具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电性连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

图2为本申请所述阵列基板的第一实施例的截面图。如图2所示，本申请提供一种阵列基板100，所述阵列基板100划分有显示区11和非显示区12,所述阵列基板100在其厚度方向上包括依次层叠的衬底基板110和多层绝缘层120。

具体地，所述非显示区12包括与所述显示区11相连接的第一非显示子区12a(附图中未标示)和位于所述第一非显示子区12a远离所述显示区11一侧的第二非显示子区12b(附图中未标示)。

具体地，所述第一非显示子区12a为盖板(Cover Window)的油墨层未覆盖的漏光区域。

如图2所示，所述阵列基板100在所述非显示区12内设有多条金属走线140，所述多条金属走线140包括多条第一金属走线141、多条第二金属走线142和多条第三金属走线143。其中，第一金属走线141、第二金属走线142和第三金属走线143沿着由所述多层绝缘层120朝向所述衬底基板110的方向上依次设置于所述多层绝缘层120的不同层上。

如图2所示，所述多层绝缘层120包括层间介电层123和第一平坦层124，所述层间介电层123位于所述第三金属走线133和所述第二金属走线132之间并覆盖所述第二金属走线132以及所述第二金属走线132所在的绝缘层，所述第一平坦层124设置于所述层间介电层123和所述第三金属走线133之间并覆盖所述层间介电层123。

至此，本申请所述阵列基板100通过在层间介电层123上增设第一平坦层124，使所述第三金属走线143的表面平坦化，则能防止入射光线在第三金属走线143表面产生光栅反射现象，进而解决显示区11边缘产生白线等显示异色的不良问题。

如图2所示，所述阵列基板100包括衬底基板110、层叠于所述衬底基板110上的多层绝缘层120、形成于所述多层绝缘层120的多层金属走线130以及形成于所述多层绝缘层120的至少一薄膜晶体管130。

其中，所述衬底基板110采用具有透光和柔性性能的聚合物类材料。例如，所述衬底基板110可以包括聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧类树脂、丙烯酸类树脂、聚酯和/或类似材料。在一个实施例中，所述衬底基板110可以包括聚酰亚胺。

如图2所示，所述多层绝缘层120层叠设置于所述衬底基板110上，并且在所述多层绝缘层120的非显示区12内设置有多层金属走线140，在所述多层绝缘层120的显示区11设置有薄膜晶体管130。

如图2所示，所述多层绝缘层120包括第一栅极绝缘层121、第一栅极绝缘层122、层间介电层123、第一平坦层124、第二平坦层125和像素定义层126。所述薄膜晶体管130包括有源层131、第一栅极132、第二栅极133、漏极134和源极135。所述多层金属走线140包括第一金属走线141、第二金属走线142和第三金属走线143。

如图2所示，所述有源层131设置于所述衬底基板110上。具体地，所述有源层131包括沟道区和位于所述沟道区外围的源区和漏区。其中，沟道区可以用作电荷可以经其移动或传输的沟道，源区和漏区分别用于源极和漏极电性连接或接触。

在具体实施时，所述有源层可131可以包括诸如多晶硅的硅化合物。在一些实施例中，包括p型或n型杂质的源区和漏区可以形成在所述有源层131的两端。在一些实施例中，所述有源层131可包括氧化物半导体，诸如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或类似材料。

如图2所示，所述第一栅极绝缘层121形成在所述有源层131上并覆盖所述有源层131和所述衬底基板110。

在具体实施时，第一栅极绝缘层121可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或类似材料。这些可以单独使用或以其组合使用。

如图2所示，第一栅极132设置在第一栅极绝缘层121上。具体地，第一栅极132层叠于所述第一栅极绝缘层121的对应所述沟道区的区域内。

如图2所示，多条所述第一金属走线141间隔设置于所述第一栅极绝缘层121上并位于所述非显示区12内。

其中，所述第一金属走线141和所述第一栅极132可以由同一金属膜层制备得到。如此设计，可以经过一次构图工艺同时形成所述第一金属走线141和所述第一栅极132，减少了制作显示面板或阵列基板的工艺步骤以及掩膜板的使用数量，从而可以节省制作显示面板的时间，并节省成本。

