阅读说明：本技术 用于确认仪器中带电粒子产生的方法及相关的仪器 (Method for confirming charged particle generation in an instrument and associated instrument ) 是由 詹姆斯·亚瑟·凡高登 于 2019-02-11 设计创作，主要内容包括：本发明提供多种用于确认一仪器中带电粒子产生的方法。一种确认一仪器中带电粒子产生的方法包括：当所述带电粒子光学系统位于一腔室时,为所述仪器的一带电粒子光学系统提供电连接。所述方法包括：将一电子部件耦合到在所述腔室内产生的带电粒子电流,所述电子部件包括一阻抗。此外,所述方法包括：通过所述电子部件测量对所述带电粒子电流的一电响应。本发明还提供多种相关的仪器。(The present invention provides various methods for confirming charged particle generation in an instrument. A method of confirming charged particle generation in an instrument comprising: providing an electrical connection to a charged particle optical system of the instrument when the charged particle optical system is in a chamber. The method comprises the following steps: an electronic component is coupled to the charged particle current generated within the chamber, the electronic component including an impedance. Further, the method comprises: an electrical response to the charged particle current is measured by the electronic component. The invention also provides a plurality of related instruments.)

用于确认仪器中带电粒子产生的方法及相关的仪器

相关申请

本申请主张于2018年2月13日提交的美国临时专利申请序号62/629,854的权益及优先权，其内容通过引用结合于本文中，如同在此全文引用一样。

技术领域

本发明涉及多种质谱仪及其他多种用于产生带电粒子的仪器。

背景技术

质谱仪是将样品电离，然后确定所形成的离子集合的质荷比的装置。飞行时间质谱仪(TOFMS)是一种著名的质谱仪，在这种质谱仪中，离子的质荷比取决于在电场作用下，一离子从所述离子源传输到一检测器所需的时间。TOFMS中的光谱质量反映了离子束加速进入一无场漂移区(field free drift region)之前的所述离子束的初始条件。具体地，导致相同质量的离子具有不同的动能及/或从空间中的不同位点加速的任何因素都可能导致一光谱分辨率下降，从而导致一质量准确度下降。

基质辅助激光解吸电离(MALDI)是一种制备用于质谱分析的气相生物分子离子的方法。MALDI-TOF延迟萃取技术(DE)的发展使得基于MALDI仪器的高分辨率分析成为常规。在DE-MALDI中，在激光触发电离事件及加速脉冲应用于TOF源区之间增加了一个短延迟。快离子(即高能离子)比慢离子走得更远，从而将电离时的能量分布转化为加速时的一空间分布(在提取脉冲应用之前的电离区域)。

参见美国专利第5625184号、第5627369号、第5760393号及第9536726号。另请参见Wiley等人的《提高分辨率的飞行时间质谱仪》，科学仪器评论期刊，第26卷，第12期，第1150至1157页(2004年)；M.L.Vestal的《现代MALDI飞行时间质谱法》，《质谱学期刊》，第44卷，第3期，第303至317页(2009年)；Vestal等人的《基质辅助激光解析电离飞行时间的分辨率及质量准确度》，《美国质谱学会杂志》，第9卷，第9期，第892至911页(1998年)；以及Vestal等人的《蛋白质组学的高性能MALDI-TOF质谱法》，国际质谱杂志，第268卷，第2期，第83至92页(2007年)。这些文件的内容在此以引用的方式并入本文件，如同在本文中完整地叙述一样。

发明内容

本发明的实施例涉及多种用于确认带电粒子产生的方法。根据一些实施例，一种用于确认一仪器中带电粒子产生的方法，所述方法包括：当一带电粒子光学系统位于一腔室时，为所述质谱仪的所述带电粒子光学系统提供电连接。所述方法可包括：将一电子部件耦合到在所述腔室内产生的带电粒子电流，所述电子部件包括一阻抗。此外，所述方法可包括：通过所述电子部件测量对所述带电粒子电流的一电响应。

在一些实施例中，为所述带电粒子光学系统提供所述电连接可包括：接地或施加一电压到所述带电粒子光学系统的多个相邻的离子光学屏或多个板。所述电子部件可包括位于所述腔室外面的一电组器，以及所述阻抗可包括所述电阻器的一电阻值，所述电阻值介于10千欧姆(kΩ)及100兆欧姆(MΩ)之间。此外，接地或施加所述电压到所述带电粒子光学系统的多个相邻的离子光学屏或多个板可包括：将所述带电粒子光学系统的一提取板接地；当一后偏置板在所述腔室中且所述电阻在所述腔室外部时，将所述电阻器的一第一侧连接到所述带电粒子光学系统的所述后偏置板；当一电源在所述腔室外部时，将所述电源连接到所述电阻器的一第二侧；以及当所述电源在所述腔室外部时，经由所述电源施加所述电压。

在一些实施例中，所述电阻器的所述电阻值介于100kΩ及100MΩ之间。附加地或替代地，所述方法可包括：断开附接到所述带电粒子光学系统中除了所述提取板及所述后偏置板以外的一部件的一电缆。此外，在一些实施例中，所述方法可包括：当所述提取板接地时，朝向位于所述腔室内的一样品板发射所述仪器的一激光以在所述腔室内产生所述带电粒子电流，同时所述电阻器的所述第一侧及所述第二侧分别连接到所述后偏置板及所述电源，并且所述电源施加所述电压。发射所述激光可包括：朝向位于所述样品板上的一样品发射所述激光；以及所述方法可包括：朝向不具有任何样品的一空白载玻片发射所述激光；以及所述方法可包括：确定通过向所述空白载玻片发射激光所产生的一可测量的电流是否经过所述电阻器。

在一些实施例中，所述方法可包括：移除所述带电粒子光学系统的一下游带电粒子光学部件。当移除所述下游带电粒子光学部件时，将所述电子部件与所述带电粒子电流耦合。

在一些实施例中，所述仪器可包括一质谱仪，以及所述方法可包括：确定所述质谱仪未生成信号。此外，其中为所述带电粒子光学系统提供所述电连接可包括：响应于确定所述质谱仪未生成信号，提供所述电连接的一第一状态，所述第一状态不同于所述电连接的一先前的第二状态。

在一些实施例中，所述带电粒子电流可为一测量的离子电流，以及其中所述方法可包括：将所述测量的离子电流与一预定值进行比较，从而确定由所述腔室产生的离子的一数量。此外，所述带电粒子电流可包括在所述腔室内产生的一电子束的一电流。

