阅读说明：本技术 一种tft阵列基板、其显示面板及其终端装置 (TFT array substrate, display panel thereof and terminal device thereof ) 是由 杨薇薇 余赟 陈诚 于 2019-10-29 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种TFT阵列基板其显示面板。其中所述TFT阵列基板包括衬底层，所述衬底层上设置有缓冲层，所述缓冲层上依次设置有源层(Active)、第一栅极绝缘层(GI1)、第一栅极层(GE1)、层间介质层(ILD)以及源漏极层(SD)。所述第一栅极绝缘层包括SiNx层，所述第一栅极层包括AL金属层。本发明提供了一种TFT阵列基板，其具有较为良好的自身弯折性能。(The invention provides a TFT array substrate and a display panel thereof. The TFT array substrate comprises a substrate layer, wherein a buffer layer is arranged on the substrate layer, and an Active layer (Active), a first gate insulation layer (GI1), a first gate layer (GE1), an interlayer dielectric layer (ILD) and a source drain layer (SD) are sequentially arranged on the buffer layer. The first gate insulating layer includes a SiNx layer, and the first gate layer includes an AL metal layer. The invention provides a TFT array substrate which has better self-bending performance.)

一种TFT阵列基板、其显示面板及其终端装置

技术领域

本发明涉及用于平面显示面板技术领域，尤其是，其中涉及的一种TFT阵列基板、其显示面板，以及其可应用的终端装置。

背景技术

已知，随着显示技术的不断发展，平面显示技术已取代了CRT(Cathode Ray Tube)显示技术成为主流显示技术。

其中平面显示技术涉及的平面显示器最开始是液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)，但随着显示技术的不断向前发展，业界又开发出了OLED Organic Light-Emitting Diode)型平面显示器。

而OLED显示器，由于其重量轻，自发光，广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。尤其是柔性OLED显示器，由于其所具有的可弯折易携带的特点，现已成为显示技术领域研究和开发的主要课题。

目前用作驱动OLED的TFT阵列基板，其上设置的薄膜晶体管(TFT)的栅极材料通常采用的是金属Mo材料，但是这种金属材料由于其自身的材料特性，使得其耐弯折特性较差，从而导致其在柔性显示装置中的应用受到了很大的限制。

如此，在柔性显示装置的研发过程中，选择合适的薄膜晶体管的栅极材料，并相应的开发结构合理的薄膜晶体管器件及其相关制程，已成为业界现在研究的重要课题。

因此，确有必要来开发一种新型的TFT阵列基板，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其具有较为良好的自身弯折性能。

本发明采用的技术方案如下：

一种TFT阵列基板，其包括衬底层。所述衬底层上设置有缓冲层，所述缓冲层上依次设置有源层(Active)、栅极绝缘层(GI)、栅极层(GE)、层间介质层(ILD)以及源漏极层(SD)。其中所述第一栅极绝缘层包括SiNx层，所述第一栅极层包括AL金属层。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一栅极绝缘层为采用SiOx/SiNx双层材料构成的双叠层结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一栅极层为Ti/Al/Ti三叠层结构、Al/Ti双叠层结构、AL合金单层结构、AL合金/TiNx双叠层结构中任一种结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述TFT阵列基板还包括：

第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极层上；

第二栅极层，设置在所述第二栅极绝缘层上；

所述层间介质层设置在所述第二栅极层上。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二栅极绝缘层为采用SiOx/SiNx双层材料构成的双叠层结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二栅极层为Ti/Al/Ti三叠层结构、Al/Ti双叠层结构、AL合金单层结构、AL合金/TiNx双叠层结构中任一种结构。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述层间介质层上还依次设置有平坦层(PLN)、阳极(ANO)和像素定义层(PDL)。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述像素定义层上还设置有支撑柱(PS)。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述衬底层和所述缓冲层之间还设置有阻隔层(M/B)。

进一步的，本发明的又一方面是提供一种显示面板，其包括本发明涉及的所述TFT阵列基板。

进一步的，在不同实施方式中，其中所述显示面板包括：

发光层，其设置在所述TFT列阵基板一侧；

封装层，设置在所述发光层远离所述TFT列阵基板的一侧。

进一步的，本发明的又一方面是提供一种终端装置，其包括本发明涉及的所述显示面板。其中所述终端装置优选为移动终端装置，包括但不限于手机、平板等等。

相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明涉及的一种TFT阵列基板，其采用弯折性能较好的Ti/Al/Ti或Al/Ti作为栅极材料构成所述栅极层，从而能够有效的改善所述栅极层的弯折性能，进而改善所在TFT阵列基板的弯折性能。

