具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

本发明在步进编程脉冲操作中可以决定引入快速通过写入操作的时间点，其中快速通过写入(QPW)操作的位线电压也可以配合设定，如此可以估计出位线电压与快速通过写入操作的时间点两者构成的最优化的操作区域。根据本发明所建立的缩减量地形图与编程枪数地形图的模型，经过二者交插比对后可以决定出引入快速通过写入(QPW)操作的时机以及可所施加的位线电压范围。

以下举一些实施例来说明本发明，但是本发明不限于所举的实施例。

图1是依照本发明的一实施例，存储器装置中的多个MLC存储单元对应多阶的阈值电压分布示意图。参阅图1，在上部的阈值电压分布是一般可能的情形。例如以二位的存储单元，其有四种阈值电压对四种存储状态。对应各阶的阈值电压分布，其尾端区域可能会重叠。例如，存储单元读出的阈值电压值落在重叠区域，会有困难决定所属的封包，甚至可能造成数据错误，其后需要繁杂的错误码修正的处理。

继续参阅如图1的下部，如果能够将阈值电压分布的宽度可以适当缩减，则各阶的阈值电压可以经清楚区分，以减少错误数据的发生机率。

本发明采用在ISPP操作下，适当引入QPW操作，可以将阈值电压分布封包的后缘内缩，如此至少可以减少与下一个封包的重叠区域。

在估计出QPW操作的模式前，本发明先对ISPP操作与QPW操作对应一些操作参数的变化进行详细探究与验证，其后可以决定出QPW操作的条件。

图2是依照本发明的一实施例，存储单元的阈值电压(Vt)相对栅极电压(Vg)所测量的变化曲线示意图。参阅图2，对存储单元阵列的存储单元进行阈值电压的实际测量。在存储晶体管的栅极施加栅极电压(Vg)。栅极电压(Vg)例如从10V变化到20V。栅极电压(Vg)的波形是脉冲，脉冲时间宽度例如是以1微秒、2微秒及3微秒为例，在ISPP操作下可以测量出阈值电压随着栅极电压(Vg)的变化。

图3是依照本发明的一实施例，根据图2的数据转换成有效电流密度(J_pgm)相对有效栅极电压(Vg_eff)的倒数的变化曲线示意图。参阅图3，根据图2的数据，其可以根据以下式(1)与式(2)的转换得到电流密度(J_pgm)相对有效栅极电压(Vg_eff)的倒数的变化，其用以验证其关系是线性的关系，其斜率是β。如此确保图2的栅极电压(Vg)可以用来取得电流密度。

Vg_eff＝Vg-V_BL-Vt＝Vg^*-Vt (1)

J_pgm＝C_pp×ΔVt/t_pgm (2)

其中V_BL是位线电压，C_pp是电容常数，t_pgm是脉冲宽度。

经过图3的验证，在ISPP的操作时，如果同时施加位线电压(V_BL)，其电流密度在ISPP的操作是可以预测。ISPP操作是的栅极电压(Vg)以步进的方式，逐渐增加栅极电压(Vg)的脉冲高度。此时如果位线电压(V_BL)是0V，此操作就是一般的ISPP操作。QPW操作是指在ISPP操作时，同时施加位线电压(V_BL)，其会使得在通道上的电压上升，而导致减弱写入电场强度，使编程速变慢，其预期会缩减阈值电压分布的宽度。

以下根据根据式(1)与式(2)的关系，进一步在ISPP操作配合位线电压(V_BL)进行阈值电压的行为的预测。式(3)到式(5)是加入ISPP操作以及QPW操作(取决于位线电压(V_BL)的值)，可以估计在ISPP操作下对应编程枪数(i)的电压差值(ΔVt_i)。

ΔVt_{_i}＝J_{pgm_i}×t_pgm/C_pp (5)

图4是依照本发明的一实施例，在Vt对Vg的线性区域，进行步进编程脉冲(ISPP)操作配合快速通过写入(QPW)操作的机制示意图。参阅图4，取图2的线性区域，即是栅极电压(Vg)大于16V的范围。在ISPP操作中，栅极电压(Vg)会步进增加。如果V_BL＝0，这就是全程都是ISPP操作。当要QPW操作时，在本实施例，对于编程验证电压(PV)的目标值，其要选定起始加入QPW操作的电压值，称为预先编程验证电压(V_pre-PV)，其相对目标的编程验证电压(V_PV)有一电压差值(ΔPV)。电压差值(ΔPV)定义为:

ΔPV＝V_PV-V_pre-PV (6)

