阅读说明：本技术 平坦化方法 (Planarization method ) 是由 吕丽英 黎家健 吴一雷 于 2020-04-23 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种平坦化方法,能够使得待加工产品的局部平坦度更均匀,待加工产品开设有填充氧化物的腔体且包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层和第二电极层,第一电极层覆盖腔体且包括位于第一电极层周边的第一斜面部,压电层覆盖第一电极层且在其表面形成第二斜面部,第二电极层覆盖部分压电层且包括位于第二电极层周边的第三斜面部,平坦化方法包括：在第二电极层沉积钝化层,钝化层覆盖住第二电极层和压电层,钝化层具有第一平面部、设于第一平面部外围的第四斜面部和自第四斜面部延伸的第二平面部,第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖腔体,第四斜面部沿竖直方向的正投影落在腔体外；对钝化层全面刻蚀,直至钝化层的厚度减薄至所需厚度。(The invention provides a flattening method, which can ensure that the local flatness of a product to be processed is more uniform, the product to be processed is provided with a cavity filled with oxide and comprises a first electrode layer, a piezoelectric layer and a second electrode layer which are stacked on the cavity, the first electrode layer covers the cavity and comprises a first inclined plane part positioned on the periphery of the first electrode layer, the piezoelectric layer covers the first electrode layer and forms a second inclined plane part on the surface of the piezoelectric layer, the second electrode layer covers part of the piezoelectric layer and comprises a third inclined plane part positioned on the periphery of the second electrode layer, and the flattening method comprises the following steps: depositing a passivation layer on the second electrode layer, wherein the passivation layer covers the second electrode layer and the piezoelectric layer, the passivation layer is provided with a first plane part, a fourth inclined plane part arranged on the periphery of the first plane part and a second plane part extending from the fourth inclined plane part, the first plane part covers the cavity along the projection in the vertical direction, and the orthographic projection of the fourth inclined plane part in the vertical direction falls outside the cavity; and etching the passivation layer completely until the thickness of the passivation layer is reduced to the required thickness.)

平坦化方法

【技术领域】

本发明涉及平坦化加工方法技术领域，尤其涉及一种平坦化方法。

【背景技术】

现有技术中，对需要平坦化加工的产品通常是通过CMP工艺来实现，CMP工艺存在以下问题：

1、CMP工艺比较复杂，成本较高。

2、CMP工艺对材料有要求，很多材料不适用CMP工艺，例如，氮化铝不是CMP工艺的常见材料，而氮化硅则对于CMP工艺来说是难以加工处理的。

3、常规CMP工艺在平坦化处理过程中是将待加工产品整个平坦化。

因此，有必要提供一种新的平坦化方法已解决以上问题。

【

发明内容

】

本发明的目的在于提供一种平坦化方法，其用于局部平坦化需要平坦化的待加工产品，加工过程更容易控制，能给提高待加工产品的局部平坦度。

本发明的技术方案如下：

一种平坦化方法，用于使得待加工产品的表面部分平坦化，所述待加工产品开设有填充氧化物的腔体，所述待加工产品包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层以及第二电极层，所述第一电极层覆盖所述腔体且包括位于所述第一电极层周边的第一斜面部，所述压电层覆盖所述第一电极层，且由于所述第一斜面部，所述压电层在其表面形成第二斜面部，所述第二电极层覆盖部分所述压电层且包括位于所述第二电极层周边的第三斜面部，所述平坦化方法包括：

在所述第二电极层沉积钝化层，所述钝化层覆盖住所述第二电极层和所述压电层，所述钝化层具有第一平面部、设于所述第一平面部外围的第四斜面部、以及自所述第四斜面部延伸的第二平面部，所述第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖所述腔体，且所述第四斜面部沿竖直方向的正投影落在所述腔体外；

对所述钝化层全面刻蚀，直至所述钝化层的厚度减薄至所需厚度。

作为一种改进方式，由于所述第三斜面部的存在，所述钝化层形成了所述第四斜面部，且由于所述第二斜面部的存在，所述钝化层还形成了设于所述第二平面部外围的第五斜面部。

作为一种改进方式，对所述钝化层全面刻蚀之后，进行以下工序：

释放所述腔体内的氧化物，得到成品。

作为一种改进方式，所述对所述钝化层全面刻蚀的实施方式为全面干刻蚀或全面湿刻蚀。

作为一种改进方式，所述钝化层采用氮化铝材料。

作为一种改进方式，所述第二电极层沿竖直方向的正投影落在所述腔体内。

作为一种改进方式，所述待加工产品还包括设于所述第一电极层与所述腔体之间的种子层。

作为一种改进方式，所述种子层采用氮化铝材料。

作为一种改进方式，所述待加工产品为滤波器。

本发明的有益效果在于：本发明提供的平坦化方法操作简单，实用性强，在实施过程中更容易控制，能够实现更好的局部平坦度，而且该平坦化方法还不受限于待加工产品的材料，应用范围广。