如图2所示，所述第二栅极绝缘层122设置于所述第一栅极132上并覆盖所述第一栅极132、所述第一金属走线141和所述第一栅极绝缘层121。

如图2所示，所述第二栅极133设置于所述第二栅极绝缘层122上，具体地，所述第二栅极133层叠于所述第二栅极层122的对应所述第一栅极132的区域内。

请参考图2，多条第二金属走线142间隔设置于所述第二栅极绝缘层122上并位于所述非显示区12内。

其中所述第二金属走线142与所述第二栅极层133由同一膜层获得。如此设计，可以经过一次构图工艺同时形成所述第二金属走线142与所述第二栅极层133，减少了制作显示面板或阵列基板的工艺步骤以及掩膜板的使用数量，从而可以节省制作显示面板的时间，并节省成本。

如图2所示，第二金属走线142和所述第一金属走线141在平行于所述衬底基板110的平面上交替分布。更进一步，在所述平行于所述衬底基板110的平面上，相邻的第二金属走线142和所述第一金属走线141之间相互间隔。或者说，第二金属走线142和所述第一金属走线141在所述阵列基板100上的正投影无重叠且相互间隔。

例如，在具体实施时，在所述平行于所述衬底基板110的平面上，相邻的第二金属走线142和所述第一金属走线141之间的间距小于3um。

如图2所示，所述层间介电层123设置于所述第二栅极133上并覆盖所述第二栅极133、所述第二金属走线142和所述第二栅极绝缘层122。

如图2所示，所述第一平坦层124设置于所述层间介电层123上并覆盖所述层间介电层，并且所述第一平坦层124覆盖于所述层间介电层123的非显示区12和显示区11。

如图2所示，通过设置所述第一平坦层124，使得所述平坦层能平坦化所述第一平坦层124和所述衬底基板110之间的膜层结构造成的段差，从而能平坦化所述第一金属走线141和第二金属走线142交替布置形成的凹凸结构。

具体地，所述第一平坦层124的厚度小于所述第二平坦层125的厚度。通过使第一平坦层124的厚度小于第二平坦层125的厚度，降低因增加第一平坦层124导致的用于源极和漏极与有源层的连接或接触的第二过孔102变深而可能导致第三金属走线143、源极135或漏极124断线的风险，降低源极135或漏极124与有源层141连接时断线风险。

具体地，所述第一平坦层124由PLN光阻材料制成。也就是，所述第一平坦层124能作平坦层还能作光阻层。

如图2所示，在所述阵列基板100上形成有第一过孔101，所述第一过孔101由所述第一平坦层124朝向所述衬底基板110的方向延伸至所述第二金属走线142或所述第一金属走线141并暴露出第二金属走线142或所述第一金属走线141，所述第一过孔101用于后续第三金属走线143与所述第一金属走线141或所述第二金属走线142的电性连接或接触。

如图2所示，在所述阵列基板100的与所述有源层131的源区或漏区相对应的区域形成有第二过孔102。所述第二过孔102由所述第一平坦层124朝向所述衬底基板110的方向延伸至有源层131，所述第二过孔102分别暴露出所述有源层131的源区和漏区，用于实现所述源极135和漏极134与有源层141的接触或电性连接。

请参考图2，所述漏极134和所述源极135设置于所述第一平坦层124上，并且所述漏极134和所述源极135分别通过所述第二过孔102与所述源区和所述漏区电性连接或接触。

请参考图2，所述第三金属走线143设置于所述第一平坦层124上并位于所述非显示区12内。

请继续参考图2，通过在第一平坦层124上设置所述第三金属走线143、所述漏极134和所述源极135，使所述第三金属走线143、所述漏极134和所述源极135均获得平坦化的表面，从而能避免由于所述第三金属走线143表面凹凸不平造成的显示区11边缘显示异色的不良问题。

