阅读说明：本技术 与写入操作相关联的预读取操作的调整 (Adjustment of pre-read operations associated with write operations ) 是由 沈震雷 陈振刚 谢廷俊 J·朱 于 2019-08-07 设计创作，主要内容包括：可在存储器子系统处接收数据。可识别所述存储器子系统的特性。可基于所述存储器子系统的所述特性而确定读取电压电平。可基于所述读取电压电平而在所述存储器子系统处执行读取操作以检索所存储数据。可基于依靠基于所述读取电压电平的所述读取操作检索到的所述所存储数据而在所述存储器子系统处存储所述所接收数据。(Data may be received at a memory subsystem. Characteristics of the memory subsystem may be identified. A read voltage level may be determined based on the characteristics of the memory subsystem. A read operation may be performed at the memory subsystem to retrieve stored data based on the read voltage level. The received data may be stored at the memory subsystem based on the stored data retrieved in dependence upon the read operation based on the read voltage level.)

具体实施方式

本公开的方面是关于与写入操作相关联的预读取操作的调整。存储器子系统在下文也称为“存储器装置”。存储器子系统的实例为存储系统，例如固态驱动器(SSD)。在一些实施例中，存储器子系统为混合式存储器/存储子系统。一般来说，主机系统可利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索到的数据。

在常规存储器子系统中，可用读取电压电平执行读取操作。读取电压电平可为施加到存储器组件的存储器单元以读取存储在存储器单元处的数据的特定电压。例如，如果特定存储器单元的阈值电压被识别为低于施加到特定存储器单元的读取电压电平，则存储在特定存储器单元处的数据可为特定值(例如，‘1’)，并且如果特定存储器单元的阈值电压被识别为高于读取电压电平，则存储在特定存储器单元处的数据可为另一个值(例如，‘0’)。因此，可将读取电压电平施加到存储器单元以确定存储在存储器单元处的值。

常规存储器子系统中的存储器单元的阈值电压可随时间推移而漂移或改变。在存储器单元的阈值电压改变时，读取电压电平的施加相对于改变后的阈值电压可能不准确。例如，存储器单元可被编程为具有低于读取电压电平的阈值电压。已编程阈值电压会随时间推移而改变，并且可转变为高于读取电压电平。例如，存储器单元的阈值电压可从最初低于读取电压电平转变为高于读取电压电平。因此，在将读取电压电平施加到存储器单元时，与阈值电压尚未转变时最初存储的值相比，存储在存储器单元处的数据可能被误读或误解为错误的值。

本公开的方面通过调整读取电压电平来解决上述和其它缺陷。存储器子系统可执行与写入操作相关联的预读取操作。预读取操作可为对将存储将写入到存储器单元的新数据的存储器单元执行的读取操作。存储器子系统可使用依靠预读取操作检索到的数据以确定是否改变存储器单元的值以存储新数据。例如，如果依靠预读取操作检索到的存储器单元的特定值匹配新数据的对应值，则存储器子系统可确定不改变存储器单元，因为存储在存储器单元处的值当前存储匹配新数据位的值。否则，如果依靠预读取操作检索到的存储器单元的特定值不匹配新数据的对应值，则存储器子系统可改变存储在存储器单元处的值以匹配新数据的值。

可通过将读取电压电平施加到存储器单元来执行预读取操作。可调整将在预读取操作中施加的读取电压电平以考虑存储器单元的阈值电压随时间的漂移或改变。例如，可识别存储器子系统和/或存储器单元的一或多个特性。可基于一或多个特性而推断或假定存储器单元的阈值电压已漂移或改变。在一些实施例中，特性可识别存储器单元或存储器子系统的条件，例如但不限于，已对存储器单元执行的写入操作的数目、从数据最后写入到存储器单元以来已流逝的时间量、来自读取操作或预读取操作的错误率，以及在数据写入到存储器单元时存储器单元或存储器子系统的操作温度。可基于此类特性而调整读取电压电平，使得所施加的读取电压电平考虑阈值电压的改变或漂移。

