具体实施方式

现在将在下文中参考在其中示出各种实施例的附图来更全面地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同形式体现，并且不应当被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，这些实施例被提供使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。相同的附图标记自始至终指相同的元件。

本公开可以经历各种变换并且可以具有各种实施例，并且特定实施例将在附图中被图示并且在详细描述中被详细描述。参考以下结合附图详细描述的实施例，本公开的效果和特征以及实现它们的方法将变得显而易见。然而，本公开不限于以下公开的实施例，并且可以以各种形式来实现。

以下将参考附图更详细地描述示例实施例。相同或对应的那些部件被赋予相同的附图标记，而与图号无关，并且冗余的说明被省略。

将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分相区分。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二部分。

本文中使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，并且不旨在限制。如本文中使用的，“一”、“该”和“至少一个”不指代数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外清楚地指示。例如，“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不被解释为限定“一”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。

将理解，当元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者在该元件和另一元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，不存在中间元件。

除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义被解释，除非本文中明确如此限定。

当某一实施例可以被不同地实现时，特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。

在以下的实施例中，当层、区域或元件等被称为“连接”时，将理解它们可以直接连接，或者在层、区域或元件之间可以存在中间部分。例如，当层、区域或元件等被称为“电连接”时，它们可以直接电连接，或者层、区域或元件可以间接电连接并且可以存在中间部分。

在本文中，参考作为理想化实施例的示意性例示的截面例示来描述实施例。这样，可以预期作为例如制造技术和/或公差的结果的例示的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于如本文中图示的区的具体形状，并且应包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，被图示或被描述为平坦的区典型地可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，图示的尖角可以是倒圆的。因此，附图中图示的区实际上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区的精确形状并且不旨在限制本权利要求的范围。

在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。

本文中，显示装置是用于显示图像的装置，并且可以是便携式的移动装置，诸如游戏机、多媒体装置和微型个人计算机。显示装置的实施例可以是液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、量子点显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器等。在下文中，为了便于描述，将详细描述在其中显示装置是有机发光显示装置的实施例，但并不限于此。可替代地，本公开的实施例可以是如以上描述的各种其他类型的显示装置。

图1是示意性地图示根据实施例的显示装置1的透视图。

参考图1，显示装置1的实施例可以在基板100上具有显示区域DA和非显示区域NDA。

显示区域DA显示图像。多个像素PX可以被布置在显示区域DA中。像素PX不被布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以完全包围显示区域DA。在非显示区域NDA中，例如，用于将电信号提供到像素PX的驱动器可以被设置。非显示区域NDA可以包括焊盘部分(未示出)，该焊盘部分是电子器件或印刷电路板可以电连接至其的区域。

图2A和图2B示出了包括在根据实施例的显示装置中的像素PX的等效电路图。

参考图2A，像素PX的实施例可以包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的显示元件，例如，有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素PX可以从有机发光二极管OLED发射红光、绿光或蓝光，或者发射红光、绿光、蓝光或白光。

开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2可以响应于通过扫描线SL输入的扫描电压或扫描信号Sn，将从数据线DL输入的数据电压或数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2传送的电压和供给到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差相对应的电压。

驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以基于存储在存储电容器Cst中的电压值，来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以发射具有与驱动电流相对应的特定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。

参考图2B，像素电路PC的可替代的实施例可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、亮度控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。

在实施例中，如图2B中所示，针对每个像素电路PC提供信号线SL、SL-1、SL+1、EL、DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。然而，在可替代的实施例中，信号线SL、SL-1、SL+1、EL、DL或/和初始化电压线VL中的至少一条可以由邻近像素电路共享。

驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极可以通过亮度控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1可以基于开关薄膜晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，并且将驱动电流I_OLED供给到有机发光二极管OLED。

开关薄膜晶体管T2的开关栅电极可以连接到扫描线SL，并且开关薄膜晶体管T2的开关源电极可以连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的开关漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极，并且可以通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。

开关薄膜晶体管T2可以以使得开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而被导通并将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极的方式，来执行开关操作。

补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极，并且可以通过亮度控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极可以连接到存储电容器Cst的一个电极、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过扫描线SL传送的扫描信号Sn而被导通，以将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极连接，从而提供驱动薄膜晶体管T1的二极管连接。

第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极可以连接到存储电容器Cst的该一个电极、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以以使得第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而被导通并将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极以初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压的方式，来执行初始化过程。

操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极可以连接到亮度控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极。

