阅读说明：本技术 一种阵列基板及其制备方法以及显示面板 (Array substrate, preparation method thereof and display panel ) 是由 张明 杨杰 于 2020-05-09 设计创作，主要内容包括：本揭示提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板。阵列基板的显示区和屏下摄像头区的薄膜晶体管同时制备,且显示区的多条第一信号线和薄膜晶体管在同一工艺下制备。屏下摄像头区的多条第二信号线采用银纤维材料制备在像素电极层,并通过过孔与显示区的多条第一信号线连接。以提高屏下摄像头区穿透度的同时,提升屏下摄像头区信号线的机械可靠性。(The disclosure provides an array substrate, a preparation method thereof and a display panel. The thin film transistors in the display area of the array substrate and the camera area under the screen are simultaneously prepared, and the plurality of first signal lines and the thin film transistors in the display area are prepared in the same process. A plurality of second signal wires of the camera area under the screen are prepared on the pixel electrode layer by adopting silver fiber materials and are connected with a plurality of first signal wires of the display area through via holes. The mechanical reliability of the signal line of the camera area under the screen is improved while the penetration degree of the camera area under the screen is improved.)

一种阵列基板及其制备方法以及显示面板

技术领域

本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法以及显示面板。

背景技术

随着OLED(Organic Light emitting Display，有机发光二极管显示)技术的广泛发展和深入应用，对具有更优视觉体验的高屏占比(甚至全面屏)显示屏的追求已成为当前显示技术发展的潮流之一。为实现全面屏显示，摄像头在屏幕中占据的空间尤为重要。屏下摄像头(Camera Under Panel，CUP)技术的出现极大的提升了显示屏的屏占比。屏下摄像头技术在实现全面屏显示的同时不破坏屏幕的完整性。而且屏下摄像头区域也可以显示，主要是利用OLED屏幕自发光，且可做成透明的特性，通过OLED屏幕像素点之间的缝隙来实现成像。在前置摄像头区域，显示面板是一块小的透明屏幕，当不拍照时，它可以正常显示屏幕内容；当拍照时，则变成透明薄膜。因此提高屏下摄像头区域的穿透度显得尤为重要。目前常用的提高屏下摄像头区域穿透度的方法有：减薄柔性基板、减薄偏光片、减少像素数量、偏光片进行避让贴合等。然而复杂的工艺过程容易导致脆性的金属线断裂，使产品可靠性下降。常见TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)制程中使用的金属或金属氧化物，包括钼、钛、铝、银、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等，要么存在穿透度低的缺点，要么存在膜质脆，柔性差的缺点。

因此，现有屏下摄像头区域金属走线不能同时满足高穿透度和较好柔性的问题需要解决。

发明内容

本揭示提供一种阵列基板制及其备方法以及显示面板，以缓解现有屏下摄像头区域金属走线不能同时满足高穿透度和较好柔性的技术问题。

为解决上述问题，本揭示提供的技术方案如下：

本揭示实施例提供一种阵列基板，其划分为显示区及屏下摄像头区，所述屏下摄像头区位于所述显示区内，其中所述阵列基板包括衬底基板、第一薄膜晶体管、多条第一信号线、第二薄膜晶体管、平坦化层、多个像素电极及多条第二信号线。所述第一薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上，且位于所述显示区。所述多条第一信号线，设置于所述显示区内。所述第二薄膜晶体管，与所述第一薄膜晶体管同层设置，且位于所述屏下摄像头区。所述平坦化层，设置于所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管上，所述平坦化层上设置有多个第一过孔和多个第二过孔。所述多个像素电极，设置于所述平坦化层上。所述多条第二信号线，与所述像素电极同层设置，且位于所述屏下摄像头区。其中，所述显示区的所述像素电极通过所述第一过孔与所述第一薄膜晶体管连接，所述屏下摄像头区的所述像素电极通过另一个所述第一过孔与所述第二薄膜晶体管连接；所述多条第二信号线分别通过所述多个第二过孔与对应的所述多条第一信号线连接。

