阅读说明：本技术 发光装置和显示器 (Light emitting device and display ) 是由 片冈祐亮 大桥达男 琵琶刚志 大前晓 于 2018-04-26 设计创作，主要内容包括：一种发光装置,该发光装置包括：发光层,该发光层设置在第一面与第二面之间；第一电极,该第一电极设置在第一面上并且电耦合至发光层；第二电极,该第二电极设置在第二面上并且电耦合至发光层；以及非选择电极,该非选择电极设置在第一面上并且处于未电耦合至电位供应源的状态中。(A light emitting device, comprising: a light emitting layer disposed between the first face and the second face; a first electrode disposed on the first face and electrically coupled to the light emitting layer; a second electrode disposed on the second face and electrically coupled to the light emitting layer; and a non-selection electrode provided on the first face and in a state of not being electrically coupled to the potential supply source.)

发光装置和显示器

技术领域

本技术涉及发光装置和显示器，其适用于例如平铺显示器等。

背景技术

已经开发出使用诸如发光二极管(LED)等发光装置的自发光型显示面板(例如，见专利文献1)。已经提出将多个这种自发光型显示面板耦合起来以提供平铺显示器(显示器)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第2015-92529号

发明内容

期望这种显示器改善图像质量。

因此，令人期望的是提供能够改善图像质量的发光装置和显示器。

根据本技术的一个实施例的发光装置包括：发光层，该发光层设置在第一面与第二面之间；第一电极，该第一电极设置在第一面上并且电耦合至发光层；第二电极，该第二电极设置在第二面上并且电耦合至发光层；以及非选择电极，该非选择电极设置在第一面上并且处于未电耦合至电位供应源的状态中。

根据本技术的一个实施例的显示器包括根据本技术的一个实施例的发光装置。

根据本技术的一个实施例的发光装置和显示器分别包括设置在第一面上的多个电气隔离的导电膜，并且根据发光层的状态选择对其供应电位的导电膜(第一电极)。多个导电膜中未供应电位的导电膜是非选择电极。

根据本技术的一个实施例的发光装置和显示器根据发光层的状态选择第一电极，并且因此能够调节从发光装置发出的光的波长。这使得能够抑制从多个发光装置发出的光的波长之间的变化，并且改善图像质量。值得注意的是，本文所描述的效果不必受到限制，并且可以是本公开中所描述的可以提供的任何效果。

