阅读说明：本技术 发光元件 (Light emitting element ) 是由 李贞勳 于 2019-04-24 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种发光元件。根据本发明的实施例,发光元件包括发光二极管芯片、第一透光性树脂部、第二透光性树脂部及阻挡部。第二透光性树脂部形成为覆盖第一透光性树脂部的上部及发光二极管芯片的上部。阻挡部形成为包围发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和发光二极管芯片的下表面。此时,第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加。并且,阻挡部的内壁与发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接。并且,阻挡部的内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。(The present invention relates to a light emitting element. According to an embodiment of the present invention, a light emitting element includes a light emitting diode chip, a first translucent resin portion, a second translucent resin portion, and a barrier portion. The second translucent resin portion is formed to cover an upper portion of the first translucent resin portion and an upper portion of the light emitting diode chip. The barrier portion is formed to surround the light emitting diode chip, the side surfaces of the first translucent resin portion and the second translucent resin portion, and the lower surface of the light emitting diode chip. At this time, the widths of the first light-transmissive resin portion and the second light-transmissive resin portion increase from the lower portion to the upper portion. And the inner wall of the blocking part is connected with the side surface of the light-emitting diode chip or the lower end of the side surface. And the inner wall of the blocking part is divided into a first inner wall with a convex curved surface section and a second inner wall with an inclined plane section.)

发光元件

技术领域

本发明涉及一种发光元件。

背景技术

通常，应用发光二极管芯片的发光元件在显示装置的背光源等多样的领域中被作为光源使用。

若发光元件(LED)被施加电流，则从p、n型半导体的结合部分射出通过电子与空穴的再结合而产生的多种波长的光。发光元件相比于在以往的发光装置中使用的灯丝具有寿命长、低电源、优秀的驱动特性等多种优点，因此对其的需求正持续增加。

现有的发光元件在阻挡部的空腔中布置发光二极管芯片。并且，发光二极管芯片的侧面与构成阻挡部的空腔的内壁紧贴。此时，从发光二极管芯片的侧面射出的光由于与发光二极管芯片紧贴的阻挡部的内壁而发生损失或反射，从而发生被发光二极管芯片再吸收的问题。

发明内容

技术问题

本发明要解决的课题在于提供一种提高了光效率的发光元件。

本发明要解决的另一课题在于提供一种通过提高构成之间的紧贴力而提高耐久性的发光元件。

技术方案

根据本发明的实施例，提供一种包括发光二极管芯片、第一透光性树脂部、第二透光性树脂部及阻挡部的发光元件。第二透光性树脂部形成为覆盖第一透光性树脂部的上部及发光二极管芯片的上部。阻挡部形成为包围发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和发光二极管芯片的下表面。此时，第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加。并且，阻挡部的内壁与发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接。并且，阻挡部的内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。

有益效果

根据本发明的实施例的发光元件及其制造方法防止从发光二极管芯片的侧面发出的光发生损失，从而提高了光效率。

并且，根据本发明的实施例的发光元件及其制造方法能够提高构成之间的紧贴力，从而提高耐久性。

附图说明

图1是示出根据本发明的第一实施例的发光元件的示意图。

图2是示出根据本发明的第二实施例的发光元件的制造方法的示意图。

图3至图12是示出根据本发明的第一实施例及第二实施例的发光元件的制造方法的示意图。

图13是示出根据本发明的第三实施例的发光元件的剖面图。

图14及图15是示出根据本发明的第三实施例的发光元件的制造方法的示意图。

图16是示出根据本发明的第四实施例的发光元件的剖面图。

图17至图20是示出根据本发明的第四实施例的发光元件的制造方法的示意图。

图21是示出根据本发明的第五实施例的发光元件的剖面图。

图22至图24是示出根据本发明的第五实施例的发光元件的制造方法的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为了能够将本发明的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本发明并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张示出构成要素的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素，相似的附图符号表示相似的构成要素。

