具体实施方式

以下，和附图一起对用于实施本发明的方式进行说明。

另外，各实施方式例示性地示出本发明的实施方式，本发明不限定于实施方式的内容。此外，还能够对在不同的实施方式中记载的内容进行组合而实施，该情况下的实施内容也包含在本发明中。此外，附图用于帮助说明书的理解，存在示意性地绘制的情况，存在绘制的构成要素或构成要素间的尺寸的比率与记载于说明书中的这些尺寸的比率不一致的情况。此外，存在说明书中记载的构成要素在附图中被省略的情况、省略个数而绘制的情况等。

在实施方式中，作为陶瓷电子部件举出层叠陶瓷电容器作为例子而进行说明。不过，本申请发明的陶瓷电子部件的种类是任意的，不限于层叠陶瓷电容器。

在图1、图2中，示出实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100。不过，图1是层叠陶瓷电容器100的剖视图。图2是层叠陶瓷电容器100的主要部分剖视图，将层叠陶瓷电容器100的外部电极4、5放大而示出。

层叠陶瓷电容器100具备层叠了多个陶瓷层1a和多个内部电极2、3的陶瓷坯体1。陶瓷坯体1由长方体形状构成。

陶瓷坯体1(陶瓷层1a)的材质是任意的，例如，能够使用以BaTiO₃为主成分的电介质陶瓷。不过，也可以取代BaTiO₃而使用以CaTiO₃、SrTiO₃、CaZrO3等其他材质为主成分的电介质陶瓷。陶瓷层1a的厚度是任意的，但优选为例如0.3μm～3.0μm程度。

作为内部电极2、3的主成分的金属的种类是任意的，例如，能够使用Ni。不过，也可以取代Ni而使用Cu、Ag、Pd、Au等其他金属。此外，Ni、或Cu、Ag、Pd、Au等也可以是与其他金属的合金。内部电极2、3的厚度是任意的，但优选为例如0.1μm～2.0μm程度。还优选在内部电极2、3添加与陶瓷坯体1(陶瓷层1a)相同组分的陶瓷。

多个内部电极2引出到陶瓷坯体1的一个端面。多个内部电极3引出到陶瓷坯体1的另一端面。

在陶瓷坯体1的一个端面形成有外部电极4。在陶瓷坯体1的另一端面形成有外部电极5。外部电极4、5也可以从端面延伸到1对主面以及1对侧面而形成。

多个内部电极2与外部电极4连接。多个内部电极3与外部电极5连接。

外部电极4、5分别具备形成在陶瓷坯体1的外表面的基底电极层6、形成在基底电极层6的外侧的第1Ni镀敷层7、形成在第1Ni镀敷层7的外侧的第2Ni镀敷层9、形成在第2Ni镀敷层9的外侧的Ni-Sn合金层10、和形成在Ni-Sn合金层10的外侧的Sn镀敷层11。

基底电极层6是成为外部电极4、5的基础的电极层。

作为基底电极层6的主成分的金属的种类是任意的，但例如能够使用Cu。不过，也可以取代Cu而使用Ni、Ag、Pd、Au等其他金属。此外，Cu、或Ni、Ag、Pd、Au等也可以是与其他金属的合金。

基底电极层6的厚度是任意的，但在厚度较小的部分中，优选为例如5μm～30μm程度。

基底电极层6优选包含玻璃。这是因为如果包含玻璃，则能够使陶瓷坯体1与外部电极4、5的接合强度提高。

在本实施方式中，如后述那样，对导电性膏进行涂敷并进行烧接而形成了基底电极层6。不过，基底电极层6的形成方法、材质、构造等是任意的，也可以在陶瓷坯体1的烧成时同时形成，还可以通过无电解镀敷、电解镀敷、溅射等其他方法而形成。此外，也可以组合多个形成方法，例如，也可以对导电性膏进行涂敷并进行烧接来形成第1层，并通过电解镀敷形成第2层。

