阅读说明：本技术 一种存储数据的擦除方法及装置 (Method and device for erasing stored data ) 是由 苏如伟 韩旭 刘永波 于 2018-08-17 设计创作，主要内容包括：本发明实施例公开了一种存储数据的擦除方法及装置,该方法通过将被擦除的存储数据对应的存储区域划分为多个擦除子区域,再根据擦除子区域在存储区域中的位置,依次对擦除子区域中的存储数据进行擦除。本发明实施例提供的存储数据的擦除方法及装置,能够通过将存储区域划分为多个擦除子区域,使得每个擦除子区域中的存储数据具有较好的一致性,并依次分别对擦除子区域中的存储数据进行擦除,从而减少过擦除现象的产生,进一步减少过擦除状态导致的漏电现象的产生。(The embodiment of the invention discloses a method and a device for erasing stored data. According to the erasing method and the erasing device for the stored data, provided by the embodiment of the invention, the storage area can be divided into the plurality of erasing sub-areas, so that the stored data in each erasing sub-area has better consistency, and the stored data in the erasing sub-areas are sequentially and respectively erased, so that the occurrence of an over-erasing phenomenon is reduced, and the occurrence of a leakage phenomenon caused by an over-erasing state is further reduced.)

一种存储数据的擦除方法及装置

技术领域

本发明实施例涉及存储数据处理技术领域，尤其涉及一种存储数据的擦除方法及装置。

背景技术

存储器(Memory)的主要功能是存储程序和各种数据，是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在数字系统中，存储器用于保存二进制数据；在集成电路中，存储器可以是具有存储功能的电路；在系统中，存储器可以为各种存储设备。

现有的存储器，通常可以进行数据写入、读取、以及擦除的操作。其中，数据擦除是将存储器中一块存储区域内的存储数据进行擦除，以使该存储区域的空间不被原来的存储数据占用。由于写入存储器中的存储数据并不是直接的二进制数据“0”或“1”，而是与存储器中存储数据相关的电信号，该电信号可分为高电平(二进制数据“1”)和低电平(二进制数据“0”)，且该电信号具有一定的分布规律，即存储区域中存储的电信号具有一致性差异。然而，由于存储区域中存储的电信号存在一致性差异，而在对某一存储区域进行存储数据擦除操作时，采用的擦除脉冲电压相同，会导致该存储区域中有些存储单元存在过擦除的状态，使得这些存储单元在读取存储数据时产生漏电，进而导致存储数据读取出错。

为了消除对存储区域中存储数据进行擦除时造成的过擦除状态，通常采用较低的擦除脉冲电压，以免擦除脉冲电压过高时，擦除速度过快使得该存储区域中的存储单元进入过擦除状态。此外，还可以在数据擦除的操作完成后，对存储区域中的存储单元进行弱编程操作。但是，采用较低擦除脉冲电压进行擦除操作时，擦除时间较长，且在擦除结束后增加弱编程的操作，进一步增加了擦除的时间。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种存储数据的擦除方法及装置，能够解决现有技术中对存储器的存储区域中数据进行擦除操作时，为消除过擦除状态的产生，采用较低的擦除脉冲电压，致使擦除时间增加的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储数据的擦除方法，包括：

在接收到擦除存储数据指令时，获取所述擦除存储数据指令对应的存储数据的擦除区域；

将所述擦除区域划分为多个擦除子区域；

根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

可选的，在根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据之后，还包括：

对所述擦除区域进行弱编程操作。

可选的，在擦除第m-1所述擦除子区域中的存储数据之后，在擦除第m所述擦除子区域中的存储数据之前，还包括：

对第m-1所述擦除子区域进行弱编程操作；

其中，m为正整数且小于等于擦除子区域的数量。

可选的，所述根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据，包括：

获取各个所述擦除子区域中存储数据对应的擦除脉冲电压；

根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置和所述擦除脉冲电压，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

