具体实施方式

以下，基于实施方式说明本发明的发光装置。但是，以下所示的实施方式，是用于使本发明的技术思想具体体现的例示，本发明不受以下的发光装置限定。还有，颜色名称与色度坐标的关系、光的波长范围与单色光的颜色名称的关系依据JIS Z8110。另外，组成物中的各成分的含量，意思是在组成物中存在多个各成分相应的物质时，除非特别指出，否则就是存在于组成物中的多个物质的合计量。

发光装置

一个方式的发光装置是具备发光元件和波长转换构件的发光装置，所述发光元件在400nm以上且500nm以下的范围内具有主波长，所述波长转换构件包括配置在所述发光元件的光的射出侧，具有由后述的式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体，所述发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，明视觉下的光通量相对于暗视觉下的光通量的比率即由后述的式(1)导出的S/P比为6.5以下。

所谓发光元件的主波长，是指以直线连接CIE(国际照明委员会：Commissioninternational de l’eclairage)规定的CIE1931色度图中的白色光的色度坐标(x＝0.3333，y＝0.3333)和发光元件的发光色的色度坐标(x_E，y_E)，其延长线与光谱轨迹交叉的点的波长。光谱轨迹是指在色度图上连接单色(单纯)光的色度点而得到的曲线。所谓发光装置的主波长，是指以直线连接CIE1931色度图中的白色光的色度坐标(x＝0.3333，y＝0.3333)与发光装置的发光色的色度坐标(x，y)，其延长线与光谱轨迹交叉的点的波长。

发光装置包括：从蓝色至蓝绿色的波长范围内具有主波长的发光元件、和在绿色的波长范围内具有发光峰值波长的荧光体，发出从包括蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围内具有主波长的光。可知暗视觉下的光通量相对于明视觉下的光通量的比率即S/P比越高，人的视认性越高。图1是表示明视觉光谱光视效率V(λ)与暗视觉光谱光视效率V’(λ)的图。明视觉光谱光视效率V(λ)与暗视觉光谱光视效率V’(λ)由CIE规定。如图1所示，明视觉光谱光视效率V(λ)的峰值波长是555nm，暗视觉光谱光视效率V’(λ)的峰值波长是507nm，在暗处与明处视敏度的峰值不同。因为在明处和暗处人眼的视敏度的峰值波长不同，所以对于人眼来说，可知由于薄暮现象，在明处，长波长侧的颜色看起来鲜明，在暗处，短波长侧的颜色看起来鲜明。发出从紫至绿色的波长范围具有主波长的光的发光装置，若为了提高视认性而提高S/P比，则在暗处被看到时，短波长侧的颜色过于鲜明，有感觉过亮的情况。本发明的实施方式的发光装置，在发出从包括蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光时，S/P比也在6.5以下，被认为能够降低暗处的光通量与明处的光通量之差，无论暗视觉还是明视觉都看起来明亮，维持优异的视认性。

作为暗处的光通量与明处的光通量的比率的S/P比能够由下式(1)导出。

【算式3】

式(1)中，常数K是6831(lm/W)，常数K’是1700(lm/W)，波长λnm在360nm以上且830nm以下的范围内，V(λ)是人的明视觉光谱光视效率，V’(λ)是人的暗视觉光谱光视效率，Φ_e(λ)是从发光装置发出的光的总光谱辐射通量。

从发光装置发出的光的暗视觉下的光通量相对于明视觉下的光通量的比率即S/P比为6.5以下，优选为6.0以下，优选为2.0以上，更优选为3.0以上。从发光装置发出的光的S/P比为6.5以下，通过降低暗视觉下的光通量与明视觉下的光通量的差，认为即使在发出从包括蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光的发光装置中，也能够发出如下的光，即能够一边维持在暗视觉和明视觉下都看起来明亮的优异的视认性，一边在暗视觉和明视觉下都降低了人所感受到的亮度的差的光。从发光装置或发光元件发出的光的主波长、光通量、后述的CIE1931色度图的xy色度坐标系中的色度坐标(x，y)、从发光装置发出的光的总光谱辐射通量，能够使用分光测光装置(例如PMA－11，浜松ホトニクス株式会社制)和组合有积分球的光计测系统进行测量。

另一方式的发光装置包括：在400nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的发光元件；包含配置在所述发光元件的光的射出侧，具有由后述的式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体的波长转换构件，所述发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，由下式(2)导出的褪黑素照度比率为3.4以下。

【算式4】

式(2)中，波长在380nm以上且730nm以下的范围内，“Lamp×Circadian”是包含在发光装置的光谱分布中的昼夜节律反应，“Lamp×Visual”是包含在发光装置的光谱分布中的视敏度反应，“Lamp”是发光装置的光谱分布，“Circadian”是处于哺乳类的视网膜的感光体即内在光敏性视网膜神经节细胞(intrinsically photosensitive Retinal GanglionCell：ipRGC)的灵敏度曲线，“Visual”是人的明视觉下的视敏度曲线，“1.218”是常数(luxfactor)。发光装置的光谱分布(发射光谱)，能够使用分光测光装置(例如PMA－11，浜松ホトニクス株式会社制)和组合有积分球的光计测系统进行测量。“Visual”可以使用由CIE规定的人的明视觉光谱光视效率V(λ)(Visual＝V(λ))。

在人的视网膜的感光细胞(视细胞)中，发现除了视锥细胞和视杆以外，还有含有作为视色素的黑视蛋白(melanopsin)的内在光敏性视网膜神经节细胞(ipRGC)的存在。该ipRGC，即使是单体对光刺激也表现出神经反应，也从视锥和视杆接受输入，对于光刺激表现神经反应，对人的昼夜节律(Circadian Rhythm)造成影响。图2是表示ipRGC的灵敏度曲线(昼夜节律(Circadian)作用曲线)与人的明视觉的视敏度(Visual)曲线的图。人的明视觉的视敏度曲线中的峰值波长是555nm，从ipRGC输出的黑视蛋白，在480nm至500nm附近具有其灵敏度的峰值波长。黑视蛋白也参与作为促进睡眠荷尔蒙的褪黑素的分泌和抑制。此外，ipRGC所具有的黑视蛋白的输出，也投射到从传递视觉信息的外侧膝状体到视觉区的成像系统路径上，有可能也对图像的认识等的视觉系统造成影响。例如褪黑素照度比率，是从发光装置的光谱分布、ipRGC的灵敏度曲线(吸光度)和人的明视觉下的视敏度曲线导出的数值。褪黑素照度比率显示出越高的值，对人的昼夜节律就会造成越强的刺激。如果从发光装置发出的光的褪黑素照度比率是3.4以下，则认为不会对人的昼夜节律造成很大影响，例如作为表示充电时等的设备处于特定的状态的信号色，能够使人想起特定的图像。

从发光装置发出的光的褪黑素照度比率也可以是3.3以下，也可以是3.2以下，优选为1.4以上，更优选为1.5以上。如果从发光装置发出的光的褪黑素照度比率在1.4以上且3.4以下的范围内，则认为不会对人的昼夜节律产生很大影响，作为发出表示例如充电时等的特别的状态的信号色的光，能够使人想起特定的图像。

优选发光装置发出区域A1内的光，该区域A1内是在CIE1931色度图的xy色度坐标系中，根据色度坐标(x，y)，设(x＝0.0082，y＝0.5384)为第一点，(x＝0.1096，y＝0.0868)为第二点，(x＝0.210，y＝0.190)为第三点，(x＝0.260，y＝0.380)为第四点，由连接所述第一点与所述第二点的第一直线，和连接所述第二点与所述第三点的第二直线，和连接所述第三点与所述第四点的第三直线，和连接所述第四点与所述第一点的第四直线划定的区域。图3表示CIE1931色度图的xy色度坐标系中的区域A1。优选发光装置发出区域A1内的光，该区域A1是连接图3中的第一点和第二点、第二点和第三点、第三点和第四点、第四点和第一点的直线所包围的区域。发光装置发出图3中的区域A1内的光，区域A1内的光在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长，呈现从包括蓝绿色在内的蓝色到绿色的发光色。

