阅读说明：本技术 数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质 (Data reading method and device, electronic equipment and storage medium ) 是由 贺元魁 潘荣华 吴星星 于 2018-06-26 设计创作，主要内容包括：本发明实施例公开了一种数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质。所述方法包括：在对选中字线对应的位线充电端充电至读取工作电压后,对选中字线及非选中字线的栅极施加第一设定时间的读取电压；根据位线的充电端的当前电压,从位线中筛选出擦除状态位线并确定擦除状态位线对应的存储单元所存储数据为1；对位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压,不对擦除状态位线的充电端充电后,对选中字线以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的读取电压；根据待确定位线的充电端当前电压,确定待确定位线对应的存储单元所存储数据。本发明实施例的技术方案实现了降低存储器的读取数据功耗,提高存储器读取数据的准确度。(The embodiment of the invention discloses a data reading method and device, electronic equipment and a storage medium. The method comprises the following steps: after the bit line charging end corresponding to the selected word line is charged to the reading working voltage, applying the reading voltage of a first set time to the grids of the selected word line and the unselected word line; screening an erasing state bit line from the bit lines according to the current voltage of the charging end of the bit line, and determining that the data stored in the storage unit corresponding to the erasing state bit line is 1; charging the charging ends of the bit lines to be determined except the bit line in the erasing state in the bit lines to a reading working voltage, and applying a reading voltage of a second set time to the gates of the selected word line and the unselected word line after the charging ends of the bit lines in the erasing state are not charged; and determining the data stored in the storage unit corresponding to the bit line to be determined according to the current voltage of the charging end of the bit line to be determined. The technical scheme of the embodiment of the invention realizes the reduction of the power consumption of the read data of the memory and improves the accuracy of the read data of the memory.)

数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质

技术领域

本发明实施例涉及存储器读取数据技术领域，尤其涉及一种数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术

Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

现有技术中，Nand-flash存储器在进行读取数据操作时，一般是首先将所有位线的电压进行充电，充电完毕之后对选中字线的栅极和未选中字线的栅极同时施加各自对应的工作电压，施加工作电压一段时间(例如20微秒)后读取位线的电压值来确定所需读取的数据为何。

发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术存在如下缺陷：在读取数据过程中，擦除状态的位线会产生较大的电流，不但会增加存储器的功耗，还可能会导致个别擦除状态位线的读取数据错误。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质，以优化现有的存储器读取数据的方法。

在第一方面，本发明实施例提供了一种数据的读取方法，包括：

在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对所述选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压；

根据所述各个位线的充电端的当前电压，从所述各个位线中筛选出擦除状态位线，并确定所述擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1；

再次对所述各个位线中除所述擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至所述读取工作电压，且不对所述擦除状态位线的充电端充电之后，对所述选中字线的栅极以及所述非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压；

根据所述待确定位线的充电端的当前电压，确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据。

在上述方法中，可选的是，所述第一设定时间小于所述第二设定时间。

在上述方法中，可选的是，所述根据所述各个位线的充电端的当前电压，从所述各个位线中筛选出擦除状态位线，包括：

如果所述充电端的当前电压小于设定电压阈值，则确定与该充电端对应的位线为擦除状态位线。

在上述方法中，可选的是，所述根据所述待确定位线的充电端的当前电压，确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据，包括：

如果所述待确定位线的充电端的当前电压为0V，则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为1；

如果所述待确定位线的充电端的当前电压大于0V，则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为0。

在第二方面，本发明实施例提供了一种数据的读取装置，包括：

第一电压施加模块，用于在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对所述选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压；

擦除状态位线确定模块，用于根据所述各个位线的充电端的当前电压，从所述各个位线中筛选出擦除状态位线，并确定所述擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1；

第二电压施加模块，用于再次对所述各个位线中除所述擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至所述读取工作电压，且不对所述擦除状态位线的充电端充电之后，对所述选中字线的栅极以及所述非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压；

存储数据确定模块，用于根据所述待确定位线的充电端的当前电压，确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据。

在上述装置中，可选的是，所述第一设定时间小于所述第二设定时间。

在上述装置中，可选的是，所述擦除状态位线确定模块具体用于：

如果所述充电端的当前电压小于设定电压阈值，则确定与该充电端对应的位线为擦除状态位线。

在上述装置中，可选的是，所述存储数据确定模块包括：

第一数据确定单元，用于如果所述待确定位线的充电端的当前电压为0V，则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为1；

第二数据确定单元，用于如果所述待确定位线的充电端的当前电压大于0V，则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为0.

