阅读说明：本技术 铝镓氮基紫外led外延结构及紫外led灯 (Aluminum gallium nitrogen-based ultraviolet LED epitaxial structure and ultraviolet LED lamp ) 是由 李光 郑悠 白耀平 于 2019-09-19 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯,铝镓氮基紫外LED外延结构包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一铝镓氮层、发光层以及第二铝镓氮层；第二铝镓氮层包括多个第二铝镓氮子层,多个第二铝镓氮子层依次层叠设置,多个第二铝镓氮子层的铝组分不同,与发光层连接的第二铝镓氮子层的铝组分大于其他第二铝镓氮子层的铝组分。靠近发光层的第二铝镓氮子层铝组分最大,远离发光层的第二铝镓氮子层铝组分最小,不同组分的第二铝镓氮子层,减弱了第二铝镓氮层的内建电场,使得第二铝镓氮层与发光层之间的压电极化效应减弱,从而提高空穴的有效注入率,使得电子与空穴的辐射复合率提高,提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。(The invention relates to an aluminum gallium nitrogen based ultraviolet LED epitaxial structure and an ultraviolet LED lamp, wherein the aluminum gallium nitrogen based ultraviolet LED epitaxial structure comprises a substrate, a buffer layer, a first aluminum gallium nitrogen layer, a luminous layer and a second aluminum gallium nitrogen layer which are sequentially stacked; the second AlGaN layer comprises a plurality of second AlGaN sublayers, the second AlGaN sublayers are sequentially stacked, the aluminum components of the second AlGaN sublayers are different, and the aluminum components of the second AlGaN sublayers connected with the light-emitting layer are larger than those of the other second AlGaN sublayers. The second AlGaN sublayer close to the luminescent layer has the largest aluminum component, the second AlGaN sublayer far away from the luminescent layer has the smallest aluminum component, and the second AlGaN sublayer with different components weakens the built-in electric field of the second AlGaN layer, so that the piezoelectric polarization effect between the second AlGaN layer and the luminescent layer is weakened, the effective injection rate of holes is improved, the radiation recombination rate of electrons and holes is improved, and the internal quantum rate and the luminous rate of the AlGaN-based ultraviolet LED epitaxial structure are improved.)

铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯。

背景技术

随着发光二极管(Light Emitting Diode，LED)科技的不断发展，紫外发光二极管在商业领域中越来越重要，其具有重大的应用价值。并且，与传统的紫外光源汞灯相比，紫外LED具有超长寿命、无热辐射、能量高、照射均匀、效率高、体积小和不含有毒物质等优势，这就使紫外LED最有可能取代传统的紫外光光源。因此，紫外LED越来越受研究者们的关注。其中，紫外LED的发光功率与其内部的紫外LED外延片发出光线的内量子率相关，当前制备紫外LED外延片主要采用III族氮化物AlGaN(铝镓氮)材料。

但是，由于III族氮化物材料之间存在强大的自发和压电极化，从而产生强大的极化电场，最终导致发光层的电子泄露，使得电子和空穴在发光层的辐射复合效率降低，从而使得紫外LED外延片发出光线的内量子率低下，进而造成紫外LED外延片的发光功率低下。

发明内容

基于此，有必要提供一种结构简单且提高内量子率和发光率的铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯。

一种铝镓氮基紫外LED外延结构，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一铝镓氮层、发光层以及第二铝镓氮层，所述第一铝镓氮层用于提供电子，所述第二铝镓氮层用于提供空穴，所述发光层用于电子和空穴的辐射复合发光；所述第二铝镓氮层包括多个第二铝镓氮子层，多个所述第二铝镓氮子层依次层叠设置，多个所述第二铝镓氮子层的铝组分不同，与所述发光层连接的所述第二铝镓氮子层的铝组分大于其他第二铝镓氮子层的铝组分。

在其中一个实施例中，由靠近所述发光层至远离所述发光层的顺序，各所述第二铝镓氮子层的铝组分依次减小。

在其中一个实施例中，由靠近所述发光层至远离所述发光层的顺序，各所述第二铝镓氮子层的铝组分线性减小。

在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮子层的铝组分为0～0.8。

在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮子层的铝组分为0.05～0.65。

在其中一个实施例中，多个所述第二铝镓氮子层的厚度相等。

在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮子层的厚度为20～30nm。

在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮层的掺杂原子包括镁原子。

在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮层中，镁原子的掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3。