在基底电极层6的外表面形成有第1Ni镀敷层7。第1Ni镀敷层7主要为了使焊料耐热性提高并且使接合性提高而设置。在第1Ni镀敷层7中添加了应力缓和剂。

第1Ni镀敷层7的厚度是任意的，但优选为例如1.0μm～5.0μm程度。这是因为，如果小于1.0μm，则不能充分地使焊料耐热性提高并且使接合性提高。此外，是因为，如果大于5.0μm，则第1Ni镀敷层7的厚度变得不必要地过大。

在第1Ni镀敷层7的外表面形成有Ni氧化物8。Ni氧化物8通常为氢氧化Ni。

在本实施方式中，Ni氧化物8在第1Ni镀敷层7的外表面的整个面呈膜状形成。不过，Ni氧化物8的形成方式多种多样，不限于在第1Ni镀敷层7的外表面的整个面呈膜状形成，也有在第1Ni镀敷层7的外表面部分地呈膜状形成、在第1Ni镀敷层7的外表面呈点状而分散地形成的情况。Ni氧化物8的厚度是任意的，但在呈膜状形成于第1Ni镀敷层7的外表面的整个面的情况下，例如为2nm～10nm程度。

在第1Ni镀敷层7的外侧，之间夹着Ni氧化物8而形成有第2Ni镀敷层9。第2Ni镀敷层9覆盖Ni氧化物8。此外，关于第2Ni镀敷层9，由于在外表面生成的氧化物的量较少(由于氧化覆膜难以形成)，因而形成了第2Ni镀敷层9，由此变得容易形成Ni-Sn合金层10。另外，第2Ni镀敷层9不仅覆盖Ni氧化物8，还存在由于形成了第2Ni镀敷层9从而Ni氧化物8通过电解还原而减少或消失的情况。在第2Ni镀敷层9也添加了应力缓和剂。

第2Ni镀敷层9的厚度是任意的，但优选为例如0.2μm～1.0μm程度。这是因为，如果小于0.2μm，则不能充分地覆盖Ni氧化物8并且与Sn镀敷层11合金化而形成Ni-Sn合金层10。此外，是因为，如果大于1.0μm，则形成第2Ni镀敷层9需要较长的时间。不过，第2Ni镀敷层9与Sn镀敷层11合金化而形成Ni-Sn合金层10，而上述的第2Ni镀敷层9的厚度是形成Ni-Sn合金层10之后的尺寸。

在第2Ni镀敷层9的外侧形成有Ni-Sn合金层10。Ni-Sn合金层10通过形成Sn镀敷层11之后的热处理时的热而合金化从而形成。通过形成Ni-Sn合金层10，在焊接安装时，焊料润湿性提高。即，所谓未形成具备均匀的厚度的Ni-Sn合金层10，是指在镀敷层的外表面生成了较多的氧化物(氧化覆膜较厚)，在焊接安装时，由于焊料、焊料-Sn合金未充分地润湿扩散，未形成良好的焊料圆角，因而存在焊料接合变得不良的担忧。

Ni-Sn合金层10的厚度是任意的，但优选为例如0.1μm～0.3μm程度。这是因为，如果小于0.1μm，则不能充分地使焊料润湿性提高。此外，是因为，如果大于0.3μm，则Ni-Sn合金层10的厚度变得不必要地过大。

在Ni-Sn合金层10的外侧形成有Sn镀敷层11。Sn镀敷层11主要为了与第2Ni镀敷层9合金化而形成Ni-Sn合金层10并且在焊接安装时供给Sn而设置。在焊接安装时，从Sn镀敷层11供给的Sn与焊料混合或者与焊料合金化，由此形成焊料-Sn合金，将外部电极4、5与基板等的电极接合。

Sn镀敷层11的厚度是任意的，但优选设为例如1.0μn～5.0μm程度。这是因为，如果小于1.0μn，则在Ni-Sn合金层10形成时、焊料接合时，不能供给充分的量的Sn。此外，是因为，如果大于5.0μm，则Sn镀敷层11的厚度变得不必要地过大。

