阅读说明：本技术 显示面板的制作方法和显示面板 (Display panel manufacturing method and display panel ) 是由 万康 冯兵明 顾维杰 葛泳 马应海 于 2019-11-19 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种显示面板的制作方法和显示面板。该包括：提供基板；在基板上形成沟道，沟道包括第一沟道和第二沟道；使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子；基于沟道形成阵列器件，阵列器件包括基于第一沟道形成的驱动晶体管以及基于第二沟道形成的开关晶体管；在阵列器件远离基板的一侧形成发光器件层。通过使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，使第一沟道对应的驱动晶体管和第二沟道对应的开关晶体管的亚阈值摆幅不同，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管可以有较快的开关速度。(The invention discloses a display panel and a manufacturing method thereof. The method comprises the following steps: providing a substrate; forming a channel on a substrate, the channel including a first channel and a second channel; causing the first channel and the second channel to contain different concentrations of hydrogen ions; forming an array device based on the channel, the array device including a driving transistor formed based on the first channel and a switching transistor formed based on the second channel; and forming a light-emitting device layer on one side of the array device far away from the substrate. The first channel and the second channel contain hydrogen ions with different concentrations, so that the subthreshold swing amplitudes of the driving transistor corresponding to the first channel and the switching transistor corresponding to the second channel are different, the driving transistor can meet the gray scale control, and the switching transistor can have higher switching speed.)

显示面板的制作方法和显示面板

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法和显示面板。

背景技术

现有技术中，显示面板中的驱动晶体管和开关晶体管的制程相同，导致驱动晶体管和开关晶体管的亚阈值摆幅大小相等，不利于驱动晶体管对灰阶的控制的同时开关晶体管实现快速导通。

发明内容

本发明提供一种显示面板的制作方法和显示面板，以实现开关晶体管和驱动晶体管分别满足不同的亚阈值摆幅要求。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成沟道，所述沟道包括第一沟道和第二沟道；

使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子；

基于所述沟道形成阵列器件，所述阵列器件包括基于所述第一沟道形成的驱动晶体管以及基于所述第二沟道形成的开关晶体管；

在所述阵列器件远离所述基板的一侧形成发光器件层。

可选地，使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，包括：

在所述沟道远离所述基板的一侧设置第一掩膜版，所述第一掩膜版的开口区对应所述第一沟道，所述第一掩膜版的非开口区对应所述第二沟道；

采用第一剂量和第一掺杂能量的氢离子注入所述第一沟道；

去除所述第一掩膜版；在所述沟道远离所述基板的一侧设置第二掩膜版，所述第二掩膜版的开口区对应所述第二沟道，所述第二掩膜版的非开口区对应所述第一沟道；

采用第二剂量和第二掺杂能量的氢离子注入所述第二沟道，以使所述第二沟道的氢离子浓度与所述第一沟道不同。

可选地，所述第一沟道为驱动晶体管的沟道，所述第二沟道为开关晶体管的沟道，所述第一剂量小于所述第二剂量，且所述第一掺杂能量小于所述第二掺杂能量。

可选地，所述第一剂量的范围小于或等于1E+12ions/cm2，所述第二剂量的范围为3E+12—5E+12ions/cm2，所述第一掺杂能量和所述第二掺杂能量的范围为小于或等于5KV。

可选地，使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，还包括：

在所述沟道远离所述基板的一侧形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧设置第一掩膜版，所述第一掩膜版的开口区对应所述第一沟道，所述第一掩膜版的非开口区对应所述第二沟道；

采用第三剂量和第三掺杂能量的氢离子注入所述第一沟道；

去除所述第一掩膜版；在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧设置第二掩膜版，所述第二掩膜版的开口区对应所述第二沟道，所述第二掩膜版的非开口区对应所述第一沟道；