在一些实施例中，耦合可包括朝向所述腔室内的一目标发射所述仪器的一激光，从而产生所述带电粒子电流。所述方法可包括：响应于由所述电子部件测量的对所述带电粒子电流的所述电响应，调整所述激光的激光能量及/或激光焦点。附加地或替代地，提供所述电连接是在所述腔室处于真空压力下进行的。

一种在一仪器中确认电离的方法，根据一些实施例，所述方法包括：当一第一板或屏位于处于真空压力下的一腔室内，将所述仪器的一离子光学系统的所述第一板或屏接地。所述方法可包括：当一第二板或屏在所述腔室内时，将包含一阻抗的一电子部件的一第一侧连接到所述离子光学系统的所述第二板或屏。所述方法可包括：当一电源在所述腔室外部时，将所述电源连接到所述电子部件的一第二侧。所述方法可包括：当所述电源在所述腔室外部时，经由所述电源施加一电压。所述方法可包括：当所述第一板或屏接地时，朝向所述仪器的一样品板发射所述仪器的一激光，同时所述电子部件的所述第一侧及所述第二侧分别连接到所述第二板或屏及所述电源，而所述电源施加所述电压。此外，所述方法可包括：当所述样品板在所述腔室内时，将所述电子部件与所述样品板上的一样品产生的离子电流耦合。

在一些实施例中，所述仪器可包括一质谱仪，所述电子部件可以是位于所述腔室外部的一电阻器。所述阻抗可以是所述电组器的一电阻值，所述电阻值介于100kΩ及100MΩ之间；以及所述方法可包括：确定所述质谱仪未产生信号。此外，所述第一板或屏可以是一提取板；所述第二板或屏可以是一后偏置板；以及响应于确定所述质谱仪未产生信号，从而接地并连接所述第一侧。

在一些实施例中，所述方法可包括：测量所述电子部件对所述离子电流的一第一电响应。所述方法可包括：朝向不具有任何样品的一空白载玻片发射所述激光。此外，所述方法可包括：通过所述电子部件测量一第二电响应，或者检测所述第二电响应是否不存在，从而朝向所述空白载玻片发射所述激光。附加地或替代地，所述方法可包括：将所述离子电流与一预定值进行比较，从而确定生成的离子的一数量。

根据一些实施例，一仪器可包括：一腔室，包括：一离子光学系统，包括一第一板或屏及一第二板或屏。所述腔室还可以包括一样品板。所述仪器还可以包括一电源，位于所述腔室外部；以及一电子部件，可连接于所述第二板或屏及所述电源之间。所述电子部件可具有一阻抗，并且所述电子部件配置用以接收由所述腔室产生的带电粒子电流。

在一些实施例中，所述仪器可包括一质谱仪，所述电子部件可以是位于所述腔室外部的一电阻器，并且其中所述阻抗可以是所述电组器的一电阻值，所述电阻值介于10千欧姆(kΩ)及100兆欧姆(MΩ)之间。附加地或替代地，所述离子光学系统的一偏转器部分可从所述离子光学系统移除。

在一些实施例中，所述仪器可包括：一激光器，配置用以朝向所述样品板发射，同时所述电阻器的一第一侧及一第二侧分别连接到所述第二板或屏及所述电源，并且所述电源施加一电压。所述电阻器配置用以接收由位于所述样品板上的一样品产生的离子电流。所述电阻器的所述电阻值可包括一预定值，所述预定值介于100kΩ及100MΩ之间。此外，所述第一板或屏可以是一提取板，以及所述第二板或屏可以是一后偏置板。

在一些实施例中，所述仪器可包括：一短路插塞，通过所述短路插塞，所述提取板可接地。当所述提取板接地时，所述激光器配置用以朝向所述样品板发射。附加地或替代地，所述仪器可包括一开关，通过所述开关，所述提取板可切换地接地。所述开关位于所述腔室外部，以及当所述提取板接地时，所述激光器配置用以朝向所述样品板发射。此外，所述仪器可包括：一开关，通过所述开关，所述电阻器可切换地连接在所述后偏置板及所述电源之间，其中所述开关位于所述腔室外部。

本领域的普通技术人员将从阅读附图及随后的示例性实施例的详细描述中理解本发明的其他特征、优点及细节，这种描述仅是对本发明的说明。

应当注意，尽管未针对一个实施例来描述本发明的各个方面，但是可以将一个实施例结合到另一个实施例中。即，可以以任何方式及/或组合来组合所有实施例及/或任何实施例的特征。申请人保留更改任何原始提出的权利要求或相应地提出任何新权利要求的权利，包括能够修改任何原始提出的权利要求以依附于及/或结合任何其他权利要求的任何特征的权利，尽管这些权利并非最初主张的权利。在下文阐述的说明书中详细解释了本发明的这些及其他目的及/或方面。

附图说明

图1A是根据本发明的实施例的一仪器的一立体图。

图1B是根据本发明的实施例的一仪器及一光源的一立体图。

图2A示出根据本发明的实施例的一仪器及光源的一示意图。

图2B示出根据本发明的实施例中，图2A的所述腔室的一方框图。

图2C示出根据本发明的实施例中，图2A的所述仪器的一处理器控制系统的一方框图。

图2D示出根据本发明的实施例中，可以使用的一示例处理器及存储器的一方框图。

图3A至图3E示出根据本发明的实施例中，耦合至图2A及图2B的所述腔室的一离子光学系统的一外部电阻器的示意图。

图4A至图4E示出根据本发明的实施例中，用于确认在一仪器中电离或其他带电粒子产生的流程图。

图5A示出根据本发明的实施例中，在一空白载玻片上发射的一仪器的一示波器轨迹图。

图5B示出根据本发明的实施例中，在一样品载玻片上发射的一仪器的一示波器轨迹图。

图6示出根据本发明的一些实施例中，图2A及图2B的所述腔室内部的一部份截面立体图。

图7示出根据本发明的一些实施例中，连接到一处理器及一激光源的一电阻器的一方框图，用于校准激光能量及/或激光聚焦。

图8示出根据本发明的一些实施例中，用于校准激光能量及/或激光聚焦的示例性方法的一流程图。

图9A示出根据本发明的一些实施例中，可以与一仪器一起使用的安全高压(SHV)穿通密封件。

图9B示出根据本发明的一些实施例中，可以与一仪器一起使用的一SHV插线电缆。

具体实施方式

现在将在下文中参考附图以更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的多个说明性实施例。相同的数字表示相同的元件，并且可以使用不同数字的上标指示符号(例如10、10’、10”、10”’)来指定相同元件的不同实施例。