优选发光装置发出区域A2内的光，该区域A2是在CIE1931色度图的xy色度坐标系中，根据色度坐标(x，y)，设(x＝0.0350，y＝0.4127)为第一点，(x＝0.0800，y＝0.2149)为第二点，(x＝0.2150，y＝0.2106)为第三点，(x＝0.2550，y＝0.3550)为第四点，由连接所述第一点与所述第二点的第一直线，和连接所述第二点与所述第三点的第二直线，和连接所述第三点与所述第四点的第三直线，和连接所述第四点与所述第一点的第四直线所划定的区域。图4表示CIE1931色度图的xy色度坐标系中的区域A2。优选发光装置发出区域A2内的光，该区域A2是图4中的连接第一点和第二点、第二点和第三点、第三点和第四点、第四点和第一点的直线所包围的区域。发光装置发出图4的区域A2内的光，区域A2内的光在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长，呈现从蓝色至蓝绿色的发光色。

更优选发光装置发出区域A3内的光，该区域A3是在CIE1931色度图的xy色度坐标系中，根据色度坐标(x，y)，设(x＝0.1825，y＝0.3252)为第一点，(x＝0.1550，y＝0.2149)为第二点，(x＝0.1930，y＝0.2106)为第三点，(x＝0.2205，y＝0.3209)为第四点，由连接所述第一点与所述第二点的第一直线，和连接所述第二点与所述第三点的第二直线，和连接所述第三点与所述第四点的第三直线，和连接所述第四点与所述第一点的第四直线所划定的区域。图5表示CIE1931色度图的xy色度坐标系中的区域A3。优选发光装置发出区域A3内的光，该区域A3是图5中的连接第一点和第二点、第二点和第三点、第三点和第四点、第四点和第一点的直线所包围的区域。发光装置发出图5中的区域A3内的光，区域A3内的光在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长，呈现从蓝色至蓝绿色的发光色。

在发光装置的发射光谱中，380nm以上且531nm以下的波长范围内的积分值Ib相对于380nm以上且780nm以下的波长范围内的积分值Ia的积分值的比率Ib/Ia，优选在0.6以上且0.95以下的范围内，更优选在0.65以上且0.94以下的范围内，进一步优选在0.70以上且0.93以下的范围内，特别优选在0.75以上且0.92以下的范围内。在发光装置的发射光谱中，若所述积分值的比率Ib/Ia在0.6以上且0.95以下的范围内，则认为发光装置会发出从包含蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围内具有主波长的光，所发出的光能够一边维持在暗视觉和明视觉下都看起来明亮的优异的视认性，一边在暗视觉和明视觉下都降低了人所感受到的亮度的差。发光装置的发射光谱、测量的发射光谱的380nm以上且780nm以下的波长范围内的积分值Ia、380nm以上且531nm以下的波长范围内的积分值Ib，能够使用分光测光装置(例如PMA－11，浜松ホトニクス株式会社制)和组合有积分球的光计测系统测量。根据测量的积分值Ia和积分值Ib能够求得积分值的比率Ib/Ia。

发光元件

发光元件能够使用作为使用了例如由组成式In_XAl_YGa_1－X－YN(0≤X、0≤Y、X+Y≤1)表示的氮化物系半导体的半导体发光元件的发光二极管(LED)芯片或激光二极管(LD：Laser Diode)芯片，优选使用LED芯片。

发光元件，在400nm以上且500nm以下的范围内具有主波长。从发光元件发出的光的主波长，优选在420nm以上且495nm以下的范围内，更优选在430nm以上且490nm以下的范围内。

发光元件，优选在380nm以上500nm以下的范围内具有发光峰值波长，更优选在390nm以上495nm以下的范围内具有发光峰值波长，进一步优选在400nm以上且490nm以下的范围内具有发光峰值波长，特别优选在420nm以上且490nm以下的范围内具有发光峰值波长。

发光元件设有p电极和n电极。发光元件的p电极和n电极，可以形成于发光元件同侧的面，也可以设于不同侧的面。发光元件可以实施倒装芯片组装。

稀土类铝酸盐荧光体

发光装置所包含的稀土类铝酸盐荧光体，具有由下式(I)表示的组成。

(Lu_1－p－nLn_pCe_n)₃(Al_1－mGa_m)_5kO₁₂ (I)

(式(I)中，Ln是从Y、La、Gd和Tb所构成的群中选择的至少一种稀土元素，k、m、n、p分别满足0.95≤k≤1.05、0.05≤m≤0.70、0.002≤n≤0.050、0≤p≤0.30。)

具有由式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐，受到在400nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的发光元件的光激发，对于从发光元件发出的光进行波长转换，从发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光。

在所述式(I)中，Ce的摩尔比是变量n与3的积。变量n可以是0.002以上，可以是0.003以上，可以是0.004以上，也可以是0.005以上，可以是0.050以下，可以是0.045以下，可以是0.040以下，可以是0.035以下，也可以是0.030以下。Ce作为稀土类铝酸盐荧光体的活化剂起作用。在所述式(I)中，变量n可以在0.002以上且0.045以下的范围内(0.002≤n≤0.045)，可以在0.002以上且0.040以下的范围内(0.002≤n≤0.040)，可以在0.003以上且0.040以下的范围内(0.003≤n≤0.040)，也可以在0.003以上且0.035以下的范围内(0.003≤n≤0.035)。具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体1摩尔中的Ce的摩尔比，优选在0.006以上且0.15以下的范围内。若Ce的摩尔比在0.006以上且0.15以下的范围内，则发光亮度高，能够得到希望的发光色。

在所述式(I)中，Ga的摩尔比是变量m与0.95以上且1.05以下的范围内的变量k和5的积。变量m在0.05以上且0.70以下的范围内(0.05≤m≤0.70)，也可以在0.10以上且0.70以下的范围内(0.10≤m≤0.70)，也可以在0.10以上且0.60以下的范围内(0.10≤m≤0.60)。变量m可以在0.20以上，也可以在0.30以上，可以在0.55以下，也可以在0.50以下。具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体1摩尔中的Ga的摩尔比，优选在0.2375以上且3.15以下的范围内。在所述式(I)中，与Al一起，在由变量k与变量m和5的积所表示的Ga的摩尔比中，使变量m在0.05以上且0.70以下的范围内进行调整，由此能够使荧光体的发光峰值波长变化，用于发光装置时，能够得到希望的发光色。

在所述式(I)中，Ln是从Y、La、Gd和Tb所构成的群中选择的至少一种稀土元素。稀土元素Ln，与作为活化剂的Ce一起，作为共活化剂起作用。Ln也可以是从Y、La和Gd所构成的群中选择的至少一种稀土元素，Ln也可以是Y。在所述式(I)中，从Y、La、Gd和Tb所构成的群中选择的至少一种稀土元素Ln的摩尔比是变量p与3的积。在所述式(I)中，也可以不包含稀土元素Ln。在所述式(I)中，变量p可以在0以上且0.20以下的范围内(0≤p≤0.20)。在所述式(I)中，变量p也可以在0.001以上且0.20以下的范围内(0.001≤p≤0.20)。

所述式(I)中，优选m、n、p分别满足0.10≤m≤0.70、0.002≤n≤0.040、0≤p≤0.20。通过调整作为活化剂起作用的Ce的摩尔比，和Ga的摩尔比，根据需要调整稀土元素Ln的摩尔比，用于发光装置时，能够得到希望的发光色。