在栅极电压的编程脉冲达到预先编程验证电压(pre-PV)后，会开始施加位线电压(V_BL)。一旦施加非零的位线电压(V_BL)时，其就进入QPW操作模式，其阈值电压(Vt)会由于位线电压(V_BL)产生偏折，也就是其斜率会下降。在栅极电压(Vg)到达编程验证电压(PV)时，阈值电压(Vt)相对栅极电压(Vg)的斜率(S_QPW)也因此会随着位线电压(V_BL)的值而变化。图4的位线电压(V_BL)以0V、0.4V、0.8V及1.2V为例，可以观察到QPW操作所产生的效应。

图5是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，根据图2的曲线在编程验证电压处的曲线斜率示意图。参阅图5，根据前述斜率(S_QPW)在QPW操作的变化行为，针对每一个位线电压(V_BL)，可以仿真出斜率(S_QPW)相对电压差值(ΔPV)的变化曲线。图5例如是V_BL＝0.2V，而对应ISPP的栅极电压的步进电压是0.4V的情形。相似地，其它的条件例如不同的位线电压(V_BL)也有对应的斜率曲线。斜率最低点的电压差值(ΔPV)，是对应进入QPW操作的电压值。由于编程验证电压(PV)是固定值，电压差值(ΔPV)是对应预先编程验证电压(pre-PV)。预先编程验证电压(pre-PV)是决定进入QPW操作的参考值。根据斜率(S_QPW)以及步进电压，其例如可相乘而估计出阈值电压分布宽度的缩减量(shrinkage quantity)。于此，图5的行为是根据本发明的模型(model)所仿真出的结果，以利于由系统快速分析。然而，本发明也需要藉由实验数据来确认上述模型(model)的正确性。

图6是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，实际测量下存储单元的累积率示意图。参阅图6，依照位线电压(V_BL)与步进电压(V_ISPP)的施加，对多个存储单元的阈值电压Vt测量而进行统计，其中例如V_BL＝0.2V且V_ISPP＝0.4V，而电压差值(ΔPV)是多个值的变化。方形点是V_BL＝0V，即是没有QPW操作的情形，其当作参考值。当施加QPW操作时，阈值电压Vt会内缩，可以估出测量的缩减量10。

图7是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，针对阈值电压封包分布的宽度缩减量的仿真数据与测量数据的比对示意图。参阅图7，根据图5经由仿真所估计的阈值电压封包分布的宽度缩减量是以圆点表示。根据图6经由测量所估计的阈值电压封包分布的宽度缩减量10是以方形点表示。模拟与测量的结果在一个程度内可以视为吻合。如此，本发明的仿真的模型可以合理反映出阈值电压封包分布的宽度缩减量。

图8是依照本发明的一实施例，缩减量地形图与编程枪数地形图示意图。参阅图8，其根据图5依照变化在一范围内例如0.1V到0.35V的多个位线电压(V_BL)以及变化在一范围例如0.1V到0.4V内的多个电压差值(ΔPV)，估计在位线电压(V_BL)与电压差值(ΔPV)下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图100。缩减量是地形图的高度，例如灰阶来呈现。从缩减量地形图100可以依照缩减量的高度区分选择出所要的区域102以及以外的区域104。

另外，类似地依照多个位线电压(V_BL)以及多个电压差值(ΔPV)的地图，估计施加步进编程脉冲(ISPP)操作达到编程验证电压(V_PV)所需要的编程枪数，其统计为高度而得到编程枪数地形图110。根据操作时间成本的考虑也决定出接受的区域112以及以外的区域114。

于此可以注意到，由于本发明的模型已确认具有正确性，图8的数据可以根据模型做大量仿真以利于估计，其不需要实际测量，或是仅需要简单的测量确认即可。

图9是依照本发明的一实施例，缩减量地形图与编程枪数地形图重叠后所决定的快速通过写入(QPW)操作的操作区域示意图。参阅图9，将图8的缩减量地形图100与编程枪数地形图110相叠置，区域102与区域112重叠的区域可以决定出位线电压(V_BL)的施加范围以及电压差值(ΔPV)的施加范围所构成的操作区域。此所取的操作区域会因不同类型的存储单元结构而不同，但是估计的机制是相似。

从图9的结果，本发明可以将位线电压(V_BL)及电压差值(ΔPV)做优化(optimization)的估计，可以缩阈值电压分布宽度，且维持合理的操作时间。

再从硬件的系统来看，图10是依照本发明的一实施例，决定快速通过写入操作的系统的架构示意图。参阅图10，决定快速通过写入操作的系统例如包括一分析电路200与一分析程序存储单元204，其中分析电路200被配置成从分析程序存储单元204取得分析程序对存储单元阵列202的存储单元进行操作，以执行如前述得到缩减量地形图100与编程枪数地形图110的步骤。

具体而言，决定快速通过写入操作的系统被配置成执行多个步骤包括依照变化在第一范围内的多个该位线电压以及变化在第二范围内的多个该电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。