阅读说明：本技术 晶片的加工方法 (Method for processing wafer ) 是由 古田健次 于 2020-02-14 设计创作，主要内容包括：提供晶片的加工方法,能够抑制由激光束的照射而引起的器件的损伤。一种晶片的加工方法,该晶片在由多条第1分割预定线和多条第2分割预定线划分的多个区域的正面侧形成有器件,该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1改质层形成步骤,在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的正面侧的第1区域的高度一致的状态下照射激光束,从而在第1区域中形成第1改质层；以及第2改质层形成步骤,在使激光束的聚光点的高度与晶片的内部中的位于晶片的背面侧的第2区域的高度一致的情况下照射激光束,从而在第2区域中形成第2改质层,并且形成从晶片的正面至背面的龟裂,沿着多条第1分割预定线和多条第2分割预定线对晶片进行分割。(Provided is a wafer processing method capable of suppressing damage to a device caused by irradiation with a laser beam. A method for processing a wafer having devices formed on a front surface side of a plurality of regions defined by a plurality of first planned dividing lines 1 and a plurality of second planned dividing lines 2, the method comprising the steps of: a 1 st modified layer forming step of irradiating the wafer with the laser beam in a state where a height of a condensed point of the laser beam is made to coincide with a height of a 1 st region located on a front surface side of the wafer in the wafer, thereby forming a 1 st modified layer in the 1 st region; and a 2 nd modified layer forming step of irradiating the wafer with a laser beam while matching a height of a converging point of the laser beam with a height of a 2 nd region located on a back surface side of the wafer in the wafer, thereby forming a 2 nd modified layer in the 2 nd region, forming a crack from a front surface to a back surface of the wafer, and dividing the wafer along the plurality of 1 st planned dividing lines and the plurality of 2 nd planned dividing lines.)

晶片的加工方法

技术领域

本发明涉及形成有器件的晶片的加工方法。

背景技术

在器件芯片的制造工序中，使用在由相互交叉的多条分割预定线(间隔道)划分的多个区域中分别形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large ScaleIntegration：大规模集成电路)等器件的晶片。通过沿着分割预定线分割该晶片，能够得到分别具有器件的多个器件芯片。

在晶片的分割中例如使用具有主轴(旋转轴)的切削装置，该主轴(旋转轴)安装有对晶片进行切削的圆环状的切削刀具。通过使切削刀具旋转并沿着分割预定线切入晶片，从而沿着分割预定线切断、分割晶片。

另一方面，近年来，着眼于通过激光加工来分割晶片的技术。例如，提出了如下的方法(参照专利文献1)：使对于晶片具有透过性的激光束聚光在晶片的内部，在晶片的内部沿着分割预定线形成被改质的区域(改质层)。形成有改质层的区域比晶片的其他区域脆。因此，当对形成有改质层的晶片施加外力时，以改质层为起点沿着分割预定线分割晶片。

在形成有改质层的晶片上粘贴有例如能够通过施加外力而扩展的片(扩展片)。通过扩展该片，对晶片施加外力，从而沿着分割预定线分割晶片。另外，还提出了如下的方法(参照专利文献2)：通过对形成有改质层的晶片实施磨削加工，从改质层产生裂纹来分割晶片。

专利文献1：日本特开2011-49454号公报

专利文献2：日本特开2015-37172号公报

如上所述，在通过激光加工对晶片进行分割的情况下，根据晶片的厚度和材质等，有时沿着各分割预定线在晶片的厚度方向上形成多层改质层。该多层改质层例如是通过一边使激光束的聚光点的铅垂方向上的位置(高度)从晶片的下表面侧朝向上表面侧阶段性地改变，一边沿着一条分割预定线从晶片的上表面侧(背面侧)各照射多次激光束而形成的。由此，例如即使在晶片比较厚的情况下，也以改质层为起点适当地分割晶片。

这里，在沿着相互交叉的第1分割预定线和第2分割预定线分别形成多层改质层的情况下，通常，从晶片的下表面侧到上表面侧形成沿着第1分割预定线的多层改质层，然后，从晶片的下表面侧到上表面侧形成沿着第2分割预定线的多层改质层。因此，在沿着第2分割预定线形成改质层时，在第1分割预定线与第2分割预定线的交叉区域中已经从晶片的下表面侧到上表面侧形成有多层改质层。

