具体实施方式

现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就此而言，实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释说明书的方面。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变型。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。

还将理解的是，在这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。例如，可以存在中间层、区域或组件。

为了便于解释，可以夸大或缩小附图中的元件的尺寸。换言之，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。

当可以不同地实施特定实施例时，可以不同于所描述的顺序执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续地描述的工艺。

术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。

考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在这里使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且表示在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±5％内。

除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想化的或过于形式化的含义进行解释。

图1是根据实施例的显示装置1的示例的示意性透视图。

参照图1，显示装置1的显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1可以是通过使用从第一像素Pm发射的光来显示主图像的主显示区域。

第二显示区域DA2可以是其中可以在基底100下方设置(例如，布置)可以使用光信号或声音信号的输入/输出组件300(诸如传感器)的区域。输入/输出组件300可以发射、接收或者发射且接收例如光和/或声音。透射区域TA可以设置在第二显示区域DA2中，使得输入/输出组件300可以接收外部光信号和/或声音信号，并且这样的信号可以从输入/输出组件300输出到显示装置1的外部。由于第二像素Pa可以设置在第二显示区域DA2中，所以第二显示区域DA2可以通过使用从第二像素Pa发射的光来显示图像。然而，由于透射区域TA可以设置在第二显示区域DA2中，所以由第二显示区域DA2提供的图像的分辨率可以比由第一显示区域DA1提供的图像的分辨率小。例如，每相同单位面积的设置在第二显示区域DA2中的第二像素Pa的数量可以比每相同单位面积的设置在第一显示区域DA1中的第一像素Pm的数量少。

在下文中，尽管根据实施例的显示装置1可以被描述为有机发光显示装置作为示例，但是根据实施例的显示装置1可以是各种类型(诸如无机发光显示器和量子点发光显示器)的显示装置或者可以以各种类型(诸如无机发光显示器和量子点发光显示器)的显示装置应用。类似地，显示装置1、沉积掩模和制造显示装置1的方法可以应用为包括作为电话、平视显示器、电视、人工智能装置等的各种技术。

图2是沿着图1的线A-A'和线B-B'截取的显示装置1的剖面的示例的示意性剖视图。

如图2中所示，第一像素Pm和第二像素Pa可以包括具有类似结构的有机发光二极管OLED和具有类似结构的薄膜晶体管TFT。第一像素Pm与第二像素Pa之间的差异可以是第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的每单位面积的像素的数量。

显示装置1可以包括基底100和输入/输出组件300。基底100可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2，并且输入/输出组件300可以设置在与第二显示区域DA2叠置的位置处。

输入/输出组件300可以包括可以使用光或声音的电子元件。例如，输入/输出组件300可以是诸如发射和/或接收光的红外传感器的传感器、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器和/或图像收集装置。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光、紫外光的各种波段的光。设置在第二显示区域DA2中的输入/输出组件300的数量可以设置为多个。例如，作为输入/输出组件300的发光元件和光接收元件可以一起设置在第二显示区域DA2中。作为另一示例，发光元件和光接收元件可以同时设置在单个输入/输出组件300中。

基底100可以包括玻璃、聚合物树脂或它们的组合。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或它们的组合。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。

缓冲层111可以设置在基底100上。缓冲层111可以减少或阻挡外来物质、湿气或外部空气从基底100下方的渗透，并且在基底100上提供平坦表面。

缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以包括单层或包含无机材料和有机材料的多层。例如，缓冲层111可以具有其中可以堆叠有第一缓冲层111a和第二缓冲层111b的结构。第一缓冲层111a和第二缓冲层111b可以包括不同的材料。例如，第一缓冲层111a可以包括氮化硅，例如，SiN_x。第二缓冲层111b可以包括氧化硅，例如，SiO_x。

在其中第一缓冲层111a包括氮化硅的情况下，在形成氮化硅时可以包括氢。通过该技术，可以提高形成在缓冲层111上的有源层1130的载流子迁移率，并且可以提高薄膜晶体管TFT的电特性。有源层1130可以包括硅材料。包括硅的有源层1130与包括氧化硅的第二缓冲层111b之间的界面结合特性可以被改善，因此可以改善薄膜晶体管TFT的电特性。

薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层111上，薄膜晶体管TFT包括有源层1130、栅电极G、源电极S和漏电极D。在下文中，虽然可以描述其中栅电极G设置在有源层1130之上的顶栅型薄膜晶体管TFT，但是薄膜晶体管TFT可以是其中栅电极G可以设置在有源层1130下方的底栅型薄膜晶体管TFT。