在第三方面本发明实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序；

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如本发明任一实施例所述的方法。

在第四方面本发明实施例提供了一种包含计算机可执行指令的存储介质，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行如本发明任一实施例所述的方法。

本发明实施例提供了一种数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质，通过将一次读取数据过程拆分为两次时间长度不同的读取数据过程，其中，在第一次读取过程中通过较短的第一设定时间筛选出了绝大部分擦除状态的位线，在第二次读取过程中对剩余的位线再次进行第二设定时间的常规数据读取，解决了现有技术中存储器在读取数据的过程中，功耗较大、容易出现读取数据错误的技术缺陷，实现了降低存储器的读取数据功耗，提高存储器读取数据的准确度。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的一种数据的读取方法的流程图；

图2是本发明实施例二提供的一种数据的读取方法的流程图；

图3是本发明实施例三提供的一种数据的读取装置的结构图；

图4是本发明实施例四提供的一种电子设备的结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明具体实施例作进一步的详细描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。

另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理，但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种数据的读取方法的流程图，本实施例的方法可以由数据的读取装置来执行，该装置可通过硬件和/或软件的方式实现，并一般可集成于存储器中，例如Nand-flash存储器。本实施例的方法具体包括：

S110、在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压。

可以理解的是，存储器在读取某一条字线对应的存储数据时，首先会对该条字线对应的所有位线进行充电，也就是将该条字线对应的漏极选通开关字线中所有场效应管的漏极电压提升至某一电压(例如1.8V电压)，以便在对选中字线的栅极和非选中字线的栅极施加读取电压之后，根据上述漏极电压放电之后的电压值确定该条字线对应的存储数据。

因此，在本实施例中，也需要先对选中字线对应的各个位线的充电端(即选中字线对应的漏极选通字线中所有场效应管的漏极)进行充电，并充电至读取工作电压。其中，读取工作电压具体是指存储器在进行读取数据操作时，各个位线的充电端所应达到的电压。

进一步地，在本实施例中，在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，即会对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压。示例性的，存储器在进行读取数据操作时，对选中字线的栅极施加0.5V左右的电压，对非选中字线的栅极施加8V左右的电压。其中，第一设定时间具体是相对现有技术中存储器同时对选中字线和非选中字线施加读取电压的时间(例如20微秒)来说，一个相对较短的时间，以使得本步骤中的第一次读取数据过程产生的功耗尽量小，从而减小存储器读取数据的总功耗。第一设定时间典型的可以是2微秒等。

可以理解的是，在读取数据的过程中，当各个位线的充电端充电完毕，并在选中字线的栅极和非选中字线的栅极施加读取电压之后，选中字线对应的浮栅场效应管中，所存储的数据为“1”的浮栅场效应管应是导通状态。此时导通状态的该浮栅场效应管对应的位线就会产生一个较大的电流(例如500微安)，该较大的电流不但会增加存储器的功耗，并且当选中字线对应的浮栅场效应管中有很多浮栅场效应管所存储的数据均为“1”时，就会使得多根位线同时产生较大的电流，由此导致部分存储数据为“1”的浮栅场效应管对应的位线的充电端的电压被抬高，进而存储器就容易出现读取数据错误的情况，将“1”误读为“0”。

因此，在本实施例中分两次完成读取数据操作，第一次仅在选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的读取电压。通过第一设定时间的放电操作，对擦除效果较好的浮栅场效应管来说，可以将该浮栅场效应管对应的位线的充电端的电压放电至0V，那么第一设定时间之后就可以根据各个位线的充电端的当前电压筛选出绝大部分对应的浮栅场效应管所存储的数据为“1”的位线。由于第一设定时间较小，因此不但第一次读取数据过程的功耗较小，而且大电流对位线充电端电压的不良影响也会减弱。

S120、根据各个位线的充电端的当前电压，从各个位线中筛选出擦除状态位线，并确定擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1。

在本实施例中，在对各个位线的充电端进行第一设定时间的放电操作之后，会根据各个位线的充电端的当前电压首先筛选出对应的浮栅场效应管中所存储数据为“1”的绝大部分位线，即擦除状态位线。示例性的，当充电端的当前电压为0V或小于设定电压阈值时，则确认该位线为擦除状态位线。

可以理解的是，存储器中的浮栅场效应管在反复多次的写入数据、读取数据以及擦除数据的操作过程中，会有一部分电子驻留在浮栅或隧穿氧化层中，这些驻留的电子会抬高浮栅场效应管的阈值。如果浮栅场效应管的阈值被抬高，那么当该浮栅场效应管所存储的数据为“1”时，在读取数据的过程中，该浮栅场效应管所在位线的放电速度就会变慢，有可能在第一设定时间内无法将位线的充电端的电压放电至0V。因此，为了进一步减小步骤130中第二次读取数据过程中的功耗，可以设置一个电压阈值(例如0.2V)，将经过步骤110放电之后充电端的电压小于该电压阈值的位线也确定为擦除状态位线。