在一质谱仪/系统的组装期间(及/或在操作期间)，进行诊断以确认电离的发生可能是有利的，例如：由于一MALDI过程而发生的电离。根据本发明的实施例，例如：可以利用所述仪器/系统的现有光学器件来提供一诊断，其中所述仪器/系统作为一电荷收集板。此外，可以利用一外部的直流(DC)电源来偏置所述离子光学器件的多个板中的一个。

图1A及图1B示出仪器10的一个示例，例如：一质谱仪10M。如图1A所示，所述仪器10包括具有一前壁10f的一壳体10h，所述前壁10f具有带有一用户界面的一显示器10d。所述壳体10h还具有至少一个样品进入端口10p，所述样品进入端口10p的尺寸及构造能够容纳载玻片。可以使用一个或多个端口10p。每个端口10p可以被配置为仅作为入口、仅作为出口，或者被配置为用于样品载玻片(例如：用于图2A的一样品板230)的一入口及出口，从而用于分析。

如图1B所示，根据本发明的实施例，一仪器10可以使用至少一个光源20。在一些实施例中，所述仪器10可以是一质谱仪10M，并且所述壳体10h可以包括至少一个样品进入端口10p，所述样品进入端口10p配置为接收用于质谱仪10M的载玻片。例如，所述质谱仪10M可以是一桌上型质谱仪，如经由桌子30所示。此外，可以经由一真空泵60将所述仪器10的一个或多个部分泵送/抽空至一期望的压力。所述真空泵60及/或所述光源20可以在所述壳体10h的板上(例如：内部)，或者可以作为所述仪器10的一外部***部件而提供。

所述至少一个光源20可以提供光以在所述仪器10内产生离子。例如，所述光源20可以包括一激光器20LS，所述一激光器20LS将激光提供给所述仪器10。例如，所述激光器20LS可以是一固态激光器，例如：波长在320纳米(nm)以上的一紫外线(UV)激光器。在一些实施例中，所述固态激光器20LS可以产生一波长介于大约347纳米及大约360纳米之间的一激光束。所述固态激光器20LS可以替代地是一红外线激光器或一可见光激光器。

此外，尽管在本文中使用术语“光源”及“激光”来讨论示例，但是所述光源20可以包括通过向位于所述仪器10内部的一目标/装置供应光/能量而在所述仪器10内部产生带电粒子的任何类型的光源。例如，所述光源20可以配置为向所述仪器10中的一样品板230(图2A)提供各种类型的光/能量的脉冲之一，以产生带电粒子的一脉冲。在一些实施例中，因为来自所述光源20的光可以被引导到所述样品板230以产生离子，所以所述光源20及所述样品板230可以被共同地(或甚至单独地)称为“离子源(ion source)”。

图2A示出了一仪器10及一光源20的一示意图。所述仪器10包括：一腔室210，所述腔室210可以是“采集腔室”、“处理腔室”、“真空腔室”、“真空环境下的腔室”或“真空室”。所述腔室210的内部是一样品板230(或其他目标230T)及一离子光学系统220，其在本文中也可称为“离子光学器件”或“离子光学组件”。

所述离子光学系统220可配置为从所述光源20接收光/能量20L，并将所述光/能量20L引导至所述样品板230。所述光/能量20L可使所述样品板230产生一离子电流230C，所述离子电流230C通过所述离子光学系统220、通过一飞行管240并进入一检测器250。可以将测量所述离子电流230C作为在所述仪器10中确认电离的一诊断方法/模式的一部分。因此，如本文所用，术语“诊断”是指关于所述仪器10的诊断，而不是关于患者的诊断。

除了所述离子电流230C，在一些实施例中，所述仪器10可以从一光子源260向所述检测器250提供光子260P。如图2A所示，所述样品板230可以邻近所述采集腔室210的一第一端210E。所述采集腔室210的所述第一端210E及所述检测器250的一第二端250E可以在所述仪器10的相对端/部分上。

图2B示出了图2A的所述腔室210的一方框图。在所述腔室210内的所述离子光学系统220可包括一提取板221及一后偏置板222。此外，所述离子光学系统可包括一偏转板(deflector plate)。在一些实施例中，所述偏转板223可以省略或从离子所述光学系统220中移除。

一电阻器201及一电源202设置在所述腔室210的外部。所述电阻器201可连接(例如：转换地耦接)在所述后偏置板222及所述电源202之间。作为一示例，所述电阻器201的第一侧/端及第二侧/端可以分别连接到所述后偏置板222及所述电源202。所述电阻器201的一电阻值可介于10千欧姆(kΩ)及100兆欧姆(MΩ)之间，使得所述电阻器201配置用以接收由位于所述样品板230上的一样品产生的离子电流230C。因此，在此描述的测量的电流是通过所述电阻器201的所述离子电流230C。例如，当所述离子电流230C通过所述电阻器201时，可以经由测量通过所述电阻器201的一电响应来测量所述离子电流230C，因为在所述腔室210内产生离子会导致横跨所述电阻器201的电压及电流发生变化。此外，所述电源202可连接在所述样品板230及所述电阻器201之间。

尽管本文的一些示例描述了一样品板230上的一样品，但是在一些实施例中，可以将所述光20L引导至一测试板或其他目标230T而不是所述样品板230。另外地或替代地，在一些实施例中，可以将所述电阻器201、所述电源202及所述离子光学系统220的所述组合/耦合称为“系统”，例如一诊断系统。此外，因为所述电阻器201在所述真空腔室210的外部，所以所述电阻器201通常处于大气压下。然而，在一些实施例中，所述电阻器201可以在所述真空腔室210内。附加地或替代地，可以使用具有一阻抗的任何电子组件(例如：电感器或电容器)来代替所述电阻器201，因为所述电阻器201仅仅是具有一阻抗的一电子部件的一个示例。

图2C示出了一处理器控制系统270C的一方框图。所述处理器控制系统270C可包括一个或多个处理器270，所述处理器270可配置为与所述光源20、所述电阻器201、所述检测器250及/或所述光子源260连通。例如，所述光源20及/或所述光子源260的操作可以在处理器270的控制下执行。此外，可以经由所述处理器270处理来自所述电阻器201的一信号(例如：经由耦合到所述电阻器201的探针提供的信号)，从而测量通过所述电阻器201的所述离子电流230C。此外，由所述检测器250响应于接收离子及/或光子260C而产生的数据可以被提供给所述处理器270以进行处理。所述处理器270可以在所述仪器10的内部及/或外部。