在缓冲层111上的有源层1130可以包括例如多晶硅。有源层1130可以包括沟道区、源区和漏区，沟道区与栅电极G叠置。源区和漏区可以设置在沟道区的两个相对侧上并且掺杂有浓度比沟道区的浓度高的杂质。这里，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。在另一实施例中，有源层1130可以包括非晶硅或有机半导体材料。在另一实施例中，有源层1130可以包括氧化物半导体。

栅电极G可以设置在有源层1130之上且第一栅极绝缘层112位于栅电极G与有源层1130之间。栅电极G可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，并且可以包括单层或多层。

第一栅极绝缘层112可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和过氧化锌(ZnO₂)中的至少一种。

第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极G。第二栅极绝缘层113可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和过氧化锌(ZnO₂)中的至少一种。

源电极S和漏电极D可以设置在层间绝缘层115上。源电极S和漏电极D可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)或它们的组合的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。

平坦化层117可以设置在源电极S和漏电极D上。有机发光二极管OLED可以设置在平坦化层117上。有机发光二极管OLED可以电连接到薄膜晶体管TFT。例如，有机发光二极管OLED可以电连接到漏电极D。

平坦化层117可以具有平坦的顶表面，使得像素电极210可以形成为平坦的。平坦化层117可以包括包含有机材料的单层或多层。平坦化层117可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。平坦化层117可以包括无机材料。平坦化层117可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)和过氧化锌(ZnO₂)中的至少一种。在其中平坦化层117包括无机材料的情况下，可以根据情况执行化学机械抛光。平坦化层117可以包括有机材料和无机材料两者。

像素电极210可以包括(半)透明电极或反射电极。在实施例中，像素电极210可以包括反射层和在反射层上的透明电极层或半透明电极层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的混合物。透明电极层或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。在实施例中，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。

像素限定层119可以设置在平坦化层117上。像素限定层119可以通过包括与像素对应的开口(即，暴露像素电极210的至少中心部分的开口)来限定发射区域。像素限定层119可以通过增加像素电极210的边缘与共电极230的边缘之间的距离来防止在像素电极210的边缘与共电极230的边缘之间出现电弧等。像素限定层119可以包括例如有机材料，诸如聚酰亚胺或HMDSO。

中间层220可以包括低分子量材料或聚合物材料。在其中中间层220包括低分子量材料的情况下，中间层220可以具有其中HIL、HTL、发射层(EML)、ETL、EIL等可以以单一或复合构造堆叠的结构。中间层220可以包括各种有机材料，诸如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq₃)或它们的混合物。这些层可以通过真空沉积形成。

在其中中间层220包括聚合物材料的情况下，中间层220可以具有包括HTL和EML的结构。HTL可以包括聚-3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)，并且EML可以包括聚合物材料，诸如聚苯撑乙烯(PPV)类材料或聚芴类材料。中间层220的结构不限于以上描述并且可以具有各种结构。例如，构成中间层220的层中的至少一个可以在像素电极210之上形成为一体。作为另一示例，中间层220可以包括被图案化为与像素电极210中的每个对应的层。

共电极230可以包括透明电极或反射电极。在实施例中，共电极230可以包括透明电极或半透明电极，并且可以包括具有低逸出功且包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/铝(Al)、Al、银(Ag)、镁(Mg)和它们的混合物中的至少一种的金属薄层。共电极230可以设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之上并且设置在中间层220和像素限定层119上。

第二显示区域DA2的透射区域TA可以是从输入/输出组件300发射的光信号和/或声音信号穿过其的区域。为了精确的信号传输，共电极230可以不形成在透射区域TA中。根据实验，其中共电极230可以不形成在透射区域TA中的情况的透射率是其中共电极230可以形成在透射区域TA中的情况的透射率的约1.5倍。下面描述制造具有该特性结构的共电极230的工艺。此外，为了提高透射区域TA的透射率，可以从透射区域TA去除平坦化层117和像素限定层119。

阻挡层BSM可以在与第二显示区域DA2中的第二像素Pa叠置的位置中设置在基底100与薄膜晶体管TFT之间。阻挡层BSM阻挡薄膜晶体管TFT，使得薄膜晶体管TFT可以不受来自与其相邻的输入/输出组件300的光信号或声音信号的影响。例如，阻挡层BSM可以设置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。

虽然未示出，但是薄膜封装层可以形成在共电极230上，薄膜封装层包括可以堆叠的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。无机封装层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。有机封装层可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚丙烯酸酯、HMDSO、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的组合。

图3是制造图1的显示装置1的一些工艺的示意性透视图。图4是图3的沉积掩模的一部分的示意性平面图。图5是在制造图2的显示装置1的工艺期间使用的制造设备的示例的示意性剖视图。图6是沿着图4的线II-II'截取的沉积掩模的示例的示意性剖视图。