并且，在沿着第2分割预定线形成改质层时，向该交叉区域照射激光束。于是，激光束照射在已经形成于交叉区域的改质层上而产生激光束的漫反射(飞溅)，有时激光束从第2分割预定线露出。其结果为，激光束照射在形成于晶片的下表面侧(正面侧)的器件上，有可能使器件损伤。

特别是，当沿着第2分割预定线在晶片的下表面侧形成改质层时，向在交叉区域中从晶片的下表面到上表面形成的多个改质层照射激光束。因此，容易产生激光束的漫反射，也容易产生器件的损伤。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供能够抑制由激光束的照射而引起的器件的损伤的晶片的加工方法。

根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，该晶片在由多条第1分割预定线和与该第1分割预定线交叉的多条第2分割预定线划分的多个区域的正面侧形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护部件；第1改质层形成步骤，在使对于该晶片具有透过性的激光束的聚光点的高度与隔着该保护部件被卡盘工作台保持的该晶片的内部中的位于该晶片的正面侧的第1区域的高度一致的状态下，从该晶片的背面侧沿着多条该第1分割预定线和多条该第2分割预定线照射该激光束，从而在该第1区域中形成第1改质层；第2改质层形成步骤，在实施了该第1改质层形成步骤之后，在使该激光束的聚光点的高度与该晶片的内部中的位于该晶片的背面侧的第2区域的高度一致的状态下，从该晶片的背面侧沿着多条该第1分割预定线和多条该第2分割预定线照射该激光束，从而在该第2区域中形成第2改质层，并且形成从该晶片的正面至背面的龟裂，沿着多条该第1分割预定线和多条该第2分割预定线对该晶片进行分割；以及磨削步骤，在实施了该第2改质层形成步骤之后，对该晶片的背面侧进行磨削而使该晶片薄化至规定的厚度。

另外，优选的是，在该第1改质层形成步骤中，产生从该第1改质层至该晶片的正面的龟裂。另外，优选的是，在该第1改质层形成步骤中，以使该晶片的正面与该第1改质层的距离比该规定的厚度大的方式形成该第1改质层，在该磨削步骤中，通过使该晶片薄化至该规定的厚度而去除该第1改质层。

在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，首先，沿着多条第1分割预定线和多条第2分割预定线，在晶片的内部中的位于晶片的正面侧(下表面侧)的第1区域中形成第1改质层。然后，沿着多条第1分割预定线和多条第2分割预定线13b，在晶片的内部中的位于晶片的背面侧(上表面侧)的第2区域中形成第2改质层。

在上述晶片的加工方法中，当沿着多条第1分割预定线和多条第2分割预定线在第1区域中形成第1改质层时，在第2区域中没有形成改质层。因此，在将激光束的聚光点定位于第1区域而向晶片照射激光束时，不容易在第2区域中产生激光束的漫反射(飞溅)。由此，不容易产生激光束向器件的照射，抑制器件的破损。

附图说明

图1是示出晶片的立体图。

图2是示出激光加工装置的局部剖视侧视图。

图3的(A)是放大示出第1改质层形成步骤中的晶片的一部分的剖视图，图3的(B)是放大示出第1改质层形成步骤后的晶片的一部分的剖视图。

图4的(A)是放大示出第2改质层形成步骤中的晶片的一部分的剖视图，图4的(B)是放大示出第2改质层形成步骤后的晶片的一部分的剖视图。

图5是示出磨削装置的侧视图。

图6是放大示出磨削步骤后的晶片的一部分的剖视图。

标号说明

11：晶片；11a：正面；11b：背面；11c：第1区域；11d：第2区域；13a：第1分割预定线；13b：第2分割预定线；13c：交叉区域；15：器件；17：保护部件；19：改质层(变质层)；21：器件层(功能层)；23a：第1改质层(第1变质层)；23b：第2改质层(第2变质层)；25a、25b：龟裂(裂纹)；27：龟裂(裂纹)；2：激光加工装置；4：卡盘工作台(保持工作台)；4a：保持面；6：激光照射单元；8：激光束；12：磨削装置；14：卡盘工作台(保持工作台)；14a：保持面；16：磨削单元；18：主轴；20：安装座；22：磨削磨轮；24：基台；26：磨削磨具。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。首先，对能够通过本实施方式的晶片的加工方法进行加工的晶片的结构例进行说明。图1是示出晶片11的立体图。