根据本发明的实施例的发光元件包括发光二极管芯片、第一透光性树脂部、第二透光性树脂部及阻挡部。

所述发光二极管芯片用于发出光。所述第一透光性树脂部形成为包围所述发光二极管芯片的侧面的至少一部分。所述第二透光性树脂部形成为覆盖所述第一透光性树脂部的上部及所述发光二极管芯片的上部。所述阻挡部形成为包围所述发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和所述发光二极管芯片的下表面。此时，所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加。并且，所述阻挡部的内壁与所述发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接。并且，所述阻挡部的所述内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。

所述阻挡部的所述第一内壁形成为包围所述第一透光性树脂部的侧面，所述第二内壁形成为包围所述第二透光性树脂部的侧面。

所述第一透光性树脂部的侧面与所述阻挡部的所述第一内壁紧贴并构成为凹陷的曲面。

所述第二透光性树脂部的侧面与所述阻挡部的所述第二内壁紧贴而构成为倾斜的平面。

所述阻挡部的所述第一内壁的下端与所述发光二极管芯片的侧面的下端相接。

所述阻挡部的所述第一内壁的下端与所述发光二极管芯片的侧面相接，并且位于与所述发光二极管芯片的下端隔开的高度。

所述阻挡部的所述第一内壁的上端与所述发光二极管芯片的上表面位于同一直线上。

所述第二透光性树脂部的下表面与所述第一透光性树脂部的上表面及所述发光二极管芯片的上表面相接。

所述阻挡部的所述第一内壁的上端布置为高于所述发光二极管芯片的上表面。

所述第一透光性树脂部形成为包围所述发光二极管芯片的侧面的至少一部分及上表面。此时，所述第二透光性树脂部的整个下表面与所述第一透光性树脂部的上表面相接。

所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部为透光的透明树脂。

例如，所述透明树脂为透明硅树脂。

所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部中的至少一个还可以包含荧光体。

所述发光元件还可以包括：波长转换部，覆盖所述第二透光性树脂部的上表面及所述阻挡部的上表面。

例如，所述波长转换部可以为荧光粉/玻璃复合材料(PIG：Phosphor inGlass)。

所述阻挡部的内壁反射从所述发光二极管芯片射出的光。

所述发光二极管芯片在下表面形成与电极连接的凸起垫。

所述发光二极管芯片的所述凸起垫的至少一部分埋设于所述阻挡部。

所述发光元件还可以包括：粘结部件，形成于所述凸起垫的下部。

所述粘结部件的至少一部分从所述阻挡部的下表面向外部暴露。

以下，参照附图进行具体说明。若没有额外的说明，则以所示的附图为基准进行说明。

例如，阻挡部的第一内壁构成为凸出的曲面且第二内壁构成为具有倾斜的平面这样的说明是以图示的发光元件的剖面图为基准进行说明的。因此，当下文对构成部进行说明时，只要没有额外提及，则可理解为以图示的附图为基准进行说明。

为了便于说明且有助于理解，本发明的阻挡部的空腔定义为在阻挡部的内部布置发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的空间。

图1是示出根据本发明的第一实施例的发光元件的示意图。

参照图1，根据第一实施例的发光元件100包括阻挡部110、发光二极管芯片120、第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140。

阻挡部110包括空腔。参照图1，空腔(cavity)是在阻挡部110布置发光二极管芯片120、第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140的空间。空腔位于阻挡部110的内部，是使阻挡部110的上表面的一部分开放的结构。空腔的宽度从阻挡部110的上部越向下部越小。如图所示，在形成于阻挡部110的空腔贴装有发光二极管芯片120。

构成空腔的阻挡部110的内壁分为第一内壁111及第二内壁112。如图所示，第一内壁111是截面由凸出的曲面构成的内壁，第二内壁112是截面由倾斜的平面构成的内壁。第一内壁111位于构成空腔的阻挡部110的内部下表面与第二内壁112之间。并且，第二内壁112位于第一内壁111与阻挡部110的上表面之间。

阻挡部110反射从发光二极管芯片120射出的光。例如，阻挡部110利用反射光的材料形成。

发光二极管芯片120是在用于使半导体层生长的生长基板形成半导体层叠部的构成。例如，半导体层叠部可以利用砷化铝镓、磷砷化镓、氮化铟镓、磷化镓、硒化锌、铝铟镓磷、金刚石、氧化锌等构成。根据半导体层叠部的材料，发光二极管芯片120射出的光的波长带不同。

