具体实施方式

在下文中，将参照具体实施例和附图来描述本公开的实施例。然而，本公开的实施例可被修改为具有各种其他的形式，并且本公开的范围不限于以下描述的实施例。此外，本公开的实施例可被提供用于向普通技术人员更完整地描述本公开。因此，为了描述的清楚，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且在附图中由相同的附图标记表示的元件可以是相同的元件。

用于描述诸如元件的1D尺寸(包括但不限于“长度”、“宽度”、“厚度”、“直径”、“距离”、“间隙”和/或“尺寸”)、元件的2D尺寸(包括但不限于“面积”和/或“尺寸”)、元件的3D尺寸(包括但不限于“体积”和/或“尺寸”)以及元件的性质(包括但不限于“粗糙度”、“密度”、“重量”、“重量比”和/或“摩尔比”)的参数的值可通过本公开中描述的方法和/或工具来获得。然而，本公开不限于此。也可使用本领域普通技术人员理解的即使在本公开中没有描述的其他方法和/或工具。

在附图中，为了说明本公开，将省略与描述无关的部分，并且可放大厚度以清楚地示出层和区域。此外，在整个说明书中，除非另有特别说明，否则在不脱离描述的情况下，当元件被称为“包含”或“包括”元件时，其意味着该元件也还可包括其他元件。

在附图中，X方向可被定义为第二方向、L方向或长度方向；Y方向可被定义为第三方向、W方向或宽度方向；Z方向可被定义为第一方向、堆叠方向、T方向或厚度方向。

电子组件

图1是根据本公开的实施例的电子组件的示意性透视图。

图2是图1中的电子组件的除了涂覆部之外的主体部的示意性透视图。

图3是沿着图1中的线I-I'截取的截面图。

图4是图2中的介电层和内电极在其中层叠的主体部的示意性分解透视图。

图5是图3中的P区域的放大图。

在下文中，将参照图1至图5描述根据本公开的实施例的电子组件1000。

根据实施例的电子组件1000可包括：电子组件主体部100，包括主体110和设置在主体110上的外电极131和132，主体110包括介电层111和内电极121和122；以及涂覆部140，包括设置在电子组件主体部100的外表面上的涂覆层140a和设置在涂覆层140a上的多个突起140b。

电子组件主体部100包括主体110和设置在主体110上的外电极131和132。

在主体110中，介电层111以及内电极121和122交替地层叠。

尽管主体110的具体形状不必受到限制，但如图所示，主体110可具有六面体形状等。由于包含在主体110中的陶瓷粉末颗粒在烧结工艺期间的收缩，主体110可不具有完全直线的完美的六面体形状，而总体上可具有大体六面体形状。

主体110可具有在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4并且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。

形成主体110的多个介电层111可处于烧结状态，并且相邻的介电层111可彼此一体化，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下它们之间的边界不容易显而易见。

根据实施例，用于形成介电层111的原材料不必受到限制，只要可从其获得足够的电容即可。例如，原材料可以是钛酸钡基材料、铅复合钙钛矿基材料、钛酸锶基材料等。钛酸钡基材料可包括BaTiO₃基陶瓷粉末颗粒。陶瓷粉末颗粒的示例可以是其中钙(Ca)、锆(Zr)等部分地固溶在BaTiO₃中的(Ba_1-xCa_x)TiO₃、Ba(Ti_1-yCa_y)O₃、(Ba_1-xCa_x)(Ti_1-yZr_y)O₃或Ba(Ti_1-yZr_y)O₃等。

根据本公开的目的，除了陶瓷粉末颗粒之外，可添加各种陶瓷添加剂、有机溶剂、粘合剂、分散剂等作为形成介电层111的原材料。

主体110可包括：电容形成部，设置在主体110中，在电容形成部中形成电容并且电容形成部包括设置为彼此相对且介电层111介于其间的第一内电极121和第二内电极122；以及上保护层112和下保护层113，分别设置在电容形成部上方和下方。

电容形成部有助于形成电容器的电容，并且可通过重复地层叠多个第一内电极121和第二内电极122且相应的介电层111介于它们之间而形成。

上保护层112和下保护层113可分别通过在竖直方向上在电容形成部的上表面和下表面上层叠一个或两个或者更多个介电层来形成，并且可用于防止第一内电极121和第二内电极122被物理应力或化学应力损坏。