一种紫外LED灯，包括灯座、灯罩以及上述任一实施例中所述的铝镓氮基紫外LED外延结构，所述铝镓氮基紫外LED外延结构设置于所述灯座上，所述灯罩与所述灯座连接，且罩设所述铝镓氮基紫外LED外延结构。

上述铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯，靠近所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最大，用于减少电子从发光层中泄露；远离所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最小，用于向发光层提供空穴；不同组分的第二铝镓氮子层，减弱了第二铝镓氮层的内建电场，使得第二铝镓氮层与发光层之间的压电极化效应减弱，从而提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，进而使得电子与空穴的辐射复合率提高，提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

附图说明

图1为一实施例的铝镓氮基紫外LED外延结构的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明涉及一种铝镓氮基紫外LED外延结构。例如，所述铝镓氮基紫外LED外延结构包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一铝镓氮层、发光层以及第二铝镓氮层，所述第一铝镓氮层用于提供电子，所述第二铝镓氮层用于提供空穴，所述发光层用于电子和空穴的辐射复合发光；所述第二铝镓氮层包括多个第二铝镓氮子层，多个所述第二铝镓氮子层依次层叠设置，多个所述第二铝镓氮子层的铝组分不同，与所述发光层连接的所述第二铝镓氮子层的铝组分大于其他第二铝镓氮子层的铝组分。靠近所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最大，用于减少电子从发光层中泄露；远离所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最小，用于向发光层提供空穴；不同组分的第二铝镓氮子层，减弱了第二铝镓氮层的内建电场，使得第二铝镓氮层与发光层之间的压电极化效应减弱，从而提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，进而使得电子与空穴的辐射复合率提高，提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

请参阅图1，其为本发明一实施例的铝镓氮基紫外LED外延结构的结构示意图。

一种铝镓氮基紫外LED外延结构10，包括：依次层叠设置的衬底100、缓冲层200、第一铝镓氮层300、发光层400以及第二铝镓氮层500，所述第一铝镓氮层300用于提供电子，所述第二铝镓氮层500用于提供空穴，所述发光层400用于电子和空穴的辐射复合发光；所述第二铝镓氮层500包括多个第二铝镓氮子层510，多个所述第二铝镓氮子层510依次层叠设置，多个所述第二铝镓氮子层510的铝组分不同，与所述发光层400连接的第二铝镓氮子层的铝组分大于其他第二铝镓氮子层的铝组分。