图2D示出了根据本发明的多种实施例中，可以使用的一示例性处理器270及存储器280的一方框图。所述处理器270经由一地址/数据总线290与所述存储器280连通。所述处理器270可以是例如市售或定制的微处理器。此外，所述处理器270可以包括多个处理器。所述存储器280代表包含用于实现本文所述的各种功能的软件及数据的存储装置的总体层次结构(overall hierarchy)。所述存储器280可以包括但不限于以下类型的装置：高速缓冲存储器、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、快闪存储器、静态RAM(SRAM)及动态RAM(DRAM)。

如图2D所示，所述存储器280可以保存各种类别的软件及数据，例如：一操作系统283。所述操作系统283可以控制所述仪器10的操作。特别地，所述操作系统283可以管理所述仪器10的资源并且可以协调所述处理器270执行各种程序。

图3A至图3E示出耦合至图2A及图2B的所述离子光学系统220的所述电阻器201的示意图。参考图3A，所述电阻器201的一第一侧连接到所述离子光学系统220的所述后偏置板222，以及所述电阻器201的一第二侧连接到所述电源202。如关于图2B所讨论的内容，所述后偏置板222在所述腔室210内部，而所述电阻器201及所述电源202在所述腔室210外部。在所述腔室210内部的所述样品板230产生离子230I，所述离子230I朝向所述后偏置板222流动。所述离子230I的这种流动在本文中可以称为离子电流230C。

所述离子光学系统220的所述提取板221可以连接接地导体(即，地电位)GND。特别地，图3A示出了当所述提取板221连接接地导体GND时的离子行为。电场方向的反转可能导致离子减速至接近零的一速度，而不是沿一相反/逆向的方向提供一速度。如果所述提取板221替代地连接到电源，则所述提取板221可以提供离子行进到所述后偏置板222，所述后偏置板222在本文中也可以称为“电荷收集板”。

所述样品板230可以同时连接到接地导体GND及所述电源202，所述电源202可配置用以提供小于1000伏特(V)的一电压。例如，所述电源202可以配置用以提供约200伏特的一电压。然而，可以提供介于30伏特及1000伏特之间的任何电压。由于样品板230表面上的一导电涂层，所述样品板230可在一给定时间处于单一电压。接地导体GND(0V)的含义是参考相对于电压源202的另一端的电压。

参考图3B，所述电阻器201可以用作一电流试验电阻器(Current-ViewingResistor)。基于欧姆定律，横跨所述电阻器201的电压201V取决于电流的大小。由于在单个电离事件期间仅产生很小的电流，因此所述电阻器201的电阻值应足够大，以利于测量所述电压201V响应。然而，所述电阻值应足够小，以使测量的电压201V不会损坏测试设备，包括用于偏置所述后偏置板222的所述电源202。这样，适用于所述电阻器201的电阻值介于约10KΩ及约100MΩ之间。例如，所述电阻器201可具有约1MΩ的一电阻值。在一些实施例中，所述电阻值可介于约100KΩ及约100MΩ之间。此外，如果对测量的CVR电压201V进行充分的信号滤波、处理及放大，甚至可以使用低于100KΩ的一电阻值。因此，在一些实施例中的一电阻值可低于约10KΩ。所述电阻值可以是一已知/预定的值。

图3B还示出可用于测量横跨所述电阻器201的所述CVR电压201V的多个探针310。每一个探针310可具有一电组及一电容。例如，每一个探针可具有一10MΩ的电阻及一11微微法拉(pF)的电容。

此外，从所述样品板230提供给所述后偏置板222的所述离子电流230C可以是一随时间变化的离子束电流230C’。另外，图3B示出所述腔室210的压力状态210S，当产生所述随时间变化的离子束电流230C’并且测量所述CVR电压201V时，所述压力状态可以是真空状态。在使所述腔室210不排气的情况下执行本文所述的电流/电压测量可能是有利的，因为对腔室210进行排气可能会导致在排气后需要数小时的泵送时间来恢复真空压力。在真空中操作的另一个(以及可能更重要的)原因是由于在较高压力下离子230I的平均自由程减小，因此所述离子230I无法到达电荷收集板。此外，在一些实施例中，可以使用与所述离子光学系统220分开的板或其他硬件来执行电流/电压的测量。尽管可以将所述电流/电压测量值用于仪器诊断，但是可以将电流/电压测量值另外或替代地用于校准目的，例如：用于调整激光能量或焦点。

参考图3C，示出了所述腔室210外部的示例性电连接。因为在所述腔室210外部连接，因此可以在不需要大量附加的硬件的情况下，提供如本文所述用于所述仪器10的所述多种诊断模式/方法。例如，开关221S及222S被示出在所述腔室210外部。所述开关221S及222S可以是继电器或其他开关，并且可以用于将腔室210内部的板连接至电源或连接至所述腔室210外部的接地导体GND。作为一示例，图3C示出所述开关221S选择所述提取板221是否被连接(例如：选择性地连接)到接地导体GND或一脉冲电源330，所述脉冲电源330可以是3至5千伏特(kV)的脉冲电源。此外，所述开关222S选择所述后偏置板222是否连接到所述电阻器201或连接到一第三电源320，所述第三电源320可以是30至100伏特的电源。因此，所述腔室210内部的所述提取板221及所述后偏置板222在本文中可被称为“可切换地连接”到电源或分别经由开关221S及222S而可切换地连接到所述腔室210外部的接地导体GND。

图3C进一步示出了一开关201S，所述开关201S选择是否将所述电阻器201连接到所述电源202。当与所述电阻器201断开连接时，所述电源202可以替代地连接到所述检测器250。例如，当所述仪器10在一标准模式下(例如：样品分析模式)而非一诊断模式下，所述开关201S及222S可以将所述电阻器201的相应端与所述电源202及所述后偏置板222断开。因此，所述电阻器201在本文中可以被称为通过所述开关222S及/或所述开关201S而在所述后偏置板222与所述电源202之间“可切换地连接”。

当所述开关201S及/或所述开关222S在所述后偏置板222与所述电源202之间连接所述电阻器201时，可以测量所述CVR电压201V。例如，可以通过以下方式测量CVR电压201V：一外部示波器(例如：使用图3B的探针310)或可以转移到所述仪器10内部的一内部数字转换器(例如：质谱仪10M内的数字转换器)。此外，所述开关201S、221S及222S的操作可以由图2C及图2D的一个或多个处理器270控制。