并且，发光二极管芯片120在下部布置有电极(未图示)以及与电极电连接的凸起垫121。凸起垫121为从发光二极管芯片120的下表面向下部方向凸出的结构。凸起垫121连接发光二极管芯片120与外部的电路基板(未图示)。根据如上所述的发光二极管芯片120的结构，发光二极管芯片120以倒装芯片键合(Flip chip bonding)方式贴装并连接于外部的电路基板。

发光二极管芯片120的凸起垫121埋设在位于空腔的下部的阻挡部110。因此，发光二极管芯片120的下表面与空腔的底面相接。

并且，在发光二极管芯片120的凸起垫121形成有粘结部件122。粘结部件122利用使凸起垫121与外部的电路基板粘结的导电性物质形成。因此，粘结部件122形成为从阻挡部110的下表面暴露。例如，粘结部件122可以是焊料(Solder)。

在本实施例中，以凸起垫121及粘结部件122全都形成在发光二极管芯片120的下部的情形为例进行了说明，然而本发明并不局限于将凸起垫121及粘结部件122全都包括的情形。发光元件100也可以仅包括凸起垫121及粘结部件122中的至少一个。在发光元件100中省略粘结部件122的情况下，与发光二极管芯片120的电极连接的凸起垫121可以形成为从阻挡部110的下表面向外部暴露。并且，在发光元件100中省略凸起垫121的情况下，至少一部分从阻挡部110的下表面向外部暴露的粘结部件122可以形成为与发光二极管芯片120的电极直接连接。

发光二极管芯片120的侧壁的下端与阻挡部110的内壁的下端相接。即，阻挡部110的作为凸出的曲面的第一内壁111的下端与发光二极管芯片120的侧壁的下端相接。在此，发光二极管芯片120的下端是发光二极管芯片120的下表面与侧面相交的部分。并且，第一内壁111的上端与发光二极管芯片120的上表面位于同一直线上。

第一透光性树脂部130在阻挡部110的空腔形成为包裹发光二极管芯片120的侧面。即，第一透光性树脂部130被第一内壁111包围。因此，第一透光性树脂部130的侧面对应于第一内壁111的曲面而具有凹陷的曲面结构。第一透光性树脂部130利用透光的透明树脂形成。例如，第一透光性树脂部130利用透明硅树脂构成。

第二透光性树脂部140在阻挡部110的空腔形成为覆盖发光二极管芯片120及第一透光性树脂部130的上表面。即，第二透光性树脂部140被第二内壁112包围。因此，第二透光性树脂部140的侧面对应于第二内壁而具有平面结构。第二透光性树脂部140利用透光的透明树脂形成。例如，第二透光性树脂部140利用透明硅树脂构成。

第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140可以仅利用透明树脂形成。并且，第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140中的至少一个透明树脂中可以分散有荧光体。此时，从发光二极管芯片120射出的光借助于荧光体而发生波长转换之后向发光元件100的外部射出。在第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140均包含荧光体的情况下，第一透光性树脂部130的荧光体与第二透光性树脂部140的荧光体可以相同。或者，第一透光性树脂部130的荧光体与第二透光性树脂部140的荧光体可以利用互不相同的材料而使光转换为互不相同的波长带。

发光二极管芯片120不仅从上表面射出光，并且从侧面也射出光。然而，现有的发光元件形成为阻挡部的内壁与发光二极管芯片的整个侧面紧贴。因此，现有的发光元件具有从发光二极管芯片的侧面射出的光由于阻挡部而发生损失的问题。

对于根据本发明的实施例的发光元件100而言，在发光二极管芯片120与阻挡部110的内壁之间存在空间。因此，能够防止从发光二极管芯片120的侧面射出的光由于阻挡部110的内壁而发生损失。并且，在本实施例的发光元件100中，从发光二极管芯片120的侧面射出的光在阻挡部110的内壁反射而通过第二透光性树脂部140的上表面向外部射出。因此，发光元件100防止从发光二极管芯片120的侧面射出的光发生损失，且使光向外部射出，因此提高了光效率。