稀土类铝酸盐荧光体的制造方法

稀土类铝酸盐荧光体，能够以含有Lu、Ce、Al、Ga，和根据需要从Y、La、Gd和Tb所构成的群中选择的至少一种稀土元素Ln的各元素的氧化物，或经热分解而成为氧化物的碳酸盐或氢氧化物的各化合物为原料，对于含各元素的各化合物的原料混合物进行热处理来进行制造。有将只混合有热处理前的原料的原料混合物称为第一原料混合物的情况。另外，也能够使用全部或部分含有构成稀土类铝酸盐荧光体的各元素的共沉淀物进行制造。例如，若在含有Lu、Ce、Al、Ga、和根据需要从稀土元素Ln所构成的群中选择的至少一种的水溶液中，加入碱或碳酸盐等的水溶液，则能够得到含所述元素的共沉淀物。干燥、热处理该共沉淀物，也能够制造稀土类铝酸盐荧光体。也可以使用助熔剂制造稀土类铝酸盐荧光体，作为助熔剂，优选含有构成稀土类铝酸盐荧光体的元素的氟化物。作为助熔剂，可列举从BaF₂、AlF₃和CeF₃所构成的群中选择的至少一种。助熔剂优选相对于原料混合物(或第一原料混合物)100质量份，在0.1质量份以上且10质量份以下的范围内使用，也可以在0.5质量份以上且8.0质量份以下的范围内使用。有将混合有原料混合物(或第一原料混合物)和助熔剂的混合物称为第一混合物的情况。

热处理温度，优选在1000℃以上且1800℃以下的范围内，也可以在1100℃以上且1750℃以下的范围内，也可以在1200℃以上且1700℃以下的范围内，也可以在1300℃以上且1650℃以下的范围内，也可以在1400℃以上且1600℃以下的范围内。热处理，例如，能够使用电炉、煤气炉等。

优选热处理气氛为还原性气氛。热处理能够在含有氮、氢、有还原性的化合物及氨的至少一种的还原性气氛中进行。在还原能力高的气氛中，原料混合物反应性变好，不用加压而在大气压下烧成就能够得到烧成物，另外，通过在还原能力高的气氛中对原料混合物进行热处理，4价的Ce(Ce⁴⁺)被还原成3价的Ce(Ce³⁺)，能够得到在烧成物中有助于发光的3价的Ce占据的比例增大的烧成物。

热处理时间，根据升温速度、热处理气氛等而不同，从到达热处理温度之后起，优选为1小时以上，更优选为2小时以上，进一步优选为3小时以上，优选为20小时以内，更优选为18小时以内，进一步优选为15小时以内。

在稀土类铝酸盐荧光体的制造方法中，也可以通过如下方式得到稀土类铝酸盐荧光体：将对原料混合物进行热处理而得到的烧成物作为第一烧成物，将第一烧成物、含Lu的化合物、含Ce的化合物、含Al的化合物、含Ga的化合物、和根据需要而含稀土元素Ln的化合物进行混合，并进行第二热处理得到第二烧成物，将所得到的第二烧成物作为稀土类铝酸盐荧光体。也有将不含第一烧成物，而含Lu的化合物、含Ce的化合物、含Al的化合物、含Ga的化合物、根据需要而含稀土元素Ln的化合物进行混合得到的混合物称为第一原料混合物，将对于第一原料混合物进行热处理称为第一热处理的情况。在第一原料混合物中混合有助熔剂的混合物也称为第一混合物。将与第一烧成物混合的、含第一烧成物以外的Lu的化合物、含Ce的化合物、含Al的化合物、含Ga的化合物、和根据需要含稀土元素Ln的化合物混合而成的原料混合物也称为第二原料混合物。第二烧成物与第二原料混合物的合计量中的第一烧成物的含量优选为10质量％以上且90质量％以下的范围内，也可以在20质量％以上且80质量％以下的范围内。在第一烧成物和第二原料混合物的混合物中，也可以包含助熔剂。将含有第一烧成物、第二原料混合物、和根据需要而含有的助熔剂的混合物也称为第二混合物。在含助熔剂时，优选相对于第二原料混合物100质量份在0.1质量份以上且10质量份以下的范围内使用，也可以在0.5质量份以上且8.0质量份以下的范围内使用。

第一热处理和第二热处理，能够以前述同样的热处理温度、热处理气氛、热处理时间进行。第一热处理后所得到的烧成物也称为第一烧成物。第二热处理后所得到的烧成物也称为第二烧成物。

也可以对于第一烧成物和第二烧成物进行分散处理，分散处理通过湿式分散、湿筛、脱水、干燥、干筛等进行。作为用于湿式分散的溶剂，例如能够使用去离子水。进行湿式分散的时间，根据使用的固体分散介质和溶剂而不同，优选为30分钟以上，更优选为60分钟以上，进一步优选为90分钟以上，更进一步优选为120分钟以上，优选为420分钟以内。通过分散处理，在发光装置的制造工序中，能够使稀土类铝酸盐荧光体的分散性良好。

也可以进行使分散处理后的第一烧成物或第二烧成物与酸性溶液接触的酸处理或与碱性溶液接触的碱处理。通过使第一烧成物或第二烧成物与酸性溶液或碱性溶液接触，能够除去第一烧成物或第二烧成物中所含的在热处理时被分解的分解物。酸性溶液中包含的酸性物质，可以是氢氟酸、硝酸、盐酸等的无机酸，也可以是过氧化氢。碱性溶液中所含的碱性物质，可以是含碱金属的氢氧化物或氨。使第一烧成物或第二烧成物与酸性溶液或碱性溶液接触的时间，为了除去第一烧成物或第二烧成物中所包含的热分解物，例如为10分钟以上且30小时以内，优选为30分钟以上且25小时以内，更优选为1小时以上且25小时以内。另外，使酸性溶液或碱性溶液与第一烧成物或第二烧成物接触的温度，为了高效率地除去第一烧成物或第二烧成物中所含的分解物，优选为室温(约20℃)以上且300℃以下，更优选为30℃以上且200℃以下，进一步优选为40℃以上且150℃以下。酸处理或碱处理后，也可以包括用液体介质清洗第一烧成物或第二烧成物的工序。

所得到的第一烧成物和第二烧成物，是具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体。

优选发光装置，除了具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体以外，还含有从如下荧光体所构成的群中选择的至少一种荧光体：具有由下式(Ⅱ)表示的组成的卤硅酸盐荧光体；具有由下式(Ⅲ)表示的组成的β赛隆(β-Sialon)荧光体；具有由下式(Ⅳ)表示的组成的氧氮化物荧光体；具有由下式(Ⅴ)表示的组成的碱土金属铝酸盐荧光体；具有由下式(Ⅵ)表示的组成的碱土金属硫化物荧光体；具有由下式(Ⅶ)表示的组成的第一硅酸盐荧光体；具有由下式(Ⅷ)表示的组成的第二硅酸盐荧光体；具有由下式(Ⅸ)表示的组成的第三硅酸盐荧光体或锗酸盐荧光体；及具有由下式(Ⅹ)表示的组成的第四硅酸盐荧光体。

(Ca，Sr，Ba)₈MgSi₄O₁₆(F,Cl,Br)₂：Eu (Ⅱ)

Si_6－zAl_zO_zN_8－z：Eu(0＜z≤4.2) (Ⅲ)

BaSi₂O₂N₂：Eu (Ⅳ)

Sr₄Al₁₄O₂₅：Eu (Ⅴ)

(Sr，Ca，Ba)Ga₂S₄：Eu (Ⅵ)

(Ba，Sr，Ca)₂SiO₄：Eu (Ⅶ)

(Ba，Sr)ZrSi₃O₉：Eu (Ⅷ)

