具体实施方式

本申请提供了一种平面电容的制作方法。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

为了便于本领域技术人员的理解，本申请通过以下实施例对本申请提供的技术方案的具体实现过程进行说明。

图1是本发明的平面电容的制作方法的流程示意图，图2是本发明的平面电容的剖视结构示意图，如图1和图2所示，平面电容的制作方法，所述平面电容10包括第一平面电极11、第二平面电极12以及设置于第一平面电极11与的第二平面电极12之间的介质层13，所述制作方法包括：

制作形成介质层13的介质层浆料43(参见图7)；

在第一平面电极11和/或第二平面电极12的表面涂布介质层浆料43后形成介质薄膜131；

形成多层介质薄膜131后将第一平面电极11与第二平面电极12进行覆合形成平面电容10，介质层13由多层介质薄膜131相互叠置形成，即多层介质薄膜131相互层叠设置。

本发明的平面电容的制作方法通过在第一平面电极11和/或第二平面电极12上多次涂布形成多层介质薄膜131，覆合压合形成的平面电容10具有较高的耐电压特性，提高了平面电容10的良率，同时降低了生产成本。

进一步地，介质层13的厚度为d，组成介质层13的介质薄膜131的数量为n，各介质薄膜131的厚度为d/n，其中n大于或等于2。

进一步地，第一平面电极11、第二平面电极12为铜箔片材。

进一步地，在第一平面电极11和/或第二平面电极12的表面涂布介质层浆料43后，对介质层浆料43预烘烤处理形成半固化的介质薄膜131，形成多层半固化的介质薄膜131后覆合第一平面电极11与第二平面电极12，形成平面电容10。

进一步地，覆合第一平面电极11与第二平面电极12的方法包括：

在预设温度和预设压力下将第一平面电极11与第二平面电极12进行压合，得到平面电容10；

预设温度为100～150℃，预设压力为3～6kg/cm²。

进一步地，在第一平面电极11的表面形成一层介质薄膜131后，在介质薄膜131的表面至少涂布一次介质层浆料43，使第一平面电极11上形成多层相互叠置的介质薄膜131；

将形成有多层介质薄膜131的第一平面电极11与第二平面电极12覆合，形成平面电容10。在本实施例中，第二平面电极12的表面未形成介质薄膜131，第一平面电极11可形成两层或两层以上的介质薄膜131，介质薄膜131的层数可根据实际需要自由选择。

在另一较佳的实施例中，在第二平面电极12的表面形成一层介质薄膜 131后，在介质薄膜131的表面至少涂布一次介质层浆料43，使第二平面电极12上形成多层相互叠置的介质薄膜131；

将形成有多层介质薄膜131的第二平面电极12与第一平面电极11覆合，形成平面电容10。在本实施例中，第一平面电极11的表面未形成介质薄膜131，第二平面电极12可形成两层或两层以上的介质薄膜131，介质薄膜131的层数可根据实际需要自由选择。

在另一较佳的实施例中，在第一平面电极11的表面形成一层介质薄膜131后，在介质薄膜131的表面至少涂布一次介质层浆料43，使第一平面电极11上形成多层相互叠置的介质薄膜131；

在第二平面电极12的表面至少形成一层介质薄膜131后，将形成有多层介质薄膜131的第一平面电极11与第二平面电极12覆合。在本实施例中，第一平面电极11可形成两层或两层以上的介质薄膜131，介质薄膜131的层数可根据实际需要自由选择。

进一步地，制作介质层浆料43的方法包括：

将环氧树脂加入到第一溶剂中，在温度20～40℃下搅拌15～35min，得到混合液；

将无机填料搅拌分散于第二溶剂中，得到悬浮液，将悬浮液搅拌分散于混合液中；

在混合液中加入助剂并搅拌均匀，得到介质层浆料43的混合物，将混合物倒入球磨罐中以100～200rpm的转速球磨5h～15h，得到介质层浆料43。

进一步地，环氧树脂包括缩水甘油醚型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、脂环族环氧树脂、环氧化烯烃化合物、甘蔗多元醇环氧树脂和混合结构环氧树脂中的至少一种；

无机填料包括钛酸钡钠、钛酸钡、钛酸铜钙、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙、钛酸钙钡、锆钛酸铅、钛酸铅钠、钛酸铅中的至少一种；