并且，根据本发明的实施例的发光元件100包括凸出的曲面的第一内壁111。如上所述的第一内壁111能够使碰撞的光朝向第二透光性树脂部140的上表面方向。因此，本实施例的发光元件100能够防止从发光二极管芯片120射出的光重新被发光二极管芯片120再吸收。

并且，如图1所示，在本发明的实施例的发光元件100中，阻挡部110的内壁形成为具有陡峭的倾斜。因此，发光元件100可以用于光指向性重要的应用。例如，发光元件100可以用于汽车前照灯或显示面板的边缘(edge)，以提高其光指向性。

在下文对另一实施例的发光元件及发光元件制造方法的说明中，以与上文所述的发光元件的构成部的差异为主进行说明。省略的说明参照上述实施例的说明。

图2是示出根据本发明的第二实施例的发光元件的制造方法的示意图。

参照图2，根据第二实施例的发光元件200包括阻挡部110、发光二极管芯片120、第一透光性树脂部130、第二透光性树脂部140及波长转换部210。

波长转换部210形成为覆盖第二透光性树脂部140及阻挡部110的上表面。波长转换部210对从发光二极管芯片120射出的光的波长进行转换。

波长转换部210可以是在透光性树脂中分散有用于对光的波长进行转换的荧光体。例如，透光性树脂可以是透明硅树脂。并且，荧光体也可以是黄色荧光体、红色荧光体、绿色荧光体或者能够对光的波长进行转换的任意的荧光体。或者，波长转换部210可以是在玻璃中混合有荧光体的荧光粉/玻璃复合材料(PIG：Phosphor in Glass)。

从发光二极管芯片120射出的光通过波长转换部210进行转换，从而发光元件200能够发出白色光或其他颜色的光。

并且，波长转换部210覆盖第二透光性树脂部140及阻挡部110的上表面，从而能够防止水分、灰尘等外部物质浸透到发光元件200的内部。

在本实施例中，在第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140也可以包含荧光体，也可以不包含荧光体。

图3至图12是示出根据本发明的第一实施例及第二实施例的发光元件的制造方法的示意图。

图3示出了支撑部件150、透光性树脂145及光刻胶160依次层叠的情形。当制造用于构成发光元件的构成部时，支撑部件150支撑材料及构成部。支撑部件150可以是平坦的板或膜。例如，支撑部件150可以是利用合成树脂、玻璃(glass)或金属等构成的板或膜。

透光性树脂145层叠于支撑部件150上。透光性树脂145利用透光的透明树脂形成。例如，透光性树脂145利用透明硅树脂构成。透光性树脂145可以通过旋转涂覆工序、印刷工序或轧制(rolling)工序等形成。透光性树脂145可以是利用透明树脂构成的膜。例如，透光性树脂145可以利用透明硅树脂形成。并且，透光性树脂145可以是透明树脂中分散有荧光体的构成。

光刻胶160形成于透光性树脂145上。光刻胶160利用感光性树脂构成。光刻胶160可以通过旋转涂覆工序、印刷工序或轧制(rolling)工序等形成或者以膜形态层叠于透光性树脂145。

参照图4，光刻胶160被图案化为侧面倾斜。即，光刻胶160被图案化为宽度从上部越向下部越宽。

例如，可以利用被图案化的掩模(未图示)通过曝光及显影工序图案化光刻胶160。

参照图5，对透光性树脂(图4的145)进行图案化。

透光性树脂(图4的145)通过光刻(photolithography)工序被图案化。

对透光性树脂(图4的145)执行曝光工序。此时，透光性树脂(图4的145)中的被光刻胶160覆盖的部分在曝光工序中受到保护，而暴露于外部的部分被曝光。之后，对透光性树脂(图4的145)执行干式蚀刻工序或湿式蚀刻工序，从而去除被曝光的部分。此时，光刻胶160还可以起到保护透光性树脂(图4的145)中未被曝光的部分免受用于蚀刻的蚀刻剂(etchant)的影响的作用。