亮度控制薄膜晶体管T6的亮度控制栅电极可以连接到亮度控制线EL。亮度控制薄膜晶体管T6的亮度控制源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极。亮度控制薄膜晶体管T6的亮度控制漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和亮度控制薄膜晶体管T6可以响应于通过亮度控制线EL传送的亮度控制信号En而被同时导通，使得第一电力电压ELVDD被传送到有机发光二极管OLED，并且驱动电流I_OLED在有机发光二极管OLED中流动。

第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极可以连接到下一(或后续)扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7响应于通过下一扫描线SL+1传送的下一(或后续)扫描信号Sn+1而被导通，以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。

在实施例中，如图2B中所示的，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1。然而，在可替代的实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可以各自连接到前一扫描线SL-1，并且响应于前一扫描信号Sn-1而被驱动。

存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的该一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极以及第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极。

有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流I_OLED并且发光。

像素电路PC的薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计不限于参考图2A和图2B描述的那些，并且薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计可以被各种修改。

在下文中将详细描述根据实施例的每个像素PX的操作。

在实施例中，在初始化时段期间，第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而被导通，并且驱动薄膜晶体管T1可以由于通过初始化电压线VL供给的初始化电压Vint而被初始化。

在数据编程时段期间，当扫描信号Sn通过扫描线SL被供给时，开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3可以响应于扫描信号Sn而被导通。因此，驱动薄膜晶体管T1可以被已经导通的补偿薄膜晶体管T3二极管连接，并且可以正向偏置。

当驱动薄膜晶体管T1被二极管连接时，比通过数据线DL供给的数据信号Dm小驱动薄膜晶体管T1的阈值电压(Vth)的补偿电压(Dm+Vth，并且Vth指代具有负值的阈值电压)可以被施加到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极。

第一电力电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)分别被施加到存储电容器Cst的相对端，并且与存储电容器Cst的相对端之间的电压差相对应的电荷可以被存储在存储电容器Cst中。

在亮度时段期间，操作控制薄膜晶体管T5和亮度控制薄膜晶体管T6可以响应于通过亮度控制线EL供给的亮度控制信号En而被导通。驱动电流I_OLED可以基于驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极的电压与第一电力电压ELVDD之间的电压差而流动，并且驱动电流I_OLED可以通过亮度控制薄膜晶体管T6被供给到有机发光二极管OLED。

图3示出了根据实施例的像素电路PC的平面图。

参考图3，像素电路PC的实施例可以包括至少一个薄膜晶体管。例如，在一个实施例中，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、亮度控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。至少一个薄膜晶体管可以沿半导体层A被布置。半导体层A可以被设置于在其上设置有包括无机绝缘材料的缓冲层的基板上。

半导体层A的一些区域可以与驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、亮度控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层相对应。在这样的实施例中，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、亮度控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层可以连接在一起，并且可以被弯曲成各种形状。

半导体层A可以包括沟道区以及在沟道区的相对侧上的源区和漏区。源区和漏区可以限定对应的薄膜晶体管的源电极和漏电极。在下文中，为了便于描述，源电极和漏电极将分别被称为源区和漏区。

驱动薄膜晶体管T1可以包括与驱动沟道区A1重叠的驱动栅电极G1以及在驱动沟道区A1的相对侧上的驱动源区S1和驱动漏区D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区A1具有诸如欧米茄形状或马蹄铁形状的形状，从而在狭窄或有限的空间中保持长的沟道长度。如果驱动沟道区A1的长度长，则栅电压的驱动范围变宽，使得可以更精确地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度，并且可以提高显示质量。

开关薄膜晶体管T2可以包括与开关沟道区A2重叠的开关栅电极G2以及在开关沟道区A2的相对侧上的开关源区S2和开关漏区D2。开关漏区D2可以连接到驱动源区S1。

补偿薄膜晶体管T3可以包括与补偿沟道区A3重叠的补偿栅电极G3以及在补偿沟道区A3的相对侧上的补偿源区S3和补偿漏区D3。在实施例中，补偿薄膜晶体管T3可以是双薄膜晶体管，并且可以包括与两个补偿沟道区A3重叠的补偿栅电极G3。补偿薄膜晶体管T3可以通过稍后将描述的节点连接线NC连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。