晶片11具有正面11a和背面11b，例如使用硅等材料而形成为圆盘状。晶片11由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线(间隔道)划分为多个区域。

具体而言，在晶片11上设定有多条第1分割预定线13a和第2分割预定线13b，该多条第1分割预定线13a以长度方向沿着第1方向(箭头A所示的方向)的方式排列，该第2分割预定线13b以长度方向沿着与第1方向大致垂直的第2方向(箭头B所示的方向)的方式排列。第1分割预定线13a和第2分割预定线13b以相互交叉的方式排列，晶片11由第1分割预定线13a和第2分割预定线13b划分为多个区域。

在由第1分割预定线13a和第2分割预定线13b划分出的多个区域的正面11a侧分别形成有由IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)等构成的器件15。当沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b分割晶片11时，能够得到分别具有器件15的多个器件芯片。

另外，晶片11的材质、形状、构造、大小等没有制限。例如，晶片11也可以由硅以外的半导体(GaAs、SiC、InP、GaN等)、蓝宝石、玻璃、陶瓷、树脂、金属等材料形成。另外，器件15的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有制限。

在对晶片11进行分割时，例如，沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b形成分割起点。该分割起点在对晶片11进行分割时作为分割的起点(分割的契机)而发挥功能。例如，分割起点是通过对晶片11实施激光加工、使晶片11的内部沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b改质(变质)而形成的。

晶片11内部的被改质的区域(改质层)比晶片11的其他区域脆。而且，如果对形成有改质层的晶片11施加例如朝向晶片11的半径方向外侧的外力，则龟裂从改质层沿着晶片11的厚度方向延展，晶片11以改质层为起点被分割。即，改质层作为晶片11的分割起点而发挥功能。由此，晶片11沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b被分割，能够得到分别具有器件15的多个器件芯片。

当通过激光加工在晶片11上形成分割起点时，首先，在晶片11的正面11a侧粘贴保护部件17(保护部件粘贴步骤)。作为保护部件17，例如使用由树脂等构成的、形成为与晶片11大致相同直径的圆形的薄膜状的带。通过保护部件17覆盖并保护形成在晶片11的正面11a侧的多个器件15。

另外，为了便于晶片11的加工和搬送，也可以利用环状的框架对晶片11进行支承。具体而言，在晶片11的正面11a侧粘贴直径比晶片11大的圆形的保护部件17，并且在保护部件17的外周部粘贴环状的框架，该框架具有直径比晶片11大的圆形的开口。由此，构成晶片11借助保护部件17被环状的框架支承的框架单元。

接下来，利用激光加工装置对晶片11进行保持。图2是示出激光加工装置2的局部剖视侧视图。激光加工装置2具有：卡盘工作台(保持工作台)4，其对晶片11进行保持；以及激光照射单元6，其照射激光束8。

卡盘工作台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，该旋转驱动源使卡盘工作台4绕与铅垂方向(Z轴方向、上下方向)大致平行的旋转轴旋转。另外，在卡盘工作台4的下方设置有移动机构(未图示)，该移动机构使卡盘工作台4沿着加工进给方向(X轴方向、第1水平方向)和分度进给方向(Y轴方向、第2水平方向)移动。

卡盘工作台4的上表面构成对晶片11进行保持的保持面4a。保持面4a与晶片11的形状对应地形成为圆形。但是，保持面4a的形状能够根据晶片11的形状等进行适当变更。保持面4a经由形成在卡盘工作台4的内部的流路(未图示)与吸引源(未图示)连接。

在卡盘工作台4的上方设置有激光照射单元6。激光照射单元6具有：激光振荡器，其脉冲振荡出规定波长的激光束；以及聚光器，其使从激光振荡器振荡出的激光束在规定的位置聚光。激光照射单元6朝向卡盘工作台4所保持的晶片11照射激光束8。

另外，激光束8的波长被设定为使激光束8对于晶片11示出透过性。因此，从激光照射单元6向晶片11照射透过晶片11(对于晶片11具有透过性)的激光束8。

与卡盘工作台4连结的旋转驱动源和移动机构、以及激光照射单元6分别与对构成激光加工装置2的各结构要素进行控制的控制部(未图示)连接。通过该控制部，对卡盘工作台4的位置、激光束8的照射条件(聚光点的位置、功率、光斑直径、重复频率等)进行控制。

