阅读说明：本技术 高填充率逐步扫描型spad激光雷达电路 (High-filling-rate step-by-step scanning type SPAD laser radar circuit ) 是由 朱樟明 胡进 刘马良 杨银堂 于 2020-05-09 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种逐步扫描型的单SPAD像素电路,该单SPAD像素电路包括单光子雪崩二极管、晶体管M1、晶体管M2、与门AND和晶体管M3,单光子雪崩二极管的阴极连接到第一电压端,单光子雪崩二极管的阳极连接晶体管M1的漏极、晶体管M2的漏极和与门AND的第一输入端,晶体管M1的栅极连接复位信号端,晶体管M1的源极和晶体管M3的源极连接至接地端,晶体管M2的栅极连接窗口控制信号端,晶体管M2的源极连接第二电压端,与门AND的第二输入端连接窗口控制信号端,与门AND的输出端连接晶体管M3的栅极,晶体管M3的漏极连接总线。本发明提供的逐步扫描型的紧凑的单SPAD像素电路,该单SPAD像素电路由单个SPAD和较少的晶体管构成,从而增加了硅片的利用率,降低了成本。(The invention discloses a single SPAD pixel circuit of a progressive scanning type, which comprises a single photon avalanche diode, a transistor M1, a transistor M2, an AND gate AND AND a transistor M3, wherein the cathode of the single photon avalanche diode is connected to a first voltage end, the anode of the single photon avalanche diode is connected with the drain of the transistor M1, the drain of the transistor M2 AND the first input end of the AND gate AND, the gate of the transistor M1 is connected with a reset signal end, the source of the transistor M1 AND the source of the transistor M3 are connected to the ground end, the gate of the transistor M2 is connected with a window control signal end, the source of the transistor M2 is connected with a second voltage end, the second input end of the AND gate AND is connected with a window control signal end, the output end of the AND gate is connected with the gate of the transistor M3, AND the drain of the transistor. The step-by-step scanning type compact single SPAD pixel circuit provided by the invention is composed of a single SPAD and a few transistors, so that the utilization rate of a silicon wafer is increased, and the cost is reduced.)

高填充率逐步扫描型SPAD激光雷达电路

技术领域

本发明属于激光雷达技术领域，具体涉及一种逐步扫描型的单SPAD像素电路和时分复用的STOP产生电路。

背景技术

近些年来，激光测距系统已经成为在很多领域(如：航天器导航和自动驾驶辅助)的一项关键技术。为了获得更好的空间分辨率，需要更多的像素单元，并且填充因子也要提高。填充因子被定义为在整个光照区内，光敏面积所占的比例。非光敏面积越小，图像的空间连续性越好。

在激光雷达芯片中，光电传感器负责将返回的光信号转换为电信号。然后后端电路(时间数字转换器等将电信号转换为时间信号，然后根据光速计算出被探测物体的距离。对于远距离应用一般采用单光子雪崩二极管(SPAD，Single Photon Avalanche Diode)作为光电传感器。但SPAD本身不仅对指定波长的探测激光响应，也对环境噪声光有响应。为了抑制这种背景光，一般需要多个SPAD合成一个宏像素并结合一定的算法解决这种非理想效应，这样会增大单个像素的面积。尤其会在大阵列的像素阵列的应用中增加成本。为了获得每个像素对应的距离，一般每一个像素对应于一个时间数字转换器(TDC，Time to DigitalConvert)。但TDC本身需要消耗一定的硅片面积，更重要的是它是非光敏区域，因此会降低像素的填充率。

在传统的解决办法中可以将TDC放置于像素阵列之外，但这需要将数据线和地址线引出整个像素阵列。但是对于大阵列的像素阵列的应用，随着像素数目的增多，数据线和地址线将极具增加。考虑到集成电路中由于制程的限制，信号线(金属线)之间需要存在一定距离。急剧增加的金属线会迫使像素之间的距离变大，又降低了填充因子。另外的办法还包括，采用共享TDC的方法，即几个像素共用一个TDC。这种方法对使用的场景有极大限制。当共享TDC的几个像素中，多于一个被触发时就只能抛弃该数据，这对于室外尤其是强光情况下时不能接受的。