进一步的，由于所述栅极层采用新型的Ti/Al/Ti或Al/Ti材质，这会在一定程度上使其具有捕获SiNx材料释放的H原子，导致氢活化制程时所述栅极层上方的第二栅极绝缘层(GI2)构成材料SiNx释放的氢原子无法对其下方的有源层(Poly型)和第一栅极绝缘层(GI1)界面间的缺陷无法修补，导致TFT电性异常。对此，本发明将所述第一栅极绝缘层(GI1)结构更换为SiOx/SiNx双叠层结构，通过其中的SiNx膜层进行提前补氢，从而有效的改善了TFT的电性，克服了所述第一栅极层采用新型材料所带来的缺陷。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明涉及的一个实施方式提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；

图2为本发明涉及的一个实施方式提供的一种显示面板的结构示意图；以及

图3为本发明涉及的一个实施方式提供的一种终端装置的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种TFT阵列基板及其显示面板的技术方案作进一步的详细描述。

请参阅图1所示，本发明的一个实施方式提供了一种TFT阵列基板，其包括衬底层100。

其中所述衬底层100上依次设置有阻隔层(M/B)101、缓冲层(Buf)102，所述缓冲层上依次设置有源层(Poly Active)103、栅极绝缘层(GI)、栅极层(GE)、层间介质层(ILD)108以及源漏极层(SD)109。

进一步的，其中所述源漏极层109上还依次设置有平坦层(PLN)110、阳极(ANO)111和像素定义层(PDL)112，所述像素定义层112上设置有支撑柱(PS)114。

进一步的，其中所述栅极绝缘层具体包括依次设置的第一栅极绝缘层114和第二栅极绝缘层116，所述栅极层包括第一栅极层115和第二栅极层117，其中所述第一栅极绝缘层114设置在所述缓冲层112上，所述第一栅极层115设置在所述第一栅极绝缘层114中，所述第二栅极层117设置在所述第二栅极绝缘层116中。

其中所述第一栅极层115为由Ti/Al/Ti三层材料构成的三叠层结构或是由Al/Ti双层材料构成的双叠层结构。所述第二栅极层117也是优选由Ti/Al/Ti三层材料构成的三叠层结构或是由Al/Ti双层材料构成的叠层结构。

其中所述第一栅极绝缘层114为采用SiOx/SiNx构成的双叠层结构，所述第一栅极绝缘层中的SiNx膜层与所述第一栅极层相接。而所述第二栅极绝缘层116则是优选采用SiOx单层结构。

进一步的，本发明的又一实施方式提供了一种显示面板，其采用本发明涉及的所述阵列基板。其中所述显示面板优选为OLED显示面板，但不限于。

如图2所示，其图示了本发明涉及的一种显示面板，其包括本发明涉及的所述TFT整列基板210以及其上设置的发光层220和封装层230。

进一步的，本发明的又一实施方式提供了一种终端装置，请参阅图3所示，其包括本体310和设置在所述本体310上的本发明涉及的所述显示面板320。其中所述终端装置优选为移动终端装置，包括但不限于手机、平板等等。

本发明涉及的一种TFT阵列基板，其采用弯折性能较好的TiAlTi或Al/Ti作为栅极材料构成所述栅极层，从而有效的改善栅极层的弯折性能，进而改善所在TFT阵列基板的弯折性能。

进一步的，由于所述栅极层采用新型的Ti/Al/Ti或Al/Ti材质，这会在一定程度上使其具有捕获SiNx材料释放的H原子，导致氢活化制程时所述栅极层上方的第二栅极绝缘层(GI2)构成材料SiNx释放的氢原子无法对其下方的有源层(Poly型)和第一栅极绝缘层(GI1)界面间的缺陷无法修补，导致TFT电性异常。对此，本发明将所述第一栅极绝缘层(GI1)结构更换为SiOx/SiNx双叠层结构，通过其中的SiNx膜层进行提前补氢，从而有效的改善了TFT的电性，克服了所述第一栅极层采用新型材料所带来的缺陷。

本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。