具体实施方式

为使本发明的内容更加清晰，下面结合附图对本发明的内容作进一步说明。本发明不局限于该具体实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

如图1所示，一种微型发光二极管显示装置，包括：基板209、若干个LED阵列单元210、绝缘层204、透明导电层206以及共电极208；

其中，LED阵列单元210通过交叉沟槽211隔离形成于基板209表面；绝缘层204覆盖所有LED阵列单元210及沟槽211，且绝缘层204具有裸露各LED阵列单元210表面的缺口；共电极208设置于LED阵列单元210外围的基板209表面；透明导电层206沉积于缺口并延伸至绝缘层204的表面，与共电极208形成电连接；

LED阵列单元210至少包括在基板209表面依次堆叠的第一金属键合层 207、第一型半导体层201、有源区202及第二型半导体层203。

需要说明的是，第一型半导体层201、有源区202以及第二型半导体层 203的类型在本实施例的微型发光元件也可以不受限制，例如，第一型半导体层201可以是但不限于氮化镓层，相应地，第二型半导体层203可以是但不限于氮化镓层。

可选地，透明导电层206覆盖各LED阵列单元210及沟槽211，与共电极208形成电连接。

可选地，缺口完全裸露LED阵列单元210的表面。

可选地，基板209包括电路基板209，其通过金属键合工艺分别与共电极208、第一金属键合层207的极性匹配键合形成一体。

可选地，基板209包括互补式金属氧化物半导体基板209或薄膜晶体管基板209。

可选地，绝缘层204包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、DBR反射层中的一种或多种堆叠。

可选地，在所述LED阵列单元210的侧壁所对应的绝缘层204表面还可设有反射层205，所述反射层205包括金属反射材料，用作金属反射，避免侧壁出光，进而提高所述LED阵列单元210的出光效率。

可选地，如图2所示，共电极208层叠于基板209的短边边缘。或，如图3所示，共电极208环绕设置于LED阵列单元210的外围。

经由上述的技术方案可知，LED阵列单元210通过交叉沟槽211隔离形成于基板209表面；绝缘层204覆盖所有LED阵列单元210及沟槽211，且绝缘层204具有裸露各LED阵列单元210表面的缺口；共电极208设置于 LED阵列单元210外围的基板209表面；透明导电层206沉积于缺口并延伸至绝缘层204的表面，与共电极208形成连接。基于上述结构，电子通过共电极208引入后，通过透明导电层206垂直注入第一型半导体层201，使得流经LED阵列单元210的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。同时，由于第一型半导体层201的接触电极是通过透明导电层206引出至LED阵列单元210外围的共电极208，而第二型半导体层203的接触电极是第一金属键合层207；且基板209通过金属键合工艺分别与共电极208、第一金属键合层207的极性匹配键合形成一体；因此，基于上述结构，无需设计等高的接触电极，从而降低产品的制程难度。

其次，通过透明导电层206覆盖各LED阵列单元210及沟槽211，与共电极208形成电连接，可同步形成用于电流扩展的透明导电层206并解决共电极208与透明导电层206之间的连接走线，减少工艺制程数。

最后，通过使共电极208环绕设置于LED阵列单元210的外围，可使经共电极208的电流以最短路径引入至各LED阵列单元210，避免电流的拥堵。

实施例2

本实施例与实施例1的应用区别在于，本实施例中透明导电层仅覆盖 LED阵列单元的顶表面，具体如下：

如图4所示，一种微型发光二极管显示装置，包括：基板309、若干个 LED阵列单元310、绝缘层304、透明导电层306以及共电极308；

其中，LED阵列单元310通过交叉沟槽311隔离形成于基板309表面；绝缘层304覆盖所有LED阵列单元310及沟槽311，且绝缘层304具有裸露各LED阵列单元310表面的缺口；共电极308设置于LED阵列单元310外围的基板309表面；透明导电层306沉积于缺口并延伸至绝缘层304的表面，与共电极308形成电连接；

LED阵列单元310至少包括在基板309表面依次堆叠的第一金属键合层 307、第一型半导体层301、有源区302及第二型半导体层303。

需要说明的是，第一型半导体层301、有源区302以及第二型半导体层 303的类型在本实施例的微型发光元件也可以不受限制，例如，第一型半导体层301可以是但不限于氮化镓层，相应地，第二型半导体层303可以是但不限于氮化镓层。

可选地，在沟槽311内设有与共电极308互连的格栅电极312，且透明导电层306与格栅电极312形成电连接。

可选地，格栅电极312包括金属反射层。

可选地，缺口完全裸露LED阵列单元310的表面。

可选地，基板309包括电路基板309，其通过金属键合工艺分别与共电极308、第一金属键合层307的极性匹配键合形成一体。

可选地，基板309包括互补式金属氧化物半导体基板309或薄膜晶体管基板309。

可选地，绝缘层304包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、DBR反射层中的一种或多种堆叠。