因此，随着半导体工艺的快速发展，研究与实现应用于大规模阵列同时具有较高像素填充率的激光雷达电路具有重大意义和应用前景。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种逐步扫描型的单SPAD像素电路和时分复用的STOP产生电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种逐步扫描型的单SPAD像素电路，包括：单光子雪崩二极管、晶体管M1、晶体管M2、与门AND和晶体管M3，其中，

所述单光子雪崩二极管的阴极连接到第一电压端，所述单光子雪崩二极管的阳极连接所述晶体管M1的漏极、所述晶体管M2的漏极和所述与门AND的第一输入端，所述晶体管M1的栅极连接复位信号端，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M3的源极连接至接地端，所述晶体管M2的栅极连接窗口控制信号端，所述晶体管M2的源极连接第二电压端，所述与门AND的第二输入端连接所述窗口控制信号端，所述与门AND的输出端连接所述晶体管M3的栅极，所述晶体管M3的漏极连接总线。

在本发明的一个实施例中，所述晶体管M1和所述晶体管M3为NMOS管，所述晶体管M2为PMOS管。

本发明一个实施例还提供一种时分复用的STOP产生电路，包括：若干用于产生窗口控制信号的门控信号产生模块、若干组单SPAD像素模块和若干晶体管M4，每个所述单SPAD像素模块包括N行*M列单SPAD像素电路，所述门控信号产生模块的数量为N，且每个所述单SPAD像素模块中处于同一行的单SPAD像素电路通过同一门控信号产生模块提供窗口控制信号，每个所述单SPAD像素模块中处于不同行的单SPAD像素电路通过不同的门控信号产生模块提供窗口控制信号，其中，

每个所述单SPAD像素模块中处于同一列的所述单SPAD像素电路共同连接一总线，并通过所述总线连接一所述晶体管M4的漏极，所述晶体管M4的栅极连接接地端，所述晶体管M4的源极连接电压源。

在本发明的一个实施例中，所述门控信号产生模块设包括：

第一计数模块，用于计数每个所述窗口控制信号重复的次数；

第二计数模块，用于在所述第一计时模块所计数的所述窗口控制信号重复的次数达到预设次数时增加一次所述第二计数模块的计数次数；

第三计数模块，用于在驱动时钟的上升沿时驱动所述第三计时模块计算S个周期的所述驱动时钟，其中S为所述第三计时模块的计数次数，且在所述第三计时模块的计数次数等于所述第二计时模块当前的计数次数时，使所述窗口控制信号处于高电平。

在本发明的一个实施例中，所述包括单光子雪崩二极管、晶体管M1、晶体管M2、与门AND和晶体管M3，其中，

所述单光子雪崩二极管的阴极连接到第一电压端，所述单光子雪崩二极管的阳极连接所述晶体管M1的漏极、所述晶体管M2的漏极和所述与门AND的第一输入端，所述晶体管M1的栅极连接复位信号端，所述NM1的源极和所述晶体管M3的源极连接至接地端，所述晶体管M2的栅极连接窗口控制信号端，所述晶体管M2的源极连接第二电压端，所述与门AND的第二输入端连接所述窗口控制信号端，所述与门AND的输出端连接所述晶体管M3的栅极，所述晶体管M3的漏极连接总线。

在本发明的一个实施例中，所述晶体管M1和所述晶体管M3为N型晶体管，所述晶体管M2为P型晶体管。

在本发明的一个实施例中，每个所述单SPAD像素模块中处于同一列的单SPAD像素电路的所述晶体管M3的漏极共同连接一所述总线，并通过所述总线连接一所述晶体管M4的漏极。

在本发明的一个实施例中，所述晶体管M4为PMOS管。

本发明的有益效果：

本发明提供了基于门控的逐步扫描型的紧凑的单SPAD像素电路，该单SPAD像素电路由单个SPAD和较少的晶体管构成，从而增加了硅片的利用率，降低了成本。

本发明还提供了时分复用的STOP产生电路，由此减少了像素间布线的复杂度，同时结合将TDC放置在光敏元件的***的方式，则在相同硅片面积的情况下，本发明可以实现更大的空间分辨率和更高的填充因子。