参考图3D，所述提取板221可以连接到一电源而不是连接到如图3A及图3B所示的接地导体GND。所述电源340配置为向所述提取板221施加一电压，以将离子221I从所述提取板221传输至所述后偏置板222。所述离子221I可以是经由从所述样品板230通过所述后偏置板222中的一个孔而到达所述提取板221的离子230I中的一个。因此，由所述电源340施加的电压可以使所述离子221I返回到所述后偏置板222。在一些实施例中，由所述电源340提供的电压可以在大小上与由所述电源202提供到所述后偏置板222的所述电压相等并且在极性上相反。这可以使得在所述后偏置板222上收集的电流小幅增加，从而使得横跨所述电阻器201的电压响应更易于检测。

例如，如本文关于图3所讨论的内容，横跨所述电阻器201的所述CVR电压201V可以经由一外部示波器测量，或者可以经由转移到所述仪器10内的一内部数字转换器来测量。所述电源340及所述电阻器201在所述腔室210外部，所述腔室210包括所述提取板221。因此，在一些实施例中，当所述电源340向所述提取板221施加一电压时，所述CVR电压201V的测量可以是：经由所述腔室210外部的硬件通过与所述腔室210内部的可切换及/或手动/可释放的连接来执行。

参考图3E，一电源350可以连接到所述提取板221以将图3D的所述离子221I传输到所述后偏置板222。在一些实施例中，所述电源350可以提供范围从大约30伏特到大约500伏特的电压。此外，在一些实施例中，所述提取板221及所述后偏置板222可切换地连接到所述电源350。例如，所述开关221S及222S可以选择是否将所述提取板221及所述后偏置板222分别连接到所述电源350。当所述仪器10正在分析样品时，所述提取板221可以连接到所述脉冲电源330，并且所述后偏置板222可以连接到所述电源350。另一方面，当所述仪器10正在执行一诊断方法，所述提取板221可以连接到所述电源350，并且所述后偏置板222可以连接到所述电阻器201。

在一些实施例中，可以将所述测量的离子电流230C与一预定的阈值离子电流值进行比较。例如，如果所述仪器10具有适合用于质谱产生的一预定阈值离子电流值，则本文描述的所述诊断方法的响应可以用于确认/设置电离。作为一个示例，对于MALDI电离，可以固定所述激光脉冲能量、改变激光光点的尺寸，反之亦然，直到通过所述电阻器201检测到所述预定阈值离子电流值为止。

本文所述的方法可用于质谱仪。然而，任何使用带电粒子光学器件来加速离子束或电子束的系统/仪器都可以使用所述方法。此类系统/仪器可能包括电子显微镜、等离子推进器、X射线发生器、医疗用离子束、以及用于半导体制造的离子注入机等。因此，本文所用的术语“带电粒子光学系统”不限于离子的光学系统。类似地，本文描述的所述仪器10可以测量“带电粒子电流”，其不限于测量的离子电流。另外，可以执行测量以确认“带电粒子的产生”，其不限于确认电离。此外，对于电子束的应用，本文所述关于离子应用的电压的极性将相反。

图4A至图4E示出了用于确认所述仪器10中的电离或其他带电粒子产生的方法的流程图。在一些实施例中，图2D的所述存储器280可以是一非暂时性的计算机可读存储介质，所述存储器280包括计算机可读程序代码，当由所述处理器270执行所述计算机可读程序代码时，使得所述处理器270执行图4A至图4E中的任何一个方法。

参考图4A，所述方法可包括提供/重新配置(方框411)所述离子光学系统220，以便可以测量所述仪器10的所述腔室210内的所述离子电流230C(例如：通过所述真空腔室210外部的所述电阻器201来进行测量)。图4A所示的方法随后可包括确定(方框412)所述离子电流230C是否可测量。因此，可以基于方框411及412的操作来确认所述仪器10中的电离。

此外，如果所述离子电流230C是可测量的(方框412)，则所述方法可以包括确定(方框420)所述离子230I是否到达所述检测器250。另一方面，如果所述离子电流230C是不可测量的(方框420)，则应执行电离机构的故障排除(方框413)。

如果所述离子230I正到达所述检测器250(方框420)，则所述方法可以包括确定(方框430)所述检测器250是否正确地操作。另一方面，如果所述离子230I没有到达所述检测器250或者如果它们的到达是不确定的(方框420)，则可以提供/重新配置所述离子光学系统220(方框421)以重复地测量沿着所述离子230I的一路径的多个位点处的所述离子电流230C。

所述方法然后可以包括确定(方框422)是否检测到应当到达所述检测器250的一可测量的离子电流230C。如果是，则所述方法可以包括确定(方框430)所述检测器250是否在正确地操作。另一方面，如果所述方法未检测到应到达所述检测器250的一可测量的离子电流230C(方框422)，则对所述离子光学系统220的电压、机械组件及/或安装进行故障排除(方框423)。

如果所述检测器250正在正确地操作(方框430)，则可以确定(方框440)所述离子230I的所述路径是合适的。此外，在一些实施例中，可以执行所述系统/仪器10的其他区域的故障排除，包括电子故障排除及/或真空故障排除。另一方面，如果所述检测器250不能正常运作或不确定操作的适当性(方框430)，则所述方法可以包括以一脉冲操作的方式打开(方框433)一UV发光二极管(LED)。打开(方框433)所述UV LED之前，所述方法可以包括确定(方框431)是否安装了所述UV LED。如果没有，则可以安装所述UV LED(方框432)。在一些实施例中，所述UV LED可以是图2A的所述光子源260。

在打开(方框433)所述UV LED之后，所述方法可以包括确定(方框434)所述检测器250是否在所述UV LED的脉冲期间产生信号脉冲。如果是，则所述方法可以包括确定(方框436)所述检测器250的所述信号增益是否如期望的那样，诸如通过将所述信号增益与一阈值信号增益值进行比较来确定。另一方面，如果在所述UV LED的脉冲期间，所述检测器250没有信号脉冲(方框434)，则可以执行所述检测器250的故障排除(方框435)。

如果所述检测器250的所述信号增益不如预期的那样(方框436)，例如：低于一阈值信号增益值，则所述方法可以包括调整(方框437)所述检测器250的所述增益。例如，所述方法可以包括改变所述UV LED的输出功率(例如：通过改变所述二极管电流)，然后基于所测量的响应来调整所述检测器250的增益。另一方面，如果所述检测器250的所述信号增益如预期的那样(方框436)，则操作可以进行到方框440，这已在上文中描述。

