阅读说明：本技术 一种用于显示屏的led芯片 (LED chip for display screen ) 是由 仇美懿 庄家铭 余金隆 于 2019-10-31 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种用于显示屏的LED芯片,包括基体、设于基体上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和N电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的P电极,所述基体的底面为斜面,所述斜面向P电极的外侧倾斜,以将水解析出物沉积在P电极的外侧且远离N电极,水解析出物不仅不会导通N电极和P电极,还不会遮挡发光区域,进而防止芯片短路漏电,提高芯片的出光效率。(The invention discloses an LED chip for a display screen, which comprises a substrate, a first semiconductor layer arranged on the substrate, an active layer and an N electrode arranged on the first semiconductor layer, a second semiconductor layer arranged on the active layer, and a P electrode arranged on the second semiconductor layer, wherein the bottom surface of the substrate is an inclined surface which is inclined towards the outer side of the P electrode so as to deposit a hydrolysis precipitate on the outer side of the P electrode and be far away from the N electrode, the hydrolysis precipitate cannot conduct the N electrode and the P electrode, and cannot shield a light-emitting region, so that the short circuit and the electric leakage of the chip are prevented, and the light-emitting efficiency of the chip is improved.)

一种用于显示屏的LED芯片

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种用于显示屏的LED芯片。

背景技术

LED之所以受到广泛重视而得到迅速发展，是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是：亮度高、工作电压低、功耗小、大型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。LED的发展前景极为广阔，正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性，可靠性、全色化方向发展。LED显示屏广泛应用在体育场馆、商业应用、银行、证劵、邮政、码头、商场、车站、邮政、电讯、机关、监控、学校、餐厅、酒店、娱乐、等不同户外场所的广告宣传。

如图1和图2所示，正装LED芯片应用在显示屏时，容易因封装不佳导致水气入侵，造成LED芯片的电极发生潮解的现象。具体的，水解一般在N电极11处发生，而水解析出物2在P电极12处沉积，由于正装芯片的P电极12和N电极11具有高度落差，水解析出物2容易堆积在N电极11和P电极12处，从而造成N电极11和P电极12导通，芯片短路漏电。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于显示屏的LED芯片，可避免水解析出物沉积在N电极和P电极之间，防止芯片短路漏电。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种用于显示屏的LED芯片，包括基体、设于基体上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和N电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的P电极，所述基体的底面为斜面，所述斜面向P电极的外侧倾斜，以将水解析出物沉积在P电极的外侧且远离N电极。

作为上述方案的改进，所述基体为衬底，所述衬底的底面为斜面。

作为上述方案的改进，所述衬底的制作方法如下：

将衬底的底面划分成n个纵列，每个纵列的宽度相等；

采用研磨的方式依次研磨每一个纵列，以形成斜面；

对衬底的底面进行一次研磨，形成减薄衬底，研磨前衬底的厚度为a，一次研磨后，减薄衬底的厚度为b，b＝(0.4～0.6)*a；

将减薄衬底的底面划分成n个纵列，每个纵列的宽度相等；

对减薄后的衬底进行二次研磨，依次研磨每一个纵列，以形成斜面。

作为上述方案的改进，所述斜面的倾斜角度为10～30度。

作为上述方案的改进，P电极边缘与基体边缘的平面最短距离为d，d＝10～50μm。

作为上述方案的改进，所述P电极的形状为圆形。

作为上述方案的改进，所述蒸镀层由SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或SiC制成。

作为上述方案的改进，采用蒸镀、溅镀、气相沉积的方式在衬底上形成所述蒸镀层。

实施本发明，具有如下有益效果：

本发明提供的一种用于显示屏的LED芯片，包括基体、设于基体上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层和N电极、设于有源层上的第二半导体层、以及设于第二半导体层上的P电极，所述基体的底面为斜面，所述斜面向P电极的外侧倾斜，以将水解析出物沉积在P电极的外侧且远离N电极，水解析出物不仅不会导通N电极和P电极，还不会遮挡发光区域，进而防止芯片短路漏电，提高芯片的出光效率。

