具体实施方式

下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

同时，在以下说明中，出于解释的目的而阐述了许多具体细节，以提供对本发明实施例的彻底理解。然而，对本领域的技术人员来说显而易见的是，本发明可以不用该例的具体细节或者所描述的特定方式来实施。

参见图1及图2至图6，图1是依据本发明的一实施例，显示阵列基板的制作方法流程图；图2至图6是依据本发明的实施例，显示阵列基板的制作方法在各个步骤中的结构示意图。如图2及图3所示，本发明的一实施例所提供的阵列基板100的制作方法，所述方法包括提供一基底11，在所述基底11上形成晶体管12以及覆盖所述晶体管12的钝化层13，其中所述晶体管12包括源极121以及漏极122；且其特征在于，本发明的实施例所提供的阵列基板100的制作方法还包括以下步骤：

步骤S1，在所述钝化层13上形成平坦化层14，如图4所示；

步骤S2，对所述平坦化层14对应所述源极121的区域进行碳化，形成第一黑色吸光层151，如图4所示；以及

步骤S3，在所述平坦化层14上形成像素电极层17以及覆盖所述平坦化层14及所述像素电极层17的像素定义层18，其中所述像素电极层17藉由所述导电插塞16与所述源极121电性连接，如图5及图6所示。

具体的，依据本发明的一个实施例，本发明的一实施例所提供的阵列基板100的制作方法，在进行步骤S1之前还包括：提供一基底11，在所述基底11上形成遮光层111，在所述遮光层111及所述基底11上形成缓冲层112，在所述缓冲层112上形成氧化物半导体层113，在所述氧化物半导体层113上形成栅极绝缘层114，在所述栅极绝缘层114上形成栅极115，形成覆盖所述氧化物半导体层113、所述栅极绝缘层114、所述栅极115、及所述缓冲层112的层间介电层116，形成配置于所述层间介电层116上并贯穿所述层间介电层116与所述氧化物半导体层113电性连接的所述源极121及所述漏极122，形成覆盖所述源极121及所述漏极122及所述层间介电层116的所述钝化层13，以及在所述钝化层13上形成彩膜117，如图2及图3所示。

依据本发明的一个实施例，步骤S1具体包括：在所述钝化层13上未被所述彩膜117覆盖的区域形成平坦化层14，对所述平坦化层14进行曝光显影以形成贯穿所述平坦化层14的所述通孔141，在所述通孔141中填充贯穿所述通孔141的导电插塞16，如图1及图4所示。

依据本发明的一个实施例，所述通孔141可位于所述平坦化层14被碳化的区域，亦即，第一黑色吸光层151中具有所述通孔141，所述通孔141中配置有一贯穿所述通孔141的导电插塞16，如图1及图4所示。

依据本发明的一个实施例，所述平坦化层14为有机材料，以利于碳化形成所述黑色吸光层15。在本发明的具体实施例，所述平坦化层14的材料包括：丙烯酸树脂(acrylicresin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚醘胺树脂(polyamideresin)、聚酰亚胺树脂(polyimide resin)、或其所组合。

参见图1及图4，依据本发明的一个实施例，在步骤S2中，所述第一黑色吸光层151的尺寸大于或等于其所对应的所述源极121，使所述源极121在所述基底11上的投影完全落在所述第一黑色吸光层151在所述基底11上的投影范围内。在一具体实施例中，所述第一黑色吸光层151的尺寸可大于其所对应的所述源极121的10％至30％。基本上，碳化所述平坦化层14所形成的黑色吸光层15的宽度越大越能充分遮挡各金属走线及金属膜层的反射光(图6中的箭号代表光的路径)，然而在考虑成本及显示器开口率的情况下，可依产品定位需求选择性地设计所需的黑色吸光层15的宽度。

继续参见图4，依据本发明的一个实施例，步骤S2还包括对所述平坦化层14对应所述漏极122的区域进行碳化以形成第二黑色吸光层152，所述第二黑色吸光层152的尺寸大于或等于其所对应的所述漏极122，使所述漏极122在所述基底11上的投影完全落在所述第二黑色吸光层152在所述基底11上的投影范围内。在一具体实施例中，所述第二黑色吸光层152的尺寸可大于其所对应的所述漏极122的10％至30％。在本发明的实施例中，利用碳化所述平坦化层14所形成的第二黑色吸光层152来遮挡所述漏极122及其他金属走线及金属膜层的反射光的原理同上所述，在此不再赘述。