采用第四剂量和第四掺杂能量的氢离子注入所述第二沟道。

可选地，所述第一沟道为驱动晶体管的沟道，所述第二沟道为开关晶体管的沟道，所述第三剂量小于所述第四剂量，且所述第三掺杂能量小于所述第四掺杂能量。

可选地，所述第三剂量的范围小于或等于1E+12ions/cm2，所述第四剂量的范围为3E+12—5E+12ions/cm2，所述第三掺杂能量和所述第四掺杂能量的范围为5KV-10KV。

可选地，在所述基板上形成沟道之后，还包括：

对所述沟道注入氟离子。

可选地，对所述沟道注入氟离子时，所述氟离子的注入剂量为1E+12—2E+12ions/cm2，掺杂能量为10KV。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，采用本发明任意实施例提供的显示面板的制作方法制作。

本发明实施例的技术方案，通过使所述第一沟道和所述第二沟道包含不同浓度的氢离子，使第一沟道对应的驱动晶体管和第二沟道对应的开关晶体管的亚阈值摆幅不同，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管可以有较快的开关速度。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法；

图2为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S110对应的显示面板结构示意图；

图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S120对应的显示面板结构示意图；

图4为现有的一种像素驱动电路的电路示意图；

图5为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S140对应的显示面板结构示意图；

图6为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S150对应的显示面板结构示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法；

图8为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S230对应的制作流程图；

图9为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S250对应的制作流程图；

图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法；

图11为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S330对应的显示面板结构示意图；

图12为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S340对应的制作流程图；

图13为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S360对应的制作流程图；

图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法；

图15为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

现有技术中，有机发光显示(organic light emitting display，OLED)面板一般分为主动矩阵式有机发光显示(active matrix organic light emitting display，AMOLED)面板和被动矩阵式有机发光显示(passive matrix organic light emittingdisplay，PMOLED)面板。其中，AMOLED面板通常使用低温多晶硅薄膜晶体管(low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor，LTPS TFT)形成像素驱动电路驱动AMOLED面板中的有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)发光。在LTPS TFT驱动OLED发光的过程中，LTPS TFT形成的像素驱动电路包括开关晶体管和驱动晶体管。开关晶体管用于开关作用，通常要求开关晶体管具有低亚阈值摆幅(sub-threshold swing，S.S)，使得其导通电流随电压的变化比较大，以保证开关晶体管具有快速充放电的目的，使开关晶体管具有很好的开关性能。驱动晶体管用于驱动OLED发光作用，通常要求驱动晶体管具有较高的亚阈值摆幅，使得其导通电流随电压的变化比较小，以保证驱动晶体管输出的导通电流比较稳定，有利于像素驱动电路驱动OLED发光时对灰阶的控制。晶体管的亚阈值摆幅通常与晶体管的迁移率、栅极电容和有源层沟道的长宽比等相关。但是在显示面板中，驱动晶体管和开关晶体管的工艺制程相同，使得驱动晶体管和开关晶体管具有相同的亚阈值摆幅，因此不利于驱动晶体管对灰阶的控制或开关晶体管驱的开关速度。

针对上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法。图1为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法。在本发明的一个实施例中，有源层具体是指晶体管的沟道。如图1所示，该显示面板的制作方法包括：

S110、提供基板。

具体地，图2为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S110对应的显示面板结构示意图。如图2所示，基板10可以为柔性基板，也可以为刚性基板。示例性地，柔性基板可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)基板，刚性基板可以为玻璃基板。

S120、在基板上形成有源层，有源层包括第一有源层和第二有源层。具体地，在基板上形成第一沟道和第二沟道。

具体地，图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S120对应的显示面板结构示意图。如图3所示，在基板10上形成沟道20，沟道20可以采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺形成。在形成沟道20后，沟道20远离基板的一侧形成刻蚀阻挡层，并通过刻蚀等工艺图案化沟道20，使沟道20形成第一沟道201和第二沟道202。第一沟道201和第二沟道202同层设置，且互不接触。第一沟道201和第二沟道202分别对应不同晶体管的沟道。示例性地，第一沟道201可以对应驱动晶体管的沟道，第二沟道202可以对应开关晶体管的沟道。