晶片11隔着保护部件17被卡盘工作台4保持。具体而言，以使晶片11的正面11a侧(保护部件17侧)与卡盘工作台4的保持面4a对置的方式，将晶片11配置在卡盘工作台4上。在该状态下，如果使吸引源的负压作用于保持面4a，则晶片11被卡盘工作台4吸引保持。

接下来，从激光照射单元6朝向晶片11照射激光束8。此时，激光束8在晶片11的内部(晶片的正面11a与背面11b之间的区域)聚光。另外，调整激光束8的照射条件(功率、光斑直径、重复频率等)，以使晶片11的内部通过多光子吸收而被改质(变质)。

通过一边向晶片11照射激光束8，一边使卡盘工作台4沿水平方向(在图2中为X轴方向)移动，在晶片11的内部形成线状的改质层(变质层)19。形成有改质层19的区域比晶片11的其他区域脆。而且，例如当对形成有改质层19的晶片11施加外力时，龟裂从改质层19沿晶片11的厚度方向延展，晶片11以改质层19为起点被分割。即，改质层19作为分割起点而发挥功能。

另外，根据晶片11的厚度和材质等，有时在晶片11的厚度方向上形成多层改质层19。通过形成多层改质层19，即使在例如晶片11比较厚的情况下，也能够以改质层19为起点适当地分割晶片11。

在形成多层改质层19的情况下，通常，从晶片11的下表面侧(正面11a侧)到上表面侧(背面11b侧)形成沿着第1分割预定线13a(参照图1)的多层改质层19，然后，从晶片的下表面侧到上表面侧形成沿着第2分割预定线13b(参照图1)的多层改质层19。因此，在沿着第2分割预定线13b形成改质层19时，在第1分割预定线13a与第2分割预定线13b的交叉区域13c(参照图1)中已经从晶片11的下表面侧到上表面侧形成有多层改质层19。

并且，在沿着第2分割预定线13b形成改质层19时，向该交叉区域13c照射激光束8。于是，激光束8照射在已经形成于交叉区域13c的改质层19上而产生激光束8的漫反射(飞溅)，有时激光束8从第2分割预定线13b露出。其结果为，激光束8照射在形成于晶片11的下表面侧(正面11a侧)的器件15(参照图1)上，有可能使器件15损伤。

特别是，当沿着第2分割预定线13b在晶片11的下表面侧(正面11a侧)形成改质层19时，向在交叉区域13c中从晶片11的下表面到上表面已经形成的多个改质层19照射激光束8。因此，容易产生激光束8的漫反射，也容易产生器件15的损伤。

因此，在本实施方式的晶片的加工方法中，沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b，在晶片11的内部中的位于晶片11的正面11a侧的第1区域11c(参照图3的(A)等)中形成改质层，然后，沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b，在晶片11的内部中的位于晶片11的背面11b侧的第2区域11d(参照图3的(A)等)中形成改质层。

具体而言，首先，在晶片11的第1区域11c中沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b形成第1改质层(第1变质层)23a(第1改质层形成步骤)。图3的(A)是放大示出第1改质层形成步骤中的晶片11的一部分的剖视图。

在晶片11的正面11a侧隔着器件层(功能层)21粘贴有保护部件17。另外，器件层21相当于包含构成形成在晶片11的正面11a侧的多个器件15(参照图1)的各种功能膜(导电膜、绝缘膜等)的层。

在第1改质层形成步骤中，首先，使卡盘工作台4(参照图2)旋转，使第1分割预定线13a(参照图1)的长度方向与卡盘工作台4的加工进给方向一致。另外，使激光束8的聚光点的高度与晶片11的第1区域11c的高度一致。然后，一边从激光照射单元6朝向晶片11照射激光束8，一边使卡盘工作台4沿加工进给方向移动，从而沿着第1分割预定线13a照射激光束8。

通过照射激光束8，在晶片11的第1区域11c中沿着第1分割预定线13a形成有线状的第1改质层23a，并且龟裂(裂纹)25a从第1改质层23a沿着晶片11的厚度方向延展。另外，龟裂25a有时从第1改质层23a朝向正面11a或背面11b的一方形成，也有时从第1改质层23a朝向正面11a和背面11b双方形成。

接下来，使激光束8的聚光点向晶片11的背面11b侧移动，同样地向第1区域11c照射激光束8。其结果为，在第1区域11c中沿着一条第1分割预定线13a形成有俯视时重叠的多条第1改质层23a。另外，图3的(A)示出形成有2层第1改质层23a的情况，但第1改质层23a的层数能够根据晶片11的厚度和材质层而进行变更，能够设定为1个或3个以上的任意数量。