在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述多条第二信号线的材料包括银纤维。

在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述多条第二信号线的膜层厚度大于100纳米。

在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括像素定义层，所述像素定义层设置于所述平坦化层及所述多条第二信号线上，且所述多条第二信号线的膜层厚度小于所述像素定义层的膜层厚度。

在本揭示实施例提供的阵列基板中，所述多条第一信号线和所述多条第二信号线均包括栅极扫描线、及数据线。

本揭示实施例还提供一种阵列基板制备方法，其包括以下步骤：步骤S10、提供一衬底基板，把所述衬底基板划分为显示区和屏下摄像头区，在所述衬底基板上制备第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管位于所述显示区，所述第二薄膜晶体管位于所述屏下摄像头区，且在所述显示区制备所述第一薄膜晶体管的同时制备多条第一信号线。步骤S20、在所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管上制备平坦化层，并在所述平坦化层上设置多个第一过孔和多个第二过孔。步骤S30、在所述平坦化层上制备多个像素电极，所述多个像素电极分别通过所述多个第一过孔连接所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。步骤S40、在所述屏下摄像头区未设置所述像素电极的所述平坦化层上制备多条第二信号线，所述多条第二信号线分别通过所述多个第二过孔与对应的所述多条第一信号线连接。

在本揭示实施例提供的阵列基板制备方法中，在步骤S40中，制备所述多条第二信号线包括以下步骤：在所述多个像素电极及所述平坦化层上沉积整层的银薄膜。对所述银薄膜做透明化处理，形成透明的银纤维膜层。对所述透明的银纤维膜层进行黄光工艺，形成所述多条第二信号线。

在本揭示实施例提供的阵列基板制备方法中，所述银纤维膜层的厚度大于100纳米。

在本揭示实施例提供的阵列基板制备方法中，还包括以下步骤：步骤S50、在所述平坦化层及所述多条第二信号线上制备像素定义层，所述多条第二信号线的膜层厚度小于所述像素定义层的膜层厚度。

本揭示实施例提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板。

本揭示的有益效果为：本揭示提供的阵列基板及其制备方法以及显示面板中，屏下摄像头区的多条第二信号线使用银纤维材料制备，并通过过孔与显示区的多条第一信号线连接。银纤维材料具有银的高传导、高延展特性，且有高的穿透度。采用银纤维制备屏下摄像头区的信号线，提高了屏下摄像头区的穿透度，进而提升了前置摄像头的拍照效果和用户体验。同时银纤维的高延展性，提高了屏下摄像头区信号线的机械可靠性，提升了产品的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本揭示实施例提供的阵列基板的下视示意图；

图2为本揭示实施例提供的阵列基板的膜层结构侧视示意图；

图3为本揭示实施例提供的第一薄膜晶体管的膜层结构侧视示意图；

图4为本揭示实施例提供的第二信号线走线路径下视示意图；

图5至图10为本揭示实施例提供的阵列基板制备方法中各步骤制得膜层结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

在一种实施例中，提供一种阵列基板100，如图1所示，其划分为显示区AA及屏下摄像头区CUP，所述屏下摄像头区CUP位于所述显示区AA内。如图2所示，所述阵列基板100包括衬底基板10、第一薄膜晶体管20、多条第一信号线222、第二薄膜晶体管30、平坦化层40、多个像素电极50及多条第二信号线60。所述第一薄膜晶体管20，设置于所述衬底基板10上，且位于所述显示区AA。所述多条第一信号线222，设置于所述显示区AA内，与所述第一薄膜晶体管20同时制备。所述第二薄膜晶体管30，与所述第一薄膜晶体管20同层设置，且位于所述屏下摄像头区CUP。所述平坦化层40，设置于所述第一薄膜晶体管20及所述第二薄膜晶体管30上，所述平坦化层40上设置有多个第一过孔41和多个第二过孔42。所述多个像素电极50，设置于所述平坦化层40上。所述多条第二信号线60，与所述像素电极50同层设置，且位于所述屏下摄像头区CUP。其中，所述显示区AA的所述像素电极50通过所述第一过孔(图中未标示)与所述第一薄膜晶体管20连接，所述屏下摄像头区CUP的所述像素电极50通过另一个所述第一过孔41与所述第二薄膜晶体管30连接；所述第二信号线60通过所述第二过孔42与对应的所述第一信号线222连接。