另外，在形成第一沟道201和第二沟道202后，分别对第一沟道201和第二沟道202对应的源极区和漏极区进行开孔，使得后期形成的源漏极层对应的源极和漏极能够与第一沟道201和第二沟道202电连接。

需要说明的是，在形成沟道20之前，还可以在基板10上沉积缓冲层。缓冲层用于阻隔水氧等杂质，避免杂质进入到显示面板中影响器件的性能。缓冲层可以为二氧化硅或氮化硅等。

S130、使第一有源层和第二有源层包含不同浓度的氢离子。具体可以是指，使第一沟道和第二沟道包含不同的氢离子。

具体地，氢离子带有负电荷，在电场的作用下，氢离子可以实现移动。因此可以通过对沟道20的两侧施加电压，使得沟道20中产生电场，从而实现氢离子的注入。电场的大小影响氢离子移动的速率，氢离子的剂量影响注入至沟道20的氢离子浓度。因此通过调节沟道20两侧施加的电压大小和注入氢离子时氢离子的剂量即可控制氢离子注入至沟道20的深度和浓度。示例性地，继续参考图3，对第一沟道201和第二沟道202注入氢离子后，为了使第一沟道201和第二沟道202中的氢离子浓度不同，可以设置在注入过程中第一沟道201和第二沟道202的氢离子剂量不同，还可以设置在注入过程中第一沟道201和第二沟道202中的掺杂能量不同。

沟道20中的氢离子浓度影响晶体管的亚阈值摆幅。沟道20包括固定正电荷，氢离子可以与沟道20中的固定正电荷耦合，对沟道20的内部缺陷进行修复，从而可以减小沟道20对应的晶体管的亚阈值摆幅。当沟道20中的氢离子浓度比较大时，氢离可以更好地修复沟道20的内部缺陷，使得沟道20形成的晶体管的亚阈值摆幅比较小，具有很好的开关性能。当沟道20中的氢离子浓度比较小时，氢离子修复沟道20中内部缺陷的程度比较小，使得沟道20形成的晶体管的亚阈值摆幅比较大，驱动OLED发光时具有很好的稳定性。继续参考图3，第一沟道201注入后的氢离子浓度可以与第二沟道202注入后的氢离子浓度不同，使得第一沟道201形成的驱动晶体管与第二沟道202形成的开关晶体管的亚阈值摆幅不同。从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管具有较好的开关速度。

需要说明的是，对第一沟道201和第二沟道202注入氢离子时，可以对第一沟道201和第二沟道202整层注入，还可以在第一沟道201和第二沟道202图案化后进行注入，此处不做限定。

示例性地，图4为现有的一种像素驱动电路的电路示意图。如图4所示，该像素电路包括驱动晶体管Tdr和开关晶体管T1-T6。在复位阶段，第一扫描信号Scan1控制第四晶体管T4和第五晶体管T5导通，参考信号Vref写入OLED的阳极和驱动晶体管Tdr的栅极，以对OLED的阳极和驱动晶体管Tdr的栅极进行复位，另外，驱动晶体管Tdr处于导通状态。在写入和补偿阶段，第二扫描信号Scan2控制第一晶体管T1和第三晶体管T3导通，数据信号Vdata通过第一晶体管T1写入驱动晶体管Tdr的第一极，并通过第三晶体管T3提高驱动晶体管Tdr的栅极电位，直至驱动晶体管Tdr截止，此时驱动晶体管Tdr的第一极的电位为Vdata，栅极电位为Vdata-Vth(其中，Vth为驱动晶体管Tdr的阈值电压)，并通过电容C1保持。在发光阶段，发光信号E1控制第二晶体管T2和第六晶体管T6导通，第一电源电压Vdd通过第二晶体管T2输入至驱动晶体管Tdr的第一极，驱动晶体管Tdr的第一极从Vdata提高到Vdd，驱动晶体管Tdr导通，然后通过第一极和栅极之间的电位差形成驱动电流通过第六晶体管T6输入至OLED的阳极，OLED的阴极与第二电源电压Vss电连接，从而驱动OLED发光。因此，当第一沟道201对应驱动晶体管的沟道，第二沟道202对应开关晶体管的沟道时，第一沟道201可以对应像素驱动电路中驱动晶体管Tdr的沟道，第二沟道202可以对应像素驱动电路中开关晶体管T1-T6的沟道。