当形成有多条第1改质层23a时，从一个第1改质层23a延展的龟裂25a与从另一个第1改质层23a延展的龟裂25a连结。在图3的(A)中，从第1层的第1改质层23a(正面11a侧的第1改质层23a)朝向背面11b侧延展的龟裂25a与从第2层的第1改质层23a(背面11b侧的第1改质层23a)朝向正面11a侧延展的龟裂25a相互连结。

之后，沿着其他的第1分割预定线13a，同样地形成第1改质层23a。其结果为，在晶片11的第1区域11c中沿着全部的第1分割预定线13a形成有线状的第1改质层23a。

接下来，使卡盘工作台4旋转，使第2分割预定线13b(参照图1)的长度方向与卡盘工作台4的加工进给方向一致。然后，通过同样的顺序，沿着全部的第2分割预定线13b形成第1改质层23a。其结果为，在晶片11的第1区域11c中沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b呈格子状地形成有第1改质层23a。

另外，在沿着第2分割预定线13b形成第1改质层23a时，激光束8经由第2区域11d照射到第1区域11c。这里，假如在第2区域11d中形成有改质层，则激光束8照射到该改质层而发生漫反射(飞溅)，有时照射到器件层21所包含的器件15。由此，有可能使器件15破损。

另一方面，在上述的第1改质层形成步骤中，仅在第1区域11c中形成沿着第1分割预定线13a的第1改质层23a。因此，在沿着第2分割预定线13b形成第1改质层23a时，在第2区域11d中没有形成改质层，不容易在第2区域11d中产生激光束8的漫反射。由此，不容易产生激光束8向器件15的照射，从而抑制器件15的破损。

另外，在沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b形成多层第1改质层23a的情况下，形成第1改质层23a的顺序没有限制。例如，可以在沿着第1分割预定线13a形成多层第1改质层23a之后，沿着第2分割预定线13b形成多层第1改质层23a，也可以反复进行沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b一层一层地形成第1改质层23a的工序。

图3的(B)是放大示出第1改质层形成步骤后的晶片11的一部分的剖视图。在晶片11的第1区域11c中形成有沿着第1分割预定线13a的长度方向(图3的(B)的纸面左右方向)的第1改质层23a和沿着第2分割预定线13b的长度方向(图3的(B)的纸面前后方向)的第1改质层23a。图3的(B)示出沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b各形成有2层第1改质层23a的晶片11的例子。

另外，当形成有第1改质层23a时，晶片11的形成有第1改质层23a的区域膨胀，有时由于该膨胀而在晶片11上产生翘曲。当在晶片11上产生翘曲时，第1分割预定线13a和第2分割预定线13b的位置发生变动，因而难以沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b照射激光束8。特别是，在第1分割预定线13a和第2分割预定线13b的根数多且其间隔狭窄的情况下(例如5mm以下)，由晶片11的膨胀而引起的第1分割预定线13a和第2分割预定线13b的位置的变动容易变大。

因此，在第1改质层形成步骤中，如图3的(A)所示，优选产生从第1改质层23a至晶片11的正面11a的龟裂25a。具体而言，在形成最接近晶片11的正面11a的第1改质层23a时，设定激光束8的照射条件，以形成从第1改质层23a到达晶片11的正面11a的龟裂25a。

例如，在使用直径12英寸、厚度775μm的硅晶片作为晶片11的情况下，将激光束8的聚光点定位在距晶片11的正面11a的距离(深度)为200μm以下的地点。然后，沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b照射激光束8。另外，激光束8的照射条件例如如下那样设定。

光源：YAG脉冲激光

波长：1064nm

重复频率：60kHz

平均输出：1.8W

加工进给速度：900mm/s

当在上述条件下照射激光束8时，连续地形成从最接近晶片11的正面11a的第1改质层23a到达晶片11的正面11a的龟裂25a。其结果为，晶片11的正面11a侧的一部分区域沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b被分割。

当这样对晶片11的正面11a侧进行分割时，确认了即使形成第1改质层23a，也不容易产生晶片11的翘曲。由此，抑制第1分割预定线13a和第2分割预定线13b的变形，容易沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b照射激光束8。