图3示出了在基底100之上形成共电极230(见图7)的方法。具体地，可以使沉积掩模10紧密地附着到基底100，并且可以通过沉积掩模10在基底100之上沉积形成共电极230(见图7)的材料。可以通过一次沉积工艺在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之上形成共电极230(见图7)。为此目的，沉积掩模10可以包括第一开口12和肋13，第一开口12与第一显示区域DA1对应。

第一开口12可以由沉积掩模10的主框架11限定。肋13可以在平面图中从主框架11的一侧朝向外部突出，以与第二显示区域DA2对应。例如，肋13可以从主框架11的一侧远离主框架11突出。

肋13可以彼此分开，并且如图4中所示，第二开口15可以限定在肋13之间。由于可以将肋13设置为与透射区域TA(见图7)对应，因此，可以不在透射区域TA(见图7)中沉积共电极230(见图7)。

相反，第二开口15可以形成在与第二像素Pa叠置的位置中。通过该构造，可以在与第二像素Pa对应的位置上沉积共电极230(见图7)。第二开口15的宽度可以比第二像素Pa的宽度大。结果，通过第二开口15沉积的共电极230(见图7)可以覆盖第二像素Pa。这里，第二像素Pa的宽度可以表示像素限定层119(见图2)的限定发射区域的开口的宽度。因此，即使在形成共电极230(见图7)的工艺期间会发生沉积掩模10与基底100之间的微小对准误差，也可以防止共电极230(见图7)的形成缺陷的发生。

肋13可以通过桥接件14彼此连接。例如，桥接件14可以与第二开口15交叉并且设置在第二像素Pa的形成区域之间。这里，在其中桥接件14可以被称为与第二开口15交叉的情况下，桥接件14不仅可以以最短距离与第二开口15交叉，而且如图4中所示可以根据第二像素Pa的位置以直线形状与第二开口15倾斜地交叉。桥接件14可以通过固定从主框架11延伸的肋13的位置来允许共电极230(见图7)在第二显示区域DA2中形成在准确位置处。

可以通过使用图5中所示的制造设备400来执行通过使用沉积掩模10的共电极230(参见图7)的形成。制造设备400可以包括腔室410、掩模组件420、第一支撑件430、第二支撑件440、沉积源450、磁力发生器460、视觉部件470和压力调节器480。

腔室410可以在其中包括空间，并且腔室410的一部分可以是打开的。闸阀411可以设置在腔室410的开口部分中，使得闸阀411可以打开/关闭。压力调节器480可以连接到腔室410，以调节腔室410的内部的压力。压力调节器480可以包括连接管481和泵482，连接管481连接到腔室410，泵482设置在连接管481处。

掩模组件420可以包括掩模片422和结合到掩模片422的掩模框架421。掩模片422可以包括上面描述的沉积掩模10。例如，掩模片422可以包括多个沉积掩模10。掩模片422可以利用施加到其的拉力固定到掩模框架421。

基底100可以稳定地安置在第一支撑件430上。第一支撑件430可以调节基底100的位置。例如，第一支撑件430可以包括UVW平台。掩模组件420可以稳定地安置在第二支撑件440上。类似于第一支撑件430，第二支撑件440可以调节掩模组件420的位置。

沉积源450可以容纳沉积材料并使沉积材料蒸发或升华，以将沉积材料供应到腔室410。沉积源450可以在其中包括加热器，并且通过经由加热器的操作加热沉积源450内部的沉积材料来使沉积材料熔化或升华。

视觉部件470可以设置在腔室410上，并且可以拍摄掩模组件420和基底100的位置。视觉部件470可以拍摄掩模组件420和基底100中的至少一个的对准标记。

磁力发生器460可以设置在腔室410中，并且可以将基底100紧密地附着到掩模组件420。磁力发生器460可以包括产生磁力的电磁体或永磁体。如上所述，由于沉积掩模10可以包括可以固定从主框架11延伸的肋13的位置的桥接件14，所以沉积掩模10可以防止肋13的位置被扭曲，同时基底100可以紧密地附着到掩模组件420。结果，可以在第二显示区域DA2中的准确位置处沉积共电极230(见图7)。

可以通过肋13之间的第二开口15沉积第二显示区域DA2中的共电极230(见图7)。桥接件14可以被设置为与第二开口15交叉。然而，可能要求通过第二开口15沉积的共电极230(见图7)不会因桥接件14而断开。为此目的，如图6中所示，桥接件14和肋13可以形成同一顶表面，并且桥接件14的厚度可以比肋13的厚度小。例如，由于桥接件14的底表面可以与其上可以沉积有共电极230的沉积表面分开，所以共电极230也可以沉积在桥接件14下方，并且共电极230(见图7)可以连续地形成在第二显示区域DA2中而不因桥接件14而断开。