具体的，所述衬底基板10包括玻璃基板或聚酰亚胺(Polyimide，PI)柔性基板等。

进一步的，所述第一薄膜晶体管20和所述第二薄膜晶体管30均包括有源层、栅极层及源漏极层。以所述第一薄膜晶体管20为例，如图3所示，有源层21设置于所述衬底基板10上，栅极层22设置于有源层21上方，源漏极层23设置于栅极层22上方。有源层21包括掺杂区211和沟道区212。栅极层22包括栅极221和第一信号线222。源漏极层23包括源极231和漏极232，源极231和漏极232连接有源层21的掺杂区211。当然的，阵列基板还包括设置于衬底基板与薄膜晶体管之间的阻挡层和缓冲层，以及薄膜晶体管的有源层、栅极层、源漏极层各膜层之间的绝缘层，在此不做详细说明。

需要说明的是，本揭示的薄膜晶体管不限于图2或图3示出的采用顶栅单栅极结构，本揭示的薄膜晶体管也可以为底栅结构或采用双栅极结构。

进一步的，在制备显示区AA的第一薄膜晶体管20时，同时制备多条第一信号线222。所述多条第一信号线222包括栅极扫描线、数据线等，如图2和图3示出的第一信号线222即为栅极扫描线。栅极扫描线和栅极同层制备，用于驱动薄膜晶体管。数据线和源漏极层的源极、漏极同层制备，用于给薄膜晶体管提供数据信号。

具体的，所述第一薄膜晶体管20、所述第二薄膜晶体管30以及所述多条第一信号线222使用的金属材料包括铜、铝、钼、钛等或者其合金。

进一步的，本揭示阵列基板的屏下摄像头区CUP的像素密度(单位面积的像素个数)可以和显示区AA的像素密度相同。

进一步的，结合图2和图3，在所述第一薄膜晶体管20和所述第二薄膜晶体管30上制备平坦化层40。并对所述平坦化层40进行黄光工艺形成多个第一过孔41和多个第二过孔42。所述多个第一过孔41贯穿所述平坦化层40，以裸露出所述第一薄膜晶体管20的源极或漏极以及所述第二薄膜晶体管30的源极或漏极。所述多个第二过孔42贯穿所述平坦化层40以及第一薄膜晶体管20的部分绝缘层以裸露出部分所述多条第一信号线222。

进一步的，在所述平坦化层40上制备多个像素电极50。所述多个像素电极50分别通过所述多个第一过孔41连接所述第一薄膜晶体管20的源极或漏极以及所述第二薄膜晶体管30的源极或漏极。

具体的，所述像素电极的材料包括氧化铟锡等透明导电电极材料。

进一步的，在屏下摄像头区CUP未设置像素电极50的平坦化层40上制备多条第二信号线60。所述多条第二信号线60分别通过所述多个第二过孔42与对应的所述多条第一信号线222连接，如图2示例性的示出了部分第二信号线60和第一信号线222。

具体的，所述多条第二信号线60的材料包括银纤维等透明的柔性导电材料。

具体的，所述多条第二信号线也包括栅极扫描线、数据线等。所述多条第二信号线分别通过所述第二过孔与对应的所述多条第一信号线连接，也即屏下摄像头区CUP的栅极扫描线通过所述第二过孔与显示区AA的栅极扫描线连接(如图2示出的)，屏下摄像头区CUP的数据线通过所述第二过孔与显示区AA的数据线连接(图未示出)。