S140、基于有源层形成阵列器件，阵列器件包括基于第一有源层形成的驱动晶体管以及基于第二有源层形成的开关晶体管。

具体可以为，基于沟道形成阵列器件，列器件包括基于第一沟道形成的驱动晶体管以及基于第二沟道形成的开关晶体管。

具体地，在形成阵列器件时，可以包括在沟道远离基板的一侧形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层和源漏极层。图5为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S140对应的显示面板结构示意图。

以顶栅晶体管为例，如图5所示，沿沟道20远离基板10的一侧，栅极绝缘层31、栅极层30、层间绝缘层40和源漏极层50依次层叠设置。

栅极绝缘层31与沟道20接触，并在栅极绝缘层31和沟道20之间形成界面缺陷，即栅极绝缘层31与沟道20之间形成悬挂键。注入的氢离子还可以与悬挂键耦合，实现对悬挂键的钝化，从而可以改善沟道20和栅极绝缘层31之间的界面缺陷，进而可以减小晶体管的亚阈值摆幅。当沟道20中的氢离子浓度比较大时，氢离子与悬挂键耦合的比较多，使得对应的晶体管的亚阈值摆幅比较小，具有很好的开关性能。当沟道20中的氢离子浓度比较小时，氢离子与悬挂键耦合的比较少，使得对应的晶体管的亚阈值摆幅比较大，驱动OLED发光时具有很好的稳定性。因此，通过对第一沟道201和第二沟道202注入不同剂量的氢离子，使得第一沟道201形成的晶体管与第二沟道202形成的晶体管的亚阈值摆幅不同。

栅极绝缘层31同样可以采用CVD沉积工艺形成。在形成栅极绝缘层31后，可以形成一层金属层作为栅极层30，栅极层30图案化后形成栅极。在形成栅极后，可以采用CVD沉积形成层间绝缘层40。在层间绝缘层40远离基板10的一侧形成源漏极层50。源漏极层50可以为金属层。并通过图案化形成源极51和漏极52。

需要说明的是，源极51和漏极52与沟道20的源极区和漏极区电连接，因此需要在栅极绝缘层31和层间绝缘层40上设置开孔。即在形成栅极绝缘层31后通过刻蚀阻挡层形成一开孔，在形成层间绝缘层40后通过刻蚀阻挡层形成另一开孔，并且源极51和漏极52分别通过栅极绝缘层31和层间绝缘层40上的开孔与沟道20上的源极区和漏极区电连接。

S150、在阵列器件远离基板的一侧形成发光器件层。

具体地，图6为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S150对应的显示面板结构示意图。如图6所示，源漏极层50远离基板10的一侧形成有发光器件层60，用于在晶体管形成的像素驱动电路的驱动下发光。发光器件层60可以包括层叠设置的阳极层61、发光层62和阴极层63，阳极层61设置于源漏极层50和发光层62之间。阳极层61图案化形成的阳极通过像素驱动电路提供驱动信号，使发光器件层60发光。

本实施例的技术方案，通过使第一沟道和第二沟道包含不同浓度的氢离子，进而使第一沟道对应的驱动晶体管和第二沟道对应的开关晶体管的亚阈值摆幅不同，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管具有较好的开关速度。

图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法。在本发明的一个实施例中，有源层可以为晶体管的沟道区域。如图7所示，该显示面板的制作方法包括：

