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具体实施方式

】

以下实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。

在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。

请参阅图1，图1是本发明可弯折的阵列基板10布局示意图。所述可弯折的阵列基板10包括:第一基板S1，包含像素区域110与围绕像素区域110的边缘区域120；复数个数据驱动单元DC1-DCn，以及复数个栅极驱动单元GC1-GCm。其中，在像素区域110内，设置有沿第一方向D1延伸的复述条扫描线G1-Gp，以及沿第二方向D2延伸的复数条数据线DR1、DG1、DB1DRq、DGq、DBq。

需要特别说明的是，在图1的实施例中，每一像素是由3种不同颜色的子像素构成，例如，第一行第一列的像素是由三条提供不同颜色讯号的数据线DR1、DG1以及DB1与扫描线G1向沿第一方向D1排列的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素提供讯号。即，例如，若显示区域沿第一方向D1有1080像素的话，q＝1080。总共有1080*3＝3240条沿第一方向排列且沿第二方向D2延伸的数据线与沿第一方向D1延伸的扫描线提供驱动讯号。

其中，数据线DR1、DG1以及DB1被配置为分别传输使子像素发光单元发出红光的子像素输出讯号、使子像素发光单元发出绿光的子像素输出讯号，以及使子像素发光单元发出蓝光的子像素输出讯号。其中，每一子像素发光单元可包括红光发光单元、蓝光发光单元以及绿光发光单元中的之一或全部，子像素发光单元可以为有机发光二极管(OLED)、次毫米发光二极管(Mini-LED)、微型发光二极管(Micro-LED)或发光二极管(LED)中的任意一种

在其他的实施例中，可弯折的阵列基板10为每一像素是由单一颜色的子像素构成。或者，在另一实施例中，可弯折的阵列基板10为每一像素由四个以上的不同颜色的子像素构成。

如图1所示，复数个数据驱动单元DC1-DCn以及复数个栅极驱动单元GC1-GCm分别设置在边缘区域120的相对两侧边121、123，由于硬度较高的复数个数据驱动单元DC1-DCn以及复数个栅极驱动单元GC1-GCm没有在设置在边缘区域120的另两相对侧边122、124，在可弯折的阵列基板10被弯折时，未设置有数据驱动单元DC1-DCn以及栅极驱动单元GC1-GCm的侧边122、124能够承受的弯折形变量较大，且数据驱动单元DC以及栅极驱动单元GC亦不会直接承受形变的应力。

为了将栅极驱动单元GC1-GCm的讯号提供至扫描线G1-Gp，每一栅极驱动单元GC1-GCm连接一条向所述像素区域110延伸的栅极输入线GI1-GIm。在图1所绘示的实施例中，栅极输入线GI1与扫描线G1在交错处P1形成电连接。每一所述栅极输入线分别与不同扫描线电连接，以对像素区域110的不同扫描线输出栅极讯号。

于本发明的一实施例中，每一栅极输入线GI在像素区域110内的长度相同，以平衡子像素的运作负载。

详细而言，再请参照图1，其中，输出第一级栅极控制输出讯号的栅极驱动单元GC1与输出最末级栅极控制输出讯号的栅极驱动单元GCm分别通过不同阵列绕线WOA1、WOA2分别与一个数据驱动单元DC1、DCn电连接，由于在第一方向D1上的第一个数据驱动单元DC1与在第一方向D1的第一个栅极驱动单元GC1的间距长度与在第一方向D1上的最后一个数据驱动单元DCn与在第一方向D1的最后一个栅极驱动单元GCm的间距长度接近，因此本发明以进一步平衡所述复数个栅极驱动单元GC1-GCm的与所述复数个数据驱动单元DC1-DCn之间的连接线路寄生电容。

除此之外，通过分别在输出第一级栅极控制输出讯号的栅极驱动单元GC1与输出最末级栅极控制输出讯号的栅极驱动单元GCm透过不同的WOA1、WOA2与不同的数据驱动单元DC1、DCn电连接，还能够大幅降低栅极驱动单元GC1-GCm与数据驱动单元DC1-DCn之间讯号传输的失真率，并降低不同栅极驱动讯号间的干扰杂讯。

较佳地，栅极输入线GI1-GIm从栅极驱动单元GC1-GCm分别延伸至对应的扫描线G1-Gm，并分别与扫描线G1-Gm在交叉处形成电连接，栅极输入线GI1-GIm继续沿第二方向D2延伸至像素区域110的边缘，即，虽然每一栅极输入线GI1-GIm在像素区域110与不同的扫描线G1-Gm在不同的交错处形成电连接，但所有栅极输入线GI1-GIm在像素区域110内沿第二方向D2的走线长度相等，使各像素内部的金属密度统一，以使所有栅极输入线GI1-GIm的寄生电容一致，提升像素单元显示效果的均匀性。