上保护层112和下保护层113可不包括内电极，并且可包括与介电层111相同的材料。

内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122交替地设置为彼此相对且构成主体110的相应的介电层111介于其间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。

参照图2和图4，第一内电极121可与第四表面4间隔开并且可通过第三表面3暴露，第二内电极122可与第三表面3间隔开并且可通过第四表面4暴露。

在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过介于其间的相应的介电层111而彼此电分离。

参照图4，主体110可通过交替地层叠其上印刷有第一内电极121的陶瓷生片和其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片，然后烧结层叠的陶瓷生片来形成。

用于形成内电极121和122的材料不必受到限制，而可使用具有改善的导电性的材料。例如，内电极121和122可通过在陶瓷生片上印刷用于内电极的导电膏体来形成，导电膏体包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的至少一种。

可使用丝网印刷法、凹版印刷法等作为内电极的导电膏体的印刷方法，但本公开不限于此。

外电极131和132可设置在主体110上并且分别连接到内电极121和122。另外，外电极131和132可包括第一外电极131和第二外电极132，第一外电极131和第二外电极132分别设置在主体110的第三表面3和第四表面4上以连接到第一内电极121和第二内电极122。

尽管在本实施例中描述了其中电子组件1000包括两个外电极131和132的结构，但外电极131和132的数量、形状等也可根据内电极121和122的形状或其他目的而改变。

外电极131和132可利用诸如金属等的任意材料形成，只要其具有导电性即可，并且可考虑电特性、结构稳定性等来确定。此外，外电极131和132中的每个可具有多层结构。

例如，外电极131和132可包括设置在主体110上的电极层131a和132a，以及形成在电极层131a和132a上的镀层131b和132b。

根据本公开，有机酸和熔融锡(Sn)可通过涂覆层140a的没有设置突起140b的区域(例如，在焊接工艺期间涂覆部140的部分薄的区域)容易地渗透到外电极131和132中以改善可安装性。因此，即使当外电极131和132包括设置在主体110上的电极层131a和132a以及形成在电极层131a和132a上的镀层131b和132b并且涂覆部140设置在镀层131b和132b上时，也可实现改善的可安装性。

作为电极层131a和132a的更详细的示例，电极层131a和132a中的每个可以是包括导电金属和玻璃的烧结电极或者包括导电金属和树脂的树脂基电极。

可选地或附加地，电极层131a和132a可具有其中烧结电极和树脂基电极顺序形成在主体上的形式。电极层131a和132a可通过将包括导电金属的片转印到主体来形成，或者可通过将包括导电金属的片转印到烧结电极来形成。

可使用具有改善的导电性的材料作为包括在电极层131a和132a中的导电金属，并且本公开不限于此。例如，导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)及它们的合金中的至少一种。

作为镀层131b和132b的更详细的示例，镀层131b和132b可以是Ni镀层或Sn镀层，并且可具有其中Ni镀层和Sn镀层顺序形成在电极层131a和132a上的结构，或者其中Sn镀层、Ni镀层和Sn镀层顺序形成的结构。可选地或附加地，镀层131b和132b可包括多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。

涂覆部140可包括设置在电子组件主体部100的外表面上的涂覆层140a和设置在涂覆层140a上的多个突起140b。

由于通过烧结陶瓷粉末颗粒制备的主体通过高温烧结形成，因此具有高表面能的金属氧化物可能暴露在外部。因此，主体表面的亲水性高，并且具有在高温和高湿条件下易于通过凝结在主体表面上的水发生离子迁移的结构。术语“离子迁移”指的是其中导电金属在绝缘体的表面、边界表面和内部溶解并离子化以迁移并沉淀的现象。

已提出了一种在主体表面上涂覆具有低表面能的材料的方法以防止离子迁移。然而，由于不仅主体的外表面而且外电极被涂覆，因此外电极的电连接性劣化。此外，在使用Sn在印刷电路板(PCB)上执行回流焊接的工艺期间，可能发生诸如滑动或未安装的缺陷。

因此，在现有技术中，设置涂覆防止部以防止外电极的表面被涂覆。在涂覆完成之后，去除涂覆防止部。可选地，整体涂覆主体和外电极，然后单独去除涂覆在外电极上的部分。因此，可能降低生产率或者可能增加制造成本。