由于肋13具有从沉积掩模10的主框架11突出的形状，所以应当防止共电极230(见图7)在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中因主框架11断开。为此目的，主框架11的与第二开口15相邻的区域P可以具有与桥接件14的形状相同的形状。例如，主框架11的与区域P对应的部分可以具有比周围的厚度小的厚度，并且沉积掩模10的沿着图4的线II-II'截取的剖面和沉积掩模10的沿着图4的线III-III'截取的剖面可以具有与图6中所示的形状相同的形状。结果，在通过使用沉积掩模10沉积共电极230(见图7)的情况下，可以防止共电极230(见图7)在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中分离。

图7是图1的显示装置1的示意性平面图。图8是图7的显示装置1的共电极230的一部分的示意性平面图。图9是沿着图8的线IV-IV'截取的显示装置1的示例的示意性剖视图。

首先，如图7中所示，显示区域DA可以包括分别具有不同分辨率的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。共电极230可以包括主共电极230a和延伸部分230b，主共电极230a设置在第一显示区域DA1中，延伸部分230b设置在第二显示区域DA2中。

共电极230可以通过使用上面描述的沉积掩模10(见图3)通过一次沉积工艺形成。由此，主共电极230a和延伸部分230b可以形成为一体。因此，第一像素Pm和第二像素Pa可以包括被设置为一体的共电极230。

第一像素Pm可以密集地设置在第一显示区域DA1中，并且主共电极230a可以形成为一体以与第一像素Pm对应。

由于第二像素Pa可以比第一像素Pm较不密集地设置在第二显示区域DA2中，所以第二显示区域DA2的分辨率可以比第一显示区域DA1的分辨率小。延伸部分230b可以从主共电极230a突出并且分别与第二像素Pa对应。

虽然在图7中示出了延伸部分230b可以具有Z字形形状，但是延伸部分230b的形状可以根据第二像素Pa的布置进行各种改变。例如，根据第二像素Pa的布置，延伸部分230b可以以直线形状长长地形成或倾斜地形成。延伸部分230b可以在垂直于延伸方向的方向上彼此分开以形成透射区域TA。

延伸部分230b可以分别覆盖第二像素Pa，并且延伸部分230b的宽度可以比第二像素Pa的宽度大。这里，第二像素Pa的宽度可以表示像素限定层119(见图2)的限定发射区域的开口的宽度。延伸部分230b可以包括在第二像素Pa之间的第一区域G，第一区域G比主共电极230a的厚度薄。第一区域G可以具有凹形形状，该凹形形状具有可以比周围的顶表面低的顶表面。第一区域G可以形成在可以设置有上面描述的桥接件14(见图4)的位置处并且可以具有与桥接件14(见图4)的图案相同的图案。例如，第一区域G可以与延伸部分230b交叉。

如上所述，由于主框架11的与第二开口15(见图4)相邻的区域P可以具有与桥接件14(见图4)的形状相同的形状，所以共电极230还可以包括第二区域Q，第二区域Q具有比与其相邻的共电极230的高度小的高度，第二区域Q在主共电极230a和延伸部分230b的连接部分处。例如，沿着图8的线IV-IV'和线V-V'截取的显示装置1的剖面可以具有与图9中所示的形状相同的形状。

图10是沿着图4的线VI-VI'截取的沉积掩模10的示例的示意性剖视图。

图10示出了垂直于桥接件14的纵向方向的剖面形状。如上所述，由于桥接件14的底表面可以与沉积表面分开，所以共电极230(见图7)可以沉积在桥接件14下方。在沉积共电极230(见图7)的情况下，沉积材料可以倾斜入射。为了提高桥接件14下方的部分的沉积效率，桥接件14的垂直剖面的形状可以是倒三角形。然而，公开不限于此，并且桥接件14可以具有各种形状。

为了提高在桥接件14下方沉积共电极230(见图2)的效率，桥接件14的厚度T₂可以比桥接件14的宽度W大，并且肋13的厚度T₁与桥接件14的厚度T₂之间的差可以是桥接件14的宽度W的至少约0.5倍。

根据实施例，由于即使在其中可以设置有输入/输出组件的区域中也可以显示图像，所以可以实现其中显示区域可以被扩展的显示装置。共电极可以通过一次沉积工艺形成在包括主显示区域和其中可以设置有输入/输出组件的区域的整个区域中。

应理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性的意义考虑而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求(包括其等同物)限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。