再次参考方框411，响应于确定(方框410)没有生成所述离子230I或者不确定述离子的生成，从而提供/重新配置所述离子光学系统220。另一方面，如果确定所述离子230I(方框410)正在产生，则所述方法可以直接执行以确定(方框420)所述离子230I是否到达所述检测器250，并且所述方框411及412的操作(方框420)可以被省略。此外，在一些实施例中，所述仪器10可以是一质谱仪10M，响应于确定(方框405)没有信号由所述质谱仪10M生成，可以执行方框410、411及/或412的操作。

参考图4B，本文所述的方法不限于使用电离。例如，可以针对各种类型的带电粒子来执行图4A的方框411及412的操作，如图4B的方框411’及412’分别所示。特别地，图4B示出了一种方法，所述方法包括在一带电粒子光学系统220处于处于真空压力/处于真空压力下的一真空腔室210中时，提供/重新配置所述仪器10的一带电粒子光学系统220的电连接。在一些实施例中，可以通过所述方法经由所述开关201S、221S及222S中的一个或多个来自动执行方框411’的提供/重新配置的操作。附加地或替代地，可以手动地提供/重新配置一个或多个电连接，例如：将所述提取板221连接至接地导体GND，进而以手动的方式连接一短路电缆/插头及/或以手动方式断开一个或多个电缆/插头。

在方框411’的提供/重新配置操作之后，所述方法可以通过将所述真空腔室210外部的所述电阻器201与在所述真空腔室210中产生的带电粒子电流230C耦合(方框412’)以确认所述仪器10中带电粒子的产生。方框412’的操作还可包括测量所述电阻器201对所述带电粒子电流230C的一电响应。特别地，流经所述电阻器201的所述带电粒子电流230C提供可以测量的所述电压201V响应。然后，可以使用欧姆定律确定所述带电粒子电流230C的值。此外，如本文关于图2B所描述的内容，所述电阻器201的一电阻值可以在10KΩ及100MΩ之间。

图4B的操作不限于在所述腔室210处于真空压力/处于真空压力的情况下执行。相反地，在一些实施例中，一种方法可以包括使所述系统排气，在大气压下进行电连接，然后在所述系统抽空之后进行测试/测量。

参考图4C，图4B的方框411’的所述提供/重新配置操作可包括多种操作。例如，提供/重新配置(方框411’)所述带电粒子光学系统220的所述电连接可以包括：将所述带电粒子光学系统220的相邻离子光学屏或板接地或对其施加电压。例如，所述提供/重新配置的操作可以包括：当所述提取板221处于所述真空腔室210中时，将所述带电粒子光学系统220的所述提取板221接地(方框411’-2)。提供/重新配置操作还可以包括当所述后偏置板222处于所述真空腔室210中时，将所述电阻器201的一第一侧连接(方框411’-3)到所述带电粒子光学系统220的所述后偏置板222，并且所述电阻器201在真空腔室210的外部。此外，提供/重新配置操作可以包括将所述电源202连接到所述电阻器的一第二侧(方框411’-4)，同时所述电源202在所述真空腔室210外部。

在可以以任何顺序执行的方框411’-2、方框411’-3、方框411’-4的操作之后，当所述电源202在所述真空腔室210的外部时，所述方法可包括经由所述电源202施加一电压(方框411’-5)。在所述方法施加所述电压(方框411’-5)之前，方框411’的所述提供/重新配置操作可包括断开(方框411’-1)连接到所述带电粒子光学系统220的一部件(不包括所述提取板221及所述后偏置板222)的一电缆。在一些实施例中，可以在将所述腔室210置于真空压力/真空压力下之前执行方框411’-1的断开。附加地或替代地，可以从所述带电粒子光学系统220中移除所述部件(例如：一个或多个下游带电粒子光学部件)。例如，可以移除所述带电粒子光学系统220的一偏转器部分/部件(例如：偏转器板223)，并且当所述偏转器部分223不存在时，测量所述带电粒子电流230C。

在一些实施例中，方框411’的所述提供/重新配置操作可以包括：提供与所述带电粒子光学系统220进行电连接的一第一状态，例如：通过执行方框411’-1、方框411’-2、方框411’-3及方框411’-4的一个或多个操作来提供所述第一状态。此外，在方框411’的提供/重新配置操作之前，所述带电粒子光学系统220的电连接的状态可以是不同的第二状态，例如：方框411’-1、方框411’-2、方框411’-3及方框411’-4的一个或多个操作之前/缺少的状态。

参考图4D，图4B的方框412’的所述操作可包括多种操作。例如，操作可包括：当所述提取板221接地时，向所述真空腔室210中的所述样品板230发射所述仪器10的所述激光20(方框412’-3)，同时所述电阻器201的第一侧及第二侧分别连接到所述后偏置板222及所述电源202，同时所述电源202施加一电压。特别地，所述激光20可向所述样品板230上的一样品发射。然后，所述方法可包括经由所述电阻器201测量(方框412’-4)由向所述样品发射所述激光20而产生的电流230C。特别地，可以基于对通过所述电阻器201的所述电流230C的电压201V响应的测量值来确定电流230C。

此外，所述操作可以包括将所述激光20发射(方框412’-1)到不具有任何样品的一空白载玻片上，并在朝向所述样品发射(方框412’-3)所述激光20之前，利用所述电阻器201来测量(方框412’-2)将激光20发射到所述空白载玻片所产生的任何电流。例如，方框412’-2的操作可以包括：确定朝向所述空白载玻片发射(框412’-1)所述激光20所产生的一可测量电流是否通过所述电阻器201。在一些实施例中，可比较方框412’-4及方框412’-2各自的测量结果/操作结果，以确定(a)一样品的电离相对于(b)在一空白载玻片上发射的幅度/影响。例如，方框412’-4及方框412’-2的操作可以分别通过所述电阻器201测量第一电响应及第二电响应(例如：电压响应)，然后可以将第一电响应与第二电响应相互比较及/或与预定值进行比较。在空白载玻片的情况下，由于一电响应可能是不可测量的，因此可以检测到没有可测量的电响应。此外，在一些实施例中，方框412’-1(及/或方框412’-2)的操作可以在方框412’-3(及/或方框412’-4)的操作之后执行。

参考图4E，关于图4B描述的带电粒子可以是离子230I。如图4E所示，图4B的方框412’的操作可以包括：根据所述测量电流230C与一预定值的一比较结果(方框412’-A)来确定(方框412’-B)在所述腔室210中生成的离子230I的数量。除了图4D的操作之外，或者作为替代图4D的操作，可以执行图4E的操作。