因而，写入操作可利用施加调整后的读取电压电平的预读取操作以更准确地检索存储在存储器单元处的数据。随后，写入操作可基于来自预读取操作的检索到的数据与将存储的新数据的比较而施加额外电压以对存储器单元进行编程。如果新值和存储在特定单元处的值匹配，则不施加额外电压以对特定存储器单元进行编程。否则，如果新值不匹配存储在特定存储器单元处的值，则可施加额外电压以对特定存储器单元进行编程以改变存储器单元处的当前所存储值。

本公开的优点包含但不限于将在存储器子系统处执行的较少错误校正操作。例如，由于读取电压电平在执行预读取操作时被调整，因此可在将需要通过错误校正操作校正的错误较少的情况下读取检索到的数据。因此，还可改进存储器子系统的性能，这是因为存储器子系统将执行较少错误控制操作，所以可执行其它读取操作或写入操作。此外，由于在使用调整后的读取电压电平时依靠预读取操作检索到的数据可更准确，因此存储器子系统可更频繁地识别当前所存储数据与新数据之间的准确匹配，从而得到其中可将额外电压施加到存储器单元以改变当前存储在存储器单元处的值的较少例子。

存储器子系统可包含基于交叉点阵列的存储器组件，其中数据可“就地”写入(例如，不执行擦除操作)。例如，存储器子系统可为任何类型的基于交叉点阵列的存储器子系统，例如交叉点阵列非易失性双列直插式模块(NVDIMM)。在相同或替代实施例中，存储器子系统可包含任何其它类型的存储器组件。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算环境100。存储器子系统110可包含媒体，例如存储器组件112A到112N。存储器组件112A到112N可为易失性存储器组件、非易失性存储器组件或此类组件的组合。在一些实施例中，存储器子系统为存储系统。存储系统的实例为SSD。在一些实施例中，存储器子系统110为混合式存储器/存储子系统。一般来说，计算环境100可包含使用存储器子系统110的主机系统120。例如，主机系统120可将数据写入到存储器子系统110且从存储器子系统110读取数据。

主机系统120可为计算装置，例如台式计算机、膝上计算机、网络服务器、移动装置或包含存储器和处理装置的此类计算装置。主机系统120可包含或耦合到存储器子系统110，使得主机系统120可从存储器子系统110读取数据或将数据写入到所述存储器子系统。主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。如本文中所使用，“耦合到”通常指代组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，不具有介入组件)，无论有线或无线，包含例如电连接、光学连接、磁性连接等连接。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(serial advanced technology attachment；SATA)接口、外围组件互连高速(peripheral component interconnect express；PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行连接的SCSI(Serial Attached SCSI；SAS)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间发射数据。在存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取存储器组件112A到112N。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传送控制、地址、数据和其它信号的接口。

存储器组件112A到112N可包含不同类型的非易失性存储器组件和/或易失性存储器组件的任何组合。非易失性存储器组件的实例包含与非(NAND)类型快闪存储器。存储器组件112A到112N中的每一个可包含存储器单元的一或多个阵列，所述存储器单元例如单层级单元(SLC)或多层级单元(MLC)(例如，三层级单元(TLC)或四层级单元(QLC))。在一些实施例中，特定存储器组件可包含存储器单元的SLC部分和MLC部分两者。存储器单元中的每一个可存储由主机系统120使用的一或多个数据位(例如，数据块)。虽然描述了例如NAND类型快闪存储器的非易失性存储器组件，但存储器组件112A到112N可基于任何其它类型的存储器，例如易失性存储器。在一些实施例中，存储器组件112A到112N可为但不限于随机存取存储器(random access memory；RAM)、只读存储器(read-only memory；ROM)、动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random access memory；SDRAM)、相变存储器(phase changememory；PCM)、磁随机存取存储器(magneto random access memory；MRAM)、或非(negative-or；NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(electrically erasableprogrammable read-only memory；EEPROM)以及非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来执行位存储。此外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。此外，存储器组件112A到112N的存储器单元可分组为存储器页或数据块，所述存储器页或数据块可指代用于存储数据的存储器组件的单元。