附图说明

[图1]图1是图示了根据本技术的一个实施例的显示器的示意性配置的分解透视图。

[图2]图2是图示了图1所示装置基板的示意性配置的透视图。

[图3]图3是图示了图2所示单元的示意性配置的透视图。

[图4]图4是图示了图3所示单元的示意性配置的截面示意图。

[图5A]图5A是图示了图3所示显示面板的示意性配置的平面示意图(1)。

[图5B]图5B是图示了图3所示显示面板的示意性配置的平面示意图(2)。

[图6A]图6A是图示了图5A和图5B所示发光装置之间的共同配置的截面示意图。

[图6B]图6B是图6A所示发光装置的第一面的平面示意图。

[图6C]图6C是图6A所示发光装置的第二面的平面示意图。

[图7A]图7A是图示了图5A所示发光装置的配置的截面示意图。

[图7B]图7B是图7A所示发光装置的第一面的平面示意图。

[图8A]图8A是图示了图6A所示发光装置的配置的截面示意图。

[图8B]图8B是图8A所示发光装置的第一面的平面示意图。

[图9]图9是图示了根据比较示例的单元的示意性配置的透视图。

[图10A]图10A是图示了图9所示显示面板的发光装置的配置的截面示意图。

[图10B]图10B是图示了图10A所示发光装置的第一面的平面示意图。

[图11]图11是图示了图9所示单元的显示状态的一个示例的平面示意图。

[图12]图12是图示了图5A和图5B所示发光装置的另一示例的平面示意图。

[图13]图13是用于说明由在图7B、图8B和图12中的每一个所示发光装置发出的光的波长的简图。

[图14]图14是图示了所制造的发光装置的数量与所制造的发光装置的发光波长之间的关系的一个示例的简图。

[图15A]图15A是图示了根据修改示例1的发光装置的配置的截面示意图。

[图15B]图15B是图15A所示发光装置的第一面的平面示意图。

[图16A]图16A是图示了根据修改示例2的发光装置的配置的截面示意图。

[图16B]图16B是图16A所示发光装置的第一面的平面示意图。

[图17A]图17A是图示了根据修改示例3的发光装置的配置的截面示意图。

[图17B]图17B是图17A所示发光装置的第一面的平面示意图。

[图18]图18是图示了图17B所示发光装置的配置的另一示例的平面示意图。

[图19]图19是图示了根据修改示例4的发光装置的配置的平面示意图。

[图20]图20是图示了根据修改示例5的显示面板的配置的平面示意图。

[图21]图21是图示了根据应用示例的电子设备(电视设备)的配置的简图。

[图22]图22是图示了图6B所示发光装置的配置的另一示例(1)的平面示意图。

[图23]图23是图示了图6B所示发光装置的配置的另一示例(2)的平面示意图。

具体实施方式

下面将参照附图对本技术的实施例进行详细描述。就此而言，将按以下顺序描述实施例。

1、实施例(包括发光装置的显示器，该发光装置包括非选择电极)

2、修改示例1(耦合至开关装置的发光装置的示例)

3、修改示例2(具有沟槽的发光装置的示例)

4、修改示例3(第一电极或非选择电极包括多个导电膜的发光装置的示例)

5、修改示例4(第一电极或非选择电极的平面形状为圆形的发光装置的示例)

6、修改示例5(显示面板的示例，该显示面板包括导电膜A用作第一电极的发光装置、和导电膜B用作第一电极的发光装置)

<实施例>

图1示意性地图示了根据本技术的一个实施例的显示器(显示器1)的整体配置。该显示器1包括：例如，装置基板1A、与装置基板1A相对的相对基板1B、以及用于驱动装置基板1A的控制电路1C。例如，相对基板1B的表面(与装置基板1A相对的面的对立面)是图像显示表面。该图像显示表面的中间是显示区域，并且包围该显示区域的部分是非显示区域。相对基板1B配置为允许透射波长在可见范围内的光。相对基板1B包括例如透光材料，诸如，玻璃基板、透明树脂基板或透明树脂膜。

图2示意性地图示了图1所示装置基板1A的配置的一个示例。显示器1是所谓的平铺显示器。装置基板1A包括以瓷砖模式紧密放置的多个单元(单元U)。作为示例，图2图示了装置基板1A包括九个单元U的情况。然而，单元U的数量可以是十个以上或者可以是八个以下。

图3示意性地图示了单元U的配置的一个示例。单元U包括例如以瓷砖模式紧密放置的多个显示面板(显示面板10A和10B)、以及这些显示面板10A和10B的支撑基板(支撑基板20)。各个显示面板10A和10B的显示表面的对立面与支撑基板20相对。支撑基板20包括例如金属板。

图4示意性地图示了显示面板10A和10B与支撑基板20之间的配置的一个示例。显示面板10A和10B通过例如固定构件(固定构件30)固定至支撑基板20。

图5A图示了显示面板10A的示意性平面配置，并且图5B图示了显示面板10B的示意性平面配置。显示面板10A包括安装基板(安装基板11)上的多个发光装置(发光装置12A)。显示面板10B包括安装基板11上的多个发光装置(发光装置12B)。各个显示面板10A和10B中的各个发光装置12A和12B耦合至驱动电路。

图6A至图6C示意性地图示了发光装置12A与发光装置12B之间的共同配置。图6A图示了发光装置12A和12B的截面配置。图6B图示了各个发光装置12A和12B的一个面(下面描述为第一面S1)的平面配置，并且图6C图示了各个发光装置12A和12B的另一面(下面描述为第二面S2)的平面配置。发光装置12A和12B分别包括例如彼此相对的第一面(第一面S1)和第二面(第二面S2)，并且从接近第一面S1的位置开始依次包括在这些第一面与第二面之间的第一半导体层122、发光层123、以及第二半导体层124。第一面S1和第二面S2的形状例如是正方形。第一面S1的形状和第二面S2的形状可以不同。各个发光装置12A和12B的第一面S1包括导电膜A121A和导电膜B121B，并且第二面S2包括第二电极125。如下所述，导电膜A121A和导电膜B121B中的任一个用作各个发光装置12A和12B的第一电极。从例如发光装置12A和12B中的第二面S2提取光(下面描述的图7A和图8A中的光LA和LB)。也可以从第一面S1提取光。发光装置12A和12B发出例如在蓝色波长范围内的光或在绿色波长范围内的光。显示面板10A和10B分别包括与发光装置12A和12B一起发出在红色波长范围的光的发光装置。