第一初始化薄膜晶体管T4可以包括与第一初始化沟道区A4重叠的第一初始化栅电极G4以及在第一初始化沟道区A4的相对侧上的第一初始化源区S4和第一初始化漏区D4。在实施例中，如图3中所示的，第一初始化薄膜晶体管T4可以是双薄膜晶体管，并且可以包括与两个第一初始化沟道区A4重叠的第一初始化栅电极G4。第一初始化源区S4可以连接到补偿漏区D3。

操作控制薄膜晶体管T5可以包括与操作控制沟道区A5重叠的操作控制栅电极G5以及放置在操作控制沟道区A5的相对侧上的操作控制源区S5和操作控制漏区D5。操作控制漏区D5可以连接到驱动源区S1。操作控制漏区D5可以连接到开关漏区D2。

亮度控制薄膜晶体管T6可以包括与亮度控制沟道区A6重叠的亮度控制栅电极G6以及放置在亮度控制沟道区A6的相对侧上的亮度控制源区S6和亮度控制漏区D6。亮度控制源区S6可以连接到驱动漏区D1。亮度控制源区S6可以连接到补偿源区S3。

第二初始化薄膜晶体管T7可以包括与第二初始化沟道区A7重叠的第二初始化栅电极G7以及放置在第二初始化栅电极G7的相对侧上的第二初始化源区S7和第二初始化漏区D7。第二初始化漏区D7可以连接到第一初始化漏区D4。第二初始化源区S7可以连接到亮度控制漏区D6。

以上描述的薄膜晶体管可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。

扫描线SL、前一扫描线SL-1、亮度控制线EL和驱动栅电极G1可以被设置在半导体层A上，并且至少一个绝缘层在它们之间。

扫描线SL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。扫描线SL的部分可以与开关栅电极G2和补偿栅电极G3相对应。例如，在一个实施例中，扫描线SL的与开关沟道区A2重叠的部分可以限定开关栅电极G2。在这样的实施例中，扫描线SL的与补偿沟道区A3重叠的部分可以限定补偿栅电极G3。

前一扫描线SL-1在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸，并且前一扫描线SL-1的部分可以与第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7相对应。例如，在一个实施例中，前一扫描线SL-1的与第一初始化沟道区A4重叠的部分可以限定第一初始化栅电极G4。在这样的实施例中，前一扫描线SL-1的与第二初始化沟道区A7重叠的部分可以限定第二初始化栅电极G7。

亮度控制线EL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。亮度控制线EL的部分可以与操作控制栅电极G5和亮度控制栅电极G6相对应。在实施例中，亮度控制线EL的与操作控制沟道区A5重叠的部分可以限定操作控制栅电极G5。在这样的实施例中，亮度控制线EL的与亮度控制沟道区A6重叠的部分可以限定亮度控制栅电极G6。

在实施例中，扫描线SL、前一扫描线SL-1和亮度控制线EL可以包括彼此相同的材料。

驱动栅电极G1可以通过节点连接线NC连接到补偿薄膜晶体管T3。

初始化电压线VL和电极电压线EVL可以被设置在覆盖扫描线SL、前一扫描线SL-1、亮度控制线EL和驱动栅电极G1的至少一个绝缘层上。

电极电压线EVL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。电极电压线EVL覆盖驱动栅电极G1，并且可以与驱动栅电极G1一起构成存储电容器Cst。在实施例中，存储电容器Cst可以包括下电极Cst1和上电极Cst2，其中下电极Cst1可以由驱动栅电极G1限定，并且上电极Cst2可以由电极电压线EVL的一部分限定。在这样的实施例中，下电极Cst1可以与驱动栅电极G1一体地形成为单个整体单元。在这样的实施例中，驱动沟道区A1的长度增加，使得作为驱动栅电极G1的下电极Cst1的区域可以变宽。在这样的实施例中，期望保持电容器Cst的容量。因此，在实施例中，上电极Cst2可以具有在平面上暴露下电极Cst1的边缘的第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2。这将稍后参考图4详细描述。

在实施例中，简单闭合曲线形状的开口OP可以被限定为穿过上电极Cst2。这里，简单闭合曲线是指当在直线或诸如多边形、圆形或椭圆形等曲线上绘制点时具有相同的起点和终点的闭合图形。开口OP可以暴露下电极Cst1的中心部分。

电极电压线EVL可以电连接到驱动电压线PL。在这样的实施例中，至少一个绝缘层可以被设置在电极电压线EVL与驱动电压线PL之间，并且电极电压线EVL和驱动电压线PL可以通过至少一个绝缘层的接触孔而彼此连接。因此，上电极Cst2可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒定电压)。例如，在一个实施例中，电极电压线EVL可以具有恒定电压，例如，大约+5伏(V)。因此，驱动电压线PL和电极电压线EVL可以形成网格结构，并且可以将第一电力电压提供到每个像素电路PC。