图5A示出在一空白载玻片上发射的所述仪器的一示波器轨迹图。如图5A所示，当在一空白载玻片上发射时，所述CVR电压201V的响应501A是平坦的(即，不可测量或不显着的)。

图5B示出在所述样品载玻片230上发射的所述仪器10的一示波器轨迹图，在所述样品载玻片上具有样品。在这个示例中，所述仪器10正在对ATCC 8739大肠杆菌的样品进行发射。如图5B所示，当在所述样品上发射时，所述CVR电压201V的响应501B是可测量/显着的。这与图5A中在所述空白载玻片上发射时的平坦响应501A形成对比。

图6示出图2A及图2B的所述腔室210内部的一立体图。这个视图示出了所述样品板230、所述提取板221及所述后偏置板222。

在一些实施例中，在所述样品板230上的样品可以包括来自一患者的一生物样品，并且可以通过所述仪器10来分析所述样品，从而分辨所述样品中是否具有一种特定的蛋白质或微生物(例如：细菌)以用于对患者进行医学评估。例如，所述仪器10可以是一质谱仪10M，并且所述分析可以基于获得的光谱来识别样品中是否存在约150种(或更多种)不同的特定细菌种类。所述目标质量范围可以在大约2,000至20,000道尔顿之间。

图7示出连接到处理器270及激光源20LS的一电阻器201的一方框图，用于校准激光能量及/或激光聚焦。所述处理器270可以接收/处理由电阻器201对来自所述激光器20L的光产生的电流的电响应所产生的数据/信号，并且处理器270可以响应地控制所述激光器20LS以调节其激光能量及/或激光聚焦。利用所述处理器270与所述激光器20LS及所述电阻器201的组合/通信来控制所述激光器20LS的校准，从而提供一激光器校准系统770C。此外，如本文所述，所述电阻器201可以耦合至一电源202，所述电源202也可以由所述处理器270控制。

图8示出用于校准激光能量及/或激光聚焦的示例性方法的一流程图。所述方法可包括将所述真空腔室210外部的所述电阻器201耦合(方框810)到所述真空腔室210内部来自所述激光器20LS的光20L所产生的电流(例如：所述带电粒子电流230C)。因此，本文中关于所述电阻器201及电流使用的术语“耦合”可能是指向所述真空腔室210中的一目标230T发射所述激光LS以产生电流。此外，响应于所述电阻器201对所述电流的一电响应的一测量(方框820)，所述方法可包括调节(方框830)所述激光器20LS的所述激光能量及/或所述激光聚焦，例如：一电压201V响应。例如，所述处理器270可以将一测量的电响应与一预定值(例如：阈值或范围)进行比较，并且响应于与预定值的偏差来执行调整(方框830)。

本发明有利地提供直接测量从一样品产生的离子电流230C。相比之下，传统的系统只能根据质谱峰的强度提供离子电流的间接反馈。因此，在传统系统中，如果没有产生质谱，则可能难以确定离子是否正在生成、到达检测器及/或由一检测器产生一输出信号。然而，当没有产生质谱时，可以经由本发明执行对电流230C的测量。

本发明还有利地提供在不需要位于所述腔室210内的附加硬件(例如：附加的诊断硬件)的情况下测量所述离子电流230C。相反地，用于实现针对仪器10的本发明的方法(例如：作为一诊断方法)的任何附加硬件(例如：电阻器201、电源202以及开关201S、221S及222S)可以在所述腔室210外部。

图9A示出可以与所述仪器10一起使用的安全高压(SHV)真空穿通密封件910。例如，所述SHV真空穿通密封件910可以是

PE4500SHV千斤顶隔板密封端子连接器(jack bulkhead hermetically sealed terminal connectors)。在一些实施例中，所述穿通密封件910中的一个可以是一提取脉冲SHV穿通密封件以及另一个所述穿通密封件910可以是一后偏置SHV穿通密封件。

图9B示出可以与所述仪器一起使用的一SHV插线电缆920。例如，所述SHV插线电缆920可以连接在一电阻测量盒201及一后偏置SHV穿通密封件910的大气侧之间，以将所述电阻器201的一侧连接到所述后偏置板222。

以下是本文所述方法/诊断方法的一个非限制性示例。为了协助对质谱仪器/系统进行故障排除，开发了以下程序来测试一样品发生电离情况。所述程序的基本原理是使用一电荷收集板及一CVR。本发明对现有的仪器/系统的连接进行了修改，使得所述仪器/系统的所述离子光学元件的一较低的可拆卸部分可以方便诊断。所述诊断可能包括以下操作：

1.将所述激光光学器件的位置设置在所述仪器/系统调谐程序中规定的位置。

2.关闭所有高压，以防损坏所述仪器10。

3.使所述真空系统排气。

4.在所述真空腔室210内部，除了所述后偏置及提取脉冲电缆之外，断开连接到所述可拆卸离子光学器件220的所有电缆。其余的连接则不会通过所述真空腔室210中的任何分压器。此外，确保未使用的电缆不会短接到所述真空腔室210的一壁上。

5.移除所述离子光学组件220的所述偏转器部分223。将所述离子光学组件220的下部留在原位。

6.关闭门，并开始将所述真空腔室210抽空至操作压力(小于3×10^-6托)。

7.从所述提取脉冲安全高压(SHV)穿通密封件910的所述大气侧断开所述提取脉冲电缆。

8.将一短路插塞连接到所述提取脉冲SHV穿通密封件910的所述大气侧。这将使所述提取板221接地。

9.从所述后偏置SHV穿通密封件910的所述大气侧断开所述后偏置电缆。

10.将一SHV插线电缆920连接在一电阻器测量盒201及所述后偏置SHV穿通密封件910的所述大气侧之间。这使得所述电阻器201(例如：10kV、1瓦特、10MΩ+/-5％的电阻器)的一侧连接到所述后偏置板222。

11.将能够提供-200伏特电压的一DC电源202连接到所述电阻测量盒201的另一侧。请注意，内部导体的极性为负极。可能需要使用可通过一图形用户界面(GUI)控制的一电源。但是，可以使用一桌上型电源。在一些实施例中，可以使用所述检测器250的电源。适配器或不同的终端可与所述检测器250的电源一起使用，因为这个电源可以在微型高压(MHV)中端接。