另外，在形成有第1改质层23a的时刻，晶片11的背面11b侧(第2区域11d侧)不被分割地连结。因此，即使由于第1改质层23a的形成而在晶片11的正面11a侧(第1区域11c侧)产生膨胀，也不容易产生晶片11整体的变形或翘曲，抑制第1分割预定线13a和第2分割预定线13b的位置的变动。

接下来，在晶片11的第2区域11d中沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b形成第2改质层(变质层)23b(第2改质层形成步骤)。图4的(A)是放大示出第2改质层形成步骤中的晶片11的一部分的剖视图。

在第2改质层形成步骤中，通过与第1改质层形成步骤相同的步骤，沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b照射激光束8。但是，在向晶片11照射激光束8时，激光束8的聚光点的高度与晶片11的第2区域11d的高度一致。

其结果为，在晶片11的第2区域11d中沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b形成有第2改质层23b，并且从第2改质层23b沿着晶片11的厚度方向形成有龟裂(裂纹)25b。另外，在第2改质层形成步骤中，如图4的(A)所示，设定激光束8的照射条件，以形成从第2改质层23b至晶片11的背面11b的龟裂25b。

图4的(B)是放大示出第2改质层形成步骤后的晶片11的一部分的剖视图。图4的(B)示出沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b各形成有2层第2改质层23b的晶片11的例子。另外，从第1层的第2改质层23b(正面11a侧的第2改质层23b)朝向背面11b侧延展的龟裂25b与从第2层的第2改质层23b(背面11b侧的第2改质层23b)朝向正面11a侧延展的龟裂25b相互连结。

另外，形成于第2区域11d的第2改质层23b的层数能够与第1改质层23a的层数同样地进行适当设定。另外，在沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b形成多层第2改质层23b的情况下，形成第2改质层23b的顺序能够与第1改质层形成步骤同样地进行适当设定。此外，龟裂25b的延展方式与形成于第1区域11c的龟裂25a相同。

当实施第2改质层形成步骤时，在第1改质层形成步骤中形成的龟裂25a与在第2改质层形成步骤中形成的龟裂25b连结，沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b连续地形成从晶片11的背面11b至正面11a的多个龟裂(裂纹)27。其结果为，晶片11沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b被分割，能够得到分别具有器件15(参照图1)的多个器件芯片。

另外，在第1改质层形成步骤中形成于第1区域11c的龟裂25a有时未到达晶片11的正面11a。但是，如果在第2改质层形成步骤中形成到达晶片11的背面11b的龟裂25b，则以该龟裂25b的形成为契机，龟裂25a以到达晶片11的正面11a的方式延展。

另外，在分割晶片11时，在晶片11的正面11a侧粘贴保护部件17。因此，在晶片11被分割为多个器件芯片之后，各器件芯片的配置也由保护部件17维持。

另外，优选形成于第1区域11c的第1改质层23a的层数和形成于第2区域11d的第2改质层23b的层数根据晶片11的厚度和材质等而进行调节。例如，在晶片11是直径12英尺、厚度775μm的硅晶片的情况下，当在第1区域11c中形成2层第1改质层23a、在第2区域11d中形成5层第2改质层23b时，确认了晶片11被适当地分割。

另外，优选形成于第1区域11c的第1改质层23a的层数比形成于第2区域11d的第2改质层23b的层数少。由此，确认了更不容易产生晶片11的翘曲。

接下来，对晶片11的背面11b侧进行磨削而使晶片11薄化至规定的厚度(磨削步骤)。在磨削步骤中，例如使用磨削装置对晶片11进行磨削。图5是示出磨削装置12的侧视图。

磨削装置12具有对晶片11进行保持的卡盘工作台(保持工作台)14。卡盘工作台14与电动机等旋转驱动源(未图示)连接，该旋转驱动源使卡盘工作台14绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，在卡盘工作台14的下方设置有移动机构(未图示，该移动机构使卡盘工作台14沿着加工进给方向移动。

卡盘工作台14的上表面构成对晶片11进行保持的保持面14a。保持面14a与晶片11的形状对应地形成为圆形。但是，保持面14a的形状能够根据晶片11的形状等而进行适当变更。保持面14a经由形成在卡盘工作台14的内部的流路(未图示)与吸引源(未图示)连接。

在卡盘工作台14的上方配置有磨削单元16。磨削单元16具有被升降机构(未图示)支承的主轴壳体(未图示)。在主轴壳体中收纳有主轴18，在主轴18的下端部固定有圆盘状的安装座20。