由以上的构造构成的实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100(陶瓷电子部件)例如能够通过图3A～图4F所示的制造方法制造。

首先，制作图3A所示的陶瓷坯体1。如图1、图2所示，陶瓷坯体1在内部具备内部电极2、3。

虽然图示省略，但首先准备电介质陶瓷的粉末、粘合剂树脂、溶剂等，将它们湿式混合而制作陶瓷浆料。

接下来，使用金属型涂布机(die coater)、凹版涂布机、微凹版涂布机等在载体膜上呈片状涂敷陶瓷浆料，并使其干燥，制作陶瓷生片。另外，在陶瓷生片的制作中，也可以取代涂布机而使用刮刀(Doctor Blade)等。

接下来，为了在给定的陶瓷生片的主面形成内部电极2、3，将预先准备的导电性膏涂敷(例如印刷)成期望的图案形状。另外，在成为外层的陶瓷生片不涂敷导电性膏。另外，对于导电性膏，例如能够使用将溶剂、粘合剂树脂、金属粉末(例如Ni粉末)等混合了的导电性膏。

接下来，按照给定的顺序层叠陶瓷生片，进行加热压接而使其一体化，制作未烧成陶瓷坯体。另外，在制作的未烧成陶瓷坯体是包括多个未烧成陶瓷坯体的母未烧成陶瓷坯体的情况下，还优选在该阶段，将母未烧成陶瓷坯体分割成单个未烧成陶瓷坯体。

接下来，以给定的外形对未烧成陶瓷坯体进行烧成，完成陶瓷坯体1。还优选在烧成之前，实施脱粘合剂处理，使未烧成陶瓷坯体中包含的粘合剂树脂消失或者减少。通过对未烧成陶瓷坯体进行烧成，从而陶瓷生片被烧成而变成陶瓷层1a，涂敷在陶瓷生片的主面的导电性膏同时被烧成而变成内部电极2、3。

接下来，如图3B所示，在陶瓷坯体1的外表面形成基底电极层6。具体地，首先涂敷导电性膏。在涂敷的导电性膏中，混合有溶剂、粘合剂树脂、金属粉末(例如Cu粉末)、玻璃粉(Glass Frit)等。接下来，将导电性膏加热到给定的温度，并烧接在陶瓷坯体1的外表面，形成基底电极层6。

接下来，如图3C所示，在基底电极层6的外表面通过电解镀敷形成第1Ni镀敷层7。在用于形成第1Ni镀敷层7的Ni镀敷浴中，添加了应力缓和剂。

在本实施方式中，将用于形成第1Ni镀敷层7的Ni镀敷浴的温度设定为约60℃。将Ni镀敷浴的温度设为约60℃的高温，是为了提高镀敷形成效率，在短时间内形成第1Ni镀敷层7。另一方面，应力缓和剂的种类是任意的，能够使用一般作为应力缓和剂而使用的物质。

如果将形成了第1Ni镀敷层7的陶瓷坯体1从Ni镀敷浴提起，则如图4D所示，在第1Ni镀敷层7的外表面，在极短时间内形成Ni氧化物8(通常，是氢氧化Ni)。即，(a)添加了应力缓和剂的Ni镀敷覆膜的晶粒较小且存在较多的晶界、(b)在从Ni镀敷浴提起的第1Ni镀敷层7的外表面附着有Ni镀敷液、(c)由于Ni镀敷浴为高温(约60℃)从而第1Ni镀敷层7以及附着在第1Ni镀敷层7的Ni镀敷液变成了高温、(d)从Ni镀敷浴提起的第1Ni镀敷层7暴露在空气中的氧中这样的使Ni氧化物的形成加速的4个主要原因(a)～(d)叠加，因而在第1Ni镀敷层7的外表面，在极短时间内形成Ni氧化物8。