具体的，所述多条第二信号线60与所述屏下摄像头区CUP的像素电极50采用避让设计，即所述多条第二信号线60与所述像素电极50不接触。

进一步的，所述多条第二信号线的线宽可以和对应的所述第一信号线的线宽相同。且所述多条第二信号线的走线路径不限于本揭示图4所示例性示出的。在图4中，屏下摄像头区CUP的所述多条第二信号线60从相邻的两行子像素110之间的间隙穿过，且与显示区AA的所述多条第一信号线222通过第二过孔42连接。

进一步的，所述多条第二信号线60的厚度大于100纳米，以降低接触电阻和水平传输电阻，减小电压降。

进一步的，所述阵列基板100还包括像素定义层70，所述像素定义层70设置于所述平坦化层40及所述多条第二信号线60上，且所述多条第二信号线60的膜层厚度小于所述像素定义层70的膜层厚度。

在本实施例中，通过使用银纤维制备屏下摄像头区的多条第二信号线，并通过过孔与显示区的多条第一信号线连接。使屏下摄像头区实现显示的同时，提高了屏下摄像头区的穿透度和信号线的机械可靠性。

在一种实施例中，提供一种阵列基板制备方法，其包括以下步骤：

步骤S10、提供一衬底基板10，把所述衬底基板10划分为显示区AA和屏下摄像头区CUP，在所述衬底基板10上制备第一薄膜晶体管20和第二薄膜晶体管30，其中所述第一薄膜晶体管20位于所述显示区AA，所述第二薄膜晶体管30位于所述屏下摄像头区CUP，且在所述显示区AA制备所述第一薄膜晶体管20的同时制备多条第一信号线222，如图5所示。

具体的，衬底基板10包括玻璃基板或聚酰亚胺柔性衬底等。

进一步的，根据产品摄像头实际安装位置需求，在衬底基板上先定义出显示区AA和屏下摄像头区CUP，以方便后续制程。

进一步的，在衬底基板上10制备阻挡层11和缓冲层12，缓冲层12设置于阻挡层11上。

进一步的，在缓冲层12上制备第一薄膜晶体管20和第二薄膜晶体管30。所述第一薄膜晶体管20位于所述显示区AA，所述第二薄膜晶体管30位于所述屏下摄像头区CUP。所述第一薄膜晶体管20和所述第二薄膜晶体管30均包括有源层、栅极层、源漏极层以及位于有源层、栅极、源漏极层各膜层之间的绝缘层。

进一步的，在所述显示区AA制备所述第一薄膜晶体管30的同时制备多条第一信号线222。

具体的，以制备所述第一薄膜晶体管为例说明，如图6所示，在缓冲层12上制备有源层21，并对有源层21的两侧进行离子掺杂形成掺杂区211，两端掺杂区211之间为有源层21的沟道区212。

进一步的，在有源层21和缓冲层12上制备栅极绝缘层24，在栅极绝缘层24上制备栅极层22。

进一步的，对栅极层22进行黄光工艺，在显示区AA形成栅极221、多条第一信号线222等其他信号线，如图6示出的第一信号线222即为栅极扫描线。在屏下摄像头区形成栅极。

进一步的，在栅极层22及栅极绝缘层24上制备层间绝缘层25，在层间绝缘层25上制备源漏极层23。

进一步的，对源漏极层23进行黄光工艺，在显示区形成源极231、漏极232、数据线(图未示出)等其他信号线。源极231、漏极232分别通过过孔连接有源层21的掺杂区211。在屏下摄像头区形成源极、漏极，源极、漏极分别通过过孔连接有源层的掺杂区。