如上所述，通过光刻工序被图案化的透光性树脂(图4的145)成为以图5为基准形成为宽度从上部向下部逐渐变宽的第二透光性树脂部140。图5的第二透光性树脂部140与图1及图2的第二透光性树脂部140相同。

参照图6，光刻胶(图5的160)被去除。光刻胶(图5的160)可以通过现有公知的多种方法去除。

参照图7，在第二透光性树脂部140上贴装发光二极管芯片120。发光二极管芯片120通过上表面及侧面射出光。并且，在发光二极管芯片120的下表面形成有凸起垫121。凸起垫121可以利用反射光的材料形成。例如，凸起垫121可以利用金属形成。因此，凸起垫121有助于防止光通过发光二极管芯片120的下表面射出。并且，在凸起垫121可以形成有粘结部件122。

发光二极管芯片120以上表面与第二透光性树脂部140的上表面相接的方式贴装于第二透光性树脂部140上。

参照图8，以覆盖发光二极管芯片120的侧面的方式形成第一透光性树脂部130。将树脂材料涂布于发光二极管芯片120的侧面。树脂材料是透光的透光性树脂。并且，树脂材料可以是透光性树脂中分散有荧光体的构成。树脂材料具有如下程度的粘性：从发光二极管芯片120的侧面流下，但是有一部分保持紧贴于发光二极管芯片120的侧面。所涂布的树脂材料的量能够使树脂材料从发光二极管芯片120的侧面与下表面相交的部分覆盖到第二透光性树脂部140的上表面为止。

如上所述，在发光二极管芯片120的侧面涂布具有粘性的树脂材料，从而形成覆盖发光二极管芯片120的侧面的第一透光性树脂部130。并且，第一透光性树脂部130形成为从发光二极管芯片120的侧面与下表面相交的部分覆盖到暴露于外部的第二透光性树脂部140的上表面为止。即，第一透光性树脂部130形成为覆盖发光二极管芯片120的整个侧面。并且，第一透光性树脂部130的暴露于外部的侧面构成为向内部方向凹陷的曲面。

参照图9及图10，形成阻挡部110。

参照图9，在支撑部件150上形成阻挡部树脂115。阻挡部树脂115形成为覆盖第一透光性树脂部130、第二透光性树脂部140及发光二极管芯片120。

阻挡部树脂115可以是反射光的材料。例如，阻挡部树脂115可以利用硅树脂、环氧树脂或高耐热性的热固性树脂形成。并且，为了提高光反射率，阻挡部树脂115还可以包括TiO₂、SiO₂,、Al₂O₃等反射物质。并且，阻挡部树脂115还可以包括抗氧化剂、剥离材料、无机填充材料、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂等附加物质。

参照图10，去除阻挡部树脂(图9的115)的一部分。以使得形成于发光二极管芯片120的粘结部件122暴露的方式去除阻挡部树脂(图9的115)。阻挡部树脂(图9的115)可以利用现有公知的机械研磨方式及化学研磨方式中的至少一种进行加工。例如，阻挡部树脂(图9的115)可以通过研磨(grinding)工序及飞切(fly cut)工序进行加工。通过如上所述的工序形成阻挡部110。

阻挡部110形成为包围第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140的侧面。阻挡部110的内壁可以分为包裹第一透光性树脂部130的侧面的第一内壁111以及包裹第二透光性树脂部140的侧面的第二内壁112。由于第一透光性树脂部130的侧面凹陷，因此第一内壁111构成为凸出的曲面。并且，由于第二透光性树脂部140的侧面为宽度越远离发光二极管芯片120越大的倾斜的平面，因此第二内壁112也构成为宽度越远离发光二极管芯片120越大的倾斜的平面。

参照图11，去除支撑部件(图10的150)。可以通过对支撑部件(图10的150)施加力而使其与阻挡部110及第二透光性树脂部140分离的方式去除支撑部件(图10的150)。除此之外，支撑部件(图10的150)可以通过现有公知的多种方法去除。