接下来，如图4E所示，在第1Ni镀敷层7的外侧，之间夹着Ni氧化物8而通过电解镀敷形成第2Ni镀敷层9。在本实施方式中，在用于形成第2Ni镀敷层9的Ni镀敷浴中，使用与形成了第1Ni镀敷层7的Ni镀敷浴相同组分的Ni镀敷浴。不过，也可以使用不同的组分的Ni镀敷浴。在用于形成第2Ni镀敷层9的Ni镀敷浴中，也添加了应力缓和剂。

在本实施方式中，将用于形成第2Ni镀敷层9的Ni镀敷浴的温度设定为约30℃。将Ni镀敷浴的温度设为约30℃的低温，是为了在将形成了第2Ni镀敷层9的陶瓷坯体1从Ni镀敷浴提起时，抑制在第2Ni镀敷层9的外表面形成Ni氧化物(通常，是氢氧化Ni)。即，为了将使Ni氧化物的形成加速的4个主要原因(a)～(d)中的(c)由于Ni镀敷浴为高温从而Ni镀敷层以及附着在Ni镀敷层的Ni镀敷液变成了高温这样的主要原因除外。不过，如果将Ni镀敷浴的温度设为约30℃的低温，则与Ni镀敷浴的温度为约60℃的高温的情况相比，不能进行高电流密度区域中的镀敷，因而形成相同厚度的Ni镀敷层所需要的时间变长。

根据本实施方式的制造方法，由于将Ni镀敷浴的温度设定为约30℃的低温，因而即使将陶瓷坯体1从Ni镀敷浴提起，也不会在第2Ni镀敷层9的外表面，在短时间内形成妨碍Ni-Sn合金层10的形成的程度的大量的Ni氧化物。不过，随着时间的经过，有时会在第2Ni镀敷层9的外表面形成Ni氧化物，因而优选为，将形成了第2Ni镀敷层9的陶瓷坯体1从Ni镀敷浴提起之后，无延迟地开始接下来的形成Sn镀敷层11的工序。

形成在第1Ni镀敷层7的外表面的Ni氧化物8被第2Ni镀敷层9覆盖。此外，存在在形成第2Ni镀敷层9时Ni氧化物8被新的Ni通过电解还原而除去从而减少的情况。此外，还存在在形成第2Ni镀敷层9时Ni氧化物8被新的Ni通过电解还原而除去从而消失的情况。

接下来，如图4F所示，在第2Ni镀敷层9的外侧通过电解镀敷，形成Sn镀敷层11。在本实施方式中，将用于形成Sn镀敷层11的Sn镀敷浴的温度设定为约60℃。其结果是，在第2Ni镀敷层9的外侧形成Sn镀敷层11，并且在第2Ni镀敷层9与Sn镀敷层11之间形成Ni-Sn合金层10。

Ni-Sn合金层10是通过形成Sn镀敷层11之后的热和时间的经过，在第2Ni镀敷层9与Sn镀敷层11之间，Ni和Sn相互扩散而合金化，从而形成的合金层。在本实施方式中，形成在第1Ni镀敷层7的外侧的Ni氧化物8被第2Ni镀敷层9覆盖，并且在第2Ni镀敷层9的外表面处的Ni氧化物的形成被抑制，因而在第2Ni镀敷层9的外表面，形成具备均匀的厚度的良好的品质的Ni-Sn合金层10。此外，在Ni-Sn合金层10的外表面，在Ni-Sn合金层10的形成中未使用的Sn作为Sn镀敷层11而残存。

通过以上，本实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100完成。另外，也可以在形成Sn镀敷层11之后，进一步进行热处理。在该情况下，存在Ni-Sn合金层10通过热处理的热而进一步生长的情况。

关于本实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100，在外部电极4、5的第2Ni镀敷层9的外表面生成的氧化物的量较少(氧化覆膜较薄)，且在第2Ni镀敷层9与Sn镀敷层11之间形成有具备均匀的厚度的良好的品质的Ni-Sn合金层，因而具备优异的焊料润湿性。因此，层叠陶瓷电容器100在焊接安装中，在外部电极4、5形成良好的焊料圆角，外部电极4、5与基板等的电极良好地接合。