S210、提供基板。

S220、在基板上形成有源层，有源层包括第一有源层和第二有源层。

具体可以为，在基板上形成沟道，沟道包括第一沟道和第二沟道。

S230、在有源层远离基板的一侧设置第一掩膜版，第一掩膜版的开口区对应第一有源层，第一掩膜版的非开口区对应第二有源层。

具体可以为，在沟道远离基板的一侧设置第一掩模版，第一掩膜版的开口区对应第一沟道，第一掩膜版的非开口区对应第二沟道。

具体地，图8为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S230对应的制作流程图。如图8所示，第一掩膜版70设置于沟道20远离基板10的一侧。第一掩膜版70的开口区对应第一沟道201，使得氢离子注入时氢离子能够通过第一掩膜版70注入至第一沟道201。第一掩膜版70的非开口区对应第二沟道202，使得氢离子注入时可以阻挡氢离子注入至第二沟道202。

S240、采用第一剂量和第一掺杂能量的氢离子注入第一有源层。具体可以为，采用第一剂量和第一掺杂能量的氢离子注入第一沟道。

具体地，继续参考图8，通过第一掩膜版70的非开口对第二沟道202阻挡，第一剂量和第一掺杂能量的氢离子注入至第一沟道201中。第二沟道202中没有氢离子注入。

S250、去除第一掩膜版，在有源层远离基板的一侧设置第二掩膜版，第二掩膜版的开口区对应第二有源层，第二掩膜版的非开口区对应第一有源层。

具体地可以为，去除第一掩膜版，在沟道远离基板的一侧设置第二掩膜版，第二掩膜版的开口区对应第二沟道，第二掩膜版的非开口区对应第一有沟道。

图9为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S250对应的制作流程图。如图9所示，在第一沟道201注入氢离子结束后，第一掩膜版70被移走，在沟道20远离基板10的一侧设置第二掩膜版80。第二掩膜版80的开口区对应第二沟道202，使得氢离子注入时氢离子能够通过第二掩膜版80注入至第二沟道202。第二掩膜版80的非开口区对应第一沟道201，使得氢离子注入时可以阻挡氢离子注入至第一沟道201。

S260、采用第二剂量和第二掺杂能量的氢离子注入第二沟道，以使第二沟道的氢离子浓度与第一沟道不同。

具体地，继续参考图9，通过第二掩膜版80的非开口对第一沟道201阻挡，第二剂量和第二掺杂能量的氢离子注入至第二沟道202中。第一沟道201中没有氢离子注入。

因此，在上述过程中，第一剂量和第一掺杂能量的氢离子注入至第一沟道201中，第二剂量和第二掺杂能量的氢离子注入至第二沟道202中。通过设置第一剂量与第二剂量不同，使得第一沟道201中的氢离子浓度和第二沟道202中的氢离子浓度不同，从而使得第一沟道201形成的驱动晶体管与第二沟道202形成的开关晶体管的亚阈值摆幅不同，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管具有较好的开关速度。

示例性地，表1为现有技术提供的一种驱动晶体管和开关晶体管的电性水平。表2为本技术方案提供的另一种驱动晶体管和开关晶体管的电性水平。其中，驱动晶体管的电性参数为DTFT对应的电性参数，开关晶体管的电性参数为STFT对应的电性参数。另外，SS为亚阈值摆幅。由表1和表2可知，在经过对沟道氢离子注入后，且第一沟道201的氢离子浓度小于第二沟道202的氢离子浓度，驱动晶体管的亚阈值摆幅大于开关晶体管的亚阈值摆幅，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管具有较好的开关速度。

表1

表2

S270、基于沟道形成阵列器件，阵列器件包括基于第一沟道形成的驱动晶体管以及基于第二沟道形成的开关晶体管。

S280、在阵列器件远离基板的一侧形成发光器件层。

在上述技术方案的基础上，当第一沟道201为驱动晶体管的沟道，第二沟道202为开关晶体管的沟道，第一剂量小于第二剂量，且第一掺杂能量小于第二掺杂能量。

具体地，在制作晶体管的工艺中，驱动晶体管的工艺与开关晶体管的工艺相同。当第一沟道201为驱动晶体管的沟道，第二沟道202为开关晶体管的沟道时，通过设置第一剂量小于第二剂量，且第一掺杂能量小于第二掺杂能量，使第一沟道201中的氢离子浓度小于第二沟道202中的氢离子浓度，进一步使第一沟道201对应的驱动晶体管的亚阈值摆幅大于第二沟道202对应的开关晶体管的亚阈值摆幅，从而可以使开关晶体管满足对灰阶的控制，同时使驱动晶体管可以驱动OLED发光时保证稳定性。