Ca₃Sc₂(Si，Ge)₃O₁₂：Ce (Ⅸ)

(ALi₃SiO₄)n：Eu(A是从Li、Na、K、Rb和Cs所构成的群中选择的至少一种元素，n是1至8的整数。)(Ⅹ)

在本说明书中，表示荧光体的组成的组成式中，以逗号(，)分隔记述的多个元素，意思是在组成中含有多个元素之中至少一种元素，也可以使多个元素组合含有两种以上。另外，表示荧光体的组成的式中，冒号(：)之前表示构成母体结晶的元素和其摩尔比，冒号(：)之后表示活化元素。可以理解为冒号(：)之后记载的活化元素的摩尔量没有必要与冒号之前记载的元素的摩尔量为相同的摩尔量。“摩尔比”表示荧光体的组成的1摩尔中的元素的摩尔量。

从具有由所述式(Ⅱ)表示的组成的卤硅酸盐荧光体、具有由所述式(Ⅲ)表示的组成的β赛隆荧光体、具有由所述式(Ⅳ)表示的组成的氧氮化物荧光体、具有由所述式(Ⅴ)表示的组成的碱土金属铝酸盐荧光体、具有由所述式(Ⅵ)表示的组成的碱土金属硫化物荧光体、具有由所述式(Ⅶ)表示的组成的第一硅酸盐荧光体、具有由所述式(Ⅷ)表示的组成的第二硅酸盐荧光体、具有由所述式(Ⅸ)表示的组成的第三硅酸盐荧光体或锗酸盐荧光体及具有由所述式(Ⅹ)表示的组成的第四硅酸盐荧光体所构成的群中选择的至少一种荧光体，可以受到来自在400nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的发光元件的光激发，与具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体一起，将来自发光元件的光进行波长转换，从发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长，由所述式(1)表示的S/P比为6.5以下，或由所述式(2)表示的褪黑素照度比率为3.4以下的光。

波长转换构件

波长转换构件，优选具有包含荧光体和透光性材料的波长转换体，更优选还具备配置有该波长转换体的透光体。波长转换体，优选含有荧光体和后述的透光性材料。波长转换体可以形成为板状、片状或层状。波长转换构件，也可以具备板状、片状或层状以外的其他的形态的波长转换体。波长转换构件也可以使用板状的波长转换烧结体。板状的波长转换烧结体，例如能够以荧光体和无机氧化物的混合物为原料，通过日本特开2018-172628号公报所公开的方法得到。作为无机氧化物，例如能够使用氧化铝(Al₂O₃)。

在发光装置中，优选具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体，和所述稀土类铝酸盐荧光体以外的其他的荧光体，与透光性材料一起，构成波长转换体。波长转换体，也可以与透光体一起构成波长转换构件。优选波长转换体，相对于透光性材料100质量份，在1质量份以上且800质量份以下的范围内包含具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体，更优选在10质量份以上且750质量份以下的范围内包含，进一步优选在15质量份以上且700质量份以下的范围内包含。发光装置中具备波长转换构件，所述波长转换构件具备受发光元件的发光激发的含有由所述式(I)表示的稀土类铝酸盐荧光体的波长转换体，通过在发光元件的光的射出侧配置波长转换构件，能够以波长转换体中所含的具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体，高效率地对来自发光元件的光进行波长转换。

在具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体中，由变量n与3的积表示的Ce的摩尔比，在0.018以上且0.150以下的范围内，变量n为0.006≤n≤0.050时，波长转换体中所含的稀土类铝酸盐荧光体的含量，相对于透光性材料100质量份，具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体，可以为10质量份以上且800质量份以下，可以在20质量份以上且780质量份以下的范围内，可以在30质量份以上且750质量份以下的范围内，也可以在40质量份以上且700质量份以下的范围内。

在波长转换体中可以包含作为具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体且各自组成不同的两种以上的稀土类铝酸盐荧光体。作为组成不同的两种以上的稀土类铝酸盐荧光体，具有各组成的各个稀土类铝酸盐荧光体，在式(I)所表示的组成中，由变量n和3的积表示的Ce的摩尔比在0.018以上且0.150以下的范围内，变量n为0.006≤n≤0.050时，波长转换体中所包含的两种以上的稀土类铝酸盐荧光体的合计的含量，相对于透光性材料100质量份，可以在10质量以上且800质量份以下的范围内，也可以在20质量份以上且780质量份以下的范围内，也可以在30质量份以上且750质量份以下的范围内，也可以在40质量份以上且700质量份以下的范围内。

在具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体中，Ga的摩尔比为0.5以上且3.0以下的范围内，Ce的摩尔比为0.015以上且0.040以下的范围内时，波长转换体中所包含的稀土类铝酸盐荧光体的含量，相对于透光性材料100质量份，可以在20质量份以上且700质量份以下的范围内，也可以在40质量份以上且650质量份以下的范围内，也可以在60质量份以上且600质量份以下的范围内，也可以在80质量份以上且560质量份以下的范围内。在具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体中，Ga的摩尔比为0.5以上且3.0以下的范围内，变量k为0.95以上且1.05以下的范围内(0.95≤k≤1.05)时，变量m为0.095以上且0.631以下的范围内(0.095≤m≤0.631)。在具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体中，Ce的摩尔比为0.015以上且0.040以下的范围内时，变量n为0.005以上且0.013以下的范围内(0.005≤n≤0.013)。

在具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体中，Ga的摩尔比为0.5以上且2.0以下的范围内，Ce的摩尔比为0.018以上且0.040以下的范围内时，波长转换体中所包含的稀土类铝酸盐荧光体的含量，相对于透光性材料100质量份，可以在20质量份以上且500质量份以下的范围内，也可以在30质量份以上且400质量份以下的范围内，也可以在40质量份以上且300质量份以下的范围内。在具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体中，Ga的摩尔比为0.5以上且2.0以下的范围内，变量k为0.95以上且1.05以下的范围内(0.95≤k≤1.05)时，变量m为0.095以上且0.421以下的范围内(0.095≤m≤0.421)。在具有由所述式(I)表示的组成的稀土类铝酸盐荧光体中，Ce的摩尔比为0.018以上且0.040以下的范围内时，变量n为0.006以上且0.013以下的范围内(0.006≤n≤0.013)。

波长转换体中，除了由式(I)表示的稀土类铝酸盐荧光体以外，还可以包含从如下荧光体所构成的群中选择的至少一种的荧光体：具有由所述式(Ⅱ)表示的组成的卤硅酸盐塩荧光体；具有由所述式(Ⅲ)表示的组成的β赛隆荧光体；具有由所述式(Ⅳ)表示的组成的氧氮化物荧光体；具有由所述式(Ⅴ)表示的组成的碱土金属铝酸盐荧光体；具有由所述式(Ⅵ)表示的组成的碱土金属硫化物荧光体；具有由所述式(Ⅶ)表示的组成的第一硅酸盐荧光体；具有由所述式(Ⅷ)表示的组成的第二硅酸盐荧光体；具有由所述式(Ⅸ)表示的组成的第三硅酸盐荧光体或锗酸盐荧光体；及具有由所述式(Ⅹ)表示的组成的第四硅酸盐荧光体。波长转换体中，相对于透光性材料100质量份，可以包含合计量在1质量份以上且900质量份以下的范围内的荧光体，也可以在10质量份以上且850质量份以下的范围内包含，也可以在15质量份以上且800质量份以下的范围内包含。