导电膜A121A和导电膜B121B设置在第一面S1的彼此不同的区域中，并且电气地隔离。导电膜A121A和导电膜B121B在形状(也包括尺寸)、电极面积、构成材料等中的一个或多个上不同。流经导电膜A121A的电流的电流密度与流经导电膜B121B的电流的电流密度不同。导电膜A121A和导电膜B121B优选地具有旋转对称的平面形状。对称中心优选地位于第一面S1的中心。这使得能够改善光分布特性。导电膜A121A设置在例如第一面S1的中间。导电膜A121A的平面形状为正方形(图6B)。导电膜B121B的平面形状例如是包围该导电膜A121A的周围的框状正方形。即是说，例如，导电膜A121A和导电膜B121B具有四重对称平面形状。导电膜A121A和导电膜B121B可以具有诸如矩形等四边形平面形状。例如，导电膜B121B的电极面积大于导电膜A121A的电极面积。流经导电膜B121B的电流的电流密度小于流经导电膜A121A的电流的电流密度。

图7A和图7B示意性地图示了发光装置12A的配置，并且图8A和图8B示意性地图示了发光装置12B的配置。图7A和图8A分别图示了发光装置12A和12B的截面配置，并且图7B和图8B分别图示了发光装置12A和12B的第一面S1的平面配置。发光装置12A中的导电膜A121A耦合至用于供应电位的配线(配线126)。即是说，导电膜A121A经由第一半导体层122电耦合至发光层123，并且用作第一电极。在这种情况下，导电膜B121B不接收电位的供应，并且导电膜B121B是非选择电极。即是说，导电膜B121B处于未耦合至电位供应源的状态中。在导电膜A121A与第二电极125之间施加预定电压的情况下，发光装置12A的发光层123会生成光LA。发光装置12B中的导电膜B121B耦合至配线126。即是说，导电膜B121B经由第一半导体层122电耦合至发光层123，并且用作第一电极。在这种情况下，导电膜A121A不接收电位的供应，并且导电膜A121A是非选择电极。即是说，导电膜A121A处于未耦合至电位供应源的状态中。在导电膜B121B与第二电极125之间施加预定电压的情况下，电流密度变得低于发光装置12A(导电膜A121A)的电流密度，并且因此发光装置12B的发光层123会生成波长长于光LA的波长的光LB。因此，发光装置12A和发光装置12B在用作第一电极的导电膜(导电膜A121A和导电膜B121B)上有所不同。

如下面详细描述的，根据本实施例，以这种方式在第一面S1上设置多个电气隔离的导电膜(导电膜A121A和导电膜B121B)。这使得能够选择用作第一电极的导电膜。这使得能够调节在发光层123中生成的光(光LA和光LB)的波长。

作为示例，图3图示了一个单元U包括显示面板10A(发光装置12A)和显示面板10B(发光装置12B)的情况。然而，一个单元U可以仅包括显示面板10A或仅包括显示面板10B。

导电膜A121A和导电膜B121B设置为与第一半导体层122接触。导电膜A121A和导电膜B121B包括例如导电金属材料。导电金属材料是：例如，钛(Ti)、铂(Pt)、金(Au)等。例如，能够使用钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)的层压薄膜来用于导电膜A121A和导电膜B121B。导电膜A121A和导电膜B121B可以包括例如导电氧化物，诸如，铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。例如，能够使用ITO/IZO的层压薄膜来用于导电膜A121A和导电膜B121B。导电膜A121A和导电膜B121B可以形成为单膜。导电膜A121A的构成材料和导电膜B121B的构成材料可以不同。显示面板10A包括第一电极(导电膜A121A)，其中所有发光装置12A均具有相同的形状和相同的构成材料。显示面板10B包括第一电极(导电膜B121B)，其中所有发光装置12A均具有相同的形状和相同的构成材料。因此，显示面板10A中的所有发光装置12A同时执行耦合导电膜A121A和配线126的过程。显示面板10B中的所有发光装置12B同时执行耦合导电膜B121B和配线126的过程。