以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种逐步扫描型的单SPAD像素电路的电路结构示意图；

图2是本发明实施例提供的图1中的逐步扫描型的单SPAD像素电路对应的时序的示意图；

图3是本发明实施例提供的一种基于门控逐步扫描成像的原理示意图；

图4是本发明实施例提供的一种时分复用的STOP产生电路的电路结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种时分复用的STOP产生电路的控制信号时序的示意图；

图6是本发明实施例提供的一种窗口控制信号产生方法的流程示意图；

图7是本发明实施例提供的一种驱动时钟和系统时钟的时序关系的示意图；

图8是本发明实施例提供的一种基于门控逐步扫描成像的时序示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例一

请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种逐步扫描型的单SPAD像素电路的电路结构示意图。本实施例提供一种逐步扫描型的单SPAD像素电路，该逐步扫描型的单SPAD像素电路是基于门控的逐步扫描型的单SPAD像素电路，该单SPAD像素电路包括单光子雪崩二极管、晶体管M1、晶体管M2、与门AND和晶体管M3，其中，单光子雪崩二极管的阴极连接到第一电压端，单光子雪崩二极管的阳极连接晶体管M1的漏极、晶体管M2的漏极和与门AND的第一输入端，晶体管M1的栅极连接复位信号端，晶体管M1的源极和晶体管M3的源极连接至接地端，晶体管M2的栅极连接窗口控制信号端，晶体管M2的源极连接第二电压端，与门AND的第二输入端连接窗口控制信号端，所述与门AND的输出端连接所述晶体管M3的栅极，所述晶体管M3的漏极连接总线。

进一步地，晶体管M1和晶体管M3为NMOS管，晶体管M2为PMOS管。

如图1所示，该单SPAD像素电路由SPAD、由复位信号RE控制的用于复位的晶体管M1、由窗口控制信号WIN控制的用于窗口设定的晶体管M2以及到总线Bus的逻辑控制模块构成，其中逻辑控制模块又由与门AND和晶体管M3构成，复位信号端提供复位信号RE，窗口控制信号端提供窗口控制信号。请参见图2，图2为图1中的基于门控的逐步扫描型单SPAD像素电路对应的时序。本实施例将结合图2中的时序来介绍该单SPAD像素电路的工作原理。图2中的系统时钟CLK_SYS为可以触发激光的时钟，在系统时钟CLK_SYS的上升沿，激光发出，计时开始。此时复位信号RE和窗口控制信号WIN同时为低电平，SPAD的阳级通过晶体管M2被充电至一电压V_EX，SPAD的阴极被连接到第一电压端，此时第一电压端的电压则为V_BD+V_EX，V_BD为击穿电压。此时SPAD被偏置在非盖革模式，在非盖革模式下，SPAD对返回的激光光子不敏感。在一段时间后，复位信号RE和窗口控制信号WIN同时变高电平，复位信号RE变为高电平后，SPAD的阳级通过连接在其阴极的晶体管M1被放电至接地端GND，此时由于由晶体管M1的作用，即使有激光光子被SPAD检测到，SPAD的阳级仍会保持连通接地端GND，同时窗口控制信号WIN为高电平，则会关断电压V_EX到SPAD阳级的充电路径。经过一段短时间后，复位信号RE变为低电平，窗口控制信号WIN仍然保持为高电平，在这种状态的持续时间内SPAD被偏置在盖革模式，在盖革模式下SPAD可以检测到激光光子，此时如果有激光光子触发了SPAD，则SPAD的阳级会变成高电平，与门AND的输出变为高电平，与门AND的输出端连接至晶体管M3的栅极，晶体管M3的漏极连至总线并被拉低。而当窗口控制信号WIN变成低电平后，与门AND的输出又变为低。由此可以看出，本实施例的单SPAD像素电路仅仅在复位信号RE为低电平，同时窗口控制信号WIN为高电平的时间范围内SPAD才感光。因此本实施例的单SPAD像素电路仅通过调整窗口控制信号WIN相对于系统时钟CLK_SYS的时间，便可以完成在探测方向上的距离扫描。本实施例确保只有在窗口控制信号WIN有效(窗口控制信号WIN为高电平)的时间内，SPAD被触发才能通过晶体管M3以及总线将触发信息送到TDC，这样才能实现设置触发窗口的功能。此外如果与门AND不存在，晶体管M2的漏级将直接与晶体管M3的栅级相连，此时当窗口控制信号WIN为低电平时，晶体管M2将会使得晶体管M3的栅级拉到高电平，这样也会有信息传输出去，这种情况会使得SPAD的探测出现错误，因此本实施例的单SPAD像素电路需设置一与门AND。