透光性材料

透光性材料，可列举从树脂、玻璃和无机物所构成的群中选择的至少一种。树脂优选为从环氧树脂、硅树脂、酚醛树脂和聚酰亚胺树脂所构成的群中选择的至少一种。无机物可列举从氧化铝和氮化铝所构成的群中选择的至少一种。波长转换体中，除了荧光体和透光性材料以外，也可以根据需要包含填料、着色剂、光扩散材料。作为填料，例如可列举氧化硅、钛酸钡、氧化钛、氧化铝等。波长转换体中所包含的荧光体和透光性材料以外的其他的成分的含量，以其他的成分的合计的含量计，相对于透光性材料100质量份，能够在0.01质量份以上且100质量份以下的范围内，也可以在0.1质量份以上且80质量份以下的范围内，也可以在0.5质量份以上且75质量份以下的范围内。

透光体

波长转换构件也可以具备透光体。透光体能够使用像玻璃和树脂这样的透光性材料构成的板状体。玻璃例如可列举硼硅酸玻璃和石英玻璃。树脂可列举硅树脂和环氧树脂。透光体的厚度，只要是不使制造工序中的机械强度降低，能够充分支承波长转换体的厚度即可。

发光装置—第一构成例

显示发光装置的构成例。图6A表示第一构成例的发光装置100的概略俯视图，图6B是图6A所示的发光装置100的VI－VI’线的概略剖视图。发光装置100具备：在400nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的发光元件10；波长转换构件30，所述波长转换构件30包括：含有受到来自发光元件10的光激发而发光的至少一种荧光体的波长转换体31、和配置有该波长转换体31的透光体32。发光元件10，经由作为导电构件60的凸块被倒装芯片组装在基板70上。波长转换构件30的波长转换体31，经由粘接层80而设于发光元件10的发光面之上。发光元件10和波长转换构件30，其侧面被反射光的被覆构件90覆盖。波长转换体31含有受到来自发光元件10的光激发而在特定的波长范围具有至少一个发光峰值波长的荧光体。波长转换体31中也可以包含发光峰值波长的波长范围不同的两种以上的荧光体。发光元件10，能够经由形成于基板70之上的配线和导电构件60，从发光装置100的外部接收电力的供给，使发光装置100发光。发光装置100也可以包括用于防止对发光元件10外加过大的电压而造成的破坏的保护元件等的半导体元件50。被覆构件90，例如以覆盖半导体元件50的方式设置。以下，针对用于发光装置的各构件进行说明。还有，详情例如也能够参照日本特开2014－112635号公报的公开。

基板

优选基板是绝缘性材料，且由难以使来自发光元件的光和外光透过的材料构成。作为基板的材料能够列举：氧化铝、氮化铝等的陶瓷；酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT树脂)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂等的树脂。因为陶瓷耐热性高，所以优选作为基板的材料。

粘接层

粘接层介于发光元件与波长转换构件之间，将发光元件和波长转换构件进行固定。构成粘接层的粘接剂，优选由能够对于发光元件和波长转换构件在光学上进行连接的材料构成。作为构成粘接层的材料，优选是从环氧树脂、硅树脂、酚醛树脂和聚酰亚胺树脂所构成的群中选择的至少一种树脂。

半导体元件

发光装置根据需要而设置的半导体元件，例如可列举用于控制发光元件的晶体管、和用于抑制因外加过大的电压而造成发光元件的破坏和性能劣化的保护元件。作为保护元件，可列举齐纳二极管(Zener Diode)。

被覆构件

作为被覆构件的材料，优选使用绝缘材料。更具体地说，可列举酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT树脂)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、硅树脂。在被覆构件中，也可以根据需要添加着色剂、荧光体、填料。

导电构件

作为导电构件能够使用凸块，作为凸块的材料，能够使用Au或其合金，作为其他的导电构件，能够使用共晶焊料(Au－Sn)、Pb－Sn、无铅焊料等。

发光装置的制造方法—第一构成例

说明发光装置的制造方法的一例。还有，详情例如也能够参照日本特开2014－112635号公报、或日本特开2017－117912号公报的公开。优选发光装置的制造方法包括：发光元件的配置工序；根据需要配置半导体元件的工序；含波长转换体的波长转换构件的形成工序；发光元件与波长转换构件的粘接工序；被覆构件的形成工序。

发光元件的配置工序

在发光元件的配置工序中，在基板之上配置并组装发光元件。发光元件和半导体元件，例如被倒装芯片组装在基板之上。

含波长转换体的波长转换构件的形成工序

在含波长转换体的波长转换构件的形成工序中，波长转换体，可以通过在透光体的一面上，经印刷法、粘接法、压缩成型法、电沉积法，形成板状、片状或层状的波长转换体而得到。例如，印刷法中，将含有荧光体和作为粘合剂或溶剂的树脂的波长转换体用组成物印刷在透光体的一面，能够形成含波长转换体的波长转换构件。

发光元件与波长转换构件的粘接工序

在发光元件与波长转换构件的粘接工序中，使波长转换构件与发光元件的发光面对置，在发光元件上经由粘接层接合波长转换构件。

被覆构件的形成工序

在被覆构件的形成工序中，除发光面以外，发光元件和波长转换构件的侧面由被覆构件用组成物覆盖，在除了发光面的发光元件和波长转换构件的侧面形成被覆构件。该被覆构件，用于反射从发光元件射出的光，不覆盖波长转换构件的发光面而覆盖侧面，并且以埋设半导体元件的方式形成。

如以上这样，能够制造图6A和图6B所示的发光装置。

发光装置—第二构成例

图7表示第二构成例的发光装置200的概略剖视图。发光装置200除了具备由含有受到来自发光元件10的光激发而发光的至少一种荧光体的波长转换体31所构成的波长转换构件30以外，与发光装置100相同。在图7中，与发光装置100相同的构件赋予相同符号。波长转换构件30也可以是并非具备透光体32，而是由波长转换体31所构成的。

发光装置的制造方法—第二构成例

第二构成例的发光装置的制造方法，在波长转换构件的形成工序中，除了形成由波长转换体构成的波长转换构件之外，可以与第一构成例的发光装置的制造方法同样地制造。波长转换体，使包含荧光体和透光性材料的波长转换体用组成物硬化，预先形成为板状、片状或层状，以能够配置在发光元件之上的大小单片化，准备由板状、片状或层状的波长转换体构成的波长转换构件。如以上，能够制造第二构成例的发光装置。还有，波长转换构件，如上所述，也可以使用板状的波长转换烧结体。

发光装置—第三构成例

图8表示第三构成例的发光装置200的概略剖视图。发光装置300具备例如成形体41、发光元件11和波长转换构件33。成形体41是第一引线51和第二引线52以及包含热塑性树脂和热固性树脂的树脂部42一体成形而成的。成形体41形成具有底面和侧面的凹部，在凹部的底面载置有发光元件11。发光元件11具有一对正负电极，该一对正负电极分别经导线63而分别与第一引线51和第二引线52电连接。发光元件11由波长转换构件33被覆。波长转换构件33包含对来自发光元件11的光进行波长转换的荧光体21和透光性材料。荧光体21也可以含有受到来自发光元件的光激发而在特定的波长范围具有至少一个发光峰值波长，发光峰值波长的波长范围不同的两种以上的荧光体。与发光元件11的正负一对电极连接的第一引线51和第二引线52，朝向构成发光装置300的封装的外侧，第一引线51和第二引线52的一部分露出。经这些第一引线51和第二引线52，从外部接受电力的供给，使发光装置300发光。

用于波长转换构件的透光性材料，可以使用与第一构成例或第二构成例的波长转换构件中所用的透光性材料相同的透光性材料。另外，波长转换构件也可以与第一构成例和第二构成例的波长转换构件相同，根据需要包含填料、着色剂、光扩散材料。

发光装置的制造方法—第三构成例

对第三构成例的发光装置的制造方法进行说明。还有，详情也可以参照例如日本特开2010-062272号公报的公开。发光装置的制造方法优选包括成形体的准备工序、发光元件的配置工序、波长转换构件用组成物的配置工序和树脂封装形成工序。作为成形体，在使用具有多个凹部的集合成形体时，还可以包含在树脂封装工序后，分离为每个各单位区域的树脂封装的单片化工序。