若去除支撑部件(图10的150)，则形成根据第一实施例的发光元件100。

在形成本发明的发光元件的方法中，以形成一个发光元件的情形为例进行了说明。然而，本发明并不局限于此。例如，可以在一个支撑部件(图3的150)上形成并布置多个第一透光性树脂部130、第二透光性树脂部140及发光二极管芯片120之后，形成覆盖它们整体的阻挡部110。之后，通过切割(dicing)工序将相邻的发光二极管芯片120之间切断，从而能够制造多个发光元件。

参照图12，以覆盖第二透光性树脂部140及阻挡部110的方式形成波长转换部210。波长转换部210对通过第二透光性树脂部140的光进行波长转换。即，波长转换部210使从发光二极管芯片120射出的光转换为白色光或其他颜色的光。

波长转换部210的透光性树脂中可以包含荧光体。例如，透光性树脂可以是透明硅树脂。并且，荧光体可以是黄色荧光体、红色荧光体、绿色荧光体等。

若以覆盖第二透光性树脂部140及阻挡部110的方式形成波长转换部210，则形成根据第二实施例的发光元件200。

图13是示出根据本发明的第三实施例的发光元件的剖面图。

参照图13，根据第三实施例的发光元件100包括阻挡部310、发光二极管芯片120、第一透光性树脂部330及第二透光性树脂部140。

阻挡部310包括：第一内壁311，与第一透光性树脂部330的侧面相接；以及第二内壁312，与第二透光性树脂部140的侧面相接。

根据本实施例，阻挡部310的内壁的下端和发光二极管芯片120的上表面与下表面之间的侧壁相接。即，阻挡部310的第一内壁311的下端位于发光二极管芯片120的侧面的上端与下端之间。此时，第一内壁311的下端与位于发光二极管芯片120的生长基板的下部的构成部的侧面相接。并且，第一内壁311的上端与发光二极管芯片120的上表面位于同一直线上。因此，第一透光性树脂部330形成为包围发光二极管芯片120的生长基板的侧面，且不包围半导体层叠部的侧面或仅包围半导体层叠部的侧面的一部分。因此，发光二极管芯片120的侧面的一部分与阻挡部310紧贴。

如图所示，阻挡部310的第二内壁312的截面与上述实施例的阻挡部(图1的110)的第二内壁(图1的112)相同地为具有倾斜的平面结构。

在根据本实施例的发光元件100中，阻挡部310与发光二极管芯片120的接合面积相比于上述实施例增加。因此，发光二极管芯片120能够更良好地固定于阻挡部310的内部。

图14及图15是示出根据本发明的第三实施例的发光元件的制造方法的示意图。

在支撑部件150上形成有被图案化为侧面倾斜的第二透光性树脂部140。发光二极管芯片120以上表面与第二透光性树脂部140的上表面相接的方式布置于第二透光性树脂部140上。直至在第二透光性树脂部140上贴装发光二极管芯片120为止的方法参照图3至图7。

在发光二极管芯片120的侧面涂布具有预定的粘性的树脂材料。此时，树脂材料沿发光二极管芯片120的侧面向第二透光性树脂部140的上部流下。涂布于发光二极管芯片120的侧面的树脂材料的量为覆盖发光二极管芯片120的侧面的一部分的程度。即，在本实施例中使用少于在第一实施例或第二实施例中形成第一透光性树脂部(图8的130)时使用的树脂材料的量。例如，树脂材料的量为包围发光二极管芯片120的生长基板的侧面而不包围形成于生长基板上的半导体层叠部的侧面或仅包围形成于生长基板上的半导体层叠部的侧面的一部分的程度。

如上所述，以包围发光二极管芯片120的侧面的一部分的方式涂布树脂材料，进而形成第一透光性树脂部330。

在图15中，在支撑部件150上以包围第一透光性树脂部330、第二透光性树脂部140及发光二极管芯片120的方式形成阻挡部310。

形成阻挡部310的详细方法参照图9及图10。

阻挡部310形成为包围第一透光性树脂部330及第二透光性树脂部140的侧面。并且，阻挡部310形成为包裹发光二极管芯片120的侧面的一部分及下表面。此时，以图15为基准，在阻挡部310的上表面暴露有形成于发光二极管芯片120的粘结部件122的至少一部分。