具体地，所述第三金属走线143能通过所述第一过孔101与所述第二金属走线142或所述第一金属走线141电性连接或接触。

例如，如图2所示，在本实施例中，多条所述第三金属走线143间隔设置的。所述第三金属走线143通过一由所述第一平坦层124贯穿至所述第二金属走线141的第一过孔101与所述第二金属走线142的第二金属走线141电性连接或接触。此时，所述第一过孔101依次贯穿所述第一平坦层124和所述层间介电层123。

在其它实施例中，所述第三金属走线143能通过一由所述第一平坦层124贯穿至所述第一金属走线141的第一过孔101与所述第一金属走线141电性连接或接触。此时，所述第一过孔101依次贯穿所述第一平坦层124、所述层间介电层123和第二栅极绝缘层122，以暴露出所述第三金属走线143。

请继续参考图2，所述第二平坦层125设置于所述漏极134和所述源极135，并且所述第二平坦层125覆盖所述漏极134、所述源极135、所述第三金属走线143和所述第一平坦层124。

通过设置所述第二平坦层125，能平坦化所述阵列基板100的段差，以利于后续发光器件的制备。

请继续参考图2，在所述第二平坦层125与所述漏极134相对应的区域设置有第三过孔103。所述第三过孔103由所述第二平坦层125朝向所述衬底基板110的方向贯穿至所述漏极134。所述第三过孔103暴露出所述漏极134，以用于所述漏极134与后续的第一电极150的电性连接或接触。

例如，在本实施例中，所述第三过孔103贯穿所述第二平坦层125厚度。

请继续参考图2，在所述第二平坦层125上还设置有第一电极150，所述第一电极150通过贯穿于所述第二平坦层125的第三过孔103电性连接于所述漏极134。

具体地，所述第一电极150可以为阳极，用于后续形成发光器件。

请继续参考图2，在所述第二平坦层125上设置有像素定义层126，所述像素定义层126覆盖第一电极150的外围部分或边缘部分，并具有暴露第一电极150的像素开口104，所述像素开口104用于限定发光器件或像素区。

如图2所示，在本实施例中，所述第一栅极绝缘层121、所述第二栅极绝缘层122、所述层间介电层123、所述第一平坦层124、所述第二平坦层125和像素定义层126均覆盖于所述阵列基板100的显示区11和显示区102。

需要指出的是，本申请并未对所述多层绝缘层120的中除了第一平坦层124之外的各层绝缘层的布置方式、厚度、材料或覆盖区域进行限定。例如，所述多层绝缘层120的中的层能分别独立选择布置方式，例如，可以连续延伸的方式进行布置，还可以以断裂的方式进行布置。能依据实际设计需求，对所述多层绝缘层120的某一层或某几层进行图案化处理，例如，形成过孔、开口、或镂空区域，还可以针对每一绝缘层单独地设置覆盖区域。在其它实施例中，所述多层绝缘层120还可以包括缓冲层、有机阻挡层、无机阻挡层或钝化层中的一层或多层。

在具体实施时，第一栅极132、第二栅极133、所述漏极134和所述源极135可分别独立地包括金属、合金或金属氮化物。例如，栅极132可包括诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)和钕(Nd)的金属、其合金和/或其氮化物。这些可以单独使用或以其组合使用。第一栅极132和第二栅极133可以分别独立地包括具有不同的物理和/或化学性质的至少两个金属层。

在具体实施时，所述第一电极150可以采用透明材料。其中，所述透明材料，可以为但不限于，氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟。在具体实施时，所述第一电极150选用溅射法制备。

在具体实施时，例如，可以涂覆诸如聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂的光敏有机材料，然后可以执行曝光工艺和显影工艺以形成像素定义层126。在一些实施例中，可以通过印刷工艺(例如，喷墨印刷工艺)由聚合物材料或无机材料来形成像素定义层126。

还需要指出的是，本申请对所述薄膜晶体管130的排布、尺寸、结构或配置并不限定如上本发明实施例所列举的实施方式。只要所述薄膜晶体管130的具体配置方式适当，能用于开关或驱动即可。