存储器系统控制器115(下文称为“控制器”)可与存储器组件112A到112N通信以执行操作，例如在存储器组件112A到112N处读取数据、写入数据或擦除数据，以及其它此类操作。控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器，或其组合。控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fieldprogrammable gate array，FPGA)、专用集成电路(application specific integratedcircuit，ASIC)等)或其它合适的处理器。控制器115可包含经配置以执行存储在本地存储器119中的指令的处理器(处理装置)117。在所说明的实例中，控制器115的本地存储器119包含经配置以存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处理存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程和例程。在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含控制器115，但在本公开的另一个实施例中，存储器子系统110可不包含控制器115，且可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。

一般来说，控制器115可从主机系统120接收命令或操作，并且可将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器组件112A到112N的所要存取。控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作，以及在与存储器组件112A到112N相关联的逻辑块地址与物理块地址之间的地址转换。控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收到的命令转换成命令指令以存取存储器组件112A到112N，并且将与存储器组件112A到112N相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。

存储器子系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存或缓冲(例如，DRAM)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，其可从控制器115接收地址且对地址进行解码以存取存储器组件112A到112N。

存储器子系统110包含可调整与写入操作相关联的预读取操作的预读取调整组件113。在一些实施例中，控制器115包含特性组件113的至少一部分。例如，控制器115可包含处理器117(处理装置)，其经配置以执行存储在本地存储器119中的指令以用于执行本文中所描述的操作。在一些实施例中，特性组件113为主机系统110、应用程序或操作系统的部分。

存储器子系统110可包含预读取调整组件113(例如，电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、固件等)以执行本文中所描述的操作。在一些实施方案中，预读取调整组件113可确定在预读取操作期间将施加到存储器组件112A到112N的存储器单元的调整后的读取电压电平。例如，预读取调整组件113可识别存储器组件112A到112N和/或存储器子系统110的特性。特性可用于确定在预读取操作期间将施加的调整后的读取电压电平。下文描述关于预读取调整组件113的操作的另外细节。

图2为根据本公开的一些实施例的将存储器子系统的物理块分配到系统块的逻辑块的实例方法200的流程图。方法200可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法200由图1的预读取调整组件113执行。虽然以特定序列或次序来展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应仅作为实例理解，并且所说明过程可以不同次序执行，并且一些过程可并行执行。此外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。

如图2中所展示，在框210处，处理逻辑接收将存储在存储器子系统处的数据。数据可为已从将存储在存储器子系统处的主机系统接收到的新数据。在框220处，处理逻辑识别存储器子系统的一或多个特性。一或多个特性可识别存储器子系统的存储器单元和/或存储器组件的条件。特性的实例包含但不限于已执行的写入操作的数目、从先前写入操作已执行以来的流逝时间量、存储在存储器子系统处的数据的观测到的错误率，以及存储器子系统的操作温度。结合图5描述关于识别存储器子系统的存储器单元和/或存储器组件的条件的特性的另外细节。

参考图2，在框230处，处理逻辑基于存储器子系统的一或多个特性而确定读取电压电平。可从先前读取电压电平调整或改变读取电压电平。例如，先前读取电压电平可能已作为先前预读取操作的部分而施加。先前读取电压电平可为用于存储器子系统的默认读取电压电平或先前基于存储器子系统的先前特性而确定的读取电压电平。在框240处，处理逻辑基于读取电压电平而在存储器子系统的存储器单元处执行预读取操作。预读取操作可为在将执行写入操作之前执行的读取操作。预读取操作可将读取电压电平施加到存储器单元，并且基于如先前所描述的存储器单元的阈值电压而确定存储在存储器单元处的值。在框250处，处理逻辑基于基于读取电压电平的预读取操作而将数据存储在存储器子系统的存储器单元处。例如，可通过使用预读取操作来检索存储在存储器单元处的数据。可将存储器单元处的数据与所接收数据进行比较。如果数据的值匹配，则存储器单元当前存储所接收数据的值且存储器单元不改变。否则，如果数据的值不匹配，则可通过对存储器单元进行编程(例如，施加额外电压)来改变存储在存储器单元处的值。