具体的，所述多条第一信号线包括栅极扫描线、数据线等其他信号线。

步骤S20、在所述第一薄膜晶体管20及所述第二薄膜晶体管30上制备平坦化层40，并在所述平坦化层40上设置多个第一过孔41和多个第二过孔42，如图7所示。

具体的，对所述平坦化层40进行黄光工艺形成多个第一过孔41和多个第二过孔42。

步骤S30、在所述平坦化层40上制备多个像素电极50，所述多个像素电极50分别通过所述多个第一过孔41连接所述第一薄膜晶体管20和所述第二薄膜晶体管30，如图8所示。

具体的，显示区AA内的像素电极50通过所述第一过孔(图8未标示)连接所述第一薄膜晶体管20的源极或漏极。屏下摄像头区CUP的像素电极50通过另一个所述第一过孔41连接所述第二薄膜晶体管30的源极或漏极。

步骤S40、在所述屏下摄像头区CUP未设置所述像素电极50的所述平坦化层40上制备多条第二信号线60，所述多条第二信号线60分别通过所述多个第二过孔42与对应的所述多条第一信号线222连接，如图9所示。

具体的，在所述多个像素电极及所述平坦化层上沉积整层的银薄膜。

进一步的，对所述银薄膜做透明化处理，形成透明的银纤维膜层。

具体的，采用静电纺丝工艺在银薄膜上制备聚苯乙烯纤维。使用氧气对未被聚苯乙烯纤维覆盖的银薄膜进行等离子体处理，然后在用双氧水进行湿法蚀刻。最后去除聚苯乙烯纤维，形成透明的银纤维膜层。银纤维膜层具有高的透过率，以及较好的延展性。

进一步的，对所述透明的银纤维膜层进行黄光工艺，形成所述多条第二信号线。

具体的，所述多条第二信号线60也包括栅极扫描线、数据线等。所述多条第二信号线分别通过所述第二过孔与对应的所述多条第一信号线连接，也即屏下摄像头区的栅极扫描线通过所述第二过孔与显示区的栅极扫描线连接，屏下摄像头区的数据线通过所述第二过孔与显示区的数据线连接。

具体的，所述多条第二信号线与所述屏下摄像头区的像素电极采用避让设计，即所述多条第二信号线与所述像素电极不接触。

进一步的，所述多条第二信号线的线宽可以和对应的所述第一信号线的线宽相同。

进一步的，所述多条第二信号线的厚度大于100纳米，以降低接触电阻和水平传输电阻，减小电压降。

步骤S50、在所述平坦化层40及所述多条第二信号线60上制备像素定义层70，所述多条第二信号线60的膜层厚度小于所述像素定义层70的膜层厚度，如图10所示。

具体的，在所述平坦化层40及所述多条第二信号线60上制备像素定义层70，以裸露出所述多个像素电极50。同时像素定义层70的膜层厚度大于所述多条第二信号线60的膜层厚度，以覆盖住所述多条第二信号线60。

在一种实施例中，提供一种显示面板，其包括上述实施例的阵列基板。

具体的，以顶发射的OLED显示面板为例，在制备阵列基板的像素电极时，制备全反射型的像素电极，并配合半反半透的阴极，可以提高OLED发光的光利用率。

根据上述实施例可知：

本揭示提供一种阵列基板及其制备方法以及显示面板，阵列基板的显示区和屏下摄像头区的薄膜晶体管同时制备，且显示区的多条第一信号线和薄膜晶体管在同一工艺下制备。屏下摄像头区的多条第二信号线采用银纤维材料制备在像素电极层，并通过过孔与显示区的多条第一信号线连接。银纤维材料具有银的高传导、高延展特性，且有高的穿透度。采用银纤维制备屏下摄像头区的信号线，提高了屏下摄像头区的穿透度，进而提升了前置摄像头的拍照效果和用户体验。同时银纤维的高延展性，提高了屏下摄像头区信号线的机械可靠性，提升了产品的可靠性。

综上所述，虽然本揭示已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为准。