根据本公开，由于涂覆部140包括设置在电子组件主体部100的外表面上的涂覆层140a和设置在涂覆层140a上的多个突起140b，因此可改善防潮可靠性，并且通过涂覆层140a的没有设置突起140b的区域可确保可安装性并且可改善电连接性。

因此，不需要防止涂覆部140设置在外电极131和132上的工艺或者去除形成在外电极131和132上的涂覆部140的工艺，因此，可提高电子组件1000的生产率并且可降低制造成本。

涂覆层140a可基本上密封电子组件主体部100的孔隙或裂缝，以防止湿气通过主体110的外表面渗透到主体110中。另外，由于有机酸或熔融Sn可通过涂覆层140a的没有设置突起140b的区域(例如，涂覆部140的局部薄的区域)容易地渗透到外电极131和132中，因此可改善可安装性。

根据本公开，由于涂覆层140a可具有薄的部分或局部破裂的区域，因此仅通过涂覆层140a可能无法获得足够的防潮可靠性改善效果。然而，由于多个突起140b设置在涂覆层140a上，因此即使在高温和高湿环境中也可确保足够的防潮可靠性。

涂覆层140a设置为与外电极131和132的外表面接触，并且可设置为与主体110的外表面的没有设置外电极131和132的区域接触。

图6是由原子力显微镜(AFM)捕获的设置在根据本公开的实施例的电子组件的主体的第二表面的在宽度方向和长度方向(Y方向和X方向)上的中央部分的(1μm×1μm)区域上的涂覆部的表面的图像。从图6可看出，最亮部分的高度为3.5nm，最暗部分的高度为-3.0nm，并且涂覆部包括涂覆层(暗部)和设置在涂覆层上的多个突起(亮部)。

涂覆部140的平均厚度可以是5nm至30nm。

当涂覆部140的平均厚度小于5nm时，可能难以确保涂覆部140与水的接触角大于等于100度。当涂覆部140的接触角小于100度时，防潮可靠性改善效果可能不足。

另一方面，当涂覆部140的平均厚度大于30nm时，可能难以在涂覆部中实现局部薄的区域。因此，有机酸和熔融锡(Sn)可能难以在焊接工艺期间渗透到外电极131和132中，这导致可安装性劣化。另外，外电极131和132的电连接性可能劣化，并且可能难以实现其中涂覆部140可包括涂覆层140a和多个突起140b的结构。

在一个示例中，参照图6，涂覆部140的平均厚度可以是相对于在主体的第一表面或第二表面的在宽度方向和长度方向(Y方向和X方向)上的中央部分的(1μm×1μm)区域中选择的具有例如400nm的长度的特定线L1使用椭偏仪测量的涂覆部的厚度的平均值。椭偏仪是可测量薄膜的表面上的入射光与反射光之间的偏振状态的差以测量薄膜的厚度、反射率等的仪器。

多个突起140b中的至少一个可具有大于等于3nm的高度tb。

当多个突起140b中的至少一个的高度tb小于3nm时，涂覆部140的平均厚度可能小于5nm并且防潮可靠性改善效果可能不足。

突起的高度tb可通过用原子力显微镜(AMF)观察涂覆部的表面来测量。

在一个示例中，突起的高度tb可以是在使用原子力显微镜(AMF)沿着在主体的第一表面或第二表面的在宽度方向和长度方向(Y方向和X方向)上的中央部分的(1μm×1μm)区域中选择的具有400nm的长度的特定线L1测量的表面粗糙度的曲线图中位于谷与脊之间的差Δt。

从图7(通过用原子力显微镜(AMF)测量图6中的涂覆部沿着L1的表面粗糙度而获得的表面粗糙度曲线图)可看出，谷与脊之间的差Δt为3.875nm，并且形成了足够的突起。

另外，突起140b的高度tb可大于涂覆层140a的厚度ta的两倍。具体地，这是因为突起140b的高度tb可大于等于涂覆层140a的厚度ta的两倍，以使涂覆部140具有5nm至30nm的平均厚度。

