况下，在步骤A中，通过将含F气体和假催化剂气体同时向处理室201内供给，从而在假催化剂气体存在的气氛下供给含F气体。此时，能够使含F气体与假催化剂气体接触，由此能够高效地产生含F自由基，能够将按照这种方式高效产生的含F自由基高效地向基底200a供给。需要说明的是，只要是含F气体与假催化剂气体在处理室201内混合，也可以将含F气体和假催化剂气体交替或间歇地向处理室201内供给。
对于此时的选择生长中的处理步骤、处理条件来说，除了向处理室201内供给含F气体和假催化剂气体以外，能够设为与上述方式的处理步骤、处理条件相同。在像这样供给含F气体和假催化剂气体的情况下，也能够获得与将裸晶片作为假催化剂使用的情况相同的效果。另外，在使用气体状的假催化剂的情况下，也与使用固体状的假催化剂的情况同样地，能够实现步骤A中的处理温度的低温化，有效抑制步骤A中的基底200b的表面的蚀刻、对基底200b的表面的蚀刻损伤。
需要说明的是，所谓“催化剂”，是指在化学反应前后其自身虽无变化、但会使反应速度变化的物质。作为假催化剂例示的上述物质均具有促使含F自由基产生的催化剂性的作用，但这其中，也存在其自身在化学反应前后变化的物质。例如，NO气体具有催化剂性的作用，但在与含F气体反应时，存在分子构造的一部分分解而其自身在化学反应前后发生变化的情况。在本说明书，将像这样尽管其自身在化学反应前后变化、但会使反应速度变化的物质称为“假催化剂”。
另外，例如，在步骤A中，也可以通过基于等离子体、加热、光照射等对含F气体的活化(激发)来促进从含F气体产生含F自由基。在这些情况下，也能够获得与上述方式相同的效果。另外，通过在步骤A中使含F气体通过等离子体、加热、光照射等而活化，从而与不使含F气体通过它们活化的情况相比，能够促进处理室201内的含F自由基的产生，增加所产生的含F自由基的量。作为结果，能够在步骤A中促进基底200a的表面的改性，更加可靠地进行SiN膜向基底200b的表面上的选择性形成。另外，通过使用假催化剂，还能够实现步骤A中的处理温度的低温化。需要说明的是，在使用等离子体的情况下，为了抑制晶片200、处理室201内的构件的等离子体损伤，优选采用在处理室201的外部设置的远程等离子体单元中利用等离子体使含F气体活化，然后向处理室201内供给的方式即远程等离子体方式。
另外，例如，也可以是，在晶片200的表面上，不仅使包含SiO膜的基底200a及包含SiN膜的基底200b露出，也使包含钨膜(W膜)、氮化钨膜(WN膜)、氮化钛膜(TiN膜)等导电性金属系薄膜的基底露出。另外，也可以取代包含SiN膜的基底200b，使包含上述金属系薄膜的基底露出。在这些情况下，也能够获得与上述方式相同的效果。即，能够在避免向SiO膜上的成膜的同时，选择性地在SiN膜的表面上、上述金属系薄膜的表面上形成膜。
另外，例如，在步骤B中，也可以在使非同时进行步骤B1、B2的循环开始前，进行以规定时间向处理室201内的晶片200、即向选择性地将基底200a、200b中的基底200a的表面改性后的晶片200供给NH3气体的步骤(NH3预流动)。在该情况下，基底200a的表面存在的F封端也不会消失而稳定地被维持，因此能够获得与上述方式相同的效果。另外，能够使基底200b的表面的吸附位点最佳化，提高在基底200b上形成的SiN膜的品质。
另外，例如，在步骤B中，作为原料气体，除了SiCl4气体以外，也可以使用上述氯硅烷系气体、四氯化钛(TiCl4)气体等卤代金属气体。另外，例如，作为反应气体，除了NH3气体等含N气体以外，也可以使用O2气体等含O气体、三乙基胺((C2H5)3N、简称：TEA)气体等含有N及C的气体、丙烯(C3H6)气体等含C气体、三氯化硼(BCl3)气体等含硼(B)气体。并且，也可以通过以下所示的气体供给时序，在基底200a、200b中的未改性的基底200b的表面上形成氮氧化硅膜(SiON膜)、碳氮化硅膜(SiCN膜)、硅氧碳氮化膜(SiOCN膜)、碳氧化硅膜(SiOC膜)、硅硼氮化膜(SiBN膜)、硅硼碳氮化膜(SiBCN膜)、氮化钛膜(TiN膜)、氮氧化钛膜(TiON膜)等膜。在基底200a的表面上形成的F封端非常稳定，因此在以上情况下，即，在作为成膜气体未使用水蒸气(H2O气体)、过氧化氢气体(H2O2)等含有OH基的气体的情况下，能够获得与上述方式相同的效果。
优选各处理使用的制程对应于处理内容单独准备，并预先经由电通信线路、外部存储装置123存储在存储装置121c内。并且，优选的是，在各处理开始时，CPU121a对应于处理内容而从在存储装置121c内存储的多个制程中适当选择恰当的制程。由此，能够在一个衬底处理装置中再现性良好地形成多种膜种、组成比、膜质、膜厚的膜。另外，能够减轻操作者的负担，避免操作失误，并迅速开始各处理。
上述制程不限于新创建的情况，例如也可以通过对已安装在衬底处理装置中的现有制程进行变更来准备。在对制程进行变更的情况下，也可以将变更后的制程经由电通信线路、记录有相应制程的记录介质安装在衬底处理装置中。另外，也可以对现有衬底处理装置具备的输入输出装置122进行操作，直接对已安装在衬底处理装置中的现有制程进行变更。
在上述方式中，对使用一次处理多片衬底的批量式衬底处理装置形成膜的例子进行了说明。本发明不限定于上述方式，例如，在使用一次处理一片或多片衬底的单片式衬底处理装置形成膜的情况下，也能够适当地应用。另外，在上述方式中，对使用具有热壁型处理炉的衬底处理装置形成膜的例子进行了说明。本发明不限定于上述方式，在使用具有冷壁型处理炉的衬底处理装置形成膜的情况下也能够适当地应用。
在使用以上衬底处理装置的情况下，也能够在与上述方式相同的处理步骤、处理条件下进行各处理，能够获得与上述方式相同的效果。
上述方式能够适当组合使用。此时的处理步骤、处理条件例如能够设为与上述方式的处理步骤、处理条件相同。
【实施例】
作为试样1～6，使用图1所示的衬底处理装置，通过与上述方式中的步骤B相同的处理步骤、处理条件，在晶片的基底的表面上形成SiN膜。在制备试样1、3、5时，使用具有由SiN膜形成的基底的晶片，在制备试样2、4、6时，使用具有由SiO膜形成的基底的晶片。
在制备试样1、2时，在实施步骤B前不实施步骤A。在制备试样3、4时，在实施步骤B前实施步骤A。在制备试样5、6时，在实施步骤B前，以在处理室内收容作为假催化剂的、自然氧化膜被除去的裸晶片的状态实施步骤A。需要说明的是，试样1、2同时在同一气氛下(同一处理室内)制备，试样3、4同时在同一气氛下制备，试样5、6同时在同一气氛下制备。在制备各试样时，均在步骤A中作为含F气体使用ClF3气体。其他处理条件为在上述方式中记载的处理条件范围内的规定条件，针对各试样设为共通的条件。
在制备试样1～6后，分别对在各晶片的基底的表面上形成的SiN膜的膜厚进行测量。将其结果示出在图8中。如图8所示，在试样1、2中，在晶片的基底的表面上形成的SiN膜的厚度依次为
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