12.将额定电压大于300伏特的标准10x示波器探针310连接到所述测量盒中的所述电阻器201的任一侧。所述示波器上的相应通道可以是交流(AC)耦合的。

13.在示波器上，创建一个数学函数以减去两个探针电压。这会在所述电阻器201上产生一差分电压测量值(CVR电压201V)。

14.将一电缆连接到所述激光器20的所述激光器同步输出上。这可以通过电路板上的测试点或连接器来实现。例如，可以使用一定时板的一连接器。

15.将示波器设置为在激光同步信号的前缘触发。这在图5A中显示为一下降缘触发器，但根据电子设计可能不同。

16.将不具有样品的一空白载玻片***所述仪器10，然后抽空至操作压力。

17.在采集过程中，将所述仪器10中的所有高压设置为0伏特，以防止损坏所述仪器10。

18.将所述DC电源202设置为-200伏特。这在示波器上没有平均化的情况下可能更容易设置。

19.将所述示波器设置为平均64个事件。如果没有平均化，所述信号可能会非常杂。平均化应使信号与噪声更加可区分。

20.如果可能，在所述载玻片及光栅上开始发射所述激光20。载玻片上的激光能量应为约5微焦耳(μJ)。这是通过使用来自所述激光器20的20μJ的激光功率而实现的。所述5微焦耳的数值是基于在所述激光器20的激光功率为6微焦耳的情况下，所述样品处的1.5微焦耳的测量值。当使用一空白载玻片，代表横跨所述电阻器201的差分电压201V的数学函数在一激光触发事件中不应改变，如图5A所示。在图5A中，通道1是所述DC电源202的所述电压、通道2是所述激光同步事件、通道3是在所述电阻器201的所述电源202侧上的所述电压探针310，以及通道4是在所述电阻器201的所述真空腔室210侧上的所述电压探针310。

21.在空白载玻片上停止发射。

22.利用ATCC 8739大肠杆菌的一完整载玻片替换所述空白载玻片，并且抽空至操作压力。这些样品可以来自悬浮液或手动沉积物。在一些实施例中，新鲜样品可以悬浮在基质中。

23.采集期间将所述仪器10中的所有高压设置为0伏特，以防止损坏所述仪器10。

24.将所述直流电源202设置为-200伏特。这在示波器上没有平均化的情况下可能更容易设置

25.将所述示波器设置为平均64个事件。如果没有平均化，所述信号可能会非常杂。平均化应使信号与噪声更加可区分。

26.如果可能，在所述载玻片及光栅上开始发射所述激光20。样品上的激光能量应为约5微焦耳(μJ)。这是通过使用来自所述激光器20的20微焦耳的激光功率来实现的。所述5微焦耳的数值是基于在所述激光器20的激光功率为6微焦耳的情况下，所述样品处的1.5微焦耳的测量值。当使用具有样品的载玻片时，代表横跨所述电阻器201的差分电压201V的数学函数在一激光触发事件中应改变大约10毫伏特(mV)，如图5B所示。

CVR 201上的这种电压变化与经由欧姆定律在所述仪器10中收集的离子电流230C成正比。在图5B中，通道1是直流电源202的电压、通道2是激光同步事件、通道3是在电阻器201的电源202侧上的电压探针310，以及通道4是在电阻器201的真空腔室210侧上的所述电压探针310。

27.在大肠杆菌样品上停止发射。

28.将大肠杆菌的载玻片从所述仪器10移除。

在附图中，为了清楚起见，可能夸大某些特定层、部件或特征，除非另有说明，否则虚线示出了可选的/可移除的特征或操作。所述术语“附图”及“图式”在本申请及/或附图中与“图”一词可互换使用。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且本发明不应被解释为限于本文阐述的实施例；相反地，提供这些实施例是为了使本公发明更透彻且完整，并将本发明的范围充分传达给本领域的技术人员。

应当理解，尽管所述术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件、部件、区域、层及/或区段，但是这些元件、部件、区域、层及/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段。因此，在不脱离本发明的教示的情况下，下文讨论的“第一”元件、部件、区域、层或区段可以被称为“第二”元件、部件、区域、层或区段。

为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语来描述图中所示的一个元件或特征相对于另一个元件或特征的关系，例如“在...下方”、“下方”、“底部”、“下面”、“上方”、“上部”等。应当理解，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图涵盖在不同方位使用或操作的装置。例如，如果附图中的所述装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在...下方”可以包括上方、下方及后面的方位。可以以其他方式定位所述装置(旋转90°或其他方向)，并相应解释本文中使用的所述空间相对描述语。

术语“约”是指在所述值的+/-20％的范围内的数字。

如本文所用，除非另有明确说明，单数形式“一”、“一个”及“所述”旨在同时包括复数形式。应当进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“蕴含”及/或“含有”旨在表示存在所述特征、步骤、操作、元件及/或部件，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、部件及/或其中的群组的存在或添加。应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件，或者可以经由中间元件而连接或耦合到另一个元件。如本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关联的列出的项目的任何及所有组合。此外，符号“/”与术语“及/或”具有相同的含义。

除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术及科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同含义。应当进一步理解，诸如在常用词典中定义的术语应被解释为具有与其在本说明书及相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非在此明确定义，否则不会以理想化或过于正式的定义来进行解释。

在一些实施例中，所述质谱仪10M配置用以从一样品获得一离子信号，所述样品的一质量范围介于2000至20000道尔顿之间。

所述术语“样品”是指正在进行分析的一物质，并且可以是分子量范围很广的任何介质。在一些实施例中，正在评估所述样品是否存在诸如细菌或真菌之类的微生物。然而，所述样品可以评估是否存在其他成分，包括：毒素或其他化学物质。

术语“桌上型”是指能够安装在一标准桌面或台面上或占用相当于桌面的占地面积的一相对紧凑的单元，例如，具有约1英尺的宽度×6英尺的长度的尺寸的桌面，并且所述单元的高度通常介于约1至4英尺之间。在一些实施例中，所述仪器/系统位于28英寸至14英寸(宽)×28英寸至14英寸(深)×38英寸至28英寸(高)的一外壳或壳体中。所述飞行管240的长度为约0.8米(m)。在一些实施例中，可以使用更长或更短的长度。例如，所述飞行管240可具有介于0.4米及1米之间的一长度。

前述内容是对本发明的说明，并且不应解释为对本发明的限制。尽管已经描述了本发明的一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明的新颖教示及优点的情况下，可以对示例性实施例进行许多修改。因此，所有这样的修改旨在包括在本发明的范围内。因此，应当理解，前述内容是对本发明的说明，不应解释为本发明限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改也包括在本发明的范围内。