在本实施例中，所述第二铝镓氮子层的铝组分为所述第二铝镓氮子层的材质中的铝含量。靠近所述发光层400的第二铝镓氮子层510铝组分最大，用于减少电子从发光层400中泄露；远离所述发光层400的第二铝镓氮子层510铝组分最小，用于向发光层400提供空穴；不同组分的第二铝镓氮子层510，减弱了第二铝镓氮层500的内建电场，使得第二铝镓氮层500与发光层400之间的压电极化效应减弱，从而提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层510兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，进而使得电子与空穴的辐射复合率提高，提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，请参阅图1，由靠近所述发光层400至远离所述发光层400的顺序，各所述第二铝镓氮子层510的铝组分依次减小。由于所述二铝镓氮层是由多个所述第二铝镓氮子层510组成的，而且，每一个所述第二铝镓氮子层510的铝组分不同，即靠近所述发光层400的第二铝镓氮子层510的铝组分最大，与所述发光层400最远的所述第二铝镓氮子层510的铝组分最小。在本实施例中，将与所述发光层400连接的所述第二铝镓氮子层510记为第一层，将与所述发光层400距离最远的所述第二铝镓氮子层510记为第二层，位于所述第一层和所述第二层之间的第二铝镓氮子层510记为第三层，所述第三层包括至少一个第三子层，所述第一层的铝组分最大，所述第二层的铝组分最小，所述第三子层的铝组分位于所述第一层的铝组分和所述第二层的铝组分之间，即所述第三子层的铝组分小于所述第一层的铝组分，且大于所述第二层的铝组分。由于所述第一层的铝组分最大，使得所述发光层400内的电子被所述第一层所阻挡，减少了所述发光层400内的电子泄露至所述第二铝镓氮层500中，起到阻挡电子泄露的功能；所述第二层的铝组分最小，而且，所述第二层用于与外部电极连接，用于提供高浓度的空穴，所述第三层的铝组分小于所述第一层的铝组分，用于和所述第二层共同提供高浓度的空穴。这样，所述第二铝镓氮层500由所述第一层、所述第二层以及所述第三层组成，即所述第二铝镓氮层500由铝组分不同的第二铝镓氮子层510组成，也即所述第二铝镓氮层500由铝组分依次减小的第二铝镓氮子层510组成，使得所述第二铝镓氮层500内的相邻两个第二铝镓氮子层510之间形成于内建电场相反的电场，从而使得所述第二铝镓氮层500的内建电场减弱，进而使得所述第二铝镓氮层500与发光层400之间的压电极化效应减弱，提高了空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层510兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，提高了电子与空穴的辐射复合率，从而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，请参阅图1，由靠近所述发光层400至远离所述发光层400的顺序，各所述第二铝镓氮子层510的铝组分线性减小。在本实施例中，所述第二铝镓氮子层510的数量为四层，从靠近所述发光层400至远离所述发光层400，所述第二铝镓氮层500包括依次层叠设置的第一极化层、第二极化层、第三极化层以及第四极化层，所述第一极化层与所述发光层400背离所述第一铝镓氮层300的一面连接，所述第二极化层与所述第一极化层背离所述发光层400连接，所述第三极化层与所述第二极化层背离所述第一极化层连接，所述第四极化层与所述第三极化层背离所述第二极化层连接。所述第一极化层的铝组分、所述第二极化层的铝组分、所述第三极化层的铝组分以及所述第四极化层的铝组分依次线性减少，即所述第一极化层的铝组分、所述第二极化层的铝组分、所述第三极化层的铝组分以及所述第四极化层的铝组分呈等差数列排列，也即相邻两个所述第二铝镓氮子层510的铝组分的差值的绝对值相等。这样，多个所述第二铝镓氮子层510的铝组分呈线性下降，使得相邻两个所述第二铝镓氮子层510之间形成的电场更加均匀，从而使得所述第二铝镓氮层500的内建电场的减弱均匀，即所述第二铝镓氮层500的内建电场的电场强度依次均匀减弱，从而使得在所述第二铝镓氮层500的内建电场均匀减弱的情况下，提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层510兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，提高了电子与空穴的辐射复合率，从而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，请参阅图1，所述第二铝镓氮子层510的铝组分为0～0.8。在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮子层的铝组分为0～0.8且不为0。在本实施例中，所述第二铝镓氮层500包括四层第二铝镓氮子层510，四层第二铝镓氮子层510的铝组分在0～0.8之间，其中，靠近所述发光层400的第二铝镓氮子层510的铝组分最大，即靠近所述发光层400的第二铝镓氮子层510的铝组分小于且趋近于0.8；与所述发光层400最远位置的第二铝镓氮子层510的铝组分最小，即与所述发光层400最远位置的第二铝镓氮子层510的铝组分大于且趋近于0；位于上述两个第二铝镓氮子层510之间的第二铝镓氮子层510的铝组分位于0～0.8之间。这样，四层所述第二铝镓氮子层510的铝组分各不相同，而且，靠近所述发光层400的第二铝镓氮子层510的铝组分最大，作为电子阻挡层，其作用是阻挡所述发光层400内的电子泄露至所述第二铝镓氮层500中，其他第二铝镓氮子层510的铝组分小于靠近所述发光层400的第二铝镓氮子层510的铝组分，即其他第二铝镓氮子层510提供空穴，其中，与所述发光层400距离最远的第二铝镓氮子层510的铝组分最小，其作用是提供高浓度的空穴。不同铝组分的第二铝镓氮子层510减弱了所述第二铝镓氮层500的内建电场，从而使得所述第二铝镓氮层500与所述发光层400之间的压电极化效应减弱，提高了空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层510兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，提高了电子与空穴的辐射复合率，从而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。在其他实施例中，所述第二铝镓氮子层510的铝组分为0.05～0.65，所述第二铝镓氮层500包括依次层叠设置四层第二铝镓氮子层510，四层第二铝镓氮子层510依次为第一极化层、第二极化层、第三极化层以及第四极化层，所述第一极化层的铝组分为0.65，所述第二极化层的铝组分为0.45，所述第三极化层的铝组分为0.25，所述第四极化层的铝组分为0.05。上述四层第二铝镓氮子层510的铝组分的等差值减少，使得相邻两个所述第二铝镓氮子层510之间形成的电场更加均匀，从而使得所述第二铝镓氮层500的内建电场的减弱均匀，即所述第二铝镓氮层500的内建电场的电场强度依次均匀减弱，从而使得在所述第二铝镓氮层500的内建电场均匀减弱的情况下，提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层510兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，提高了电子与空穴的辐射复合率，从而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，请参阅图1，多个所述第二铝镓氮子层510的厚度相等。所述铝镓氮基紫外LED外延结构在通电的情况下，相邻两个所述第二铝镓氮子层510的表面之间形成电场，此电场的场强方向和所述第二铝镓氮子层510内的内建电场的场强方向相反，其作用是使得所述第二铝镓氮层500的内建电场减弱，使得空穴从所述第二铝镓氮层500更加容易注入所述发光层400，即提高了空穴的有效注入率。而多个所述第二铝镓氮子层510的厚度均匀且相等，所述第二铝镓氮层500产生的高浓度的空穴依次通过相同的厚度的第二铝镓氮子层510，使得空穴通过每一层所述第二铝镓氮子层510的行程相同，从而使得空穴更加容易通过所述第二铝镓氮层500，提高空穴的有效注入率，从而提高了电子与空穴的辐射复合率，进而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，请参阅图1，所述第二铝镓氮子层510的厚度为20～30nm。在本实施例中，所述第二铝镓氮层500包括四层所述第二铝镓氮子层510，所述第二铝镓氮子层510的材质均为铝镓氮，只是每一层的第二铝镓氮子层510的铝组分不同。四层所述第二铝镓氮子层510依次层叠设置，每一层的所述第二铝镓氮子层510的厚度相同，四层厚度相等且铝组分不同的所述第二铝镓氮子层510共同组成所述第二铝镓氮层500。在所述铝镓氮基紫外LED外延结构通电的情况下，所述第二铝镓氮层500用于产生空穴，其中，远离所述发光层400的所述铝镓氮子层的铝组成分小于靠近所述发光层400的所述铝镓氮子层的铝组成分，远离所述发光层400的所述铝镓氮子层用于产生高浓度的空穴，而厚度相等的四层第二铝镓氮子层510使得各所述铝镓氮子层的空穴有效注入率增大，从而使得所述铝镓氮层的空穴有效注入率增大，提高了电子与空穴的辐射复合率，进而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。在其他实施例中，四层所述第二铝镓氮子层510的厚度相等，且每一所述第二铝镓氮子层510的厚度为25nm，使得在确保所述第二铝镓氮层500的空穴有效注入率的情况下，降低所述第二铝镓氮层500的厚度，从而减小铝镓氮基紫外LED外延结构的整体厚度。