提供给各个发光装置12A和12B的第一半导体层122包括例如p型InGaN基半导体材料。例如，能够将p型GaN用于第一半导体层122。耦合至导电膜A121A和导电膜B121B的第一半导体层122优选地具有高电阻。例如，通过使用具有高电阻值的诸如p型GaN等第一半导体层122，能够抑制从导电膜A121A和导电膜B121B流向发光层123的电流的扩散。第一半导体层122的平面形状例如是正方形，并且第一半导体层122的表面(与第二半导体层124相对的面的对立面)提供第一表面S1。

第一半导体层122与第二半导体层124之间的发光层123包括例如InGaN基半导体材料。能够将例如InGaN用于发光层123。

第二半导体层124与第一半导体层122相对，其间***有发光层123。该第二半导体层124包括例如n型InGaN基半导体材料。例如，能够将n型GaN用于第二半导体层124。第二半导体层124的平面形状例如是正方形，并且第二半导体层124的表面提供第二面S2。

第二电极125设置为与第二半导体层124接触，并且经由第二半导体层124电耦合至发光层123。第二电极125设置在例如第二面S2的中间，并且具有四边形平面形状。与导电膜A121A和导电膜B121B一样，第二电极125包括例如导电金属材料或氧化物。例如，能够将钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)的层压薄膜用于第二电极125。第二电极125可以设置为单膜。

在这些发光装置12A和12B中的导电膜A121A或导电膜B121B与第二电极125之间施加预定电压的情况下，分别从第二电极125的侧面和导电膜A121A或导电膜B121B的侧面将电子和空穴注入到发光层123中。注入到该发光层123中的电子和空穴的重新组合会生成光子，成为发射光(光LA和光LB)，并且从第二面S2被提取。就此而言，发光装置12A和12B包括多个导电膜(导电膜A121A和导电膜B121B)。这使得能够根据发光层123的状态选择用作第一电极的导电膜。即是说，通过选择电流密度不同的导电膜A121A和导电膜B121B中的任一个，能够调节从发光装置12A和12B发出的光LA和LB的波长。因此，能够选择显示面板10A或显示面板10B，并且抑制在多个显示面板10A和10B之间的视觉边界的生成。下面将对此进行详细描述。

图9图示了根据比较示例的单元(单元U100)的示意性配置。该单元U100包括以瓷砖模式紧密放置的多个显示面板(显示面板100)。所有显示面板100均采用相同的配置。多个显示面板100设置在支撑基板20上。

图10A和图10B示意性地图示了显示面板100中包括的发光装置(发光装置120)的配置。图10A图示了发光装置120的截面配置，并且图10B图示了发光装置120的第一面S1的平面配置。在该发光装置120的第一面S1上设有单个导电膜(导电膜1121)。就此而言，发光装置120不同于发光装置12A和12B。仅该导电膜1121用作第一电极，并且因此发光装置120不能改变电流密度。因此，发光层123的状态有可能引起从发光装置120发出的光(下面描述的图11中的光L100和光L101)的波长的较大变化。发光层123包括InGaN基半导体材料的发光装置120尤其难以均匀地增长半导体层(例如，第一半导体层122、发光层123和第二半导体层124)，并且从发光装置120发出的光的波长的变化趋于变大。

图11示意性地图示了单元U100的显示状态。在相邻的显示面板100中的一个发出光L100，且另一个发出波长与光L100的波长大为不同的光L101的情况下，光L100和光L101之间的波长差会引起视觉水平差。该视觉水平差导致相邻显示面板100之间的视觉边界，并且极大地降低图像质量。

还可以考虑根据发光波长来选择和使用发光装置120的方法。例如，作为选择方法，存在箱分类法(bin classification)。然而，选择和使用发光装置120会增加处理数量，并且此外，丢弃了不能使用的发光装置120。因此，成本增加。