请参见图3，图3给出了基于门控逐步扫描成像的原理示意图。当激光源发射的激光被视场中的物体反射然后被激光雷达中的像素单元检测到，则检测到激光光子的时间大小反应了距离的远近。如图3中的人、电线杆、小汽车和松树分别位于四种位置(人、电线杆、小汽车和松树分别对应图3中的子画面SR1、SR2、SR3和SR4)。对于图1中的单SPAD像素电路，当窗口控制信号WIN被设置到合适的值时，对应的子画面才能被像素单元检测到。所以，必须将窗口控制信号WIN在检测方向上逐步增加，才能获得完整的图像。最后将各个子画面叠加起来，形成探测方向上的深度图像(Depth Map)，如图3中左下侧的Depth Map所示。需要指出每个子画面并非只测量一次，这是因为考虑到SPAD对激光光子的响应度并不是100％，通常在10％左右，因此，每个子画面会重复测试多次才能获得可信的图像，而重复测试的次数可以通过外部设置调整。

由此可知，本实施例的单SPAD像素电路仅包括一单光子雪崩二极管、晶体管M1、晶体管M2、与门AND和晶体管M3，而窗口设定的窗口控制信号可以在整个测量的范围内进行步进式扫描，而仅仅在窗口有效的时候SPAD才被使能，一个像素单元可以仅由几个晶体管构成，相比于传统的由几十个晶体管构成的像素单元而言，本发明中的像素单元对于提高填充因子是十分有益的，这样可以增加硅片的利用率，且可以降低成本。

实施例二

请参见图4，图4是本发明实施例提供的一种时分复用的STOP产生电路的电路结构示意图。本发明在上述实施例的基础上，还提供一种时分复用的STOP产生电路，该时分复用的STOP产生电路包括：若干用于产生窗口控制信号的门控信号产生模块、若干组单SPAD像素模块和若干晶体管M4，每个单SPAD像素模块包括N行*M列单SPAD像素电路，门控信号产生模块的数量与每个单SPAD像素模块的行的数量相同，且每个单SPAD像素模块中处于同一行的单SPAD像素电路通过同一门控信号产生模块提供窗口控制信号WIN，每个单SPAD像素模块中处于不同行的单SPAD像素电路通过不同的门控信号产生模块提供窗口控制信号WIN，其中，每个单SPAD像素模块中处于同一列的单SPAD像素电路共同连接一总线，并通过总线连接一晶体管M4的漏极，晶体管M4的栅极连接接地端，晶体管M4的源极连接电压源。