可选的，根据各个所述擦除子区域的擦除顺序，各个所述擦除子区域的擦除脉冲电压依次递增；或者，

同一所述擦除子区域的多个擦除脉冲电压依次递增。

可选的，所述擦除子区域的个数为2ⁿ，其中n为正整数。

第二方面，本发明实施例还提供了一种存储数据的擦除装置，包括：

擦除区域获取模块，用于在接收到擦除存储数据指令时，获取所述擦除存储数据指令对应的存储数据的擦除区域；

擦除子区域划分模块，用于将所述擦除区域划分为多个擦除子区域；

存储数据擦除模块，用于根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

可选的，所述装置还包括：

擦除区域弱编程模块，用于在根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据之后，对所述擦除区域进行弱编程操作。

可选的，所述装置还包括：

擦除子区域弱编程模块，用于在擦除第m-1所述擦除子区域中的存储数据之后，在擦除第m所述擦除子区域中的存储数据之前，对第m-1所述擦除子区域进行弱编程操作；

其中，m为正整数且小于等于擦除子区域的数量。

可选的，所述存储数据擦除模块，包括：

擦除脉冲电压获取单元，用于获取各个所述擦除子区域中存储数据对应的擦除脉冲电压；

存储数据擦除单元，用于根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置和所述擦除脉冲电压，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

可选的，根据各个所述擦除子区域的擦除顺序，各个所述擦除子区域的擦除脉冲电压依次递增；或者，

同一所述擦除子区域的多个擦除脉冲电压依次递增。

可选的，所述擦除子区域的个数为2ⁿ，其中n为正整数。

本发明实施例提供了一种存储数据的擦除方法及装置，该方法通过将被擦除的存储数据对应的存储区域划分为多个擦除子区域，再根据擦除子区域在存储区域中的位置，依次对擦除子区域中的存储数据进行擦除，解决了现有技术中对存储器中的存储数据进行擦除操作时，对被擦除存储数据对应的一整块存储区域内的存储数据进行擦除，从而容易造成存储区域内过擦除现象产生的技术问题，相对于对一整块存储区域中的存储数据进行擦除，由于擦除区域越小，擦除区域内存储数据的一致性越好，本发明实施例提供的存储数据的擦除方法及装置，通过将存储区域划分为多个擦除子区域，使得每个擦除子区域中的存储数据具有较好的一致性，并依次分别对擦除子区域中的存储数据进行擦除，从而减少过擦除现象的产生，进一步减少过擦除状态导致的漏电现象的产生。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的一种存储数据的擦除方法的流程图；

图2是本发明实施例二提供的一种存储数据的擦除方法的流程图；

图3是本发明实施例三提供的一种存储数据的擦除方法的流程图；

图4是本发明实施例四提供的一种存储数据的擦除装置的结构示意图；

图5是本发明实施例五提供的一种存储数据的擦除装置的结构示意图；

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。在不冲突的情况下，本发明实施例以及实施例中的特征可以相互组合。

实施例一

本实施例提供的存储数据的擦除方法可以适用于对存储器中的存储数据进行擦除的应用场景，该方法可由本发明实施例提供的存储数据的擦除装置来执行，该装置可以由硬件和/或软件的方式来实现。图1是本发明实施例一提供的一种存储数据的擦除方法的流程图。参见图1所示，本实施例提供的存储数据的擦除方法包括：