在实施例中，电极电压线EVL和驱动电压线PL被设置在彼此不同的层中，并且电极电压线EVL的电阻率可以显著大于驱动电压线PL的电阻率。

在实施例中，初始化电压线VL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上被设置。初始化电压线VL可以通过稍后将描述的初始化连接线CVL连接到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7。初始化电压线VL可以具有恒定电压(例如，大约-2V)。

电极电压线EVL和初始化电压线VL可以被设置在彼此相同的层中，并且可以包括彼此相同的材料。

至少一个绝缘层可以被设置在电极电压线EVL上，并且驱动电压线PL、初始化连接线CVL和节点连接线NC可以被设置在该至少一个绝缘层上。

驱动电压线PL可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。例如，在一个实施例中，第二方向和第一方向可以形成锐角。在可替代的实施例中，第二方向和第一方向可以形成钝角或直角。在下文中，为了便于描述，将详细描述在其中第二方向与第一方向垂直的实施例。在实施例中，驱动电压线PL可以基本在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。在实施例中，驱动电压线PL可以包括弯曲形状。在实施例中，驱动电压线PL可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。在本文中，与x方向和y方向垂直的z方向(图1中所示)可以是显示装置1的厚度方向。

驱动电压线PL可以通过接触孔电连接到电极电压线EVL。在这样的实施例中，驱动电压线PL可以通过接触孔连接到操作控制源区S5。

初始化连接线CVL的一端可以通过接触孔连接到第一初始化薄膜晶体管T4和/或第二初始化薄膜晶体管T7，并且初始化连接线CVL的另一端可以通过接触孔连接到初始化电压线VL。

节点连接线NC的一端可以通过第一接触孔CNT1连接到驱动栅电极G1，并且节点连接线NC的另一端可以通过第二接触孔CNT2连接到补偿漏区D3。

在实施例中，驱动电压线PL和节点连接线NC可以包括彼此相同的材料。

至少一个绝缘层可以被设置在驱动电压线PL、初始化连接线CVL和节点连接线NC上，并且数据线DL和连接电极CM可以被设置在该至少一个绝缘层上。

数据线DL可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。数据线DL可以通过中间连接电极ICM连接到开关源区S2。数据线DL的一部分可以被理解为开关源电极。

图3示出了在其中数据线DL和驱动电压线PL被设置在彼此不同的层中的实施例。然而，在可替代的实施例中，数据线DL和驱动电压线PL被设置在彼此相同的层中。

连接电极CM可以将有机发光二极管的像素电极与亮度控制薄膜晶体管T6连接。连接电极CM和数据线DL可以包括彼此相同的材料。

图4示出了示意性地图示根据实施例的存储电容器Cst的平面图。

参考图4，像素电路的实施例可以包括在基板上的驱动薄膜晶体管T1和存储电容器Cst，驱动薄膜晶体管T1包括包含驱动沟道区A1的半导体层A以及与驱动沟道区A1重叠的驱动栅电极G1，存储电容器Cst包括设置在驱动沟道区A1上的下电极Cst1以及与下电极Cst1重叠的、具有单个闭合曲线形状的开口OP的上电极Cst2。在实施例中，扫描线SL和亮度控制线EL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。在这样的实施例中，驱动沟道区A1可以包括弯曲形状。

上电极Cst2可以包括各自在平面(例如，xy平面)上暴露下电极Cst1的边缘的第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2。在本文中，“在平面上”可以意味着“当在与xy平面垂直的方向(即，z方向或显示装置1的厚度方向)上从平面图观看时”。因此，由于第一凹陷部分CP1和/或第二凹陷部分CP2，下电极Cst1的边缘的至少一些可以与上电极Cst2不重叠。在本文中，上电极Cst2的凹陷部分CP1或CP2是在其中连接上电极Cst2的平面表面(例如，xy平面)的任意两点的线段上的至少一个点不包括在上电极Cst2中的区域。

在实施例中，第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2可以在一个方向上彼此平行地被设置。例如，在一个实施例中，第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上彼此平行地被设置。在实施例中，第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上彼此平行地被设置。