若从图15所示的构成中去除支撑部件150，则形成图13所示的根据第三实施例的发光元件300。

并且，虽然未图示，但是还可以在去除支撑部件150之后，在发光元件(图13的300)形成覆盖阻挡部310及第二透光性树脂部140的波长转换部(未图示)。

图16是示出根据本发明的第四实施例的发光元件的剖面图。

参照图16，根据第四实施例的发光元件400包括阻挡部410、发光二极管芯片120、第一透光性树脂部430及第二透光性树脂部140。

阻挡部410包括：第一内壁411，与第一透光性树脂部430的侧面相接；以及第二内壁412，与第二透光性树脂部140的侧面相接。

如图所示，阻挡部410的第一内壁411的截面构成为凸出的曲面。

如图所示，阻挡部410的第二内壁412的截面与上述实施例的阻挡部(图1的110)的第二内壁(图1的112)相同地为具有倾斜的平面结构。

发光二极管芯片120的侧壁的下端与阻挡部410的内壁的下端相接。即，阻挡部410的第一内壁411的下端与发光二极管芯片120的侧壁的下端相接。

第一透光性树脂部430及第二透光性树脂部140可以利用透明硅树脂等透光性树脂形成。并且，第一透光性树脂部430及第二透光性树脂部140中的至少一个是透光性树脂中分散有荧光体的构成。

根据本实施例，第一透光性树脂部430形成为覆盖发光二极管芯片120的侧面及上表面。

并且，第二透光性树脂部140形成为覆盖第一透光性树脂部430的上表面。

第二透光性树脂部140的整个下表面与包含相同材料的第一透光性树脂部430紧贴。因此，第一透光性树脂部430与第二透光性树脂部140之间的紧贴力提高，从而提高发光元件400的耐久性。

图17至图20是示出根据本发明的第四实施例的发光元件的制造方法的示意图。

参照图17，在第二透光性树脂部140上布置树脂材料435。

树脂材料435利用透光性树脂构成。或者，树脂材料435是透光性树脂中分散有荧光体的构成。例如，透光性树脂可以是透明硅树脂。

树脂材料435不沿第二透光性树脂部140的表面流下，并且可以具有形态能够根据施加的力变形的程度的粘性。因此，树脂材料435能够保持涂布于第二透光性树脂部140的上表面的形态。

第二透光性树脂部140形成于支撑部件150上。并且，第二透光性树脂部140形成为宽度越远离支撑部件150的上表面越小。形成第二透光性树脂部140的方法参照图3至图6。

参照图18，在树脂材料435上贴装发光二极管芯片120。

在发光二极管芯片120的上表面与第二透光性树脂部140的上表面相向的状态下，在树脂材料435上贴装发光二极管芯片120。

参照图19，形成包裹发光二极管芯片120的上表面及侧面的第一透光性树脂部430。

树脂材料(图18的435)通过发光二极管芯片120被加压。此时，树脂材料(图18的435)因被施加的力而一部分沿发光二极管芯片120的表面移动，进而包裹发光二极管芯片120的整个侧面。如上所述，树脂材料(图18的435)的一部分覆盖发光二极管芯片120的上表面，其余部分覆盖发光二极管芯片120的整个侧面，进而形成第一透光性树脂部430。

参照图20，在支撑部件150上以包围第一透光性树脂部430、第二透光性树脂部140及发光二极管芯片120的方式形成阻挡部410。形成阻挡部410的详细方法参照图9及图10。

阻挡部410包括用于布置第一透光性树脂部430、第二透光性树脂部140及发光二极管芯片120的空腔。构成空腔的阻挡部410的内壁形成为包围第一透光性树脂部430及第二透光性树脂部140的侧面。因此，包围第一透光性树脂部430的侧面的第一内壁411的截面构成为凸出的曲面，包围第二透光性树脂部140的侧面的第二内壁412的截面构成为具有斜率的平面。第一内壁411的上端布置为高于发光二极管芯片120的上表面。