S110、在接收到擦除存储数据指令时，获取所述擦除存储数据指令对应的存储数据的擦除区域。

具体的，存储器中可写入相应的存储数据，但是当写入存储区域中的存储数据出错，或者改变存储区域中的存储数据时，则需把该存储区域中的存储数据擦除。存储器在接收到擦除存储数据的指令时，相应执行擦除的操作。通常存储数据的擦除方式有紫外线照射、电擦除等。例如，可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read OnlyMemory，EPROM)是在其封装顶部设置能看见硅片的透明窗口，在进行擦除时将该窗口对准阳光直射一段时间，采用紫外线照射的方式即可擦除存储数据；虽然EPROM的擦除方式简单易实现，但是一旦EPROM的擦除窗口暴露在阳光下，其存储数据就会被擦除，不利于存储数据的保存。因而EPROM逐渐被电擦除只读寄存器(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory，EEPROM)代替。EEPROM上的存储数据可通过计算机输入相应的电压来实现擦除和编写。现有存储数据的擦除方式，通常是对待擦除存储数据所在的整个存储区域中的存储数据进行擦除，由此可使得过擦除的现象产生。因而，可在存储器接收到擦除存储数据的指令时，可先获取待擦除存储数据的存储区域，即为存储数据的擦除区域，以使擦除操作能够根据擦除区域进行擦除操作。

S120、将所述擦除区域划分为多个擦除子区域。

具体的，在计算机中通常采用“0”和“1”两个数码的二进制来表示存储器中的存储数据。每个二进制数位对应一个存储位，多个存储位组合成一个存储区域。在进行擦除操作时，待擦除存储数据具有对应的存储区域，即擦除区域，可以存储位为单位将该擦除区域划分为多个擦除子区域。而各个擦除子区域内存储数据的一致性差异较小，由此能够在后续擦除操作时降低过擦除现象的产生几率。

示例性的，需要擦除32比特的存储数据，而32比特的存储数据对应32个存储位，该32个存储位构成的存储区域即为擦除区域，将该32个存储位平均划分为4个擦除子区域，则每个擦除子区域对应8个存储位，即每个擦除子区域对应一个存储单元。

需要说明的是上述32比特的存储数据、4个擦除子区域、8个存储位、以及一个存储单元仅为本实施例示例性的举例，本发明实施例提供的存储数据的擦除方法并不限于此，且划分方式也可以是每个子区域中存储位的个数不相同，其技术原理与上述划分方式相同，在此不再赘述。本发明实施例提供的存储数据的擦除方法擦除区域划分为多个擦除子区域，优选的所划分的擦除子区域的个数可以为2ⁿ，其中n为正整数，即n为1、2、3、……、n，相应的，擦除子区域的个数可以为2、4、8、……、2ⁿ，以便于对存储数据的擦除。

S130、根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

具体的，计算机系统运行时可调用存储器中的存储数据，相应的存储器中存储数据的排列具有一定的规律性和顺序性。根据存储数据的调用顺序，可将某个存储区域内的存储数据分为起始存储数据、中间存储数据和终止存储数据。其中，起始存储数据对应一个起始存储位，即起始存储地址；终止存储数据对应一个终止存储位，即终止存储地址。当对存储器中存储数据执行擦除操作时，擦除区域中存储数据具有相应的起始存储地址和终止存储地址，并根据存储地址的顺序依次擦除存储数据。将擦除区域划分为多个擦除子区域后，根据每个擦除子区域中存储数据的存储地址确定擦除子区域的擦除顺序，依次擦除各个擦除子区域中的存储数据。即包括起始存储地址的擦除子区域中的存储数据先擦除，而包括终止存储地址的擦除子区域中的存储数据最后擦除。

本实施例提供的存储数据的擦除方法通过将存储区域划分为多个擦除子区域，使得每个擦除子区域中的存储数据具有较好的一致性，并依次分别对擦除子区域中的存储数据进行擦除，从而减少过擦除现象的产生，进一步减少过擦除状态导致的漏电现象。

实施例二

本实施例在上述实施例的基础上进行了优化，提供了优选的，在上述实施例的基础上增加了对擦除区域进行弱编程的方法，具体为：在根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据之后，对所述擦除区域进行弱编程操作。图2是本发明实施例二提供的一种存储数据的擦除方法的流程图。如图2所示，本实施例提供的存储数据的擦除方法包括：