依据本发明的一个实施例，在步骤S2中，用来对所述平坦化层14对应所述源极121以及所述漏极122的区域进行碳化所使用的掩膜可与用来图案化以形成所述源极121以及所述漏极122的掩膜相同，使碳化所述平坦化层14所形成的黑色吸光层15具有与所述源极121以及所述漏极122相同的且彼此对应的图案，如图4所示。

依据本发明的其他实施例，用来对所述平坦化层14对应所述源极121以及所述漏极122的区域进行碳化所使用的掩膜也可与用来图案化以形成所述源极121以及所述漏极122的掩膜不同(图未示)，如此一来，碳化所述平坦化层14所形成的黑色吸光层15的图案也可与所述源极121以及所述漏极122不完全对应，例如黑色吸光层15可以完全遮蔽整个晶体管12，包含所述源极121、所述栅极115以及所述漏极122，甚至延伸到晶体管12邻近的金属走线，如此一来，黑色吸光层15的覆盖范围除了可遮蔽所述源极121以及所述漏极122的反射光以外，还可以更进一步遮蔽其他金属走线及金属膜层的反射光。故本发明的黑色吸光层15的图案不限于图4所示范例。

依据本发明的一个实施例，在步骤S2中，所述碳化的方法可使用激光照射或其他业界已知的炭化方法；优选使用波长范围介于100nm至500nm的激光照射来进行所述平坦化层14的炭化。若波长超过上述范围，可能会有激光能量不够的问题，导致碳化效果不佳。若波长低于上述范围，可能会有激光能量过强，导致其他膜层受到激光的破坏。在一具体实施例中，使用波长范围介于200nm至300nm的激光照射来进行所述平坦化层14的炭化。

值得注意的是，所述碳化步骤优选在形成所述像素电极层17与像素定义层18之前进行，以避免所使用的激光对所述像素电极层17与像素定义层18有不良影响。

在本发明的实施例中，所述缓冲层112、所述栅极绝缘层114、所述层间绝缘层、及所述钝化层13的材料可各自独立地包括：氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合；所述栅极115、所述源极121、及所述漏极122的材料可各自独立地包括：钼(Mo)、钛(Ti)、铝(A1)、以及铜(Cu)中的一种或多种的组合；所述遮光层111的材料可包括：银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、钕(Nd)、或其合金。

在本发明的实施例中，所述像素定义层18可由有机材料或者无机材料所构成。具体的，所述像素定义层18的材料，包括选自例如光刻胶、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂以及丙烯基树脂的有机材料，或是选自例如硅化合物的无机材料。在本发明的一优选实施例中，所述像素定义层18是由有机材料所构成。

参见图6，本发明的另一实施例还提供了一种阵列基板100，所述阵列基板100包括一基底11，以及配置于所述基底11上的晶体管12以及覆盖所述晶体管12的钝化层13，其中所述晶体管12包括源极121以及漏极122；其特征在于，所述阵列基板100还包括：平坦化层14，配置于所述钝化层13上；第一黑色吸光层151，配置于所述平坦化层14中对应所述源极121的区域，其中所述第一黑色吸光层151中具有一通孔141，所述通孔141中配置有一贯穿所述通孔141的导电插塞16；像素电极层17，配置于所述平坦化层14上，其中所述像素电极层17藉由所述导插塞16与所述源极121电性连接；以及像素定义层18，覆盖所述平坦化层14及所述像素电极层17。