示例性地，第一剂量的范围小于或等于1E+12ions/cm2，第二剂量的范围为3E+12—5E+12ions/cm2，第一掺杂能量和第二掺杂能量的范围为小于或等于5KV。即通过设置第一剂量小于第二剂量，可以实现第一沟道201对应的驱动晶体管的亚阈值摆幅大于第二沟道202对应的开关晶体管的亚阈值摆幅。

需要说明的是，在上述过程中，在第一剂量小于第二剂量的基础上，第一掺杂能量和第二掺杂能量可以相等。

图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法。如图10所示，该显示面板的制作方法包括：

S310、提供基板。

S320、在基板上形成沟道，沟道包括第一沟道和第二沟道。

S330、在沟道远离基板的一侧形成栅极绝缘层。

具体地，图11为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S330对应的显示面板结构示意图。如图11所示，沟道20远离基板10的一侧形成有栅极绝缘层31，栅极绝缘层31与沟道20接触。栅极绝缘层31与沟道20接触的界面具有悬挂键，增加晶体管的亚阈值摆幅。

S340、在栅极绝缘层远离基板的一侧设置第一掩膜版，第一掩膜版的开口区对应第一沟道，第一掩膜版的非开口区对应第二沟道。

具体地，图12为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S340对应的制作流程图。如图12所示，第一掩膜版70设置于栅极绝缘层31远离基板10的一侧。第一掩膜版70的开口区对应第一沟道201对应的栅极绝缘层31，使得氢离子注入时氢离子能够通过第一掩膜版70和栅极绝缘层31注入至第一沟道201。第一掩膜版70的非开口区对应第二沟道202对应的栅极绝缘层31，使得氢离子注入时可以阻挡氢离子注入至第二沟道202和第二沟道202对应的栅极绝缘层31。

S350、采用第三剂量和第三掺杂能量的氢离子注入第一沟道。

具体地，继续参考图12，通过第一掩膜版70的非开口对第二沟道202和第二沟道202对应的栅极绝缘层31阻挡，第三剂量和第三掺杂能量的氢离子注入至第一沟道201中。第二沟道202中没有氢离子注入。

S360、去除第一掩膜版，在栅极绝缘层远离基板的一侧设置第二掩膜版，第二掩膜版的开口区对应第二沟道，第二掩膜版的非开口区对应第一沟道。

具体地，图13为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤S360对应的制作流程图。如图13所示，在第一沟道201注入氢离子结束后，第一掩膜版70被移走，在栅极绝缘层31远离基板10的一侧设置第二掩膜版80。第二掩膜版80的开口区对应第二沟道202的栅极绝缘层31，使得氢离子注入时氢离子能够通过第二掩膜版80和栅极绝缘层31注入至第二沟道202。第二掩膜版80的非开口区对应第一沟道201对应的栅极绝缘层31，使得氢离子注入时可以阻挡氢离子注入至第一沟道201和栅极绝缘层31。

S370、采用第四剂量和第四掺杂能量的氢离子注入第二沟道。

具体地，继续参考图13，通过第二掩膜版80的非开口区对第一沟道201和第一沟道201对应的栅极绝缘层31阻挡，第四剂量和第四掺杂能量的氢离子注入至第二沟道202中。第一沟道201中没有氢离子注入。

因此，在上述过程中，第三剂量和第三掺杂能量的氢离子注入至第一沟道201中，第四剂量和第四掺杂能量的氢离子注入至第二沟道202中。通过设置第三剂量与第四剂量不同，且第三掺杂能量与第四掺杂能量不同，使得第一沟道201中的氢离子浓度和第二沟道202中的氢离子浓度不同，从而使得第一沟道201形成的驱动晶体管与第二沟道202形成的开关晶体管的亚阈值摆幅不同，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管具有较好的开关速度。