S210、在接收到擦除存储数据指令时，获取所述擦除存储数据指令对应的存储数据的擦除区域；

S220、将所述擦除区域划分为多个擦除子区域；

S230、根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据；

S240、对所述擦除区域进行弱编程操作。

具体的，由于存储数据以电信号的形式存储于存储器中，在对存储器的擦除区域中存储数据进行擦除操作后，该擦除区域中的电信号消失或保持一个稳定的状态。而过擦除状态是指擦除区域中的存储数据擦除完成后，该擦除区域内电信号并没有消失或没有维持正常擦除的稳定状态。因而在重新写入和读取存储数据时，造成该擦除区域内的存储数据出错。通过对该擦除区域进行弱编程操作，即对处于过擦除状态的擦除区域输入相应的电信号，从而抵消该擦除区域内不正常的电信号。其中，弱编程操作可以在擦除区域内所有的存储数据均擦除完成后执行。

本实施例S240是对整个擦除区域中存储数据擦除完成后进行弱编程操作，在其它实施例中，示例性的还可以为每个擦除子区域中存储数据擦除完成后，分别对各个擦除子区域进行弱编程操作，具体为：在擦除第m-1所述擦除子区域中的存储数据之后，在擦除第m所述擦除子区域中的存储数据之前，对第m-1所述擦除子区域进行弱编程操作；其中，m为正整数且小于等于擦除子区域的数量。

具体的，擦除区域划分为多个擦除子区域，并依次分别擦除各个擦除子区域中的存储数据，因此擦除区域的弱编程操作也可以在每个擦除子区域中的存储数据擦除完成后执行，即第一个擦除子区域内的存储数据擦除完成后，对第一个擦除子区域进行弱编程的操作；第二个擦除子区域内的存储数据擦除完成后，对第二个擦除子区域进行弱编程的操作，以此类推。对每个擦除子区域分别进行弱编程操作，能够针对每个擦除子区域的过擦除状态进行弱编程，进而更好地消除过擦除。

本实施例提供的存储数据的擦除方法通过在对各个擦除子区域中的存储数据擦除完成后，增加弱编程的操作，从而能够消除各擦除子区域中的过擦除现象，进一步减少过擦除状态导致的漏电现象。

实施例三

本实施例在上述实施例的基础上进行了优化，提供了优选的在上述实施例的基础上对擦除存储数据方法进行了具体化，具体为：根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据，包括：获取各个所述擦除子区域中存储数据对应的擦除脉冲电压；根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置和所述擦除脉冲电压，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。图3是本发明实施例三提供的一种存储数据的擦除方法的流程图。如图3所示，本发明实施例提供的存储数据的擦除方法包括：

S310、在接收到擦除存储数据指令时，获取所述擦除存储数据指令对应的存储数据的擦除区域；

S320、将所述擦除区域划分为多个擦除子区域；

S330、获取各个所述擦除子区域中存储数据对应的擦除脉冲电压。

具体的，存储器接收到擦除存储数据的指令后，将擦除存储数据的指令对应的擦除区域划分为多个擦除子区域。每个擦除子区域中的存储数据所占的存储位较少，因而各个擦除子区域中存储数据的一致性差异较小。由此，擦除存储数据的擦除脉冲电压可根据各个擦除子区域中的存储数据进行选取，以满足各个擦除子区域中存储数据的一致性差异，减少擦除区域中的过擦除状态。

S340、根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置和所述擦除脉冲电压，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

具体的，各个擦除子区域中存储数据可采用不同的擦除脉冲电压进行擦除，以减少各个擦除子区域的过擦除状态。同时，各个擦除子区域在擦除区域的位置，与各个擦除子区域中存储数据的擦除顺序相关。因而，采用各个擦除子区域中存储数据对应的擦除脉冲电压，依次擦除各擦除子区域中的存储数据。例如，擦除区域划分为四个擦除子区域，四个擦除子区域依据各自在擦除区域的位置，分别命名为第一擦除子区域、第二擦除子区域、第三擦除子区域和第四擦除子区域。其中，第一擦除子区域中的存储数据对应第一擦除脉冲电压V1，第二擦除子区域中的存储数据对应第二擦除脉冲电压V2，第三擦除子区域中的存储数据对应第三擦除脉冲电压V3，第四擦除子区域中的存储数据对应第四擦除脉冲电压V4。由此，可采用第一擦除脉冲电压V1、第二擦除脉冲电压V2、第三擦除脉冲电压V3和第四擦除脉冲电压V4分别依次擦除第一擦除子区域、第二擦除子区域、第三擦除子区域和第四擦除子区域中的存储数据。