在成形体的准备工序中，使用热固性树脂或热塑性树脂将多个引线一体成形，准备具备具有侧面和底面的凹部的成形体。成形体可以是由包含多个凹部的集合基体形成的成形体。

在发光元件的配置工序中，在成形体的凹部的底面配置发光元件，发光元件的正负电极通过导线与第一引线和第二引线连接。

在波长转换构件用组成物的配置工序中，在成形体的凹部配置波长转换构件用组成物。

在树脂封装形成工序中，使配置在成形体的凹部的波长转换构件用组成物固化，形成树脂封装，制造发光装置。在使用由包含多个凹部的集合基体形成的成形体时，在树脂封装形成工序后，在单片化工序中，分离为各个具有多个凹部的集合基体的各单位区域的树脂封装，制造各个发光装置。如以上，能够制造图8所示的第三构成例的发光装置。

实施例

以下，通过实施例具体地说明本发明。本发明不受这些实施例限定。

稀土类铝酸盐荧光体A

准备原料

使用氧化镥(Lu₂O₃)、氧化铈(CeO₂)、氧化铝(Al₂O₃)和氧化镓(Ga₂O₃)作为原料，使各化合物中所包含的Lu、Ce、Al和Ga各元素，以满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料而得到原料混合物。相对于总体量100质量％，添加7.0质量％的氟化钡(BaF₂)作为助熔剂，用球磨机混合各原料，得到混合物。原料以在预备组成中成为(Lu_0.987Ce_0.012)₃(Al_0.9Ga_0.1)₅O₁₂的方式调制。

热处理

将所得到的混合物放入氧化铝坩埚中，在还原性气氛中，以1600℃进行10小时热处理而得到烧成物。

分散处理

将所得到的烧成物、作为分散介质的氧化铝球和去离子水放入容器中，一边旋转一边使之分散4小时。之后通过湿筛，除去粗大粒子。接着，进行沉降分级而除去微小粒子。

酸洗处理

用盐酸的浓度为17质量％的盐酸水溶液对经沉降分级得到的烧成物进行酸洗，其后水洗，实施分离干燥，得到酸洗处理后的烧成物作为稀土类铝酸盐荧光体A。

稀土类铝酸盐荧光体B

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体B。原料以在预备组成中成为(Lu_0.987Ce_0.013)₃(Al_0.8Ga_0.2)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体C

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体C。原料以在预备组成中成为(Lu_0.987Ce_0.013)₃(Al_0.7Ga_0.3)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体D

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体D。原料以在预备组成中成为(Lu_0.987Ce_0.013)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体E

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料。以1500℃进行10小时热处理，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体E。原料以在预备组成中成为(Lu_0.995Ce_0.005)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体F

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体E同样，得到稀土类铝酸盐荧光体F。原料以在预备组成中成为(Lu_0.995Ce_0.005)₃(Al_0.5Ga_0.5)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体G

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体E同样，得到稀土类铝酸盐荧光体G。原料以在预备组成中成为(Lu_0.995Ce_0.005)₃(Al_0.4Ga_0.6)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体H

在大气气氛下，以1500℃进行10小时热处理，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体E同样，得到稀土类铝酸盐荧光体H。原料以在预备组成中成为(Lu_0.995Ce_0.005)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体I

准备原料(第一混合物)

使用氧化镥(Lu₂O₃)、氧化铈(CeO₂)、氧化铝(Al₂O₃)和氧化镓(Ga₂O₃)作为原料，以使各化合物中所包含的Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料。相对于总体量100质量％，添加7.0质量％的氟化钡(BaF₂)作为助熔剂，以球磨机混合各原料，得到第一混合物。原料以在预备组成中成为(Lu_0.995Ce_0.005)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

第一热处理

将所得到的第一混合物放入氧化铝坩埚中，在还原性气氛中，以1500℃进行10小时热处理而得到第一烧成物。

第二混合物

使用所得到的第一烧成物和氧化镥(Lu₂O₃)、氧化铈(CeO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化镓(Ga₂O₃)作为原料，以使第一烧成物和各化合物中所包含的Lu、Ce、Al和Ga各元素满足所述组成的方式调制由各化合物构成的原料，相对于总体量100质量％，添加7.0质量％的氟化钡(BaF₂)作为助熔剂，得到第二原料混合物。使用球磨机，使第一烧成物与第二原料混合物按质量比计为7:3而进行混合，得到第二混合物。

第二热处理

将所得到的第二混合物放入氧化铝坩埚中，在还原性气氛中，以1500℃进行10小时热处理而得到第二烧成物。与稀土类铝酸盐A同样，对于第二烧成物进行分散处理和酸洗处理，得到稀土类铝酸盐荧光体I。

稀土类铝酸盐荧光体J

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体J。原料以在预备组成中成为(Lu_0.993Ce_0.007)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体K

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体K。原料以在预备组成中成为(Lu_0.992Ce_0.008)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体L

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体L。原料以在预备组成中成为(Lu_0.990Ce_0.010)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体M

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体M。原料以在预备组成中成为(Lu_0.988Ce_0.012)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体N

以使Lu、Ce、Al和Ga各元素满足下述的组成的方式调制由各化合物构成的原料，除此以外，均与稀土类铝酸盐荧光体A同样，得到稀土类铝酸盐荧光体N。原料以在预备组成中成为(Lu_0.987Ce_0.013)₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂的方式调制。

稀土类铝酸盐荧光体的评价

对于得到的稀土类铝酸盐荧光体进行以下的评价。评价结果显示在表1中。表1中的Ga(摩尔比)、Ce(摩尔比)，是预备组成中的各元素的摩尔比。

发光特性

对于各荧光体测量发光特性。荧光体的发光特性，使用量子效率测量装置(QE－2000，大塚电子株式会社制)，对于各荧光体照射激发光的波长为420nm的光，测量室温(25℃±5℃)下的发射光谱。根据各荧光体的发射光谱，在各荧光体中，求得CIE色度图中的色度坐标系下的色度坐标(x，y)和亮度(％)。

【表1】

实施例1－1至1－3

使用稀土类铝酸盐A制造发光装置。发光装置的制造方法，能够参照日本特开2010－062272号公报的公开。具体来说，准备具有第一引线、第二引线、有底面和侧面的凹部的成形体。准备使用了主波长为455nm的氮化物半导体的发光元件，在凹部的底面配置发光元件，并通过导线与第一引线和第二引线连接。作为透光性材料，准备相对于硅树脂100质量份，含有稀土类铝酸盐荧光体A为表2所示量(实施例1－1：20质量份，实施例1－2：40质量份，实施例1－3：60质量份)的波长转换体用组成物，在成形体的凹部内填充波长转换体用组成物。以150℃加热4小时使波长转换体用组成物硬化，形成由被覆发光元件的波长转换体制成的波长转换构件，形成树脂封装，制造发光装置。

实施例2－1至2－3

使用稀土类铝酸盐荧光体B制造发光装置。准备含有表2所示的量(实施例2－1：20质量份，实施例2－2：40质量份，实施例2－3：60质量份)的稀土类铝酸盐荧光体B的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

实施例3－1至3－3

使用稀土类铝酸盐荧光体C制造发光装置。准备含有表2所示的量(实施例3－1：40质量份，实施例3－2：60质量份，实施例3－3：80质量份)的稀土类铝酸盐荧光体C的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

比较例4－1、实施例4－2至4－5

使用稀土类铝酸盐荧光体D制造发光装置。准备含有表2所示的量(比较例4－1：20质量份，实施例4－2：40质量份，实施例4－3：60质量份，实施例4－4：90质量份，实施例4－5：120质量份)的稀土类铝酸盐荧光体D的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