图3A说明根据本公开的一些实施例的将施加到存储器单元的实例读取电压电平。读取电压电平可由图1的存储器子系统110的预读取调整组件113施加。

如图3A中所展示，阈值电压的分布301表示在存储器子系统处的存储器单元的阈值电压。阈值电压的分布301可为已被编程到多个存储器单元的阈值电压。在于存储器单元处执行读取操作(例如，预读取操作)时，可将读取电压电平302施加到存储器单元。例如，如所展示，可针对所有存储器单元识别特定数据值，因为来自阈值电压的分布301的阈值电压低于或处于较低电压电平读取电压电平。特定数据值可为‘1’的值。

图3B说明根据本公开的一些实施例的施加到具有阈值电压漂移的存储器单元的实例读取电压电平。如所展示，阈值电压的分布301可随时间推移而转变或改变，使得阈值电压的分布301中的某些阈值电压已从低于读取电压电平302转变为高于读取电压电平302。因此，虽然特定存储器单元被编程为具有由低于读取电压电平的阈值电压表示的特定数据值(例如，‘1’的值)，但特定存储器单元的阈值电压可随时间推移而改变以稍后高于读取电压电平。因此，特定存储器单元被编程为存储‘1’的值，但将读取电压电平302施加到特定存储器单元的读取操作可能导致在特定存储器单元处识别不同数据值(例如，‘0’)。

图3C说明根据本公开的一些实施例的施加到具有电压漂移的存储器单元的调整后的读取电压电平。调整后的读取电压电平可由图1的存储器子系统110的预读取调整组件113施加。如所展示，调整后的或更新后的读取电压电平331可用于对存储器单元执行读取操作或预读取操作。更新后的读取电压电平331可从先前读取电压电平330(例如，图3A和3B的读取电压电平302)改变。更新后的读取电压电平331可高于阈值电压的分布301，从而得到在存储器单元处由阈值电压的分布301表示的数据的更精确读取。

图4为根据一些实施例的用以通过调整后的预读取操作执行写入操作的实例方法400的流程图。方法400可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法400由图1的预读取调整组件113执行。虽然以特定序列或次序来展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应仅作为实例理解，并且所说明过程可以不同次序执行，并且一些过程可并行执行。此外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。

如图4中所展示，在框410处，处理逻辑接收将存储在存储器子系统处的数据。在框420处，处理逻辑基于存储器子系统的特性而确定用于预读取操作的读取电压电平。例如，读取电压电平可从先前用于另一个读取操作或预读取操作的先前读取电压电平增加或减小。在存储器子系统的特性指示或可用于推断存储器子系统的存储器单元的阈值电压已改变或已转变时，可确定读取电压电平的增加或减小。在框430处，处理逻辑以读取电压电平执行预读取操作以检索存储器子系统的存储器单元处的所存储数据。例如，可将所确定的读取电压电平施加到存储器单元，并且可基于存储器单元的阈值电压是否高于或低于所确定的读取电压电平而识别存储在存储器单元处的值。在框440处，处理逻辑确定所接收数据是否与基于读取电压电平而检索到的所存储数据匹配。如果所接收数据与所存储数据匹配，则在框450处，处理逻辑确定不改变存储器单元处的所存储数据。例如，当前存储在存储器单元处的数据被确定为与所接收数据或所接收数据的对应部分相同的值。否则，如果所接收数据与所存储数据不匹配，则在框460处，处理逻辑将存储器单元处的所存储数据改变为所接收数据。例如，可对存储器单元执行编程操作以改变存储器单元的值。

因而，写入操作可包含基于依靠预读取操作检索到的数据与当前存储在存储器单元处的数据的比较而执行的预读取操作和编程操作。在预读取操作中使用的读取电压电平可基于存储器组件的特性。

