阅读说明：本技术 一种封装基板切割的加工工艺方法 (processing method for cutting package substrate ) 是由 陈光春 林建涛 于 2019-10-28 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种封装基板切割的加工工艺方法,包括：将封装基板放置加工台上,激光在封装基板内部进行聚焦；激光沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行内部预处理；将预处理后的封装基板移载固定至吸具上；对封装基板进行清洗；对清洗后的封装基板,沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行切割,以使封装基板被切割分离成若干芯片颗粒。本发明提高了封装基板的切割良率及生产效率,能够更好地满足需求。(The invention relates to a processing method for cutting packaging substrates, which comprises the steps of placing the packaging substrates on a processing table, focusing laser inside the packaging substrates, internally preprocessing the laser along a longitudinal cutting channel and a transverse cutting channel on the packaging substrates, transferring and fixing the preprocessed packaging substrates onto a suction tool, cleaning the packaging substrates, and cutting the cleaned packaging substrates along the longitudinal cutting channel and the transverse cutting channel on the packaging substrates to cut and separate the packaging substrates into a plurality of chip particles.)

一种封装基板切割的加工工艺方法

技术领域

本发明涉及封装基板切割技术领域，更具体地说是指一种封装基板切割的加工工艺方法。

背景技术

目前在翘曲度较大或者翘曲应力较大的封装基板的切割，一般直接采用金刚石刀片切割，但是，会遇到以下问题：1、真空台没法将基板吸住，真空泄露频繁报警，无法连续全自动生产，生产效率严重降低；2、若真空台无法将基板吸住，在切割过程中，容易飞片，甚至切偏产品，同时也容易造成刀片变形及切坏切割台；3、若采用超大功率的真空泵强行吸平基板，容易造成芯片出现裂纹，导致产品失效。

随着电子产品容量越来越大，功能越来越强大，塑封好的基板将会越来越翘曲，其翘曲应力也会加大，现有采用金刚石刀片直接切割的方式将会越来越没法满足各类翘曲度较大或者翘曲应力较大的封装基板的切割品质要求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种封装基板切割的加工工艺方法。

为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：

一种封装基板切割的加工工艺方法，包括以下步骤：

将封装基板放置加工台上，激光在封装基板内部进行聚焦；

激光沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行内部预处理；

将预处理后的封装基板移载固定至吸具上；

对封装基板进行清洗；

对清洗后的封装基板，沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行切割，以使封装基板被切割分离成若干芯片颗粒。

其进一步技术方案为：所述“将封装基板放置加工台上，激光在封装基板内部进行聚焦”步骤中，激光聚焦的位置在封装基板厚度自上而下的1/3-2/3处。

其进一步技术方案为：所述封装基板厚度为0.5-2.5mm。

其进一步技术方案为：所述“激光沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行内部预处理”步骤中，内部预处理用于对封装基板内部进行切割，形成改质层。

其进一步技术方案为：所述“将预处理后的封装基板移载固定至吸具上”步骤中，通过真空吸嘴将封装基板固定在吸具上。

其进一步技术方案为：所述“对封装基板进行清洗”步骤中，采用等离子水对封装基板进行清洗。

其进一步技术方案为：所述“对清洗后的封装基板，沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行切割，以使封装基板被切割分离成若干芯片颗粒”步骤中，采用金刚石刀片对封装基板进行切割。

其进一步技术方案为：所述封装基板沿纵向切割道和横向切割道切割由金刚石刀片一次切割而成，或者由金刚石刀片多次切割而成。

本发明与现有技术相比的有益效果是：提高了封装基板的切割良率及生产效率，能够更好地满足需求。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的封装基板切割的加工工艺方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

请参阅图1所示的具体实施例，本发明公开了一种封装基板切割的加工工艺方法，包括以下步骤：

S1，将封装基板放置加工台上，激光在封装基板内部进行聚焦；

S2，激光沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行内部预处理；

S3，将预处理后的封装基板移载固定至吸具上；

S4，对封装基板进行清洗；

S5，对清洗后的封装基板，沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行切割，以使封装基板被切割分离成一颗一颗的芯片颗粒。

其中，所述“将封装基板放置加工台上，激光在封装基板内部进行聚焦”步骤中，激光聚焦的位置在封装基板厚度自上而下的1/3-2/3处，便于对封装基板内部进行切割，形成改质层，以减小封装基板的翘曲应力。

其中，在本实施例中，所述封装基板厚度为0.5-2.5mm，根据实际生产需要，进行选择。

其中，所述“激光沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行内部预处理”步骤中，内部预处理用于对封装基板内部进行切割，形成改质层(激光在封装基板内部切割形成的裂纹层)，进而减小封装基板的翘曲应力。

其中，激光沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道内部预处理过程中，预处理的尺寸和面积根据不同的翘曲程度可进行自由调节。

其中，所述“将预处理后的封装基板移载固定至吸具上”步骤中，通过真空吸嘴将封装基板固定在吸具上，简单方便，且使得封装基板不易出现移动的情况。

其中，所述“对封装基板进行清洗”步骤中，采用等离子水对封装基板进行清洗，清洗干净，无需添加化学药剂，对环境无污染。

其中，所述“对清洗后的封装基板，沿封装基板上的纵向切割道和横向切割道进行切割，以使封装基板被切割分离成一颗一颗的芯片颗粒”步骤中，采用金刚石刀片对封装基板进行切割，快速且方便。

其中，所述封装基板沿纵向切割道和横向切割道切割由金刚石刀片一次切割而成，或者由金刚石刀片多次切割而成，可以根据需要进行设置。

本发明主要针对各类翘曲度较大或者翘曲应力较大的封装基板，提高了封装基板的切割良率及生产效率，能够更好地满足需求。

上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。