S130、再次对各个位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压，且不对擦除状态位线的充电端充电之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压。

根据上述叙述内容可知，步骤120中筛选出的擦除状态位线可能并没有包括所有的擦除状态位线，因此，本步骤中的待确定位线可能既包括编程状态位线(即对应的浮栅场效应管所存储的数据为“0”的位线)，还包括少量的擦除状态位线。

在本实施例中，经过步骤110和步骤120的第一次读取数据的过程之后，会再次对各个位线中除擦除状态以外的其他待确定位线的充电端进行充电，并充电至读取工作电压。此时不再对擦除状态位线的充电端进行充电，具体可以对擦除状态位线的充电端施加0V电压，或使其悬空等。由于待确定位线中仅有一小部分的位线为擦除状态位线，或根本不包括擦除状态位线，因此，本步骤中在对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加各自对应的读取电压进行放电时，不会存在很多根位线上同时出现大电流的情况，进而提高了读取数据的准确度。

进一步地，当步骤120中是以“0V”作为筛选擦除状态位线的标准时，那么阈值被抬高的浮栅场效应管可能就不会被筛选出来，但是经过本步骤的再次充电以及第二设定时间的放电操作之后，上述阈值被抬高的浮栅场效应管对应的位线充电端绝大部分都会被放电至0V。当然为了减小存储器读取数据所需的时间，第二设定时间不宜设置得过长，那么在经过第二设定时间的放电之后，阈值被抬高得较多的浮栅场效应管对应的位线充电端电压可能还没有放电至0V，此时，也可以设置一个电压阈值(例如0.1V)，将经过本步骤放电之后充电端的电压小于该电压阈值的位线也确定为擦除状态位线。

进一步地，在本实施例中，第二设定时间应比第一设定时间长，以保证正确读取待确定位线对应的浮栅场效应管所存储的数据。第一设定时间具体可以是与现有技术中存储器在进行读取数据操作的过程中，对位线充电端电压进行放电的时间相等，也可以略小于该放电时间等。

S140、根据待确定位线的充电端的当前电压，确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据。

在本实施例中，在经过步骤130对待确定位线的充电端放电之后，继续根据待确定位线的充电端的当前电压，确定待确定位线对应的存储单元(例如浮栅场效应管)所存储的数据。

具体而言，如果待确定位线的充电端的当前电压为0V或为一个较小的电压(例如0.1V以下的电压)，则确定该待确定位线为擦除状态位线，那么该待确定位线对应的存储单元所存储的数据即为“1”；如果待确定位线的充电端的电压大于0V或大于一个设定电压阈值(例如0.1V)，则确定该待确定位线为编程状态位线，那么该待确定位线对应的存储单元所存储的数据即为“0”。

本发明实施例提供了一种数据的读取方法，通过将一次读取数据过程拆分为两次时间长度不同的读取数据过程，其中，在第一次读取过程中通过较短的第一设定时间筛选出了绝大部分擦除状态的位线，在第二次读取过程中对剩余的位线再次进行第二设定时间的常规数据读取，解决了现有技术中存储器在读取数据的过程中，功耗较大、容易出现读取数据错误的技术缺陷，实现了降低存储器的读取数据功耗，提高存储器读取数据的准确度。

实施例二

图2是本发明实施例二提供的一种数据的读取方法的流程图。本实施例以上述实施例为基础进行优化，在本实施例中，给出了一种具体化了擦除位线的确定方法，具体化了待确定位线对应的存储单元所存储数据的确定方法以及具体化第一设定时间与第二设定时间的大小关系的具体实施方式。

相应的，本实施例的方法具体包括：

S210、在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压。

S220、如果充电端的当前电压小于设定电压阈值，则确定与该充电端对应的位线为擦除状态位线，并确定擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1。

在本实施例中，在经过步骤210对各个位线的充电端进行第一次放电之后，具体是根据设定电压阈值来筛选擦除状态位线，如果充电端的当前电压小于该设定电压阈值则确定该位线为擦除状态位线。其中，设定电压阈值典型的可以是0.2V等。

S230、再次对各个位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压，且不对擦除状态位线的充电端充电之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压，其中，第一设定时间小于第二设定时间。

在本实施例中，第一设定时间应小于第二设定时间，由于在第一设定时间的放电过程中所有擦除状态位线同时进行放电，此时存储器功耗会大幅增加。因此，第一设定时间应设置得尽量短一些，尽量降低存储器读取数据的功耗，只要保证经过第一设定时间的放电操作之后，绝大部分擦除状态位线的充电端的电压都可以降低至0V，或降低至小于设定电压阈值即可。

S240、如果待确定位线的充电端的当前电压为0V，则确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据为1。