其中，在本发明的一实施例中，在第一基板S1上的栅极输入线GI1-GIm与扫描线G1-Gm分层设置，以降低每一讯号扫描线G1-Gm接收到的栅极讯号受其他输出级的栅极讯号影响。

进一步而言，请参照图2a，图2a是本发明一实施例的第一基板在像素区域的剖面示意图。其中，第一基板S1在像素区域110至少包含:栅极输入线GIm、绝缘层RL与扫描线Gm，其中绝缘层RL间隔栅极输入线GIm与扫描线Gm。

图2b是本发明一实施例的第一基板在像素区域的交错处部份的剖面示意图；与图2a的差异在于，在交错处，通孔Hm穿设于所述至少一层绝缘层RL以将栅极输入线GIm与扫描线Gm电连接。

如图1与图2所揭示，通过使栅极输入线GI1-GIm与扫描线G1-Gm间间隔至少一层间隔层RL，在不需形成电连接但在俯视图上栅极输入线GI1-GIm与扫描线G1-Gm交错的其他位置，栅极输入线GI1-GIm设置的导电层与扫描线G1-Gm设置的导电层保持电性分离，以提升讯号传输的精确性并简化像素区域110内部的线路配置，使复数条栅极输入线GI1-GIm、复数条扫描线G1-Gm以及复数条数据线DC1-DCn在像素区域110内部分层交错、重叠而不影响讯号传输。

其中，像素区域110中的绝缘层包含无机绝缘层，具体地，其构成材料包含例如:氧化硅(SiOx)与氮化硅(SiN)等。

在本发明的一实施例中，栅极输入线GI1-GIm与数据线DC1-DCn同层设置，因此制备第一基板S1时可同时制备栅极输入线GI1-GIm与数据线CD1-CDn。

请参照图3，图3是本发明可弯折的阵列基板10的另一实施例的电路布局示意图。在图3揭示的实施方式中，所述复数个数据驱动单元DC1-CDn与至少一栅极驱动单元GCm相对设置在像素区域110的两侧边121、123，至少一栅极驱动单元GCm连接至少一条向像素区域110延伸的栅极输入线GIm，至少一条栅极输入线GIm与一条扫描线Gm电连接，其他栅极驱动单元GC1、GC2等设置为与复数个数据驱动单元DC1-DCn设置在边缘区域120的相邻两侧边121、122。

其中，所述像素区域110为四边形，边缘区域120围绕所述像素区域110形成口字型。栅极驱动单元GC1-GCm设置在边缘区域120中。其中，至少一栅极驱动单元GCm设置在边缘区域120的侧边123，其他栅极驱动单元GC1、GC2等设置在边缘区域120的侧边122，侧边122与复数个数据驱动单元DC1-DCn所设置的侧边121临接。其中，与复数个数据驱动单元DC1-DCn位置最接近的栅极驱动单元GC1用以输出第一级栅极输出讯号。即，各栅极驱动单元GC1-GCm的输出级的先后顺序依序由最接近数据驱动单元DC1的栅极驱动单元GC1排序至设置在侧边123最底部的栅极驱动单元GCm，以简化所有栅极驱动单元GC1-GCm在非像素区域110的布线，不同的栅极驱动单元GC1-GCm依序控制不同的对应扫描线G1-Gm。

然而，在本发明的其他实施方式中，像素区域110为四边形以外的其他对称形状，数据驱动单元DC1-DCn与栅极驱动单元GC1-GCm分别设置在像素区域110对称的两外侧。

在一较佳实施例中，所有栅极输入线GI1-GIm与所有数据线D1-Dn都与第二方向D2平行，即，所有栅极输入线GI1-GIm与所有数据线D1-Dn平行，以平衡像素区域110的金属密度分布。

各级栅极驱动单元GC1-GCm之间可以使用设置在阵列基板上的多条阵列绕线WOA-g来传递讯号。

请参照图4a，图4a为是本发明可弯折的阵列基板的再一实施例的电路布局示意图，在一实施例中，第一方向D1上的第一个数据驱动单元DC1与第一方向D1的第一个栅极驱动单元GC1在第一方向D1超出像素区域110在第一方向D1的设置范围，且在第一方向D1上的最后一个数据驱动单元DCn与在第一方向D1的最后一个栅极驱动单元GCm亦超出像素区域110在第一方向D1的设置范围，因此，连接数据驱动单元DC1与栅极驱动单元GC1的阵列绕线WOA1，以及连接数据驱动单元DCn与栅极驱动单元GCm的阵列绕线WOA2不需绕过像素区域110的拐角或斜角，而可将多个阵列绕线WOA1、WOA2设置为完全平行第二方向D2，从而使阵列绕线WOA1、WOA2延伸方向一致，使阵列基板弯折时阵列绕线WOA1、WOA2受力更加均匀，不易断裂。