进一步地，晶体管M4为PMOS管。

请参见图4，图4中的晶体管M2和Q为一单SPAD像素电路，即图4中的每个Q代表了图1中的SPAD、晶体管M1、晶体管M2和与门AND，本实施例的单SPAD像素模块可以根据需要设置多组，例如，单SPAD像素模块可以设置有2组、3组或者4组等，本实施例对此不做具体限定，每个单SPAD像素模块可以包括有N行*M列单SPAD像素电路，例如图4中每个单SPAD像素模块共设置有4行单SPAD像素电路，每个单SPAD像素模块中处于同一行的所有单SPAD像素电路由同一个门控信号产生模块提供窗口控制信号，且所有单SPAD像素模块中处于第n行的所有单SPAD像素电路均由同一个门控信号产生模块提供窗口控制信号，其中，1≤n≤N，同时每个单SPAD像素模块中处于不同行的单SPAD像素电路通过不同的门控信号产生模块提供窗口控制信号WIN，例如图4中每个单SPAD像素模块中处于第1行的所有单SPAD像素电路均由同一个门控信号产生模块提供窗口控制信号WIN1，每个单SPAD像素模块中处于第2行的所有单SPAD像素电路均由同一个门控信号产生模块提供窗口控制信号WIN2，每个单SPAD像素模块中处于第3行的所有单SPAD像素电路均由同一个门控信号产生模块提供窗口控制信号WIN3，每个单SPAD像素模块中处于第4行的所有单SPAD像素电路均由同一个门控信号产生模块提供窗口控制信号WIN4。另外，每个单SPAD像素模块中处于同一列的单SPAD像素电路共同连接一总线，并通过总线连接一晶体管M4的漏极，晶体管M4的栅极连接接地端，晶体管M4的源极连接电压源，同时每个晶体管M4的漏极还通过对应的总线连接至TDC阵列(TDCArrays)，则STOP产生电路中的总线总数为M*A，A为单SPAD像素模块的数量，例如图4中的N1行*M列的像素阵列，每四行单SPAD像素电路构成一组单SPAD像素模块，则每一列单SPAD像素电路所需要的总线数目为N1/4根，总的总线数目为M*N1/4根。

在本实施例中，TDC测量时间需要停止(STOP)信号来控制TDC的测量结束。而本实施例利用一个单SPAD像素模块包括有N行单SPAD像素电路，则同一单SPAD像素模块中处于不同行的单SPAD像素电路由不同的门控信号产生模块提供窗口控制信号，例如图4中每四行单SPAD像素电路组成一单SPAD像素模块，这四行的窗口控制信号WIN的起始值便可以设置为不同的值，因此在这种设置下这四行中不会存在两列SPAD同时被触发的情况，因此可以将同一单SPAD像素模块中处于同一列的单SPAD像素电路连接至同一总线上，这种设置便可以实现时分复用，连接至同一总线的单SPAD像素电路还被连接至一个小尺寸常通的晶体管M4，这样便构成了图4中的或非门(NOR)，每个或非门的输出被连接至TDC阵列。因为，门控信号产生模块的数量与每个单SPAD像素模块的行数N相同，因此在一个芯片上只要设置N个门控信号产生模块，并通过将门控信号产生模块的初始值设置为不同的值，便可以完成时分复用，请参见图5，图5为时分复用的STOP产生电路的控制信号时序，每个单SPAD像素模块设置有4行单SPAD像素电路，则在一个芯片只需要4组门控信号产生模块便可实现时分复用。

目前，随着像素阵列规模的增大，本实施例的时分复用的STOP产生电路的优势会越来越明显。对于设置有N1行×M列像素单元的激光雷达芯片，传统的方式是每一列需要N1条信号线(即总线)，但本方法只需要N1/N条线，其中，每个单SPAD像素模块的行数N可以根据实际需求进行设置，通过增加门控信号产生模块的数量，可以实现更少的信号线。

进一地，本实施例的门控信号产生模块设可以包括第一计数模块(Rt)、第二计数模块(S)和第三计数模块(CT)，其中，第一计数模块用于计数每个窗口控制信号重复的次数；第二计数模块用于在所述第一计时模块所计数的所述窗口控制信号重复的次数达到预设次数时增加一次所述第二计数模块的计数次数；；第三计数模块用于在驱动时钟的上升沿时驱动所述第三计时模块计算S个周期的所述驱动时钟，其中S为所述第三计时模块的计数次数，且在所述第三计时模块的计数次数等于所述第二计时模块的计数次数时，使所述窗口控制信号处于高电平。