可选地，如图5所示，共电极308层叠于基板309的短边边缘。或，如图6所示，共电极308环绕设置于LED阵列单元310的外围。

经由上述的技术方案可知，LED阵列单元310通过交叉沟槽311隔离形成于基板309表面；绝缘层304覆盖所有LED阵列单元310及沟槽311，且绝缘层304具有裸露各LED阵列单元310表面的缺口；共电极308设置于 LED阵列单元310外围的基板309表面；透明导电层306沉积于缺口并延伸至绝缘层304的表面，与共电极308形成连接。基于上述结构，电子通过共电极308引入后，通过透明导电层306垂直注入第一型半导体层301，使得流经LED阵列单元310的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。同时，由于第一型半导体层301的接触电极是通过透明导电层306引出至LED阵列单元310外围的共电极308，而第二型半导体层303的接触电极是第一金属键合层307；且基板309通过金属键合工艺分别与共电极308、第一金属键合层307的极性匹配键合形成一体；因此，基于上述结构，无需设计等高的接触电极，从而降低产品的制程难度。

再次，在所述沟槽311内设有与共电极308互连的格栅电极312，且透明导电层306与格栅电极312形成电连接；进一步地，格栅电极312包括金属反射层，使格栅电极312在保证共电极308与透明导电层306电互连的同时，还可用作金属反射，避免侧壁出光，进而提高所述LED阵列单元310 的出光效率。

最后，通过使共电极308环绕设置于LED阵列单元310的外围，可使经共电极308的电流以最短路径引入至各LED阵列单元310，避免电流的拥堵。

实施例3

本实施例与实施例1的应用区别在于，本实施例中在沟槽处设有填充层，具体如下：

如图7所示，一种微型发光二极管显示装置，包括：基板409、若干个 LED阵列单元410、绝缘层404、透明导电层406以及共电极408；

其中，LED阵列单元410通过交叉沟槽隔离形成于基板409表面；绝缘层404覆盖所有LED阵列单元410及沟槽，且绝缘层404具有裸露各LED 阵列单元410表面的缺口；共电极408设置于LED阵列单元410外围的基板 409表面；透明导电层406沉积于缺口并延伸至绝缘层404的表面，直接地与共电极408形成电连接；

LED阵列单元410至少包括在基板409表面依次堆叠的第一金属键合层 407、第一型半导体层401、有源区402及第二型半导体层403。

需要说明的是，第一型半导体层401、有源区402以及第二型半导体层 403的类型在本实施例的微型发光元件也可以不受限制，例如，第一型半导体层401可以是但不限于氮化镓层，相应地，第二型半导体层403可以是但不限于氮化镓层。

本实施例中，在各沟槽内设有填充层413，使透明导电层406从LED阵列单元410的表面往填充层413水平延伸后，直接与共电极408形成电连接。

可选地，填充层413与LED阵列单元410具有同一水平高度。

可选地，填充层413包括聚酰亚胺、环氧树脂、氧化硅中的一种或多种堆叠。

可选地，缺口完全裸露LED阵列单元410的表面。

可选地，如图8所示，共电极408层叠于基板409的短边边缘；或如图 9所示，共电极408环绕设置于LED阵列单元410的外围。

可选地，基板409包括电路基板409，其通过金属键合工艺分别与共电极408、第一金属键合层407的极性匹配键合形成一体。

可选地，基板409包括互补式金属氧化物半导体基板409或薄膜晶体管基板409。

可选地，绝缘层404包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、DBR反射层中的一种或多种堆叠。

可选地，在所述LED阵列单元410的侧壁所对应的绝缘层表面还可设有反射层405，所述反射层405包括金属反射材料，用作金属反射，避免侧壁出光，进而提高所述LED阵列单元410的出光效率。

经由上述的技术方案可知，LED阵列单元410通过交叉沟槽隔离形成于基板409表面；绝缘层404覆盖所有LED阵列单元410及沟槽，且绝缘层 404具有裸露各LED阵列单元410表面的缺口；共电极408设置于LED阵列单元410外围的基板409表面；透明导电层406沉积于缺口并延伸至绝缘层404的表面，直接或间接地与共电极408形成连接。基于上述结构，电子通过共电极408引入后，通过透明导电层406垂直注入第一型半导体层401，使得流经LED阵列单元410的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。同时，由于第一型半导体层401的接触电极是通过透明导电层406引出至 LED阵列单元410外围的共电极408，而第二型半导体层403的接触电极是第一金属键合层407；且基板409通过金属键合工艺分别与共电极408、第一金属键合层407的极性匹配键合形成一体；因此，基于上述结构，无需设计等高的接触电极，从而降低产品的制程难度。