在本实施例中，以“0V”电压作为判断标准，在经过步骤230中第二设定时间的放电操作之后，只有充电端的当前电压降低至0V的位线才确定为擦除状态位线。在此情况之下，第二设定时间可以设置得稍长一些，以保证阈值被抬得较高的擦除状态的浮栅场效应管对应的位线的充电端的电压可以降低至0V。

S250、如果待确定位线的充电端的当前电压大于0V，则确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据为0。

本发明实施例提供了一种数据的读取方法，具体化了第一设定时间与第二设定时间的关系的大小关系，还具体化了擦除位线的确定方法，进一步减小了第二次读取数据过程的功耗，具体化了待确定位线对应的存储单元所存储的数据的确定方法，进一步提高了读取数据的准确性。

实施例三

图3是本发明实施例三提供的一种数据的读取装置的结构图。如图3所示，所述装置包括：第一电压施加模块301、擦除状态位线确定模块302、第二电压施加模块303以及存储数据确定模块304，其中：

第一电压施加模块301，用于在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压；

擦除状态位线确定模块302，用于根据各个位线的充电端的当前电压，从各个位线中筛选出擦除状态位线，并确定擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1；

第二电压施加模块303，用于再次对各个位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压，且不对擦除状态位线的充电端充电之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压；

存储数据确定模块304，用于根据待确定位线的充电端的当前电压，确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据。

本发明实施例提供了一种数据的读取装置，该装置首先通过第一电压施加模块301在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压，然后通过擦除状态位线确定模块302根据各个位线的充电端的当前电压，从各个位线中筛选出擦除状态位线，并确定擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1，再根据第二电压施加模块303再次对各个位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压，且不对擦除状态位线的充电端充电之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压，最后根据存储数据确定模块304根据待确定位线的充电端的当前电压，确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据。

该装置解决了现有技术中存储器在读取数据的过程中，功耗较大、容易出现读取数据错误的技术缺陷，实现了降低存储器的读取数据功耗，提高存储器读取数据的准确度。

在上述各实施例的基础上，第一设定时间可以小于第二设定时间。

在上述各实施例的基础上，擦除状态位线确定模块具体可以用于：

如果所述充电端的当前电压小于设定电压阈值，则确定与该充电端对应的位线为擦除状态位线。

在上述各实施例的基础上，存储数据确定模块可以包括：

第一数据确定单元，用于如果待确定位线的充电端的当前电压为0V，则确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据为1；

第二数据确定单元，用于如果待确定位线的充电端的当前电压大于0V，则确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据为0.

本发明实施例所提供的数据的读取装置可用于执行本发明任意实施例提供的数据的读取方法，具备相应的功能模块，实现相同的有益效果。

实施例四

图4为本发明实施例四提供的一种电子设备的结构示意图，如图4所示，该电子设备包括处理器40、存储器41、输入装置42和输出装置43；电子设备中处理器40的数量可以是一个或多个，图4中以一个处理器40为例；电子设备中的处理器40、存储器41、输入装置42和输出装置43可以通过总线或其他方式连接，图4中以通过总线连接为例。

存储器41作为一种计算机可读存储介质，可用于存储软件程序、计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的数据的读取方法对应的模块(例如，数据的读取装置中的第一电压施加模块301、擦除状态位线确定模块302、第二电压施加模块303以及存储数据确定模块304)。处理器40通过运行存储在存储器41中的软件程序、指令以及模块，从而执行电子设备的各种功能应用以及数据处理，即实现上述的数据的读取方法。

存储器41可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序；存储数据区可存储根据终端的使用所创建的数据等。此外，存储器41可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实例中，存储器41可进一步包括相对于处理器40远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至电子设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

输入装置42可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与电子设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。输出装置43可包括显示屏等显示设备。

实施例五

本发明实施例五还提供一种包含计算机可执行指令的存储介质，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时用于执行一种数据的读取方法，该方法包括：

在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压；

根据各个位线的充电端的当前电压，从各个位线中筛选出擦除状态位线，并确定擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1；

再次对各个位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压，且不对擦除状态位线的充电端充电之后，对选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压；

根据待确定位线的充电端的当前电压，确定待确定位线对应的存储单元所存储的数据。

当然，本发明实施例所提供的一种包含计算机可执行指令的存储介质，其计算机可执行指令不限于如上所述的方法操作，还可以执行本发明任意实施例所提供的数据的读取方法中的相关操作。

通过以上关于实施方式的描述，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，本发明可借助软件及必需的通用硬件来实现，当然也可以通过硬件实现，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如计算机的软盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)、闪存(FLASH)、硬盘或光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。

值得注意的是，上述数据的读取装置的实施例中，所包括的各个单元和模块只是按照功能逻辑进行划分的，但并不局限于上述的划分，只要能够实现相应的功能即可；另外，各功能单元的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本发明的保护范围。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。