在其中一个实施例中，请参阅图1，所述第二铝镓氮层500的掺杂原子包括镁原子。在本实施例中，所述第二铝镓氮层500的材质为是P型铝镓氮，且所述第二铝镓氮层500是通过极化掺杂的工艺制作而成，所述第二铝镓氮层500包括四层所述第二铝镓氮子层510，即所述第二铝镓氮层500包括一次层叠设置的第一极化掺杂铝镓氮层、第二极化掺杂铝镓氮层、第三极化掺杂铝镓氮层以及第四极化掺杂铝镓氮层，所述第一极化掺杂铝镓氮层与所述发光层400连接，所述第一极化掺杂铝镓氮层、所述第二极化掺杂铝镓氮层、所述第三极化掺杂铝镓氮层以及所述第四极化掺杂铝镓氮层的铝组分依次线性减少。由于所述第二铝镓氮层500的各层是相同的材质，即所述第一极化掺杂铝镓氮层、所述第二极化掺杂铝镓氮层、所述第三极化掺杂铝镓氮层以及所述第四极化掺杂铝镓氮层的材质均为P型铝镓氮，使得所述第二铝镓氮层500掺杂更加容易，其中，所述第二铝镓氮层500掺杂的原子为镁原子，根据镁原子的活泼性强于铝原子，使得镁原子还在铝镓氮层混合物中产生的空穴增多，从而使得所述第二铝镓氮层500提供的空穴浓度增大，便于所述第二铝镓氮层500为所述发光层400提供高浓度的空穴，进而提高了所述第二铝镓氮层500的空穴有效注入率，提高了电子与空穴的辐射复合率，进而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。在其他实施例中，所述第二铝镓氮层500的掺杂原子还包括其他可产生大量空穴的原子，例如，所述第二铝镓氮层500的掺杂原子包括金原子；又如，所述第二铝镓氮层500的掺杂原子包括银原子。上述掺杂原子用于提高所述第二铝镓氮层500的空穴数量，使得所述第二铝镓氮层500的空穴有效注入率增大，便于提高了电子与空穴的辐射复合率，进而提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮层500包括四层铝组分依次线性减少的P型铝镓氮层，所述第二铝镓氮层500的掺杂原子为镁原子，其掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3，所述衬底100包括C面蓝宝石衬底100，所述缓冲层200包括未掺杂的铝镓氮层，所述缓冲层200的厚度为1～2μm，所述第一铝镓氮层300为N型铝镓氮层，所述第一铝镓氮层300的厚度为1～3μm，所述发光层400包括多个量子垒层和多个量子阱层，所述量子垒层和所述量子阱层依次层叠设置，所述量子垒层的厚度为8～20μm，所述量子阱层的厚度为2～7μm。这样，靠近所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最大，用于减少电子从发光层中泄露；远离所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最小，用于向发光层提供空穴；不同组分的第二铝镓氮子层，减弱了第二铝镓氮层的内建电场，使得第二铝镓氮层与发光层之间的压电极化效应减弱，从而提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，进而使得电子与空穴的辐射复合率提高，提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，所述第二铝镓氮层500包括四层厚度相等的所述第二铝镓氮子层510，每一所述第二铝镓氮子层510的厚度为20～30nm，即所述第二铝镓氮层500的厚度为80～120nm。其中，四层所述第二铝镓氮子层510分别为依次层叠设置的第一极化掺杂铝镓氮层、第二极化掺杂铝镓氮层、第三极化掺杂铝镓氮层以及第四极化掺杂铝镓氮层，所述第一极化掺杂铝镓氮层与所述发光层400背离所述第一铝镓氮层300连接，所述第一极化掺杂铝镓氮层的铝组分为0.65，所述第二极化掺杂铝镓氮层的铝组分为0.45，所述第三极化掺杂铝镓氮层的铝组分为0.25，所述第四极化掺杂铝镓氮层的铝组分为0.05。