请参见图6，在本实施例中，需要在集成有门控信号产生模块的芯片上设置窗口控制信号WIN的起始点X，每个窗口控制信号WIN的重复次数Y以及窗口控制信号WIN的停止点X1，因此通过设置上述三个条件可以仅对感兴趣的范围进行测量。每个系统时钟CLK_SYS的上升沿驱动一第一计数模块进行计数，第一计数模块被设置为一个模Y的计数器，即第一计数模块计数到Y值时，第一计数模块计数器便被清零，因为SPAD对激光光子的响应度并不是100％，因此每个子画面会重复测试多次，本实施例设置每个子画面重复的次数为Y次，第二计数模块可以设置激光光子的飞行时间范围，激光光子的飞行时间为激光光子在测试期间的飞行时间，即第二计数模块可以设置ToF1(ToF的全称为Time of Flight，中文名称为飞行时间)的值，即第二计数模块可以设置图2中的ToF1的值，第二计数模块的起始点为X，停止点为X1，本实施例的门控信号产生模块还设置有一驱动时钟CLK_C，驱动时钟CLK_C为窗口控制信号WIN的起始时间相对于系统时钟CLK_SYS的时间，请参见图7，图7为驱动时钟CLK_C和系统时钟CLK_SYS的相对时序，本实施例的每个系统时钟CLK_SYS中包含有多个驱动时钟CLK_C，驱动时钟CLK_C的数目要大于设置的X至X1的总数目，每个系统时钟CLK_SYS的下降沿与驱动时钟CLK_C的上升沿对齐。驱动时钟CLK_C的占空比为50％，系统时钟CLK_SYS的高电平持续时间与CLK_C高电平持续时间一致。该驱动时钟CLK_C的上升沿可以驱动第三个计数器CT进行计数，每个时钟CLK C的上升沿驱动第三个计数器CT的计数次数增加一次。当对一个子画面进行测试时，对同一个子画面要重复测试Y次，直到第一计数模块的计数次数为Y时，才对下一个子画面进行拍摄，此时，第一计数模块的计数次数会被清零，而第二计数模块的计数次数则增加一次，在第三计时模块的计数次数S等于第二计时模块的计数次数S*时，使产生的窗口控制信号WIN处于高电平，而当第二计数模块达到停止点X1时，则完成了一次成像所需要的窗口控制信号WIN的产生。请参见图8，以图8为例说明图6所实现的时序。在探测方向上感兴趣的范围被设置为SR1-SR4。SR1的窗口控制信号WIN的起始点被设为X，结束的SR4的窗口控制信号WINDE停止点被设为X+3，由此可以看出汽车对应的子画面SR3的窗口控制信号WIN和时钟CLK_SYS之间的距离被设置为(N+2)*CLK_C，并重复M次。本实施例的门控信号产生模块可以被放置在像素***，不会降低填充因子。

本发明提供了时分复用的STOP产生电路，由此减少了像素间布线的复杂度，同时结合将TDC放置在光敏元件的***的方式，则在相同硅片面积的情况下，本发明可以实现更大的空间分辨率和更高的填充因子。

具体地，逐步扫描型的单SPAD像素电路是基于门控的逐步扫描型的单SPAD像素电路，该单SPAD像素电路包括单光子雪崩二极管、晶体管M1、晶体管M2、与门AND和晶体管M3，其中，单光子雪崩二极管的阴极连接到第一电压端，单光子雪崩二极管的阳极连接晶体管M1的漏极、晶体管M2的漏极和与门AND的第一输入端，晶体管M1的栅极连接复位信号端，晶体管M1的源极和晶体管M3的源极连接至接地端，晶体管M2的栅极连接窗口控制信号端，晶体管M2的源极连接第二电压端，与门AND的第二输入端连接窗口控制信号端，与门AND的输出端连接所述晶体管M3的栅极，晶体管M3的漏极连接至其对应的总线上。

进一步地，晶体管M1和晶体管M3为N型晶体管，晶体管M2为P型晶体管。

本实施例的单SPAD像素电路由单个SPAD和较少的晶体管构成，从而增加了硅片的利用率，降低了成本。时分复用的STOP产生电路减少了像素间布线的复杂度，另外结合将TDC放置在光敏元件的***的方法，在相同硅片面积的情况下，本实施例可以实现更大的空间分辨率和更高的填充因子。本发明的时分复用的STOP产生电路在大规模的激光雷达应用中有着很大的应用前景。

在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特数据点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特数据点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。