具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在显示面板中，布设有非常多的金属走线，一些金属走线之间会存在重叠部，以阵列基板为例，阵列基板上具有数据线、扫描线、公共线等金属走线，在测试或者进行修复的时候时候，会通过镭射激光等方式，将位于两层的金属走线短接(例如将修复线接入到断线的数据线或扫描线中)；有时候，除了将两层金属走线短接起来以外，还需要将部分金属走线切断(例如像素电极出现亮点问题时，需要将主动开关切断，以断开薄膜晶体管和像素电极的连接，实现暗点化)。

图1是本申请实施例一种示例性的阵列基板，其中，阵列基板30包括第一金属走线100和第二金属走线200，两者交叉设置，一般的，对两层金属走线的角落(即图中五角星的位置)进行镭射，可以达到将两层金属走线短接的目的，但是可能存在有效镭射面积小，镭射质量不高的问题；而且若是镭射能量过高，还存在断线的风险。

对此，本申请的发明人进一步改进得到如下方案:

图2是本申请实施例一种阵列基板的金属走线的正面排布示意图，图3是本申请实施例一种阵列基板的金属走线的背面排布示意图，如图2和图3所示，本申请公开了一种阵列基板，包括：

第一金属走线100；以及第二金属走线200，所述第二金属走线200设置在所述第一金属走线100的下方，与所述第一金属走线100之间设置有绝缘层(图中未示出)；

所述第一金属走线100与所述第二金属走线200之间具有重叠部300，所述第一金属走线100对应所述重叠部300设置有镭射孔400；所述镭射孔400作为所述第一金属走线100和第二金属走线200需要短路时的镭射熔接点。

相对于通过镭射激光镭射第一金属走线和第二金属走线交叠的角落(金属爬坡处)，以使得两层金属导通的方案；本申请中，在两层金属中，位于上方的第一金属走线上设置有镭射孔，减少了镭射需要击穿和熔接的膜厚，提高了生产效率，且镭射孔使得镭射激光的镭射面积增大，这有利于改善镭射短路的质量，减少不导通或者断线的问题。

具体的，所述镭射孔400为镭射通孔，位于所述第一金属走线100的中部，且贯穿所述第一金属走线100。镭射通孔的设置，使得镭射激光在处理镭射通孔处时，不需要先击穿第一金属走线，即可直接镭射第一金属走线和第二金属走线之间的绝缘层，而且镭射激光可以镭射到镭射通孔的孔壁，增大有效镭射面积，提高镭射短路质量，且有利于减少断线的可能性。

其中，该镭射通孔400的孔径，可以是下窄上宽的结构，该结构，可以方便镭射激光打到镭射通孔的孔壁。其中，镭射通孔400可以为菱形通孔或者圆形通孔等规则形状的通孔，规则形状的通孔，在镭射时，各方向比较均匀，有利于镭射短接的效果；当然，不规则形状也是可以的，例如，当需要对某些结构进行避让时，不规则形状可以发挥其作用，又不会太过影响镭射的效果。

当然，镭射孔400为盲孔也是可以的，同样可以减少镭射需要击穿和熔接的膜厚。

另外，如果在第一金属走线10的上方还有其他膜层的话，这些膜层也可以设置与所述镭射通孔对应的通孔；例如，当第一金属走线100为数据线时，在第一金属走线100上方还设置有钝化层(图中未示出)等膜层，所述钝化层上可以设置有与所述镭射通孔对应的通孔；如此设置，镭射激光可以直接镭射到绝缘层，以及镭射通孔的孔壁，有效减低镭射激光的能耗，以及镭射处理的时间，并能够有效提高镭射短路的质量。

在阵列基板30中，第一金属走线100和第二金属走线200可以是交叉设置的，所述第一金属走线100至少设置有两条且相互平行设置，所述第二金属走线200至少设置有一条(第一金属走线100和第二金属走线200的条数仅做示意，不作限定)，所述第二金属走线200分别与多条所述第一金属走线100相互垂直且交错设置形成多个所述重叠部300，所述重叠部300分别设置有所述镭射孔400；

所述镭射孔400中的至少两个作为所述第一金属走线100和第二金属走线200需要短路时的镭射熔接点。以第一金属走线为时钟信号线，第二金属走线为连接各级栅极驱动单元内的输出模块的输入端(图中未示出关联电路)为例，各级栅极驱动单元需要连接的时钟信号线不同，可以先将第一金属走线和第二金属走线交叉设置，然后通过镭射激光，将第二金属走线和相应的时钟信号线镭射短接，相对于通过过孔和ITO(氧化铟锡，Indium TinOxides)来连接的方式，由于没有明显过孔，因而，膜厚均匀性会更好些。