进一步地，通过在各沟槽内设有填充层413，且填充层413与LED阵列单元410具有同一水平高度；使透明导电层406从LED阵列单元410的表面往填充层413水平延伸后，直接或间接地与共电极408形成电连接的设置。使透明导电层406无需附着于LED阵列单元410的侧壁，即可直接与共电极 408电连接。从而，避免透明导电层406或格栅电极附着于LED阵列单元410 侧壁时，易发生断裂或短路的风险；同时，通过填充层413的设置，可灵活选择共电极408与透明导电层406之间的连接走线位置。

其次，通过透明导电层406覆盖各LED阵列单元410及与沟槽对应的填充层413，直接与共电极408形成电连接，可同步形成用于电流扩展的透明导电层406并解决共电极408与透明导电层406之间的连接走线，减少工艺制程数。

最后，通过使共电极408环绕设置于LED阵列单元410的外围，可使经共电极408的电流以最短路径引入至各LED阵列单元410，避免电流的拥堵。

实施例4

本实施例与实施例2的应用区别在于，本实施例中在沟槽处设有填充层 1，具体如下：

如图10所示，一种微型发光二极管显示装置，包括：基板509、若干个 LED阵列单元510、绝缘层504、透明导电层506以及共电极508；

其中，LED阵列单元510通过交叉沟槽隔离形成于基板509表面；绝缘层504覆盖所有LED阵列单元510及沟槽，且绝缘层504具有裸露各LED 阵列单元510表面的缺口；共电极508设置于LED阵列单元510外围的基板 509表面；透明导电层506沉积于缺口并延伸至绝缘层504的表面，间接地与共电极508形成电连接；

LED阵列单元510至少包括在基板509表面依次堆叠的第一金属键合层507、第一型半导体层501、有源区502及第二型半导体层503。

需要说明的是，第一型半导体层501、有源区502以及第二型半导体层 503的类型在本实施例的微型发光元件也可以不受限制，例如，第一型半导体层501可以是但不限于氮化镓层，相应地，第二型半导体层503可以是但不限于氮化镓层。

本实施例中，在各沟槽内设有填充层513，使透明导电层506从LED阵列单元510的表面往填充层513水平延伸；且在沟槽对应的填充层513表面设有与共电极508互连的格栅电极512，且透明导电层506与格栅电极512 形成电连接；从而实现透明导电层506与共电极508的电互连。

可选地，填充层513与LED阵列单元510具有同一水平高度。

可选地，填充层513包括聚酰亚胺、环氧树脂、氧化硅中的一种或多种堆叠。

可选地，缺口完全裸露LED阵列单元510的表面。

可选地，如图11所示，共电极508层叠于基板509的短边边缘；或如图 12所示，共电极508环绕设置于LED阵列单元510的外围。

可选地，基板509包括电路基板509，其通过金属键合工艺分别与共电极508、第一金属键合层507的极性匹配键合形成一体。

可选地，基板509包括互补式金属氧化物半导体基板509或薄膜晶体管基板509。

可选地，绝缘层504包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、DBR反射层中的一种或多种堆叠。

可选地，在所述LED阵列单元510的侧壁所对应的绝缘层表面还可设有反射层505，所述反射层505包括金属反射材料，用作金属反射，避免侧壁出光，进而提高所述LED阵列单元510的出光效率。

经由上述的技术方案可知，LED阵列单元510通过交叉沟槽隔离形成于基板509表面；绝缘层504覆盖所有LED阵列单元510及沟槽，且绝缘层 504具有裸露各LED阵列单元510表面的缺口；共电极508设置于LED阵列单元510外围的基板509表面；透明导电层506沉积于缺口并延伸至绝缘层504的表面，直接或间接地与共电极508形成连接。基于上述结构，电子通过共电极508引入后，通过透明导电层506垂直注入第一型半导体层501，使得流经LED阵列单元510的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。同时，由于第一型半导体层501的接触电极是通过透明导电层506引出至 LED阵列单元510外围的共电极508，而第二型半导体层503的接触电极是第一金属键合层507；且基板509通过金属键合工艺分别与共电极508、第一金属键合层507的极性匹配键合形成一体；因此，基于上述结构，无需设计等高的接触电极，从而降低产品的制程难度。