图5为根据一些实施例的用以确定用于预读取操作的读取电压电平的实例方法的流程图。方法500可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法500由图1的预读取调整组件113执行。虽然以特定序列或次序来展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应仅作为实例理解，并且所说明过程可以不同次序执行，并且一些过程可并行执行。此外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。

如图5中所展示，在框510处，处理逻辑接收与存储器子系统相关联的写入计数信息。例如，可接收在存储器子系统处已执行或已对特定存储器单元执行的写入操作的数目。在一些实施例中，在已执行的写入操作的数目超过写入操作的阈值数目时，则可推断或假定存储器子系统或特定存储器单元的存储器单元的阈值电压已改变。如果不超过阈值，则可推断或假定存储器单元的阈值电压尚未改变，使得应施加新读取电压电平。在框520处，处理逻辑接收与存储器子系统相关联的时间信息。例如，可接收从已在存储器子系统处或在特定存储器单元处执行任何写入操作以来已流逝的时间量。在一些实施例中，在已流逝的时间量超过阈值时间量时，则可推断或假定存储器子系统或特定存储器单元的存储器单元的阈值电压已改变或转变。

在框530处，处理逻辑接收与存储器子系统相关联的错误信息。例如，在特定时间周期中，可识别从已在存储器子系统或特定存储器单元处读取的数据中识别位错误(例如，位错误率)的次数。在一些实施例中，可从已通过先前写入操作执行的预读取操作识别错误率。在一些实施例中，在错误率超过阈值错误率时，可推断或假定存储器子系统或特定存储器单元的存储器单元的阈值电压已改变或已转变。在框540处，处理逻辑接收与存储器子系统相关联的温度信息。例如，可接收存储器子系统或特定存储器单元的操作温度或将数据存储在存储器子系统或特定存储器单元处所处的温度。在一些实施例中，如果操作温度高于或低于阈值温度，则可推断或假定存储器子系统或特定存储器单元的存储器单元的阈值电压已改变或已转变。

参考图5，在框550处，处理逻辑基于与存储器子系统相关联的所接收信息中的一或多者而确定读取电压电平。在一些实施例中，存储器子系统可接收与存储器子系统相关联的单个信息。例如，存储器子系统可接收写入计数信息、时间信息、错误信息和温度信息中的一个。在相同或替代实施例中，存储器子系统可接收写入计数信息、时间信息、错误信息和温度信息的任何组合。存储器子系统可基于已接收到的信息而确定调整后的读取电压电平。例如，在信息中的至少一个指示或可用于推断阈值电压已改变或已转变时，读取电压电平可从先前读取电压电平调整。在一些实施例中，在对应信息更多地超过相应阈值时，可更多地调整读取电压电平。例如，在超过阈值温度的温度大于或小于也超过阈值温度的先前温度时，读取电压电平可从先前读取电压电平更多地调整(例如，电压上存在更大差异)。

在相同或替代实施例中，每次在存储器子系统处接收将存储在存储器子系统处的数据时，可确定读取电压电平。在一些实施例中，在如下文所描述的观测到存储器子系统的条件改变时，可确定读取电压电平。

图6为根据一些实施例的用以识别确定用于预读取操作的新读取电压电平的条件的发生的实例方法600的流程图。方法600可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专门逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)，或其组合。在一些实施例中，方法600由图1的预读取调整组件113执行。虽然以特定序列或次序来展示，但除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，所说明实施例应仅作为实例理解，并且所说明过程可以不同次序执行，并且一些过程可并行执行。此外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非每个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。