在本发明的一实施方式中，输出第一级栅极输出讯号的栅极驱动单元GC1与输出最末级栅极输出讯号的栅极驱动单元GCm分别通过不同阵列绕线WOA1、WOA2与数据驱动单元DC1、DCn电连接。如图3所示，输出第一级栅极输出讯号的栅极驱动单元GC1通过与数据驱动单元DC1之间的阵列绕线WOA1与数据驱动单元DC1电连接，输出最后一级栅极输出讯号的栅极驱动单元GCm通过与数据驱动单元DCn之间的阵列绕线WOA2与数据驱动单元DCn电连接，提升栅极驱动单元GC1-GCm输出讯号的稳定性。

复请比对本发明图3与图1，本发明图3与图1所公开的实施例的差异在于，图3中所公开的实施例有部份栅极驱动单元GC1、GC2等设置在相邻复数个数据驱动单元DC1-DCn的边缘区域120的侧边122，因此图3公开的实施例的栅极驱动单元GC1-GCm的间距被拉开，阵列基板可沿未设置有栅极驱动单元的弯折线BL进行弯折，适用于制作应用在局部弯折的显示装置。

弯折线BL可以如图3所示设置在侧边122的中点处或者侧边122靠近侧边123的位置，如此可将阵列基板末端弯折固定在柱状物上，使显示装置在柱状物上维持静态弯曲。

请参照图4b，图4b为是本发明可弯折的阵列基板的再一实施例的电路布局示意图，其中，各级栅极驱动单元GC1-GCm通过阵列绕线连接。而沿第一方向D1排列的复数个数据驱动单元DC被配置为部份连接至主控制板上。主控制板包括印刷电路板PCBA以及设置于印刷电路板PCBA上的控制单元CON。因此，还可通过印刷电路板PCBA、阵列绕线WOA1、WOA2、WOA-g在控制单元CON与数据驱动单元DC1-DCn及栅极驱动单元GC1-GCm之间形成电连接以交换讯号，降低主控制板Con、数据驱动单元DC与所有栅极驱动单元GC间的讯号失真率与提升运作稳定性。便于调控设置在印刷电路板PCB A上的控制单元CON控制数据驱动单元DC1-DCn与栅极驱动单元GC1-GCn的驱动时序。

进一步地，请参照本发明图5与图6。

图5是本发明可弯折的阵列基板的一实施例的未弯折状态的侧视示意图。数据驱动单元DCn与栅极驱动单元GCm分别设置在边缘区域120在第二方向D2上的相对两侧边121、123。

图6是本发明可弯折的阵列基板的一实施例的弯折状态的侧视示意图。当可弯折的阵列基板10沿弯折方向D3弯折，由于数据驱动单元DC1-DCn与栅极驱动单元GC1-GCm分别设置在可弯折的阵列基板10的弯折两端，且数据驱动单元DC与栅极驱动单元GC的长边都平行第一方向D1而短边平行第二方向D2，因此数据驱动单元DC1-DCn与栅极驱动单元GC1-GCm在第二方向D2上的截面积较小，因此，当显示驱动架构沿弯折方向D3弯折而受力时，数据驱动单元DC1-DCn与栅极驱动单元GC1-GCm的形变较小，因此受到的弯折应力较小，从而降低数据驱动单元DC1-DCn与栅极驱动单元GC1-GCm破裂的风险，使可弯折的阵列基板10能够在静态弯折或动态弯折时保护数据驱动单元DC1-DCn与栅极驱动单元GC1-GCm不被破坏。

于本发明的一实施例中，数据驱动单元DC与栅极驱动单元GC为覆晶薄膜封装晶片(Chip On Film,COF)，或阵列上晶片(Gate on Array,GOA)，以简化第一基板S1上的电路线路配置。

请参照图7，图7为本申请还提供一种显示装置1，包括上述任一实施例的可弯折的阵列基板10。该显示装置还包含覆盖于可弯折的阵列基板10上的封装层20。

其中，封装层20可为有机封装层或无机封装层，有机封装层可以包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚乙烯磺酸盐(polyethylene sulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene)、聚芳酯(polyarylate)及/或六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane)；无机封装层可包含无机材料包含氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅。

所述显示装置1具有与前述实施例提供的显示驱动架构相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对该显示驱动架构的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。

以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。