阅读说明：本技术 一种显示面板的制作方法 (Manufacturing method of display panel ) 是由 邓永 于 2020-05-13 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种显示面板的制作方法,该方法包括：在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、第一金属层以及光阻部；所述半导体层的材料为金属氧化物；通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理,以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外；对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理,形成连接部以及在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部的外表面硬化,得到基底；采用预设气体对所述基底进行处理,以将硬化的光阻部去除；所述预设气体为含氟元素的特殊气体；将剩余的光阻部去除,以将栅极裸露在外。本发明能够在去除硬化的光阻层的同时提高半导体层的导电性能。(The invention provides a manufacturing method of a display panel, which comprises the following steps: manufacturing a semiconductor layer, a gate insulating layer, a first metal layer and a light resistance part on a substrate in sequence; the semiconductor layer is made of metal oxide; patterning the first metal layer and the gate insulating layer through the photoresist portion to form a gate electrode and expose the semiconductor layer not covered by the photoresist portion; conducting a conductor treatment on the semiconductor layer exposed outside to form a connecting part, and hardening the outer surface of the photoresistance part while conducting the conductor treatment on the semiconductor layer exposed outside to obtain a substrate; processing the substrate by adopting preset gas to remove the hardened photoresistance part; the preset gas is special gas containing fluorine element; the remaining photoresist is removed to expose the gate. The invention can remove the hardened photoresist layer and improve the conductivity of the semiconductor layer.)

一种显示面板的制作方法

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板的制作方法。

【背景技术】

目前普遍通过离子轰击的方法使金属氧化物半导体层导体化，对于栅极设于半导体层上的结构，由于在制作过程中需要在栅极上制作光阻层，然后采用图案化的光阻层对栅极进行蚀刻，再对栅绝缘层进行蚀刻，之后对半导体层进行导体化，然而由于对半导体层进行导体化的过程中，光阻层并未剥离，因此容易使得光阻层发生硬化，导致后续光阻层难以剥离；如果采用O₂对光阻层进行灰化处理(Ash)去硬化，又会导致半导体层的导电性能降低。

【

发明内容

】

本发明的目的在于提供一种显示面板的制作方法，能够去除硬化的光阻层的同时提高半导体层的导电性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：

在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、第一金属层以及光阻部；所述半导体层的材料为金属氧化物；

通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外；

对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理，形成连接部以及在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；

采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的光阻部去除；所述预设气体为含氟元素的特殊气体；

将剩余的光阻部去除，以将所述栅极裸露在外。

本发明的显示面板的制作方法，包括在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、第一金属层以及光阻部；通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外；对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理，形成连接部以及在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的光阻部去除；将剩余的光阻部去除，以将栅极裸露在外；由于采用采用预设气体将硬化的光阻部去除，避免半导体层与氧气接触，从而在去除硬化的光阻层的同时提高半导体层的导电性能。

【附图说明】

图1为现有显示面板的制作方法的结构示意图；

图2为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第一步至第四步的结构示意图；

图3为本发明实施例一的显示面板的制作方法的第五步的结构示意图；

图4为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第一步的结构示意图；

图5为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第二步的结构示意图；

图6为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第三步的结构示意图；

图7为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第四步的结构示意图；

图8为本发明实施例二的显示面板的制作方法中第五步和第六步的结构示意图；

图9为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第七步的结构示意图；

图10为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第八步的结构示意图；

图11为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第九步的结构示意图；

图12为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十步的结构示意图；

图13为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十一步中第一分步的结构示意图；

图14为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十一步中第二分步的结构示意图；

图15为本发明实施例二的显示面板的制作方法的第十二步的结构示意图。

【

具体实施方式

】

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

如图1所示，现有的显示面板的制作方法，包括：

S101、在衬底基板11上依次制作半导体层13、栅绝缘层14、第一金属层15以及光阻部16；

比如在衬底基板11上依次制作整层半导体层13、然后对其进行图案化处理，得到所需的图案。所述半导体层13的材料为金属氧化物；

在图案化化的半导体层13上制作整层栅绝缘层14、第一金属层15以及整层光阻层，对光阻层进行图案化处理形成光阻部16。

S102、通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外；

例如，通过所述光阻部16对所述第一金属层15和所述栅绝缘层14进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部16覆盖的半导体层13裸露在外。

S103、对所述裸露在外的半导体层13进行导体化处理，形成连接部。

例如，在对所述裸露在外的半导体层13进行导体化处理的同时使所述光阻部16的外表面161(也即上表面)硬化。可以通过He、Ar等保护气体半导体层进行离子轰击，以使半导体层13导体化，形成连接部131。

如图2和图3所示，本发明实施例一的显示面板的制作方法，包括：

S201、在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、第一金属层以及光阻部；

比如在衬底基板11上依次制作整层半导体层13、然后对其进行图案化处理，得到所需的图案。所述半导体层13的材料为金属氧化物。其中所述半导体层的材料可包括IGZO、IGZTO以及ITZO中的一种。

在图案化化的半导体层13上制作整层栅绝缘层14、第一金属层15以及整层光阻层，对光阻层进行图案化处理形成光阻部16。

S202、通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外；

例如，通过所述光阻部16分别对所述第一金属层15和所述栅绝缘层14进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部16覆盖的半导体层13裸露在外。

S203、对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理，形成连接部以及在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；

例如，对所述裸露在外的半导体层13进行导体化处理，形成连接部131，在一实施方式中，可以为通过He、Ar等保护气体对半导体层进行离子轰击，以使半导体层13导体化。在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部16的外表面161(也即上表面)硬化，从而得到基底10。

S204、采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的光阻部去除；

例如，其中所述预设气体为含氟元素的特殊气体；采用含氟元素的特殊气体对所述基底10进行处理，以将硬化的光阻部161去除。图2中的箭头可表示特殊气体的通入方向。该处理过程在真空腔室中进行。