在实施例中，上电极Cst2可以进一步包括各自在平面上暴露下电极Cst1的边缘的第三凹陷部分和第四凹陷部分。在这样的实施例中，第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上彼此平行地被设置，并且第三凹陷部分和第四凹陷部分可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上彼此平行地被设置。在下文中，为了便于描述，将详细描述如图4中所示的在其中第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2在上电极Cst2上在一方向上彼此平行地被布置的实施例。

在实施例中，第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2可以基于开口OP被设置在相对侧上。例如，在一个实施例中，在平面(例如，xy平面)上，第一凹陷部分CP1相对于下电极Cst1的中心在-x方向上被设置，并且第二凹陷部分CP2可以相对于下电极Cst1的中心在x方向上被设置。

第一凹陷部分CP1可以暴露下电极Cst1的第一边缘部分EP1。在这样的实施例中，第二凹陷部分CP2可以暴露下电极Cst1的第二边缘部分EP2。在本文中，下电极Cst1的边缘部分是指下电极Cst1的在平面上包括下电极Cst1的边缘的区域。

第一边缘部分EP1和第二边缘部分EP2可以在一个方向上彼此平行地被设置。例如，在一个实施例中，第一边缘部分EP1和第二边缘部分EP2可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上彼此平行地被设置。在其他实施例中，第一边缘部分EP1和第二边缘部分EP2可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上彼此平行地被设置。

由第一凹陷部分CP1暴露的第一边缘部分EP1的第一边缘长度Ed1可以与由第二凹陷部分CP2暴露的第二边缘部分EP2的第二边缘长度Ed2相同。例如，在一个实施例中，第一边缘部分EP1在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的第一边缘长度Ed1可以与第二边缘部分EP2在第二方向(例如，y方向或-y方向)上的第二边缘长度Ed2相同。

在实施例中，第一边缘部分EP1的面积SA1和第二边缘部分EP2的面积SA2的和可以是恒定的或具有预定值。在这样的实施例中，第一边缘部分EP1的面积SA1是在平面上由第一凹陷部分CP1暴露的第一边缘部分EP1的大小，并且第二边缘部分EP2的面积SA2是在平面上由第二凹陷部分CP2暴露的第二边缘部分EP2的大小。

在实施例中，第一边缘部分EP1和第二边缘部分EP2中的至少一个可以与驱动沟道区A1重叠。例如，在一个实施例中，第一边缘部分EP1和第二边缘部分EP2可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上彼此平行地被设置，并且第一边缘部分EP1和第二边缘部分EP2可以与具有弯曲形状的驱动沟道区A1重叠。

在实施例中，上电极Cst2可以包括各自暴露下电极Cst1的边缘的第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2，并且驱动沟道区A1可以包括弯曲形状。因此，驱动沟道区A1的长度L可以在狭窄的空间中被保持长，并且可以减小由于电压的变化而导致的流过驱动薄膜晶体管T1的电流的变化。在这样的实施例中，电压可以是驱动栅电极G1的电压与第一电力电压(第一电力电压ELVDD，参见图2B)之间的电压差。因此，可以精确地控制从有机发光二极管(有机发光二极管OLED，参见图2B)发射的光的灰度。

在这样的实施例中，随着驱动沟道区A1的长度L增加，存储电容器Cst的面积也可以增大。因此，可以增大存储电容器Cst的容量。在这样的实施例中，存储电容器Cst的面积可以被限定为下电极Cst1和上电极Cst2彼此重叠的面积。根据实施例，上电极Cst2可以包括各自暴露下电极Cst1的边缘的第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2，并且因此，可以有效地防止存储电容器Cst的面积由于增大的驱动沟道区A1而增大，并且即使当驱动沟道区A1的长度L增加时，也可以有效地保持存储电容器Cst的容量。

在这样的实施例中，第一边缘部分EP1的第一边缘长度Ed1可以与第二边缘部分EP2的第二边缘长度Ed2相同，并且第一边缘部分EP1的面积SA1和第二边缘部分EP2的面积SA2的和可以被保持恒定。因此，即使在显示装置的制造工艺期间可能发生的在第一方向(例如，x方向或–x方向)上的重叠偏差发生时，也可以有效地减小存储电容器Cst的电容的变化，而不增大用于全黑灰度的数据电压。

图5和图6示出了示意性地图示根据实施例的显示装置的像素PX的截面图。图5可以对应于图4的线V-V'。图6可以对应于图3的线VI-VI'。参考图5和图6，与图3中的附图标记相同的附图标记指代相同的元件，并且其任何重复的详细描述将被省略。