如图6中所展示，在框610处，处理逻辑接收将存储在存储器子系统处的数据。在框620处，处理逻辑识别存储器子系统的条件。存储器子系统的条件可用于推断或假定存储器子系统的存储器单元处的阈值电压。例如，存储器子系统的条件可基于写入计数信息、时间信息、错误信息、温度信息或指示存储器子系统的状态的其它此类信息的任何组合。在框630处，处理逻辑确定从存储器子系统的先前条件以来存储器子系统的条件是否已改变。例如，存储器子系统可确定从已接收新数据以存储在存储器子系统处以及先前接收到的且存储在存储器子系统处的先前数据以来存储器子系统的条件是否已改变。在一些实施例中，可确定条件已基于写入计数信息、时间信息、错误信息、温度信息等的任何组合而改变。例如，在存储器子系统的特性超过对应阈值时，可确定条件已改变。例如，特性可为错误信息。在来自在存储器子系统处读取的数据的错误率超过阈值错误率时，并且在来自在存储器子系统处读取的数据的先前错误率不超过阈值率时，可认为存储器的条件改变。条件的改变可指示存储器子系统的阈值电压已改变。在框640处，处理逻辑响应于确定存储器子系统的条件已改变而基于改变后的条件确定新读取电压电平。例如，新读取电压电平可从先前读取电压电平调整(例如，增加或减小)。新读取电压电平与先前读取电压电平之间的调整(例如，电压改变)的量可基于改变后的条件或从先前条件以来条件已改变的程度。在框650处，处理逻辑基于新读取电压电平而在存储器子系统处存储数据。

否则，在框660处，处理逻辑响应于确定存储器子系统的条件尚未改变而基于先前读取电压电平在存储器子系统处存储数据。例如，可再次使用先前用于存储先前数据的先前读取电压电平来在存储器子系统处存储所接收数据。因此，可改变或调整读取电压电平以用于将后续数据存储在存储器子系统处。

因而，在识别存储器子系统的条件的观测到的改变时，可确定新读取电压电平。否则，可继续使用先前读取电压，直到存储器子系统的条件改变为止。

图7说明计算机系统700的实例机器，在所述实例机器内可执行用于致使所述机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多个的指令集。在一些实施例中，计算机系统700可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，所述主机系统包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统，以执行对应于图1的预读取调整组件113的操作)。在替代实施例中，机器可连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或互联网中的其它机器。机器可作为点对点(或分散式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而在客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的能力内操作。

机器可为个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝式电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够(依序或以其它方式)执行指定将由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，虽然说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述机器个别地或共同地执行指令的集合(或多个集合)以执行本文中所论述的方法中的任何一或多者。

实例计算机系统700包含处理装置702、主存储器704(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)，例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、静态存储器706(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)以及数据存储系统718，它们经由总线730彼此通信。

处理装置702表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更确切地说，处理装置可为复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器，或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置702还可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置702经配置以执行用于执行本文中所论述的操作和步骤的指令726。计算机系统700可进一步包含网络接口装置708以在网络720上通信。

数据存储系统718可包含机器可读存储媒体724(也被称作计算机可读媒体)，其上存储有一或多个指令集726或体现本文中所描述的方法或功能中的任何一或多个的软件。指令726还可在其由计算机系统700执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器704内和/或在处理装置702内，主存储器704和处理装置702还构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体724、数据存储系统718和/或主存储器704可对应于图1的存储器子系统110。

在一个实施例中，指令726包含用以实施对应于预读取调整组件(例如，图1的预读取调整组件113)的功能性的指令。虽然在实例实施例中将机器可读存储媒体724展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集且致使机器执行本公开的方法中的任何一或多个的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应认为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。

已就计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示而言呈现了之前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用于将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其他技术人员的方式。算法在此处且通常被认为是产生所要结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操控的操作。这些量通常但未必呈能够被存储、组合、比较和以其它方式操控的电或磁信号的形式。有时，主要出于通用的原因，已证明将这些信号称为位、值、元件、符号、字符、术语、编号等是方便的。

然而，应牢记，所有这些和类似术语应与适当物理量相关联，并且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开可指代操控和变换计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)量的数据为计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。

本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此类计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘(包含软盘、光盘、CD-ROM和磁性光盘)、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，它们各自耦合到计算机系统总线。

本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或其可证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现多种这些系统的结构。此外，不参考任何特定编程语言来描述本公开。将了解，可使用多种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示。

本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。

在前述说明书中，已参考其特定实例实施例描述了本公开的实施例。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而不是限制性意义上看待说明书和图式。