S205、将剩余的光阻部去除，以将栅极裸露在外。

例如，如图3所示，将硬化的光阻部161下方的光阻部16也去除。

由于采用采用预设气体将硬化的光阻部去除，避免半导体层与氧气接触，从而在去除硬化的光阻层的同时提高半导体层的导电性能。

如图4至图15所示，本发明实施例二的显示面板的制作方法，其包括：

S301、在衬底基板上制作遮光层。

如图4所示，在衬底基板11上制作遮光层20。遮光层20的材料可为金属材料。

S302、在所述遮光层上制作缓冲层。

如图5所示，在所述遮光层20上制作缓冲层12。可以理解的，缓冲层的材料并不能对本发明构成限定。

S303、在缓冲层上依次制作整层半导体层，对其进行图案化处理，得到所需的图案；

如图6所示，在缓冲层16上依次制作整层半导体层13，对其进行图案化处理，得到所需的图案。所述半导体层13的材料为金属氧化物；其中所述半导体层13的材料可包括IGZO、IGZTO以及ITZO中的一种。其中图案化的半导体层覆盖栅极。该图案化的半导体层13用于形成沟道。

其中所述遮光层20在所述衬底基板11上的正投影的面积大于所述半导体层13在所述衬底基板11上的正投影的面积。

S304、在所述图案化的半导体层上制作栅绝缘层。

如图7所示，在所述图案化的半导体层13上制作栅绝缘层14。

S305、在所述栅绝缘层上依次制作第一金属层以及光阻部；

例如，如图8所示，在栅绝缘层14上依次制作第一金属层15以及整层光阻层，对光阻层进行图案化处理形成光阻部16。

也即所述光阻部16是通过以下步骤得到的：在所述第一金属层15上制作光阻层，对所述光阻层进行图案化处理，形成光阻部。

S306、通过所述光阻部作为遮挡体对所述第一金属层进行第一次蚀刻，以将所述未被所述光阻部覆盖的第一金属层去除，形成栅极；

例如如图8所示，通过所述光阻部16作为遮挡体对所述第一金属层15进行第一次蚀刻，以将所述未被所述光阻部16覆盖的第一金属层15去除，形成栅极151，其中栅极151与光阻部16的位置对应。在一实施方式中，第一次蚀刻为湿法蚀刻。

S307、通过所述光阻部作为遮挡体对所述栅绝缘层进行第二次蚀刻，以将位于所述栅极两侧的栅绝缘层去除，并使位于所述栅极两侧的半导体层裸露在外。

例如，如图9所示，通过所述光阻部16作为遮挡体对所述栅绝缘层14进行第二次蚀刻，以将位于所述栅极151两侧的栅绝缘层去除，使位于所述栅极14两侧的半导体层13裸露在外。在一实施方式中，第二次蚀刻可为干法蚀刻。其中栅极151正下方的栅绝缘层14未去除。

S308、对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理，形成连接部以及在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；

例如，如图10所示，对所述裸露在外的半导体层13进行导体化处理，形成连接部131。在一实施方式中，可以为通过He、Ar等保护气体半导体层进行离子轰击，以使半导体层13导体化。在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部16的外表面161(也即上表面)发生硬化，从而得到基底10。

S309、采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的光阻部去除；所述预设气体为含氟元素的特殊气体；

例如，如图11所示，其中所述预设气体为含氟元素的特殊气体；采用含氟元素的特殊气体对所述基底10进行处理，以将硬化的光阻部161去除。比如含氟元素的特殊气体与硬化的光阻部发生化学反应，以将硬化的光阻部161。图11中的箭头可表示特殊气体的通入方向。在一方式中，为了进一步提高硬化光阻的去除效果，所述预设气体包括NF₃和CF₄中的至少一种。

在一实施方式中，为了进一步提高硬化的光阻部161的去除效果，所述采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的光阻部去除的步骤包括：

S3091、采用预设气体对所述基底10进行等离子体处理。

S310、将剩余的光阻部去除，以将栅极裸露在外。

如图12所示，例如将硬化的光阻部161下方的光阻部16也去除。

S311、在所述连接部以及所述栅极上依次制作第一绝缘层、源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述连接部连接。

例如，如图13所示，在所述连接部131以及所述栅极151、缓冲层12上制作第一绝缘层17，对第一绝缘层进行图案化处理，形成连接孔(图中未标出)。

如图14所示，在第一绝缘层17以及所述连接孔内形成第二金属层，对第二金属层进行图案化处理，形成源极181和漏极182。其中图案化处理包括曝光、显影、蚀刻等步骤。

S312、在所述源极和漏极上制作第二绝缘层，在所述第二绝缘层上制作像素电极。

如图15所示，在所述源极181和漏极182以及第一绝缘层17上制作第二绝缘层19，其中第二绝缘层上制作有过孔，在所述第二绝缘层19上和过孔内制作透明导电层，对透明导电层进行图案化处理得到像素电极21。

本发明的显示面板的制作方法，包括在衬底基板上依次制作半导体层、栅绝缘层、第一金属层以及光阻部；通过所述光阻部对所述第一金属层和所述栅绝缘层进行图案化处理，以形成栅极并且将未被所述光阻部覆盖的半导体层裸露在外；对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理，形成连接部以及在对所述裸露在外的半导体层进行导体化处理的同时使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；采用预设气体对所述基底进行处理，以将硬化的光阻部去除；所述预设气体为含氟元素的特殊气体；将剩余的光阻部去除，以将栅极裸露在外；由于采用采用预设气体将硬化的光阻部去除，避免半导体层与氧气接触，从而在去除硬化的光阻层的同时提高半导体层的导电性能。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。