参考图5和图6，在实施例中，像素PX可以包括在基板100上的至少一个薄膜晶体管、存储电容器Cst以及作为显示元件的有机发光二极管OLED。薄膜晶体管可以包括包含沟道区的半导体层以及与沟道区重叠的栅电极，并且存储电容器Cst可以包括设置在沟道区上的下电极Cst1以及具有单个闭合曲线形状的开口OP并被设置在下电极Cst1上的上电极Cst2。在这样的实施例中，在平面上，上电极Cst2可以包括各自暴露下电极Cst1的边缘的第一凹陷部分CP1和第二凹陷部分CP2。

在下文中，将详细描述在其中堆叠有薄膜晶体管、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED的结构。像素电路层110、显示元件层120和薄膜封装层300可以被堆叠在基板100上。像素电路层110可以包括绝缘层和连接到有机发光二极管OLED的像素电路。像素电路层110可以包括多个薄膜晶体管和多个存储电容器以及设置在多个薄膜晶体管和多个存储电容器之间的绝缘层。显示元件层120可以包括显示元件，例如，有机发光二极管OLED。在这样的实施例中，基板100和像素电路层110可以共同限定薄膜晶体管阵列基板。

例如，基板100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素等。

阻挡层(未示出)可以被进一步包括在像素电路层110和基板100上。阻挡层是防止异物的渗透的层，并且可以是包括诸如氮化硅(SiN_X)和氧化硅(SiO₂)的无机材料的单层或多层。

例如，缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括以上描述的无机绝缘材料的单层或多层。

半导体层A可以被设置在缓冲层111上。图5示出了驱动薄膜晶体管T1的驱动沟道区A1、驱动源区S1和驱动漏区D1，并且图6示出了驱动沟道区A1、补偿沟道区A3、补偿源区S3和补偿漏区D3。

第一栅绝缘层113可以覆盖半导体层A。例如，第一栅绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)的无机绝缘材料。

栅电极与沟道区重叠，并且可以被设置在第一栅绝缘层113上。例如，在一个实施例中，驱动栅电极G1可以与驱动沟道区A1重叠，并且补偿栅电极G3可以与补偿沟道区A3重叠。

第二栅绝缘层114可以被提供以覆盖栅电极。例如，第二栅绝缘层114可以包括诸如SiO₂、SiN_X、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂或ZnO₂的无机绝缘材料。

存储电容器Cst的上电极Cst2可以被设置在第二栅绝缘层114上。上电极Cst2可以与设置在上电极Cst2之下的驱动栅电极G1重叠。在这样的实施例中，与设置在驱动栅电极G1和上电极Cst2之间的第二栅绝缘层114重叠的驱动栅电极G1和上电极Cst2可以形成或共同限定存储电容器Cst。在这样的实施例中，驱动栅电极G1可以限定或用作存储电容器Cst的下电极Cst1。

上电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以是单层或多层，每层包括从上述材料中选择的至少一种。

绝缘层间层115可以覆盖上电极Cst2。绝缘层间层115可以包括SiO₂、SiN_X、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂或ZnO₂。绝缘层间层115可以是单层或多层，每层包括以上描述的无机绝缘材料。

驱动电压线PL和节点连接线NC可以被设置在绝缘层间层115上。节点连接线NC可以通过接触孔将驱动栅电极G1与补偿薄膜晶体管T3的补偿漏区D3连接。岛型的驱动栅电极G1可以通过节点连接线NC电连接到补偿薄膜晶体管T3。在驱动栅电极G1用作存储电容器Cst的下电极Cst1的实施例中，节点连接线NC可以连接到下电极Cst1。

节点连接线NC的一端可以通过第一接触孔CNT1连接到下电极Cst1。第一接触孔CNT1被设置在上电极Cst2的开口OP中，以将节点连接线NC的一端连接到下电极Cst1。开口OP的大小大于第一接触孔CNT1的大小，使得第一接触孔CNT1可以与上电极Cst2间隔开。

节点连接线NC的另一端可以通过第二接触孔CNT2连接到补偿薄膜晶体管T3。第二接触孔CNT2可以被限定为或形成为穿过绝缘层间层115、第二栅绝缘层114和第一栅绝缘层113。节点连接线NC的另一端可以连接到补偿薄膜晶体管T3的补偿漏区D3。

驱动电压线PL和节点连接线NC中的至少一条可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以被形成为多层或单层，每层包括从这些材料中选择的至少一种材料。例如，在一个实施例中，从驱动电压线PL和节点连接线NC中选择的至少一条可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