比较例1

准备使用了主波长为454nm的氮化物半导体的发光元件，不使用荧光体，除此以外，均与实施例1－1同样地制造第一方式的发光装置。

比较例2

准备使用了主波长为484nm的氮化物半导体的发光元件，不使用荧光体，除此以外，均与实施例1－1同样地制造第一方式的发光装置。

比较例3

准备使用了主波长495nm的氮化物半导体的发光元件，不使用荧光体，除此以外，均与实施例1－1同样地制造第一方式的发光装置。

对于各发光元件和各发光装置进行以下的评价。各发光装置的评价的结果，记述在表2中。

发光元件的评价(发光元件的主波长)

对用于实施例和比较例的各发光元件，使用分光测光装置(PMA－11，浜松ホトニクス株式会社)和组合有积分球的光计测系统，测量CIE1931色度图的色度坐标系中的色度坐标(x，y)，以直线连接CIE1931色度图中的白色光的色度坐标(x＝0.3333，y＝0.3333)，与各发光元件的发光色的色度坐标(x_E，y_E)，将其延长线与光谱轨迹交叉的点的波长作为主波长而求得。

发光装置的评价

发光装置的光通量、光通量比、辐射通量(总光谱辐射通量)、色度坐标(x，y)

对于各发光装置，使用分光测光装置(PMA－11，浜松ホトニクス株式会社)和组合有积分球的光计测系统，求得光通量、辐射通量(总光谱辐射通量：mW)、CIE1931色度图的色度坐标系中的色度坐标(x，y)。

发光装置的主波长λd

各发光装置的主波长，以直线连接CIE1931色度图中的白色光的色度坐标(x＝0.3333，y＝0.3333)，与各发光装置的发光色的色度坐标(x，y)，将其延长线与光谱轨迹交叉的点的波长作为主波长而求得。

S/P比

关于各发光装置，基于上式(1)，计算暗视觉下光通量相对于明视觉下的光通量的比即S/P比。

发光装置的发射光谱

对于各发光装置，使用分光测光装置(PMA－11，浜松ホトニクス株式会社)和组合有积分球的光计测系统，测量室温(25℃±5℃)下的发射光谱。对于各发光装置，以各发光装置的发射光谱中最大的发光强度作为1而求得相对发射光谱。

褪黑素照度比率

根据各发光装置的光谱分布、ipRGC的灵敏度曲线(吸光度)和人的明视觉下的视敏度曲线，基于上式(2)计算褪黑素照度比率。

发射光谱的积分值的比率Ib/Ia

在各发光装置的相对发射光谱中，求得380nm以上且531nm以下的波长范围内的积分值Ib相对于380nm以上且780nm以下的波长范围内的积分值Ia的积分值的比率Ib/Ia。

【表2】

各实施例的发光装置，发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，作为暗视觉下的光通量相对于明视觉下的光通量的比率的S/P比为6.5以下。可认为各实施例的发光装置，即使在发出从包括蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光时，也能够降低暗处的光通量与明处的光通量的差，能够维持在暗视觉和明视觉都看起来明亮的优异的视认性。

各实施例的发光装置，发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，褪黑素照度比率为3.4以下。认为各实施例的发光装置，对人的昼夜节律造成很大影响的可能性低，例如作为表示充电时等的机器的特定的状态的信号色，能够发出可以使人想起特定的图像的含蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光。

从各实施例的发光装置发出的在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，在CIE1931色度图的xy色度坐标系中，呈现出图3所示的区域A1和图4所示的区域A2内的发光色。实施例3－2、实施例4－2、实施例4－3、实施例4－4、实施例4－5的各发光装置，在区域A1和区域A2之中，也呈现出图5所示的区域A3的蓝色至蓝绿色的发光色。

各实施例的发光装置，积分值的比率Ib/Ia在0.6以上且0.95以下的范围内，认为能够发出如下的光：能够一边维持在暗视觉和明视觉下都看起来明亮的优异的视认性，一边在暗视觉和明视觉下都降低了人所感受到的亮度的差的光。

比较例1的发光装置发出在低于475nm具有主波长的光，S/P比高于6.5，在暗处看时，可设想有感觉过亮的情况。另外，比较例1的发光装置发出在低于475nm具有主波长的光，褪黑素照度比率高于3.4，认为有可能对人的昼夜节律造成影响。另外，比较例1的发光装置发出在低于475nm具有主波长的光，没有呈现图3所示的区域A1内的发光色。另外，比较例1的发光装置，积分值的比率Ib/Ia高于0.95，可设想在暗处有感觉过亮的情况。

比较例2的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，但S/P比高于6.5，在暗处看时，可设想有感觉过亮的情况。另外，比较例2的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，褪黑素照度比率高于3.4，认为有可能对人的昼夜节律造成影响。另外，比较例2的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，呈现图3所示的区域A1内的发光色，但没有呈现图4所示的区域A2内和图5所示的区域A3内的发光色。另外，比较例2的发光装置，积分值的比率Ib/Ia高于0.95，可设想在暗处有感觉过亮的情况。

比较例3的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，但S/P比高于6.5，可设相在暗处看时，有感觉过亮的情况。另外，比较例3的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，褪黑素照度比率高于3.4，认为对人的昼夜节律有可能造成影响。另外，比较例3的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，该光呈现图3所示的区域A1内和图4所示的区域A2内的发光色，但没有呈现图5所示的区域A3内的发光色。另外，比较例3的发光装置，积分值的比率Ib/Ia高于0.95，可设想在暗处有感觉过亮的情况。

比较例4－1的发光装置，在波长转换构件所含的稀土类铝酸盐荧光体D的组成中，Ga的摩尔比较多，另外，Ce的摩尔比较多，因此相对于Ga的摩尔比少的荧光体而言，稀土类铝酸盐荧光体D的发光峰值波长发生变化，若稀土类铝酸盐荧光体D的含量少，则无法发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光。

比较例5－1至5－2、实施例5－3至5－7

使用稀土类铝酸盐荧光体E制造发光装置。准备含有表3所示的量(比较例5－1：20质量份，比较例5－2：40质量份，实施例5－3：60质量份，实施例5－4：90质量份，实施例5－5：120质量份，实施例5－6：200质量份，实施例5－7：280质量份)的稀土类铝酸盐荧光体E的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

比较例6－1至6－4、实施例6－5至6－9

使用稀土类铝酸盐荧光体F制造发光装置。准备含有表3所示的量(比较例6－1：20质量份，比较例6－2：40质量份，比较例6－3：60质量份，比较例6－4：100质量份，实施例6－5：200质量份，实施例6－6：300质量份，实施例6－7：400质量份，实施例6－8：450质量份，实施例6－9：550质量份)的稀土类铝酸盐荧光体F的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

比较例7－1至7－4、实施例7－5至7－11

使用稀土类铝酸盐荧光体G制造发光装置。准备含有表3所示的量(比较例7－1：20质量份，比较例7－2：40质量份，比较例7－3：60质量份，比较例7－4：150质量份，实施例7－5：250质量份，实施例7－6：350质量份，实施例7－7：450质量份，实施例7－8：560质量份，实施例7－9：600质量份，实施例7－10：650质量份，实施例7－11：700质量份)的稀土类铝酸盐荧光体G的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

比较例8－1至8―4、实施例8－5至8－8

使用稀土类铝酸盐荧光体H制造发光装置。准备含有表3所示的量(比较例8－1：20质量份，比较例8－2：40质量份，比较例8－3：60质量份，比较例8－4：100质量份，实施例8－5：200质量份，实施例8－6：300质量份，实施例8－7：400质量份，实施例8－8：450质量份)的稀土类铝酸盐荧光体H的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