此外，关于本实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100，在外部电极4、5的第1Ni镀敷层7以及第2Ni镀敷层9中，分别添加了应力缓和剂，因而在焊接安装(回流焊安装)时、安装的基板挠曲时，难以在陶瓷坯体1产生裂纹。

以上，对实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100(陶瓷电子部件)以及层叠陶瓷电容器100的制造方法的一个例子进行了说明。然而，本发明不限定于上述的内容，能够遵从发明的主旨而进行各种的变更。

例如，在实施方式中，作为陶瓷电子部件，举出层叠陶瓷电容器100为例子而进行了说明，但本申请发明的陶瓷电子部件的种类是任意的，不限于层叠陶瓷电容器。本申请发明的陶瓷电子部件例如也可以是陶瓷电感器、陶瓷LC复合部件、陶瓷热敏电阻等其他种类的陶瓷电子部件。此外，关于本申请发明的陶瓷电子部件，只要具备陶瓷坯体即可，陶瓷坯体不需要是层叠构造。此外，在陶瓷电子部件为陶瓷电容器的情况下，不限于具备两个外部电极的陶瓷电容器，也可以是具备3个以上的外部电极的陶瓷电容器。

此外，在实施方式中示出的外部电极4、5的构造、材质等是一个例子，例如，也可以进一步追加电极层等。此外，在实施方式中，涂敷导电性膏并将其烧接而形成了基底电极层6，但基底电极层6也可以通过他方法形成。

此外，在实施方式中，Ni氧化物8在第1Ni镀敷层7的外表面的整个面呈膜状形成，但取代于此，有在第1Ni镀敷层7的外表面部分地呈膜状形成、或在第1Ni镀敷层7的外表面呈点状分散地形成的情况。另外，存在在形成第2Ni镀敷层9时，Ni氧化物8减少或消失的情况。

此外，在实施方式中，将用于形成第1Ni镀敷层7的Ni镀敷浴的温度设定为约60℃，将用于形成第2Ni镀敷层9的Ni镀敷浴的温度设定为约30℃，但关于这些温度，在满足用于形成第2Ni镀敷层9的Ni镀敷浴的温度低于用于形成第1Ni镀敷层7的Ni镀敷浴的温度这样的条件的范围内，能够适当变更。

本发明的一个实施方式涉及的陶瓷电子部件如在“发明内容”一栏中记载的那样。

在该陶瓷电子部件中，还优选进一步具备形成在第2Ni镀敷层的外侧的Ni-Sn合金层和形成在Ni-Sn合金层的外侧的Sn镀敷层。在该情况下，通过Ni-Sn合金层，外部电极显现优异的焊料润湿性。

此外，还优选为，Ni-Sn合金层的覆盖范围(覆盖率)为100％。在该情况下，在镀敷层的外表面生成的氧化物的量较少(氧化覆膜较薄)，因而外部电极显现更加优异的焊料润湿性。

此外，本发明的一个实施方式涉及的陶瓷电子部件的制造方法如在“发明内容”一栏中记载的那样。

在该陶瓷电子部件的制造方法中，还优选为，形成第1Ni镀敷层的Ni镀敷浴的温度为40℃以上。在该情况下，能够以较高的镀敷形成效率在短时间内形成第1Ni镀敷层。

此外，形成第2Ni镀敷层的Ni镀敷浴的温度优选为35℃以下，进一步优选为30℃以下。在该情况下，能够抑制在第2Ni镀敷层的外表面形成Ni氧化物。

此外，还优选为，形成第1Ni镀敷层的Ni镀敷浴的组分和形成第2Ni镀敷层的Ni镀敷浴的组分相同。在该情况下，能够均匀地形成第1Ni镀敷层和第2Ni镀敷层。此外，Ni镀敷浴的管理变得容易。

此外，还优选为，在形成第2Ni镀敷层的工序中，形成在第1Ni镀敷层的外表面的Ni氧化物减少。

对本发明的实施方式进行了说明，但应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。本发明的范围由权利要求书示出，旨在包含与权利要求书均等的意思以及范围内的所有变更。