在安装座20的下表面侧安装有直径与安装座20大致相同的磨削磨轮22。磨削磨轮22具有由不锈钢、铝等金属材料形成的圆环状的基台24。另外，在基台24的下表面侧固定有形成为长方体状的多个磨削磨具26。多个磨削磨具26沿着基台24的外周呈环状排列。

在主轴18的上端侧(基端侧)连接有电动机等旋转驱动源(未图示)。磨削磨轮22通过从该旋转驱动源传递的力而绕与铅垂方向大致平行的旋转轴旋转。另外，在磨削单元16的内部设置有用于提供纯水等磨削液的磨削液提供路(未图示)。在对晶片11实施磨削加工时，朝向晶片11和磨削磨具26提供磨削液。

在磨削步骤中，首先，以使晶片11的正面11a侧(保护部件17侧)与保持面14a对置的方式，将晶片11配置在卡盘工作台14上。在该状态下，如果使吸引源的负圧作用于保持面14a，则晶片11在背面11b侧向上方露出的状态下被卡盘工作台14吸引保持。

接下来，使卡盘工作台14移动而配置于磨削单元16的下方。然后，使卡盘工作台14和磨削磨轮22分别旋转，一边向晶片11的背面11b侧提供磨削液，一边使主轴18下降。另外，主轴18的下降速度被调整为以适当的力将磨削磨具26的下表面按压在晶片11的背面11b侧。

当磨削磨具26与晶片11的背面11b侧接触时，晶片11的背面11b侧被磨削，晶片11被薄化。然后，继续进行晶片11的磨削，直至晶片11的厚度成为规定的厚度(精加工厚度)。另外，精加工厚度相当于通过晶片11的分割而得到的器件芯片的最终厚度。

图6是放大示出磨削步骤后的晶片11的一部分的剖视图。当实施磨削步骤时，沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b被分割的晶片11被薄化至精加工厚度。

另外，如果在磨削加工后的晶片11上残留第1改质层23a(参照图3的(A)等)，则通过晶片11的分割而得到的器件芯片的抗折强度降低。因此，在上述的第1改质层形成步骤中，优选以使晶片11的厚度方向上的晶片11的正面11a与第1改质层23a的距离比精加工厚度大的方式形成第1改质层23a。即，优选在距晶片11的正面11a的距离(深度)为精加工厚度以下的区域中不形成第1改质层23a。

在上述的情况下，当在磨削步骤中将晶片11磨削至晶片11的厚度成为精加工厚度时，第1改质层23a被全部去除。因此，在磨削加工后的晶片11上不会残留第1改质层23a，抑制器件芯片的抗折强度降低。

如上所述，本实施方式的晶片的加工方法具有：第1改质层形成步骤，沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b在第1区域11c中形成第1改质层23a；以及第2改质层形成步骤，沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b在第2区域11d中形成第2改质层23b。

在上述的晶片的加工方法中，当沿着多条第1分割预定线13a和多条第2分割预定线13b在第1区域11c中形成第1改质层23a时，在第2区域11d中没有形成改质层。因此，在将激光束8的聚光点定位于第1区域11c而向晶片11照射激光束8时，不容易在第2区域11d中产生激光束8的漫反射(飞溅)。由此，不容易产生激光束8向器件15的照射，从而抑制器件15的破损。

另外，在使用像以往那样使用扩展片对形成有改质层的晶片进行分割的方法、或通过对形成有改质层的晶片实施磨削加工来分割晶片的方法的情况下，有时不会对晶片整体施加预期的外力，晶片不能被适当地分割。另外，在实施了在晶片上形成改质层的工序的时刻，难以确认是否沿着分割预定线适当地形成有改质层，难以预想在后面的工序中晶片是否被适当地分割。

另一方面，在本实施方式的晶片的加工方法中，通过由从晶片11的正面11a侧到背面11b侧形成改质层而产生的龟裂，对晶片11进行分割。由此，晶片11沿着第1分割预定线13a和第2分割预定线13b被适当地分割。另外，在实施了第1改质层形成步骤和第2改质层形成步骤的时刻，晶片11的分割工序已经完成，因此在实施后面的工序(磨削步骤等)之前，能够容易地确认晶片11是否被适当地分割。

另外，上述实施方式的构造、方法等能够在不脱离本发明的目的的范围内进行适当变更而实施。