比较例9－1至9－2、实施例9－3至9－6

使用稀土类铝酸盐荧光体I制造发光装置。准备含有表3所示的量(比较例9－1：20质量份，比较例9－2：40质量份，实施例9－3：60质量份，实施例9－4：120质量份，实施例9－5：200质量份，实施例9－6：300质量份)的稀土类铝酸盐荧光体I的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例1－1同样，制造发光装置。

对于各发光装置，均与实施例1－1同样，进行发光装置的评价。结果显示在表3中。

【表3】

各实施例的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，作为暗视觉下的光通量对于明视觉下的光通量的比率的S/P比为6.5以下。认为各实施例的发光装置，即使在发出含蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光时，也能够降低暗处的光通量与明处的光通量的差，维持暗视觉和明视觉下都看起来明亮的优异的视认性，能够降低人感觉到的亮度的差。

各实施例的发光装置发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，褪黑素照度比率为3.4以下。认为各实施例的发光装置，不会对人的昼夜节律产生很大影响，例如作为表示充电时等的机器的特定的状态的信号色，能够发出可以使人想起特定的图像的含蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光。

从各实施例的发光装置发出的在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，在CIE1931色度图的xy色度坐标系中，呈现图3所示的区域A1内和图4所示的区域A2内的发光色。实施例5－5、实施例5－6、实施例6－6至6－9、实施例7－7至7－11、实施例8－5至8－8、实施例9－5的各发光装置，在区域A1和区域A2之中，也呈现图5所示的区域A3的蓝色至蓝绿色的发光色。

各实施例的发光装置，积分值的比率Ib/Ia在0.6以上且0.95以下的范围内，认为能够发出如下这样的光：能够一边维持在暗视觉和明视觉下都看起来明亮的优异的视认性，一边在暗视觉和明视觉下都降低了人所感受到的亮度的差。

比较例5－1至5－2、比较例6－1至6－4、比较例7－1至7－4、比较例8－1至8－3、比较例9－1的各发光装置，在波长转换构件所包含的稀土类铝酸盐荧光体E至I的各组成中，因为Ga的摩尔比较多，Ce的摩尔比少，所以亮度低，若稀土类铝酸盐荧光体E至I的含量少，则发出在低于475nm具有主波长的光，S/P比高于6.5，在暗处看时，可设想有感觉到过亮的情况。另外，比较例5－1至5－2、比较例6－1至6－4、比较例7－1至7－4、比较例8－1至8－3、比较例9－1的各发光装置，发出在低于475nm具有主波长的光，褪黑素照度比率高于3.4，存在对人的昼夜节律造成影响的可能性。比较例8－4和比较例9－2的各发光装置，在波长转换构件所包含的稀土类铝酸盐荧光体H或I的各组成中，因为Ga的摩尔比较多，所以相对于Ga的摩尔比少的荧光体而言，稀土类铝酸盐荧光体H或I的发光峰值波长变化，若稀土类铝酸盐荧光体H或I的含量少，则无法发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光。

实施例10－1、比较例10－2至10－3

制造图6A和图6B所示的方式的发光装置。

在发光元件的配置工序中，基板使用以氮化铝为材料的陶瓷基板。发光元件，使用层叠有主波长为450nm的氮化物系半导体层的发光元件。发光元件的大小，是平面形状约1.0mm见方的大致正方形，厚度约0.11mm。发光元件，以使光射出面位于基板侧的方式配置，经由使用了Au所构成的导电构件的凸块进行倒装芯片组装。另外，与发光元件空出间隔，通过使用了Au所构成的导电构件的凸块对半导体元件进行倒装芯片组装。

在含有波长转换构件的波长转换体的形成工序中，使用稀土类铝酸盐荧光体A。准备波长转换体用组成物，其中，作为透光性材料，相对于硅树脂100质量份，以表4所示的量(实施例10－1：100质量份，比较例10－2：150质量份，比较例10－3：200质量份)含有稀土类铝酸盐荧光体A，作为填料而含有氧化铝15质量份。作为透光体，准备如下透光体：由硼硅酸玻璃构成，相比发光元件的平面形状，纵横约大0.15mm，平面形状是约1.15mm四方的大致正方形，厚度约0.10mm。在透光体的大致正方形状的一面，通过印刷法而印刷波长转换体用组成物，以180℃加热2小时，使波长转换体用组成物硬化，形成厚度约80μm的层状的波长转换体，形成层状或板状的波长转换体与透光体为一体的波长转换构件。

在发光元件和波长转换构件的粘接工序中，使用含硅树脂的粘接剂，对于波长转换构件的平面形状约1.15mm四方的大致正方形的一面与发光元件的平面形状约1.0mm四方的大致正方形的一面进行粘接，在发光元件与波长转换构件之间形成粘接层。

在被覆构件的形成工序中，准备含有二甲基硅树脂和平均粒径(目录值)为0.28μm的氧化钛粒子，相对于二甲基硅树脂100质量份而含有氧化钛粒子30质量份的被覆构件用组成物。以被覆构件用组成物覆盖配置在基板之上的发光元件和包含波长转换体及透光体的波长转换构件的侧面，以半导体元件完全埋设在被覆构件用组成物中的方式，填充被覆构件用组成物，使被覆构件用组成物硬化，形成被覆构件，形成树脂封装，制造发光装置。

实施例11－1至11－2、比较例11－3

以50:50的重量比混合稀土类铝酸盐荧光体A和稀土类铝酸盐荧光体H而制造发光装置。准备以表4所示的量(实施例11－1：200质量份，实施例11－2：300质量份，比较例11－3：500质量份，)含有稀土类铝酸盐荧光体A和稀土类铝酸盐荧光体H的混合物的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例10－1同样，制造发光装置。

实施例12－1至12－3

使用稀土类铝酸盐荧光体H制造发光装置。准备以表4所示的量(实施例12－1：400质量份，实施例12－2：500质量份，实施例12－3：600质量份，)含有稀土类铝酸盐荧光体H的波长转换体用组成物，除使用该波长转换体用组成物以外，均与实施例10－1同样，制造发光装置。

【表4】

各实施例的发光装置，发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，作为暗视觉下的光通量对于明视觉下的光通量的比率的S/P比为6.5以下。认为各实施例的发光装置，即使发出在包含蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光时，也能够减少暗处的光通量与明处的光通量的差，能够维持在暗视觉和明视觉下都看起来明亮的优异的视认性，能够减少人感觉到的明度的差。

各实施例的发光装置，发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，褪黑素照度比率为3.4以下。各实施例的发光装置，对人的昼夜节律造成很大影响的可能性低，例如作为表示充电时等的机器的特定的状态的信号色，发出可以使人特定的图像的在含蓝绿色在内的蓝色至绿色的波长范围具有主波长的光。

从各实施例的发光装置发出的在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光，在CIE1931色度图的xy色度坐标系中，呈现图3所示的区域A1内和图4所示的区域A2内的发光色。实施例12－3的发光装置，在区域A1和区域A2之中，也呈现图5所示的区域A3的蓝色至蓝绿色的发光色。

各实施例的发光装置，积分值的比率Ib/Ia在0.6以上且0.95以下的范围内，认为能够发出如下的光：一边维持在暗视觉和明视觉下都看起来明亮的优异的视认性，一边在暗视觉和明视觉下都降低了人所感受到的亮度的差的光。

比较例10－2至10－3、比较例11－3的各发光装置，波长转换体中所含的稀土类铝酸盐荧光体A的亮度高，若稀土类铝酸盐荧光体的含量多，发出具有高于500nm的主波长的光，无法发出在475nm以上且500nm以下的范围内具有主波长的光。

【产业上的可利用性】

本发明的一个方式的发光装置，能够作为普通照明用的发光装置、车辆用的发光装置、显示装置、照明器具、显示器等利用。