涂覆部的表面的中心线平均粗糙度Ra可大于等于0.3nm。

作为示例，涂覆部的表面的中心线平均粗糙度Ra可以是基于式1从使用原子力显微镜(AMF)沿着在主体的第一表面或第二表面的在宽度方向和长度方向上的中央部分的(1μm×1μm)区域中选择的具有400nm的长度的特定线L1测量的表面粗糙度曲线图获得的值。例如，中心线平均粗糙度Ra以nm表示，且为通过将粗糙度的面积除以基于中心线的测量长度而获得的值。另外，由于中心线平均粗糙度Ra是相对于具有400nm的长度的线而测量的，因此式1中的L具有400nm的长度并且中心线是图7中在竖直轴为0的水平轴方向上的线。

式1：

涂覆部140与水的接触角可大于等于100度。这是因为当涂覆部140与水的接触角小于100度时，防潮可靠性改善效果可能不足。

不需要限制突起140b的宽度，但突起140b的宽度可以是例如30nm至100nm。具体地，这是因为突起140b的宽度可以是30nm至100nm，以使涂覆部140具有5nm至30nm的平均厚度。

不需要限制由多个突起140b占据的面积，但多个突起140b占据的面积可以是例如涂覆部140的总面积的10％至60％。具体地，这是因为由多个突起140b占据的面积为涂覆部140的总面积的10％至60％，以使涂覆部140具有5nm至30nm的平均厚度。

涂覆部140可包括硅氧烷基聚合物和/或氟基聚合物。硅氧烷基聚合物和氟基聚合物可具有低表面能并具有疏水性能以改善防潮可靠性。另外，硅氧烷基聚合物和氟基聚合物可使用气相沉积容易地实现本公开的涂覆部140。在这种情况下，涂覆部140可包括有机材料或利用有机材料制成。

由于涂覆层140a和突起140b可使用单个工艺形成，因此它们可包括相同的材料。

用于制备涂覆部140的方法不必受到限制，并且涂覆部140可使用原子层沉积(ALD)、分子层沉积(MLD)、化学气相沉积(CVD)等来形成。

涂覆层140a'可具有一个或更多个开口。这是因为在特定区域中涂覆层140a'的生长可能不充分，因此可能以破裂的形式存在，如图8B中所示。

在这种情况下，一个或更多个开口的面积可大于0且小于等于涂覆层140a'的总面积的10％。这是因为，当一个或更多个开口的面积大于涂覆层140a'的总面积的10％时，防潮可靠性可能劣化。

制造电子组件的方法

在下文中，将详细描述根据本公开的另一方面的制造电子组件的方法。然而，将省略与电子组件中给出的描述重复的描述以避免重复的描述。

根据本公开的另一方面的制造电子组件的方法可包括制备电子组件主体部以及使用气相沉积形成涂覆部，电子组件主体部包括主体(包括介电层和内电极)和设置在主体上的外电极，涂覆部包括设置在电子组件主体部的外表面上的涂覆层和设置在涂覆层上的多个突起。

制备电子组件主体部

可使用印刷法等将内电极的导电膏体涂覆到陶瓷生片，以印刷内电极。导电膏体的印刷方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等，但本公开不限于此。

可层叠并烧结其上印刷有内电极的陶瓷生片以形成主体110。可根据电容器的电容调整其上印刷有内电极的层叠片的数量。

外电极131和132可形成在主体110上以形成电子组件主体部100。

可通过在主体110上形成电极层131a和132a并在电极层131a和132a上形成镀层131b和132b来形成外电极131和132。

形成电极层131a和132a的方法不必受到限制，并可通过涂覆包括导电金属和玻璃的膏体、包括导电金属和树脂的膏体等来形成电极层131a和132a。可选地或附加地，可通过将包括导电金属的片转印到主体110的方法或将包括导电金属的片转印到烧结电极的方法来形成电极层131a和132a。

形成涂覆部

可使用气相沉积在电子组件主体部100的外表面上形成涂覆部140。

形成涂覆部140的气相沉积可以是原子层沉积(ALD)、分子层沉积(MLD)、化学气相沉积(CVD)等。

当使用引发式化学气相沉积(iCVD)(一种CVD)时，可更容易地实现涂覆部140的形成。这是因为ALD、MLD等可能导致涂覆部具有均匀的显著低的厚度，使得当涂覆部包括涂覆层和多个突起时，可能难以确保防潮可靠性。此外，iCVD可实现这样的结构：涂覆部包括涂覆层和多个突起，同时实现合适的厚度。