示例性地，表3为本技术方案提供的另一种驱动晶体管和开关晶体管的电性水平。由表1和表3可知，驱动晶体管对应的第一沟道的氢离子浓度小于开关晶体管对应的第二沟道的氢离子浓度，使得驱动晶体管的亚阈值摆幅大于开关晶体管的亚阈值摆幅，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管具有较好的开关速度。

另外，由表2和表3可知，对沟道直接进行氢离子注入时，驱动晶体管的沟道的氢离子浓度和开关晶体管的沟道的氢离子浓度的差值小于通过栅极绝缘层对沟道进行氢离子注入时驱动晶体管的沟道的氢离子浓度和开关晶体管的沟道的氢离子浓度的差值。而且，通过对沟道注入氢离子浓度，晶体管的阈值电压Vth相对正偏，后期可减小沟道掺杂剂量，减轻粒子注入设备负担。晶体管的沟道与源漏极层的接触阻抗RC1和沟道等效电容C1整体减小，使得晶体管的接触性能增加。

表3

S380、基于沟道形成阵列器件，阵列器件包括基于第一沟道形成的驱动晶体管以及基于第二沟道形成的开关晶体管。

S390、在阵列器件远离基板的一侧形成发光器件层。

在上述技术方案的基础上，当第一沟道为驱动晶体管的沟道，第二沟道为开关晶体管的沟道，第三剂量小于第四剂量，且第三掺杂能量小于第四掺杂能量。同理，通过设置第三剂量小于第四剂量，且第三掺杂能量小于第四掺杂能量，使第一沟道201中的氢离子浓度小于第二沟道202中的氢离子浓度，进一步使第一沟道201对应的驱动晶体管的亚阈值摆幅大于第二沟道202对应的开关晶体管的亚阈值摆幅，从而可以使驱动晶体管满足对灰阶的控制，同时使开关晶体管具有较好的开关速度。示例性地，第三剂量的范围小于或等于1E+12ions/cm2，第四剂量的范围为3E+12—5E+12ions/cm2，第三掺杂能量和第四掺杂能量的范围为5KV-10KV。

需要说明的是，在第三剂量小于第四剂量的基础上，第三掺杂能量和第四掺杂能量可以相等。另外，掺杂能量可以控制氢离子沿基板垂直方向的运动深度，通过控制掺杂能量的大小，可以控制沟道20内氢离子的浓度。在其他实施例中，可以设置第三掺杂能量小于第四掺杂能量，使第一沟道201对应的氢离子浓度更多的存储在第一沟道201对应的栅极绝缘层31中，从而可以进一步地使第一沟道201中氢离子浓度减小，第一沟道201对应的驱动晶体管的亚阈值摆幅更大。

图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法。如图14所示，该显示面板的制作方法包括：

S410、提供基板。

S420、在基板上形成沟道，沟道包括第一沟道和第二沟道。

S430、对沟道注入氟离子。

具体地，沟道包括固定正电荷，通过注入氟离子，氟离子可以与沟道中的固定正电荷耦合，对沟道内部的缺陷进行修复，从而可以减小沟道对应的晶体管的亚阈值摆幅。

示例性地，对沟道注入氟离子时，氟离子的注入剂量为1E+12—2E+12ions/cm2，掺杂能量为10KV。

S440、使第一沟道和第二沟道包含不同浓度的氢离子。

S450、基于沟道形成阵列器件，阵列器件包括基于第一沟道形成的驱动晶体管以及基于第二沟道形成的开关晶体管。

S460、在阵列器件远离基板的一侧形成发光器件层。

在上述各技术方案的基础上，在基板上形成沟道，包括：

在基板上形成非晶硅层。

对非晶硅进行去氢晶化形成多晶硅层。

具体地，在非晶硅转化为多晶硅时，还包括退火工艺，用于实现重结晶。

对多晶硅层图案化，形成沟道。

本发明实施例还提供一种显示面板。图15为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。该显示面板100采用本发明任意实施例提供的显示面板的制作方法制作。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。