【附图说明】

图1为本发明实施例的平坦化方法的流程图；

图2为本发明实施例的平坦化方法的工艺示意图。

附图说明：

100、待加工产品；11、腔体；12、第一电极层；121、第一斜面部；13、压电层；131、第二斜面部；14、第二电极层；141、第三斜面部；15、氧化物；16、种子层；17、钝化层；171、第一平面部；172、第四斜面部；173、第二平面部；174、第五斜面部。

【

具体实施方式

】

下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。

需要说明的是，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、内、外、顶部、底部……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，该元件可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。

实施例

如图1和图2所示，本发明实施例提供了一种平坦化方法，其用于平坦化待加工产品100，例如滤波器，待加工产品100开设有填充氧化物15的腔体11，待加工产品100包括叠设在腔体11上的第一电极层12、压电层13以及第二电极层14，第一电极层12覆盖腔体11且包括位于第一电极层12周边的第一斜面部121，压电层13覆盖第一电极层12，且由于第一斜面部121，压电层13在其表面形成第二斜面部131，第二电极层14覆盖部分压电层13且包括位于第二电极层14周边的第三斜面部141，第二电极层14沿竖直方向的正投影落在腔体11内，平坦化方法包括：

步骤S100，在第二电极层14沉积钝化层17，沉积方式可采用PVD沉积法或CVD沉积法，采用哪种沉积方式取决于所需的薄膜类型和适用性。钝化层17覆盖住第二电极层14和压电层13，钝化层17具有第一平面部171、设于第一平面部171外围的第四斜面部172、自第四斜面部172延伸的第二平面部173、以及设于第二平面部173外围的第五斜面部174，第一平面部171沿竖直方向上的投影覆盖腔体11，由于第三斜面部141的存在，钝化层17形成了第四斜面部172，第四斜面部172沿竖直方向的正投影落在腔体11外，而且，由于第二斜面部131的存在，钝化层17形成了第五斜面部174。在此工序中，钝化层17需要足够厚的厚度才可以使得第四斜面部172沿竖直方向的正投影落在腔体11外，典型钝化层17的最终厚度一般是100nm-300nm范围内，本方法沉积的钝化层17初始厚度可能在300-1000nm范围内，具体的厚度取决于叠层厚度(在本实施例中即为第一电极层12、压电层13和第二电极层14整体厚度)，而叠层的厚度根据实际需要决定。

步骤S200，对钝化层17全面刻蚀，直至钝化层17的厚度减薄至所需厚度，例如典型钝化层17所需厚度是100nm-300nm范围内，钝化层17最终所需的厚度取决于叠层厚度(在本实施例中即为第一电极层12、压电层13和第二电极层14整体厚度)，而叠层的厚度根据实际需要决定。对钝化层17全面刻蚀的实施方式为全面干刻蚀或全面湿刻蚀，此处所说全面刻蚀，指的是从上到下对钝化层17以同样的蚀刻速率进行蚀刻，即蚀刻前后，钝化层17的形状并没有改变，只是厚度改变了。如此，与CMP工艺相比，平坦化面积更小，在平坦化过程中能够实现更好的均匀性控制。

进一步地，全面刻蚀的方法对蚀刻材料没有太多的限制，例如，氮化铝材料和氮化硅材料对于CMP工艺来说是不太合适的，而全面刻蚀的方法则没有这个限制，因此钝化层17可采用氮化铝材料。

步骤S300，释放腔体11内的氧化物15，得到成品。

进一步地，加工产品还包括设于第一电极层12与腔体11之间的种子层16，本实施例中，种子层16可采用氮化铝材料。

本实施例提供的平坦化方法操作简单，实用性强，在实施过程中更容易控制，能够实现更好的局部平坦度，而且该平坦化方法还不受限于待加工产品100的材料，应用范围广。

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。