附图说明

图1是现有LED芯片的水解产物析出示意图；

图2是图1的俯视图；

图3是本发明LED芯片第一实施例的水解产物析出示意图；

图4是图3的俯视图；

图5是2寸衬底研磨形成斜面后的示意图；

图6是本发明LED芯片第二实施例的水解产物析出示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。

参见图3，本发明提供的一种用于显示屏的LED芯片，应用在LED显示屏，包括基体10、设于基体10上的第一半导体层20、设于第一半导体层20上的有源层30和N电极61、设于有源层30上的第二半导体层40、以及设于第二半导体层40上的P电极62。

本发明基体10的底面为斜面，所述斜面向P电极62的外侧倾斜，以将水解析出物2沉积在P电极62的外侧且远离N电极61，参见图4。基体10倾斜之后，水解析出物2不仅不会导通N电极61和P电极62，还不会遮挡发光区域，进而防止芯片短路漏电，提高芯片的出光效率。倾斜之后，因为RGB三色放置距离很远，所以芯片之间不会相互影响。

本发明的LED芯片还包括钝化层50，所述钝化层50覆盖在第二半导体层40上，并延伸至N电极61和P电极62上。

作为本发明的第一优选方案，所述基体10为衬底，所述衬底的底面为斜面。优选的，所述衬底为蓝宝石衬底。

具体的，所述斜面的制作方法包括：对衬底的底面进行一次研磨，形成减薄衬底，研磨前衬底的厚度为a，一次研磨后，衬底的厚度为b，b＝(0.4～0.6)*a；将减薄衬底的底面划分成n个纵列，每个纵列的宽度相等；对减薄后的衬底进行二次研磨，依次研磨每一个纵列，以形成斜面。

常规的蓝宝石衬底在研磨过程中容易产生划痕、崩边，甚至碎裂，本发明要研磨形成斜面，研磨难度非常高。

为了提高芯片的散热性能，便于形成斜面，本发明需要对衬底进行一次研磨，对衬底进行减薄。优选的，研磨前衬底的厚度为a，一次研磨后，衬底的厚度为b，b＝(0.4～0.6)*a。若减薄衬底的厚度小于0.4a，则研磨过度，衬底容易碎裂；若减薄衬底的厚度大于0.6a，则减薄衬底的厚度过厚，由于在二次研磨时，需要采用特殊的钻头来进行研磨，若减薄衬底的厚度过厚，则影响特殊钻头研磨形成斜面。

参见图5，以2寸的衬底为例，2寸衬底的厚度一般为450μm，一次研磨后，减薄衬底的厚度为250μm；然后将2寸的衬底划分成n个纵列，每个纵列的宽度相等，为4～14mil，具体根据芯片的尺寸来定；然后采用具有倾斜角度的钻头对每个纵列进行二次研磨，每个纵列形成相同的斜面。需要说明的是，2寸的衬底上可以形成多个LED芯片。

由于倾斜角度与衬底的厚度存在一定的比例关系，当衬底的厚度不足以形成所需的倾斜角度时，可以在衬底上形成一定厚度的蒸镀层。

参见图6，作为本发明的第二优选方案，所述基体10包括衬底11和设于11上的蒸镀层12，所述蒸镀层12的底面为斜面。

所述蒸镀层12由透光材料制成，此外，所述蒸镀层不会吸收有源层发出的光。优选的，所述蒸镀层由SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或SiC制成。

具体的，采用蒸镀、溅镀、气相沉积的方式在衬底11上形成所述蒸镀层12。

需要说明的是，若基体斜面的倾斜角度过大，则对芯片的封装会有一定的影响，优选的，所述斜面的倾斜角度为10～30度。若倾斜角度小于10度，则水解析出物2还会沉积在N电极61和P电极62之间；若倾斜角度大于30度，则影响芯片固定和打线。

需要说明的是，P电极62与N电极61的距离越远，即P电极62与基体10边缘的距离越近，水解析出物2的量相对会减少。参见图4，P电极62边缘与基体10边缘的平面最短距离为d，优选的，d＝10～50μm。

优选的，所述P电极62的形状为圆形。圆形结构便于将水解析出物2沉积在电极在外侧，同时便于打线封装。

所述蒸镀层12的厚度与芯片的尺寸和倾斜角度存在一定的比例关系。当芯片的尺寸为6mil，倾斜角度为30度时，则增镀层的厚度＝6*25.4/3＝88μm。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。