并且，阻挡部410形成为包裹发光二极管芯片120的侧面的一部分及下表面。

若从图20所示的构成中去除支撑部件150，则形成图16所示的根据第四实施例的发光元件400。

并且，虽然未图示，但是还可以在去除支撑部件150之后，在发光元件(图16的400)形成覆盖阻挡部410及第二透光性树脂部140的波长转换部(未图示)。

图21是示出根据本发明的第五实施例的发光元件的剖面图。

参照图21，根据第五实施例的发光元件500包括阻挡部510、发光二极管芯片120、第一透光性树脂部530及第二透光性树脂部140。

阻挡部510的内壁可以分为与第一透光性树脂部530的侧面相接的第一内壁511以及与第二透光性树脂部140的侧面相接的第二内壁512。

第一透光性树脂部530形成为覆盖发光二极管芯片120的侧面的一部分及上表面。并且，第二透光性树脂部140形成为覆盖第一透光性树脂部530的上表面。

根据本实施例，第一透光性树脂部530的下端与发光二极管芯片120的侧面相接。更具体而言，第一透光性树脂部530形成为包围发光二极管芯片120的生长基板的侧面，且不包围半导体层叠部的侧面或仅包围半导体层叠部的侧面的一部分。因此，发光二极管芯片120的侧面的一部分与阻挡部510紧贴。

根据本实施例，阻挡部510与发光二极管芯片120的接合面积相比于第四实施例增加，从而发光二极管芯片120能够更良好地固定于阻挡部510的内部。并且，根据本实施例，第二透光性树脂部140的整个下表面与第一透光性树脂部530紧贴，从而第一透光性树脂部530与第二透光性树脂部140之间的紧贴力提高。因此，根据本发明的实施例的发光元件500通过增加构成部之间的固定力及紧贴力而提高了耐久性。

图22至图24是示出根据本发明的第五实施例的发光元件的制造方法的示意图。

参照图22，在布置于第二透光性树脂部140上的树脂材料535贴装发光二极管芯片120。发光二极管芯片120以上表面与第二透光性树脂部140的上表面相向的方式贴装于树脂材料535上。

形成第二透光性树脂部140的方法参照图3至图6。

在本发明的实施例中，树脂材料535的量少于在第四实施例中布置于第二透光性树脂部140的树脂材料(图17的435)的量。虽然在第四实施例中，树脂材料(图17的435)的量为能够包围发光二极管芯片120的整个侧面的程度，但是本实施例的树脂材料535使用比其少的量。

参照图23，形成包裹发光二极管芯片120的上表面以及侧面的一部分的第一透光性树脂部530。

树脂材料(图22的535)通过贴装于上部的发光二极管芯片120被加压。树脂材料(图22的535)因被施加的力而一部分沿发光二极管芯片120的表面移动，进而包裹发光二极管芯片120的侧面的一部分。此时，包裹发光二极管芯片120的侧面的程度根据树脂材料(图22的535)的量而变更。

如图23所示，在本实施例中，树脂材料(图22的535)的一部分覆盖发光二极管芯片120的上表面，其余部分覆盖发光二极管芯片120的侧面的一部分，进而形成第一透光性树脂部530。

参照图24，在支撑部件150上以包围第一透光性树脂部530、第二透光性树脂部140及发光二极管芯片120的方式形成阻挡部510。形成阻挡部510的详细方法参照图9及图10。

阻挡部510包括用于布置发光二极管芯片120、第一透光性树脂部530及第二透光性树脂部140的空腔。包围第一透光性树脂部530的侧面的第一内壁511的截面构成为凸出的曲面，包围第二透光性树脂部140的侧面的第二内壁512构成为具有斜率的平面。第一内壁511的上端布置为高于发光二极管芯片120的上表面。并且，第一内壁511的下端与发光二极管芯片120的侧面相接。因此，发光二极管芯片120的侧面的一部分与阻挡部510紧贴。

并且，虽然未图示，但是还可以在去除支撑部件150之后，在发光元件500形成覆盖阻挡部510及第二透光性树脂部140的波长转换部(未图示)。

如上所述，借助于参照附图的实施例而对本发明进行了具体的说明，但是上述实施例中，仅仅说明了本发明的优选的示例，因此本发明不应被理解为局限于上述的实施例，本发明的权利范围应当按权利要求书记载的范围以及其等同概念来理解。