当然，本申请的第一金属走线和第二金属走线也可以是其他信号线，例如，第一金属走线100可以是数据线或栅极线，第二金属走线200可以是修复线，此时，第一金属走线100可以在第二金属走线200的上方也可以在下方，只要适用即可；当然，第一金属走线和第二金属走线也可以是其他信号线，无论是哪种信号线，无论两者中哪种走线在上方，该镭射孔均设置在位于上方的金属走线处。

举例如下：

所述第一金属走线100为数据线或扫描线，所述第二金属走线200为修复线，所述第二金属走线200位于两条相邻设置的所述第一金属走线100的部分为预备切断点；

当所述第一金属走线100发生断线时，所述镭射孔400作为镭射熔接点，所述预备切断点作为镭射切断点，使用所述第二金属走线200的一部分与所述第一金属走线100短接，以将所述第一金属走线100的断线修复，而将所述第二金属走线200的另一部分与所述第二金属走线200断开。数据线或扫描线可能出现断线或者短路的问题，如果不进行修复的话，会出现黑线或者亮线等的显示问题，本实施例中，只要选好适合的镭射熔接点和镭射切断点，就可以修复第一金属走线断线或者短路的问题。

当然，本实施例中，修复线也可以是设置在上方，即第一金属走线为修复线，而第二金属走线为数据线或者扫描线，根据面板结构进行调整即可。

在一实施例中，所述镭射孔400的孔径D，与所述第一金属走线100对应所述重叠部300的宽度W的关系为：0.5W≥D≥0.1W。镭射孔径不宜太小，太小难以发挥作用，太大的话，镭射激光进行处理时，可能会导致镭射熔接点处断线，本实施例设置0.5W≥D≥0.1W可以保证发挥镭射熔接点的作用，同时，避免断线的问题发生。

本实施例中，为了避免镭射影响金属走线的阻值，以及为了减小断线的风险，在镭射熔接点处进行了局部加大线宽的设置，即：所述第一金属走线100对应所述重叠部300的线宽比所述第一金属走线100的其他位置的线宽宽；

和/或所述第二金属走线200对应所述重叠部300的线宽也比所述第二金属走线200的其他位置的线宽宽。

重叠部处的线宽不宜过大，加宽太多的话，增加布线空间，而且容易造成相邻金属走线距离太近，而导致短路的问题，本实施例中：所述第一金属走线100对应所述重叠部300的线宽W和所述第一金属走线100其他位置的线宽W1的关系为：1.5W1≥W＞W1；

和/或所述第二金属走线200对应所述重叠部300的线宽W2和所述第二金属走线200其他位置的线宽W3的关系为：1.5W3≥W2＞W3。

本申请不仅适用于第一金属走线和第二金属走线交叉设置的情况，同样适用于第一金属走线和第二金属走线不存在交叉的情况，具体的：

图4是本申请实施例一种阵列基板的金属走线平行设置的排布示意图，如图4所示，结合图2和图3可知，所述第一金属走线100和第二金属走线200平行设置，所述第一金属走线100向所述第二金属走线200方向凸出设置有第一凸出部110，所述第二金属走线200向所述第一金属走线100方向凸出设置有第二凸出部210，所述第一凸出部110和第二凸出部210在所述第一金属走线100和第二金属走线200之间重叠，形成所述重叠部，所述镭射孔400设置在所述第一凸出部110对应所述重叠部300的位置。本实施例，在需要短接时，只需要镭射重叠部处的镭射孔即可，简单方便。而第一凸出部位于第一金属走线和重叠部之间的位置可以作为第一预备切断点，第二凸出部位于第二金属走线和重叠部之间的位置则可以作为第二预备切断点，当需要断开第一金属走线和第二金属走线的连接时，镭射第一预备切断点和第二预备切断点即可，这样的话，切断之后，几乎不影响第一金属走线的阻值。

其中，该第一金属走线100可以是配向电路走线，第二金属走线200可以用作短路条，当需要进行液晶配向时，将第一金属走线100和第二金属走线200连通，以便进行配向操作；而配向完成后，可以选择在将玻璃大板切割为多个玻璃小板时，将切割线(图中未示出)设置在第一金属走线100和第二金属走线200之间，如此，就不需要进行镭射切断，而是在切割时，便把第一金属走线和第二金属走线断开，节省镭射切断的步骤。