第一平坦化层117可以覆盖驱动电压线PL和节点连接线NC。第一平坦化层117可以包括有机绝缘层。第一平坦化层117可以包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的组合(例如，共混物)。

连接电极CM可以被设置在第一平坦化层117上。连接电极CM可以连接到有机发光二极管OLED。连接电极CM可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以被形成为多层或单层，每层包括从这些材料中选择的至少一种。例如，在一个实施例中，连接电极CM可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

第二平坦化层119可以被设置成覆盖连接电极CM。第二平坦化层119可以包括有机绝缘层。第二平坦化层119可以包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。

有机发光二极管OLED可以被设置在第二平坦化层119上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、发射层220和对电极230。有机发光二极管OLED可以发射红光、绿光或蓝光，或者发射红光、绿光、蓝光或白光。

像素电极210可以被设置在第二平坦化层119上。像素电极210可以通过第二平坦化层119的接触孔连接到连接电极CM。像素电极210可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在实施例中，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物的反射膜。在实施例中，像素电极210可以进一步包括在反射膜上方/之下的、包含ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的膜。

暴露像素电极210的中心部分的开口121OP被限定穿过的像素限定层121可以被设置在像素电极210上。像素限定层121可以包括从有机绝缘材料和/或无机绝缘材料中选择的至少一种。开口121OP可以限定有机发光二极管OLED的从其发光的发光区(在下文中，这种发光区将被称为发光区EA)。例如，在一个实施例中，开口121OP的宽度可以与发光区EA的宽度相对应。

发射层220可以被设置在像素限定层121的开口121OP中。发射层220可以包括发射特定颜色的光的高分子量或低分子量有机材料。

尽管未示出，但第一功能层和第二功能层可以分别被设置在发射层220之下和上方。例如，第一功能层可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二功能层是设置在发射层220上的部件，并且第二功能层的用途可以是可选的。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层和/或第二功能层可以是被形成为完全覆盖基板100的公共层，如稍后要描述的对电极230。

对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，在一个实施例中，对电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。在实施例中，对电极230可以进一步包括在包含以上描述的材料的(半)透明层上的、包括ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层。

显示元件层120可以被覆盖有诸如薄膜封装层300的封装构件。薄膜封装层300可以包括各自覆盖显示元件层120的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，在一个实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。从第一无机封装层310和第二无机封装层330中选择的至少一个可以包括从氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中选择的至少一种无机材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在实施例中，有机封装层可以包括丙烯酸酯。

在实施例中，上基板可以被设置在显示装置的显示元件层120上。密封构件可以被设置在基板100与上基板之间。上基板可以是透明构件。基板100和上基板可以与密封构件耦接，使得基板100与上基板之间的内部空间被密封。在这样的实施例中，吸收剂或填充剂可以位于内部空间中。密封构件可以是密封剂，并且在实施例中，密封构件可以包括通过激光固化的材料。例如，在一个实施例中，密封构件可以是玻璃料。在实施例中，密封构件可以包括诸如聚氨酯类树脂、环氧类树脂或丙烯酸树脂的有机密封剂或诸如硅酮的无机密封剂。例如，在这样的实施例中，聚氨酯类树脂是聚氨酯丙烯酸酯等。例如，在这样的实施例中，丙烯酸树脂是丙烯酸丁酯或乙基己基丙烯酸酯等。在实施例中，密封构件可以包括通过高温固化的材料。

尽管未示出，但触摸电极层可以被设置在薄膜封装层300上，并且光学功能层可以被设置在触摸电极层上。触摸电极层可以获得与外部输入(例如，触摸事件)相对应的坐标信息。光学功能层可以减少从外部朝向显示装置入射的光(外部光)的反射率，和/或提高从显示装置发射的光的色纯度。在实施例中，光学功能层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂布型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂布型。膜型可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂布型可以包括以一定布置被布置的液晶。延迟器和偏振器可以各自进一步包括保护膜。

在实施例中，光学功能层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以被布置成与从显示装置的像素中的每个像素发射的光的颜色相对应。滤色器中的每个滤色器可以包括红色、绿色或蓝色颜料或染料。在实施例中，除了上述颜料或染料之外，滤色器中的每个滤色器可以进一步包括量子点。在实施例中，滤色器中的一些可以不包括上述颜料或染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。

在实施例中，光学功能层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括被设置在彼此不同的层中的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且因此，可以降低外部光的反射率。