上述铝镓氮基紫外LED外延结构，靠近所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最大，用于减少电子从发光层中泄露；远离所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最小，用于向发光层提供空穴；不同组分的第二铝镓氮子层，减弱了第二铝镓氮层的内建电场，使得第二铝镓氮层与发光层之间的压电极化效应减弱，从而提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，进而使得电子与空穴的辐射复合率提高，提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。

在其中一个实施例中，本申请还提供一种紫外LED灯，包括灯座、灯罩以及上述任一实施例中所述的铝镓氮基紫外LED外延结构，所述铝镓氮基紫外LED外延结构设置于所述灯座上，所述灯罩与所述灯座连接，且罩设所述铝镓氮基紫外LED外延结构。

上述紫外LED灯中，靠近所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最大，用于减少电子从发光层中泄露；远离所述发光层的第二铝镓氮子层铝组分最小，用于向发光层提供空穴；不同组分的第二铝镓氮子层，减弱了第二铝镓氮层的内建电场，使得第二铝镓氮层与发光层之间的压电极化效应减弱，从而提高空穴的有效注入率，使得第二铝镓氮子层兼具阻挡电子泄露和增大空穴注入率的功能，进而使得电子与空穴的辐射复合率提高，提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率，即提高紫外LED灯的发光效率。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。