参见图4至图6，具体的，依据本发明的一个实施例，本发明的一实施例所提供的阵列基板100还包括：配置于所述基底11上的遮光层111；配置于所述遮光层111及所述基底11上的缓冲层112；配置于所述缓冲层112上的氧化物半导体层113；配置于所述氧化物半导体层113上的栅极绝缘层114；配置于所述栅极绝缘层114上的栅极115；覆盖所述氧化物半导体层113、所述栅极绝缘层114、所述栅极115、及所述缓冲层112的层间介电层116；配置于所述层间介电层116上并贯穿所述层间介电层116与所述氧化物半导体层113电性连接的所述源极121及所述漏极122；覆盖所述源极121及所述漏极122及所述层间介电层116的钝化层13；以及配置于所述钝化层13上的彩膜117，其中所述平坦化层14配置于所述钝化层13上未被所述彩膜117覆盖的区域，如图4所示。

参见图4，依据本发明的一个实施例，所述第一黑色吸光层151的尺寸大于或等于其所对应的所述源极121，使所述源极121在所述基底11上的投影完全落在所述第一黑色吸光层151在所述基底11上的投影范围内。在一具体实施例中，所述第一黑色吸光层151的尺寸可大于其所对应的所述源极121的10％至30％。基本上，碳化所述平坦化层14所形成的黑色吸光层15的宽度越大越能充分遮挡各金属走线及金属膜层的反射光(图6中的箭号代表光的路径)，然而在考虑成本及显示器开口率的情况下，可依产品定位需求选择性地设计所需的黑色吸光层15的宽度。

继续参见图4，依据本发明的一个实施例，本发明实施例所提供的阵列基板100还包括：还包括第二黑色吸光层152，所述第二黑色吸光层152配置于所述平坦化层14中对应所述漏极122的区域，所述第二黑色吸光层152的尺寸大于或等于其所对应的所述漏极122，使所述漏极122在所述基底11上的投影完全落在所述第二黑色吸光层152在所述基底11上的投影范围内。在一具体实施例中，所述第二黑色吸光层152的尺寸可大于其所对应的所述漏极122的10％至30％。在本发明的实施例中，利用碳化所述平坦化层14所形成的第二黑色吸光层152来遮挡所述漏极122及其他金属走线及金属膜层的反射光的原理同上所述，在此不再赘述。

依据本发明的一个实施例，所述黑色吸光层15具有与所述源极121以及所述漏极122相同的且彼此对应的图案，如图4所示。

依据本发明的其他实施例，所述黑色吸光层15的图案也可与所述源极121以及所述漏极122不完全对应，黑色吸光层15的覆盖范围除了可遮蔽所述源极121以及所述漏极122的反射光以外，还可以更进一步遮蔽其他金属走线及金属膜层的反射光。故本发明的黑色吸光层15的图案不限于图4所示范例。

在本发明实施例提供的所提供的阵列基板100中，各膜层的材料可参考前述实施例，于此不再赘述。

此外，参见图6，本发明的实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括前述任一实施例所提供的阵列基板100，其中所述平坦化层14中配置有彩膜117，所述像素定义层18中具有开口18a露出所述像素电极层17，发光组件19配置于所述开口18a中，且所述彩膜117及所述发光组件19在所述基底11上的投影重迭，相似的结构部分可以参考前述实施例，于此不再赘述。在一实施例中，发光组件19为白光有机二极管(WOLED)，但本发明不以此为限。

从上述描述中可以看出，本发明所提供的阵列基板100及其制作方法涉及一种底发光的白光有机二极管(WOLED)显示器及其制作方法,在制作平坦化层14后，藉由对平坦化层14对应金属走线位置的区域进行碳化处理形成黑色吸光层，有效避免了发光组件19光线经过阴极以及金属走线反射照亮相邻像素导致的漏光问题。

此外，因此各实施例的特征可以任意组合形成新的实施例，所有组合形成的新实施例均在本发明的保护范围内。所描述的特征或特性可以任何其他合适的方式结合到一个或多个实施例中。在上面的描述中，提供一些具体的细节，例如厚度、数量等，以提供对本发明的实施例的全面理解。然而，相关领域的技术人员将明白，本发明无需上述一个或多个具体的细节便可实现，或者也可采用其它方法、组件、材料等实现。

虽然上述示例用于说明本发明在一个或多个应用中的原理，但对于本领域的技术人员来说，在不背离本发明的原理和思想的情况下，明显可以在形式上、用法及实施的细节上作各种修改而不用付出创造性劳动。因此，本发明由所附的权利要求书来限定。