助剂包括固化剂、分散剂、偶联剂、流平剂、消泡剂、促进剂中的至少一种；

第一溶剂和第二溶剂包括丙酮、戊酮、酒精、丁酮中的至少一种

进一步地，图3是本发明的平面电容的两层介质薄膜中的气孔重合时的局部剖视结构示意图，图4和图5是本发明的平面电容的两层介质薄膜中的气孔错开时的局部剖视结构示意图，如图3、图4和图5所示，靠近第一平面电极11的介质薄膜131的厚度为d₁(d₁＝10um)，所述介质层浆料43的介电强度为E，假设面积S＝500mm×600mm,即0.3m²的介质薄膜131存在气孔，有且只有一个气孔，且该气孔长度与介质薄膜131的厚度相等，即气孔的长度为d₁(d₁＝10um)，面积为ΔS₁)；靠近第二平面电极12的介质薄膜131 的厚度为d₂(d₂＝10um)，所述介质层浆料43的介电强度为E，假设面积 S＝500mm×600mm,即0.3m²的介质薄膜131存在气孔，有且只有一个气孔，且该气孔长度与介质薄膜131的厚度相等，即气孔的长度为 d₂(d₂＝10um)，面积为ΔS₂)；该子平面电容C₀的介质层13厚度为d＝d₁+d₂，此时该子平面电容的击穿电压有以下情况：

第一，如图3所示，两个气孔ΔV₁与ΔV₂仅有部分覆合，且0<重合面积ΔS≤ min(ΔS₁,ΔS₂),此时该子平面电容C₀的击穿电压U₀基本等于空气的击穿电压 U₀＝E₀×d＝660V，此种情况发生的概率为P_ΔS，其中:

P_ΔS＝∫₀ ¹⁰(ΔS/S)²dΔS

按ΔS₁＝ΔS₂＝100mm²，S＝500mm×600mm，可计算P_ΔS＝0.37×10^-5，即3.7ppm。

第二，如图4和图5所示，气孔ΔV₁与ΔV₂刚好完全错开，此时该子平面电容C₀的击穿电压U₀至少能达到d₁或d₂厚度该介质层13的击穿电压，即 U₀＝E×d₁＝1500V>660V。

进一步地，图6是本发明的平面电容的三层介质薄膜中的气孔重合时的局部剖视结构示意图，如图6所示，靠近第一平面电极11的介质薄膜131的厚度为d₁(d₁＝6.67um)，所述介质层浆料43本身的介电强度为E，假设面积 S＝500mm×600mm,即0.3m²的介质薄膜131存在气孔，有且只有一个气孔，且该气孔长度与介质薄膜131的厚度相等，即气孔的长度为d₁(d₁＝6.67um)，面积为ΔS₁)；靠近第二平面电极12的介质薄膜131的厚度为d₂(d₂＝6.67um)，所述介质层浆料43的介电强度为E，假设面积 S＝500mm×600mm,即0.3m²的介质薄膜131存在气孔，有且只有一个气孔，且该气孔长度与介质薄膜131的厚度相等，即气孔的长度为d₂(d₂＝6.67um)，面积为ΔS₂)；中间介质薄膜131的厚度为d₃(d₃＝6.67um)，所述介质层浆料43的介电强度为E，假设面积S＝500mm×600mm,即 0.3m²的介质薄膜131存在气孔，有且只有一个气孔，且该气孔长度与介质薄膜131的厚度相等，即气孔的长度为d₃(d₃＝6.67um)，面积为ΔS₃)；该子平面电容的介质层13厚度为d＝d₁+d₂+d₂＝20um，此时该子平面电容的击穿电压有以下情况，且假设ΔS₁＝ΔS₂＝ΔS₃＝100mm²，则：

第一，如图6所示，气孔ΔV₁、ΔV₂、ΔV₃有部分对应覆合，且0<重合面积ΔS≤min(ΔS₁，ΔS₂，ΔS₃)，此时该子平面电容C₀的击穿电压U₀基本等于空气的击穿电压U₀＝E₀×d＝660V，此种情况发生的概率为P_ΔS，其中：

P_ΔS＝∫₀ ¹⁰(ΔS/S)³dΔS

即按ΔS₁＝ΔS₂＝ΔS₃＝100mm²，S＝500mm×600mm，可计算P_ΔS＝0.093× 10^-8，即0.093×10^-2ppm。

第二，该子平面电容C₀仅包含一个气孔(ΔV₁、ΔV₂、ΔV₃三个其中之一) 时，此时该子平面电容C₀的击穿电压U₀至少能达到(2/3)×d厚度该介质层13 的击穿电压,即U₀＝E₀×(2/3)×d＝2000V。

第三，该子平面电容C₀仅包含两个气孔(ΔV₁、ΔV₂、ΔV₃三个任意两个) 时，此时该子平面电容C₀的击穿电压U₀至少能达到(1/3)×d厚度该介质层13 的击穿电压,即U₀＝E×(2/3)×d＝1000V。

第四，该子平面电容C₀不包含任何气孔时，此时该子平面电容C₀的击穿电压U₀能达到d厚度该介质层13的击穿电压,即U₀＝E×d＝3000V。

综合所述，该子平面电容C₀的击穿电压U₀为660V的概率仅为P_ΔS＝ 0.093×10^-8，即0.093×10^-2ppm，其余的子平面电容C₀的击穿电压U₀均能达到1000V以上。