对于不同层，且不交叉设置的第一金属走线和第二金属走线来说，除了上述设置突出部以形成重叠部的技术方案以外，还可以做如下设计：

图5是本申请实施例另一种阵列基板的金属走线平行设置的正面排布示意图，图6是本申请实施例另一种阵列基板的金属走线平行设置的背面排布示意，如图5和图6所示，结合图2和图3可知，所述第一金属走线100和第二金属走线200平行设置，所述阵列基板30还包括第一预留部500和第二预留部600，所述重叠部300包括第一重叠部310、第二重叠部320和第三重叠部330；所述镭射孔400包括第一镭射通孔410和第二镭射通孔420；所述第一预留部500与第二金属走线200同层形成，所述第二预留部600与所述第一金属走线100同层形成；

所述第一预留部500的一端与所述第一金属走线100部分重叠形成第一重叠部310，另一端向所述第二金属走线200方向延伸；所述第二预留部600的一端与所述第二金属走线200部分重叠形成第二重叠部320，另一端向所述第一金属走线100方向延伸，与所述第一预留部500形成第三重叠部330；

所述第一预留部500对应所述第一重叠部310设置有所述第一镭射通孔410，所述第一金属走线100对应所述第二重叠部320设置有所述第二镭射通孔420，所述第三重叠部330处设置有过孔700以将所述第一预留部500和第二预留部600导通；

所述第一镭射通孔410和第二镭射通孔420作为所述第一金属走线100和第二金属走线200需要短路时的镭射熔接点。

其中，所述第一预留部500位于所述第一重叠部310和第三重叠部320之间的部分为第一切断点，所述第二预留部600位于所述第二重叠部320和第三重叠部330之间的部分为第二切断点；

所述第一切断点和第二切断点作为已经镭射导通的所述第一金属走线100和第二金属走线200需要断开时的镭射切断点，以断开第一金属走线100和第二金属走线200的连接。当需要短接第一金属走线和第二金属走线时，镭射第一镭射通孔和第二镭射通孔即可，而当需要断开第一金属走线和第二金属走线的连接时，则可以镭射第一切断点和第二切断点。

除了阵列基板30有改进之外，本申请的阵列基板的修复方法也有所改变，镭射熔接点不再是两交叉金属走线的角落位置，而是位于第一金属走线处的镭射孔，具体的：

图7是本申请实施例一阵列基板的修复方法流程图，如图7所示，本申请还公开了一种阵列基板的修复方法，用于修复本申请任意一种公开的显示面板，修复方法包括步骤：

S1:当检测到第一金属走线发生断路时，确定断路位置；

S2:根据断路位置，选定需要的镭射熔接点和镭射切断点；

S3:使用镭射激光镭射镭射熔接点处，以在镭射熔接点处将第一金属走线与用于修复的第二金属走线短接；

S4:使用镭射激光镭射镭射切断点处，将第二金属走线切断，以在镭射切断点处断开第一金属走线和第二金属走线的连接；

其中，所述镭射熔接点从所述镭射孔中选取，所述镭射切断点在所述第二金属走线与其他金属走线无重叠的位置选取。

相对于通过镭射激光镭射第一金属走线和第二金属走线交叠的角落(金属爬坡处)，以使得两层金属导通的方案；本申请中，在两层金属中，位于上方的第一金属走线上设置有镭射孔，减少了镭射需要击穿的膜厚，且镭射孔使得镭射激光的镭射面积增大，这有利于改善镭射短路的质量，减少不导通或者断线的问题。其中，第一金属走线可以为数据线或扫描线，第二金属走线可以为修复线，当然，第一金属走线和第二金属走线也可以为其他信号线。

图8是本申请一种显示装置的示意图，如图8所示，本申请公开了一种显示装置10，所述显示装置10包括显示面板20，所述显示面板20包括阵列基板30，以及与所述阵列基板30对盒设置的彩膜基板40。

当然，本申请中，该改进后的镭射孔，以及双层金属走线之间的排布结构，不局限于应用至阵列基板上的金属走线；也可以应用到测试用的短接条，以及彩膜基板等位置，只要适用即可；另外，该镭射孔结构除了可以设置在第一金属走线和第二金属走线之间的重叠部外，还可以设置在金属走线和透明导电层(ITO)之间。

需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本申请的保护范围；并且，本申请的各个实施例的技术方案中，除了相互冲突的技术特征以外，其他技术特征可以结合应用。

例如图2和图3所示的改进结构，与图4所示的改进结构，以及图5和图6所示的改进结构，可以两种或者三种同时形成在同一块阵列基板上，具体视第一金属走线和第二金属走线的排布而定，有些地方两金属走线直接纵横相交，则优先采用图2和图3所示改进结构，而当两金属走线平行设置时，则采用图4，或者图5和图6所示的改进结构。

本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板的阵列基板的制造方法，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-Plane Switching，平面转换型)显示面板、VA(Vertical Alignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-Domain VerticalAlignment，多象限垂直配向型)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。