粘合构件可以被设置在触摸电极层与光学功能层之间。可以使用现有技术中已知的任何粘合构件而不受限制。在实施例中，粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。

图7示出了示意性地图示根据可替代的实施例的存储电容器Cst的平面图。在图7中，与图4中的附图标记相同的附图标记指代相同的元件，并且因此，其任何重复的详细描述将被省略。

参考图7，在实施例中，像素电路可以包括在基板上的驱动薄膜晶体管T1和存储电容器Cst，驱动薄膜晶体管T1包括包含驱动沟道区A1的半导体层A以及与驱动沟道区A1重叠的驱动栅电极G1，存储电容器Cst包括设置在驱动沟道区A1上的下电极Cst1以及具有单个闭合曲线形状的开口OP并被设置在下电极Cst1上的上电极Cst2。在实施例中，扫描线SL和亮度控制线EL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。在这样的实施例中，驱动沟道区A1可以包括弯曲形状。

在实施例中，上电极Cst2可以包括各自在平面(例如，xy平面)上暴露下电极Cst1的边缘的第一凹陷部分CP1-1和第二凹陷部分CP2-1。

在这样的实施例中，第一凹陷部分CP1-1和第二凹陷部分CP2-1可以在一个方向上彼此平行地被设置。在实施例中，第一凹陷部分CP1-1和第二凹陷部分CP2-1可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上彼此平行地被设置。

在实施例中，第一凹陷部分CP1-1和第二凹陷部分CP2-1可以基于开口OP被设置在相对侧上。例如，在平面(例如，xy平面)上，第一凹陷部分CP1-1可以相对于下电极Cst1的中心在-y方向上被设置，并且第二凹陷部分CP2-1可以相对于下电极Cst1的中心在y方向上被设置。

在实施例中，第一凹陷部分CP1-1可以暴露下电极Cst1的第一边缘部分EP1-1。在这样的实施例中，第二凹陷部分CP2-1可以暴露下电极Cst1的第二边缘部分EP2-1。

第一边缘部分EP1-1和第二边缘部分EP2-1可以在预定方向上彼此平行地被设置。例如，在一个实施例中，第一边缘部分EP1-1和第二边缘部分EP2-1可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上彼此平行地被设置。

由第一凹陷部分CP1-1暴露的第一边缘部分EP1-1的第一边缘长度Ed1-1可以与由第二凹陷部分CP2-1暴露的第二边缘部分EP2-1的第二边缘长度Ed2-1相同。例如，在一个实施例中，第一边缘部分EP1-1在第一方向(例如，x方向或-x方向)上的第一边缘长度Ed1-1可以与第二边缘部分EP2-1在第一方向(例如，x方向或-x方向)上的第二边缘长度Ed2-1相同。在这样的实施例中，第一边缘部分EP1-1的面积SA1-1和第二边缘部分EP2-1的面积SA2-1的和可以是恒定的或具有预定值。

在实施例中，第一边缘部分EP1-1的第一边缘长度Ed1-1可以与第二边缘部分EP2-1的第二边缘长度Ed2-1相同，并且第一边缘部分EP1-1的面积SA1-1和第二边缘部分EP2-1的面积SA2-1的和可以被保持恒定。因此，即使当在显示装置的制造工艺期间可能发生的在第二方向(例如，y方向或–y方向)上的重叠偏差发生时，也可以有效地减小存储电容器Cst的电容的变化，而不增大用于全黑灰度的数据电压。

在本公开的实施例中，如本文中描述的，在其中在保持存储电容器Cst的容量的同时驱动薄膜晶体管T1的半导体层的总长度增加的显示装置1被提供。然而，本公开的实施例还可以应用于在其中驱动薄膜晶体管T1的半导体层的总长度增加并且像素电路PC的存储电容器Cst的容量保持恒定的任意薄膜晶体管阵列基板。

如以上描述的，在本公开的实施例中，在平面上，上电极包括各自暴露下电极的边缘的第一凹陷部分和第二凹陷部分，使得薄膜晶体管的半导体层的总长度可以增加并且存储电容器的容量可以保持恒定。

在本公开的这种实施例中，可以减小基于电压的变化而流过驱动薄膜晶体管的电流的变化，并且可以减小从显示装置的显示元件发射的光的亮度偏差。

本发明不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。

虽然已参考本发明的实施例具体示出并描述了本发明，但本领域的普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求所限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中进行形式和细节上的各种改变。