与此相反，显示器1包括在发光装置12A和12B的第一面S1上的多个导电膜(导电膜A121A和导电膜B121B)，并且因此能够根据发光层123的状态选择用作第一电极的导电膜。将电流密度更高的电流注入到发光装置12A中使导电膜A121A用作第一电极的发光层123中。将电流密度更低的电流注入到发光装置12B中使导电膜B121B用作第一电极的发光层123中。因此，能够根据发光层123的状态改变电流密度，并且使在多个发光装置12A和12B(显示面板10A和10B)之间发出的光LA和光LB的波长的变化落在预定范围内。

如图12所示，显示器1可以包括发光装置(发光装置12C)，其中，导电膜A121A和导电膜B121B均用作第一电极。发光装置12C中的配线126耦合至导电膜A121A和导电膜B121B，并且导电膜A121A和导电膜B121B接收电位的供应。流经导电膜A121A和导电膜B121B两者的电流的电流密度低于流经导电膜A121A和导电膜B121B中的一个的电流的电流密度。因此，通过将发光装置12C与发光装置12A和12B组合使用，能够在更大范围内改变电流密度。

图13图示了发光装置12A、12B和12C的电流密度与主波长之间的关系。从发光装置12A中的第一电极(导电膜A121A)注入的电流的电流密度大约为发光装置12B(导电膜B121B)的电流密度的1.5倍。从发光装置12A发出的光LA的波长变得比从发光装置12B发出的光LB的波长短大约2nm。因此，通过使导电膜A121A和导电膜B121B中的一个用作第一电极，能够改变电流密度并且调节光LA和LB的波长。因此，能够使光LA和光LB的波长的变化落在预定范围内，并且抑制在多个显示面板10A和10B之间的视觉边界的生成。

此外，通过调节光LA和光LB的波长，能够增加满足发光波长的标准的发光装置12A和12B的数量。因此，能够降低制造成本。

图14图示了从所制造的发光装置发出的光的波长与所制造的发光装置的数量之间的关系。如上所述，使用制造后的发光波长的范围与可接受范围R相比为短波长侧的范围RS的发光装置、以及制造后的发光波长的范围与可接受范围R相比为长波长侧的范围RL的发光装置，会极大地降低图像质量。此外，在仅选择在可接受范围R内的发光装置的情况下，处理数量会增加，并且成本增加。与此相反，通过选择导电膜A121A和导电膜B121B中的哪一个用作第一电极，能够使在范围RS和范围RL内的发光装置的发光波长落在可接受范围R内。因此，显示器1能够抑制成本。此外，即使添加了发光装置选择过程，也能够设定较高标准并且因此进一步改善图像质量。

如上所述，根据本实施例，根据发光层123的状态从导电膜A121A和导电膜B121B中选择第一电极。这使得能够调节从发光装置12A和12B发出的光LA和LB的波长。因此，能够抑制从多个发光装置12A和12B发出的光LA和光LB的波长的变化，并且改善图像质量。

此外，导电膜A121A和导电膜B121B具有旋转对称平面形状。这使得能够改善光分布特性。

此外，显示面板10A(或显示面板10B)中的所有发光装置12A(或发光装置12B)中的相同导电膜A121A(或导电膜B121B)耦合至配线126。这使得能够在所有发光装置12A(或发光装置12B)中同时执行导电膜A121A的耦合过程。因此，能够简单地制造显示器1。

下面将描述上述实施例的修改示例，并且在以下描述中，将对与上述实施例中的部件相同的部件分配相同的附图标记，并且将适当省略其描述。

<修改示例1>

图15A和图15B示意性地图示了根据上述实施例的修改示例1的发光装置12A和12B的配置。图15A图示了发光装置12A和12B的截面配置，并且

图15B图示了发光装置12A和12B的平面配置。导电膜A121A和导电膜B121B可以以这种方式耦合至开关装置(开关装置SW)。除了这一点之外，根据修改示例1的发光装置12A和12B具有与根据上述实施例的发光装置12A和12B相似的配置和效果。

配线126耦合至导电膜A121A和导电膜B121B。开关装置SW执行切换以选择要施加电位的导电膜A121A和导电膜B121B。即是说，开关装置SW执行切换以选择用作第一电极的导电膜A121A或导电膜B121B。