可选的，根据各个所述擦除子区域的擦除顺序，各个所述擦除子区域的擦除脉冲电压依次递增；或者，同一所述擦除子区域的多个擦除脉冲电压依次递增。由于擦除脉冲电压越大，擦除的速度越快。因此，擦除脉冲递增能够进一步增加擦除存储数据的速度，减少擦除存储数据的时间。

本实施例提供的存储数据的擦除方法通过将擦除存储数据的方法具体化，从而根据擦除子区域在擦除区域的位置及擦除脉冲电压，依次擦除各擦除子区域中的存储数据，进而减少过擦除现象的产生，进一步减少过擦除状态导致的漏电现象。

实施例四

本实施例提供了一种存储数据的擦除装置可以适用于对存储器中的存储数据进行擦除的应用场景，该装置可以由硬件和/或软件的方式来实现。图4是本发明实施例四提供的一种存储数据的擦除装置的结构示意图。如图4所示，本实施例提供的存储数据的擦除装置包括：擦除区域获取模块10、擦除子区域划分模块20和存储数据擦除模块30。

所述擦除区域获取模块10，用于在接收到擦除存储数据指令时，获取所述擦除存储数据指令对应的存储数据的擦除区域。

所述擦除子区域划分模块20，用于将所述擦除区域划分为多个擦除子区域；其中擦除子区域的划分个数可以为2ⁿ，其中n为正整数。

所述存储数据擦除模块30，用于根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

本实施例提供的存储数据的擦除装置通过将存储区域划分为多个擦除子区域，使得每个擦除子区域中的存储数据具有较好的一致性，并依次分别对擦除子区域中的存储数据进行擦除，从而减少过擦除现象的产生，进一步减少过擦除状态导致的漏电现象的产生。

实施例五

本实施例在上述实施例的基础上进行了优化，提供了优选的在上述实施例的基础上增加了擦除区域弱编程模块，以使将擦除区域中的存储数据擦除完成后，对整个擦除区域进行弱编程操作。图5是本发明实施例五提供的一种存储数据的擦除装置的结构示意图。如图5所示，本实施例提供的存储数据的擦除装置还设置有擦除区域弱编程模块40。该擦除区域弱编程模块40用于在根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据之后，对所述擦除区域进行弱编程操作。

可选的，弱编程操作的执行方式还可以是对各个擦除子区域分别进行弱编程。继续参见图5所示，本实施例提供的存储数据的擦除装置还设置有擦除子区域弱编程模块50。该擦除子区域弱编程模块50用于在擦除第m-1所述擦除子区域中的存储数据之后，在擦除第m所述擦除子区域中的存储数据之前，对第m-1所述擦除子区域进行弱编程操作；其中，m为正整数且小于等于擦除子区域的数量。

可选的，继续参见图5所示，存储数据擦除模块30包括：擦除脉冲电压获取单元31和存储数据擦除单元32。

所述擦除脉冲电压获取单元31，用于获取各个所述擦除子区域中存储数据对应的擦除脉冲电压。

所述存储数据擦除单元32，用于根据所述擦除子区域在所述擦除区域的位置和所述擦除脉冲电压，依次擦除所述擦除子区域中的存储数据。

其中，根据各个所述擦除子区域的擦除顺序，各个所述擦除子区域的擦除脉冲电压依次递增；或者，同一所述擦除子区域的多个擦除脉冲电压依次递增。

本实施例提供的存储数据的擦除装置，可执行本发明任意实施例所提供的存储数据的擦除方法，具备执行该方法相应的功能模块和有益效果。未在上述实施例中详尽描述的技术细节，可参见本发明任意实施例所提供的存储数据的擦除方法。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。