根据iCVD，可使腔室(chamber)中的构成涂覆部140的聚合物的单体M蒸发以通过气相聚合反应形成涂覆部140，在气相聚合反应中同时执行聚合物的聚合反应和成膜(film-forming)工艺。可通过iCVD使引发剂I和单体M蒸发，从而可使用气相中的自由基R执行链式聚合反应，以使涂覆部沉积在电子组件主体部100的表面上。

作为详细的示例，可使硅氧烷基聚合物和/或氟基聚合物的单体M蒸发为气相，以通过气相聚合反应形成涂覆部140，在气相聚合反应中同时执行聚合物的聚合反应和成膜工艺。

图8A、图8B和图8C示出了通过气相沉积形成根据本公开的涂覆部的工艺。

参照图8A，在沉积工艺开始时，涂覆材料40b开始附着到主体110的表面的一部分。

参照图8B，随着执行沉积工艺，附着到主体110的表面的部分的涂覆材料开始被分成薄涂覆层140a'和突起140b'。

参照图8C，随着进一步执行沉积工艺，可形成包括涂覆层140a和多个突起140b的涂覆部140，以获得电子组件1000。

当执行沉积工艺非常短的时间段时，可能实现具有均匀厚度的其中不区分涂覆层和突起的涂覆部40，并且会增大涂覆部40的平均厚度从而使外电极的电连接性劣化，如图9中所示。

需要合适地调整沉积工艺所需的时间，使得涂覆部140可包括设置在电子组件主体部100的外表面上的涂覆层140a和设置在涂覆层140a上的多个突起140b。

涂覆层140a'可具有一个或更多个开口。如图8B中所示，这是因为在特定区域中涂覆层140a'的生长不充分，因此，涂覆层140a'可以以局部破裂的形式存在。

在这种情况下，一个或更多个开口的面积可小于等于涂覆层140a'的总面积的10％。这是因为，当一个或更多个开口的面积大于涂覆层140a'的总面积的10％时，防潮可靠性可能劣化。

示例

使硅氧烷基聚合物蒸发以通过气相聚合反应在电容器片的表面上形成具有表1中列出的平均厚度的涂覆部。因此，制备样品片，然后在表1中列出样品中的每个的接触角和中心线平均粗糙度Ra。此外，对样品执行不良的可安装性测试，并在表1中列出测试结果。

涂覆部的平均厚度是相对于在主体的第二表面的在宽度方向和长度方向(Y方向和X方向)上的中央部分的(1μm×1μm)区域中选择的具有400nm的长度的特定线L1使用椭偏仪测量的涂覆部的厚度的平均值。

接触角被按照通过使用接触角测量仪器在(1μm×1μm)区域的特定五个点中测量与水的接触角而获得的值的平均值列出。

中心线平均粗糙度Ra以nm表示，且为在使用原子力显微镜(AFM)相对于测量线测量的表面粗糙度曲线图中将粗糙度的面积除以基于中心线的测量长度而获得的值。

不良的可安装性表示不良的可安装性的样品片的数量。在基板上焊接每种样品中的12个样品片。其中出现立碑(tombstone)或者两个外电极均未固定的情况被确定为不良。术语“立碑”指的是两个外电极中的一个抬起从而导致片向上崛起的现象。

表1

在涂覆部的平均厚度小于5nm的样品编号1至3的情况下，不能确保大于等于100度的接触角，使得防潮可靠性劣化。

在涂覆部的平均厚度大于30nm的样品编号9的情况下，发生不良的可安装性。

此外，在涂覆部的平均厚度为5nm至30nm的样品编号4至8的情况下，接触角大于等于100度，使得防潮可靠性得到改善并且没有发生不良的可安装性。

参照示出表1中的接触角的示图的图10和示出表1中的中心线平均粗糙度Ra的示图的图11，可确认的是，自5nm(涂覆部的平均厚度)起可稳定地确保大于等于100度的接触角，并且可稳定地确保大于等于0.3nm的中心线平均粗糙度Ra。

如上所述，包括涂覆层和设置在涂覆层上的多个突起的涂覆部可设置在电子组件主体部的外表面上以改善防潮可靠性。

另外，可通过涂覆部的没有设置突起的区域来确保可安装性。

此外，可使用气相沉积来实现涂覆部，以提高生产率并降低制造成本。

尽管以上已经示出并描述了实施例，但对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出修改和变型。