进一步地，通过在各沟槽内设有填充层513，且填充层513与LED阵列单元510具有同一水平高度；使透明导电层506从LED阵列单元510的表面往填充层513水平延伸后，间接地与共电极508形成电连接的设置。使格栅电极512无需附着于LED阵列单元510的侧壁，即可直接与共电极508电连接。从而，避免格栅电极512附着于LED阵列单元510侧壁时，易发生断裂或短路的风险；同时，通过填充层513的设置，可灵活选择共电极508与透明导电层506之间的连接走线位置。

再次，在所述LED阵列单元510的侧壁所对应的绝缘层表面还可设有反射层505，所述反射层505包括金属反射材料，用作金属反射，避免侧壁出光，进而提高所述LED阵列单元510的出光效率。

最后，通过使共电极508环绕设置于LED阵列单元510的外围，可使经共电极508的电流以最短路径引入至各LED阵列单元510，避免电流的拥堵。

实施例5

需要说明的是，本实施例的填充层与实施例3的填充层的应用区别在于，本实施例中的填充层为导电材料，实施例3的填充层为非导电材料；具体如下：

如图13所示，一种微型发光二极管显示装置，包括：基板609、若干个 LED阵列单元610、绝缘层604、透明导电层606以及共电极608；

其中，LED阵列单元610通过交叉沟槽隔离形成于基板609表面；绝缘层604覆盖所有LED阵列单元610及沟槽，且绝缘层604具有裸露各LED 阵列单元610表面的缺口；共电极608设置于LED阵列单元610外围的基板 609表面；透明导电层606沉积于缺口并延伸至绝缘层604的表面，间接地与共电极608形成电连接；

LED阵列单元610至少包括在基板609表面依次堆叠的第一金属键合层 607、第一型半导体层601、有源区602及第二型半导体层603。

需要说明的是，第一型半导体层601、有源区602以及第二型半导体层 603的类型在本实施例的微型发光元件也可以不受限制，例如，第一型半导体层601可以是但不限于氮化镓层，相应地，第二型半导体层603可以是但不限于氮化镓层。

本实施例中，在各沟槽内设有填充层613，使透明导电层606从LED阵列单元610的表面往填充层613水平延伸；可选地，所述填充层包括导电胶或金属层，且所述共电极与所述填充层形成电接触；从而实现透明导电层606 与共电极608的电互连。

可选地，填充层613与LED阵列单元610具有同一水平高度。

可选地，缺口完全裸露LED阵列单元610的表面。

可选地，如图11所示，共电极608层叠于基板609的短边边缘；或如图 12所示，共电极608环绕设置于LED阵列单元610的外围。

可选地，基板609包括电路基板609，其通过金属键合工艺分别与共电极608、第一金属键合层607的极性匹配键合形成一体。

可选地，基板609包括互补式金属氧化物半导体基板609或薄膜晶体管基板609。

可选地，绝缘层604包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、DBR反射层中的一种或多种堆叠。

经由上述的技术方案可知，LED阵列单元610通过交叉沟槽隔离形成于基板609表面；绝缘层604覆盖所有LED阵列单元610及沟槽，且绝缘层 604具有裸露各LED阵列单元610表面的缺口；共电极608设置于LED阵列单元610外围的基板609表面；透明导电层606沉积于缺口并延伸至绝缘层604的表面，直接或间接地与共电极608形成连接。基于上述结构，电子通过共电极608引入后，通过透明导电层606垂直注入第一型半导体层601，使得流经LED阵列单元610的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。同时，由于第一型半导体层601的接触电极是通过透明导电层606引出至 LED阵列单元610外围的共电极608，而第二型半导体层603的接触电极是第一金属键合层607；且基板609通过金属键合工艺分别与共电极608、第一金属键合层607的极性匹配键合形成一体；因此，基于上述结构，无需设计等高的接触电极，从而降低产品的制程难度。

进一步地，在各沟槽内设有填充层613，使透明导电层606从LED阵列单元610的表面往填充层613水平延伸；可选地，所述填充层包括导电胶或金属层，且所述共电极与所述填充层形成电接触；从而实现透明导电层606 与共电极608的电互连。从而，避免透明导电层606或金属电极附着于LED 阵列单元610侧壁时，易发生断裂或短路的风险；同时，通过将填充层613 选材为导电胶或金属层的设置，可避免额外的共电极608与透明导电层606 之间的连接走线；一步到位实现共电极608与透明导电层606的电互连。再者，还可将填充层613的导电材料用作金属反射，避免侧壁出光，进而提高所述LED阵列单元610的出光效率。

最后，通过使共电极608环绕设置于LED阵列单元610的外围，可使经共电极608的电流以最短路径引入至各LED阵列单元610，避免电流的拥堵。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。