阅读说明：本技术 一种硅覆绝缘片薄膜 (Silicon-coated insulating sheet film ) 是由 刘珂 于 2018-08-09 设计创作，主要内容包括：本发明属于硅晶片领域，具体涉及一种硅覆绝缘片薄膜。其特征在于通过在提供的高阻硅晶片上形成一层电介质材料（氧化硅），再于电介质材料层上形成一层非晶硅，转移一层氧化硅在非晶硅上，使氧化层上存在单晶硅，从而制备出具有非晶硅层的硅覆绝缘片。(The invention belongs to the field of silicon wafers, and particularly relates to a silicon-coated insulating sheet film. The method is characterized in that a layer of dielectric material (silicon oxide) is formed on the provided high-resistance silicon wafer, then a layer of amorphous silicon is formed on the dielectric material layer, and a layer of silicon oxide is transferred on the amorphous silicon, so that monocrystalline silicon exists on the oxide layer, and the silicon-coated insulating sheet with the amorphous silicon layer is prepared.)

一种硅覆绝缘片薄膜

技术领域

本发明属于硅晶片领域，具体涉及一种硅覆绝缘片薄膜。

背景技术

硅，一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽。原子序数14，相对原子质量28.0855，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上第三周期，IVA族的类金属元素。

发明内容

目前用于硅晶薄膜材料主要有1、石英硅、蓝宝石硅：石英硅易产生较低的漏电流，这类硅也非常昂贵.2、高阻衬底硅：其电阻率在500ohm.cm以上，这种衬底比第一种差，但成本较低.3、高阻SOI衬底：表现出来的性能比第一种差。本发明的目的是针对现有技术中的不足之处，提供一种硅覆绝缘片薄膜，该薄膜是指带有非晶硅层的SOI片，SOI片中引用非晶硅层，非晶硅与氧化硅的有效结合能够有效抑制硅衬底的表面寄生电导，限制电容变化和减少产生的谐波的功率，使得高阻SOI衬底电阻率的损失降至最低，已满足现有市场需求。

本发明所属一种硅覆绝缘片薄膜，制作工艺包括：（1）提供高阻硅晶片，清洗后在其表面依序制备氧化硅层和非晶硅层，氧化硅层厚度为100-300Å，非晶硅层的厚度为1-10μm;（2）提供低阻硅晶片，清洗后在其表面制备氧化硅层，氧化硅层厚度为1500- 12000Å;（3）将步骤（2）制备有该氧化硅层的该低阻硅晶片进行氢离子注入，使氢离子穿透该氧化硅层注入到硅晶片，并达到所需深度;（4）将高阻硅晶片和低阻硅晶片通过键合方式成为一个整体，然后于400℃条件下的进行处理（5）将步骤（4）键合后的整体采用一微波裂片设备进行裂片，裂片温度于1500℃条件下的进行处理，以获得带有非晶层的该硅覆绝缘片;（6）将带有非晶层的该硅覆绝缘片先采用DHF清洗，以去除高温退火所形成的氧化层，除化学液及表面污染物，进行CMP工艺，得到一种硅覆绝缘片薄膜。

具体实施方式

实施例1

本发明所属一种硅覆绝缘片薄膜，制作工艺包括：（1）提供高阻硅晶片，清洗后在其表面依序制备氧化硅层和非晶硅层，氧化硅层厚度为100-300Å，非晶硅层的厚度为1-10μm;（2）提供低阻硅晶片，清洗后在其表面制备氧化硅层，氧化硅层厚度为1500- 12000Å;（3）将步骤（2）制备有该氧化硅层的该低阻硅晶片进行氢离子注入，使氢离子穿透该氧化硅层注入到硅晶片，并达到所需深度;（4）将高阻硅晶片和低阻硅晶片通过键合方式成为一个整体，然后于400℃条件下的进行处理（5）将步骤（4）键合后的整体采用一微波裂片设备进行裂片，裂片温度于1500℃条件下的进行处理，以获得带有非晶层的该硅覆绝缘片;（6）将带有非晶层的该硅覆绝缘片先采用DHF清洗，以去除高温退火所形成的氧化层，除化学液及表面污染物，进行CMP工艺，得到一种硅覆绝缘片薄膜。