本发明的平面电容的制作方法可以大大降低电容被击穿的发生概率，有效地改善提高平面电容10的良率、提高耐压特性等。

进一步地，假设母平面电容(母平面电容面积为S)经过n次(n≥2)涂布介质层13而得，而每次涂布介质层13都有一个气孔ΔV_n(该气孔厚度为d/n，截面积为ΔS_n)，则有ΔV₁、ΔV₂、……、ΔV_n个；在第一平面电极11与第二平面电极12覆合后，且气孔ΔV₁、ΔV₂、……、ΔV_n刚好有部分对应覆合，以及0<重合面积ΔS≤min(ΔS₁,ΔS₂、……，ΔS_n)＝ΔS_max，此时该子平面电容C₀的击穿电压U₀基本等于空气(或真空)的击穿电压U_空，此种情况发生的概率为P_ΔS，其中

进一步地，如图2所示，本发明还涉及一种平面电容10，所述平面电容 10采用上述的平面电容的制作方法制作形成。

具体地，平面电容10包括第一平面电极11、第二平面电极12和介质层 13，第一平面电极11与第二平面电极12平行且相对设置，介质层13连接于第一平面电极11与第二平面电极12之间，介质层13至少由两层介质薄膜 131相互叠置形成，介质层13的厚度为d，组成介质层13的介质薄膜131的数量为n，各介质薄膜131的厚度为d/n，其中n大于或等于2。

进一步地，图7是本发明的平面电容的制作系统的结构示意图，如图7 所示，本发明还涉及一种平面电容的制作系统，所述制作系统采用上述制作方法制作上述的平面电容10，所述制作系统包括第一传送单元20、第二传送单元30、涂布单元40、预热箱50和压合单元60，其中：

第一传送单元20用于传送第一平面电极11或至少形成有一层介质薄膜 131的第一平面电极11依次经过至涂布单元40、预热箱50和压合单元60；

涂布单元40用于将介质层浆料43涂布在第一平面电极11的表面或涂布在介质薄膜上131上；

预热箱50用于预热涂布在第一平面电极11或介质薄膜131上的介质层浆料43，使第一平面电极11的表面形成介质薄膜131，或者在介质薄膜131 上再形成一层介质薄膜131；

第二传送单元30用于传送第二平面电极12或至少形成有一层介质薄膜 131的第二平面电极12至压合单元60；

压合单元60用于将形成有介质薄膜131的第一平面电极11与第二平面电极12或至少形成有一层介质薄膜131的第二平面电极12压合，值得一提的是，将第一平面电极11与第二平面电极12压合后，介质薄膜131的层数大于或等于2。

进一步地，第一传送单元20包括第一卷料辊21和多个传送辊22，第一卷料辊21用于卷绕待涂布介质层浆料43的第一平面电极11或至少形成有一层介质薄膜131的第一平面电极11，第一卷料辊21与电机连接，第一卷料辊21与各传送辊22配合将第一平面电极11或至少形成有一层介质薄膜131 的第一平面电极11依次传送至涂布单元40、预热箱50和压合单元60。

进一步地，涂布单元40包括浆料容器41和涂布辊42，浆料容器41用于容置介质层浆料43，涂布辊42一部分设置于介质层浆料43中，涂布辊42 的另一部分位于浆料容器41外，并与第一平面电极11或介质薄膜131的表面接触，涂布辊42转动可将介质层浆料43涂布在第一平面电极11或介质薄膜131的表面上。在本实施例中，涂布单元40采用凹版网辊方式、狭缝挤出涂布方式，逗号刮刀涂布方式其中之一，还包括浸式逆转涂布、翻转吻合式涂布等等上胶涂布技术。

进一步地，压合单元60包括硅胶辊61和覆合辊62，硅胶辊61与覆合辊62上下相对设置，硅胶辊61与覆合辊62之间形成供第一平面电极11和第二平面电极12经过的间隙，硅胶辊61和/或覆合辊62能相互靠拢或远离移动，硅胶辊61与覆合辊62相互靠拢移动实现将第一平面电极11和第二平面电极12覆合压合。在本实施例中，覆合辊62内设有加热器，用于对覆合辊62加热升温，使半固化的介质层13固化。

进一步地，第二传送单元30包括第二卷料辊31和第三卷料辊32，第二卷料辊31与第三卷料辊32相互间隔设置，压合单元60设置于第二卷料辊31与第三卷料辊32之间，第二卷料辊31用于卷绕第二平面电极12或至少形成有一层介质薄膜131的第二平面电极12，第三卷料辊32卷收压合形成的平面电容10。

进一步地，第二平面电极12或至少形成有一层介质薄膜131的第二平面电极12可由第一传送单元20依次传送至涂布单元40与预热箱50形成，之后卷收在第二卷料辊31上。以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。