图3为本申请所述阵列基板的第二实施例的非显示区的截面图。与图2所示的实施例相比，图3所示实施例的最大区别特征在于：所述阵列基板100在所述非显示区12未设置所述第一过孔101。

具体地，所述阵列基板100在所述第一非显示子区12a非显示区12内未设置所述第一过孔101。

本申请还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：

提供一衬底基板，所述衬底基板具有显示区和非显示区；

在所述衬底基板的非显示区依次制备第一栅极绝缘层、第一金属走线、第二栅极绝缘层、第二金属走线和层间介电层；

在所述层间介电层上制备第一平坦层的步骤；以及，

在所述第一平坦层上制备第三金属走线的步骤。

本申请所述阵列基板的制作方法通过在完成层间介电层123后增加制作第一平坦层124的制程为后续用于制备第三金属走线143的膜层提供平坦化的表面，使后续制作的第三金属走线143获得平坦化的表面，从而解决了现有阵列基板中因SD膜层表面凹凸不平而导致的显示区11区边缘显示异色的不良的问题。

进一步地，所述阵列基板设有至少贯穿所述第一平坦层和所述层间介电层的过孔，所述制作方法还包括：

将所述第一平坦层作为光阻层对所述阵列基板进行图案化处理，以获得所述过孔的步骤。

在该步骤中，通过在层间介电层123上利用能形成平坦层的光阻材料制作用于制作过所述孔光阻层(即为所述第一平坦层124)，完成所述过孔制程后，不进行所述光阻层剥离处理，保留所述光阻层，即得到所述第一平坦层124，从而能无需增加制作第一平坦层124的Mask，同时还减少原有工艺中的光阻层剥离制程。其中，所述过孔可以为一过孔101或第二过孔102中的至少一种。

优选地，当阵列基板100具有阻挡层、或缓冲层的情况下，在形成第一金属走线层141之前，形成阻挡层、或缓冲层。当然，可以理解的是，对于阻挡层、缓冲层等，本领域技术人员可以根据实际情况，也可以不加入这些层的制程。在具体实施时，所述能形成平坦层的光阻材料，可以为但不限于，聚酰亚胺或聚酰胺酸。

图4为申请所述显示面板的截面图。如图4所示，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括本申请所述阵列基板100。其中，所述阵列基板100的具体结构请参考上文，此处不再赘述。

如图4所示，所述显示面板还包括有机发光层160和第二电极170。

如图4所示，有机发光层160设置于由所述像素开口104暴露出的第一电极150上。所述有机发光层160由用于产生红色光、蓝色光或绿色光的有机发光材料形成。

在一些实施例中，可以在形成有机发光层160之前使用上述空穴传输材料来形成HTL。也可以使用上述电子传输材料在有机发光层160上形成ETL、HTL和ETL，并可以通过与针对有机发光层的工艺基本上相同或相似的工艺针对每个像素将HTL和ETL图案化。

如图4所示，所述第二电极170形成于所述有机发光层160的表面上，并且所述第二电极170的边缘覆盖于所述像素开口104外围的所述像素定义层126上。

其中，所述第一电极150、所述第二电极170以及所述有机发光层160共同构成发光器件，所述发光器件能用于显示或发光。

具体地，所述第二电极170可以采用透明材料或半透明材料。其中，所述透明材料，可以为但不限于，氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟。

图5为本申请所述显示面板的第二实施例的非显示区的的截面图。与图4所示的显示面板相比，图5所示实施例的最大区别特征在于：所述阵列基板100在所述非显示区12未设置所述第一过孔101。

如图5所示，所述显示面板还包括一封装层180，所述封装层180设置于所述第二电极170上并覆盖所述阵列基板100和所述发光器件，从而防止湿气或其它外部污染物的渗透进入到阵列基板100和发光器件中。

具体地，所述封装层180可以包括交错层叠设置的多个无机封装层和有机封装层。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制作方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。