<修改示例2>

图16A和图16B示意性地图示了根据上述实施例的修改示例2的发光装置12A和12B的配置。图16A图示了发光装置12A和12B的截面配置，并且

图16B图示了发光装置12A和12B的平面配置。因此，半导体层(第一半导体层122A和发光层123A)的在平面图中与导电膜A121A重叠的部分可以与半导体层(第一半导体层122B)和发光层123B)的与导电膜B121B重叠的部分隔离开。除了这一点之外，根据修改示例2的发光装置12A和12B具有与根据上述实施例的发光装置12A和12B相似的配置和效果。

发光装置12A和12B具有从第一面S1垂直地设置的沟槽(沟槽G)。该沟槽G设置在导电膜A121A与导电膜B121B之间，并且在平面图中具有四边形形状。沟槽G从第一面S1沿厚度方向穿透第一半导体层122和发光层123，并且延伸至例如第二半导体层124的一部分。通过提供这种沟槽G，第一半导体层122A和发光层123A的在平面图中与导电膜A121A重叠的部分与第一半导体层122B和发光层123B的与导电膜B121B重叠的部分电气地隔离。

电流经由具有沟槽G的发光装置12A中的第一半导体层122A从导电膜A121A被注入到发光层123A。电流经由具有沟槽G的发光装置12B中的第一半导体层122B从导电膜B121B被注入到发光层123B。通过提供沟槽G，第一半导体层122A与第一半导体层122B电气地隔离。这使得能够抑制电流从导电膜A121A和导电膜B121B到发光层123A和123B的扩散。因此，能够使用较低电阻值的第一半导体层122。

与本修改示例一样，在平面图中，半导体层可以在与导电膜A121A重叠的部分和与导电膜B121B重叠的部分处电气地隔离。在这种情况下，也能够获得与上述实施例等同的效果。此外，能够抑制电流从导电膜A121A和导电膜B121B到发光层123A和123B的扩散，并且因此使用较低电阻值的第一半导体层122。

<修改示例3>

图17A和图17B示意性地图示了根据上述实施例的修改示例3的发光装置12A的配置。图17A图示了发光装置12A的截面配置，并且图17B图示了发光装置12A的平面配置。因此，发光装置12A的第一面S1可以设有三个或更多个电气隔离的导电膜(导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C)。除了这一点之外，根据修改示例3的发光装置12A具有与根据上述实施例的发光装置12A相似的配置和效果。

该发光装置12A包括在第一面S1的中间的导电膜A121A，并且包括依次在该导电膜A121A的周围的框状的导电膜B121B和导电膜C121C。换言之，从第一面的内侧开始依次设置导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C。在这种情况下，经由导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C流向发光层123的电流的电流密度在导电膜A121A中最高，并且按导电膜B121B和导电膜C121C的次序变小。因此，通过增加设置在第一面S1上的导电膜的数量，能够以更精细的方式改变电流密度的大小。发光装置12A中的导电膜A121A耦合至配线126，并且导电膜A121A用作第一电极。在这种情况下，一个或多个导电膜(导电膜B121B和导电膜C121C)是非选择电极。

配线126可以耦合至导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C之中的导电膜B121B，以提供发光装置12B。可替代地，配线126可以耦合至导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C之中的导电膜C121C，以提供发光装置。

除了在上述实施例中描述的发光装置12A和12B之外，也可以使用通过将配线126耦合至导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C中的两个导电膜而提供的发光装置(发光装置12D)。

图18图示了发光装置12D的示意性平面配置的一个示例。例如，发光装置12D中的导电膜A121A和导电膜B121B耦合至配线126，并且接收电位的供应。即是说，导电膜A121A和导电膜B121B用作第一电极，并且导电膜C121是非选择电极。导电膜A121A和导电膜C121可以用作第一电极，或者导电膜B121B和导电膜C121可以用作第一电极。因此，两个或更多个导电膜(导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C)可以用作第一电极。

与本修改示例一样，发光装置12A的第一面S1可以设有三个或更多个电气隔离的导电膜(导电膜A121A、导电膜B121B和导电膜C121C)。在这种情况下，也能够获得与上述实施例等同的效果。此外，通过提供除了导电膜A121A和导电膜B121B之外的导电膜C121C，能够对电流密度的大小进行更精细的调节。

<修改示例4>

图19示意性地图示了根据上述实施例的修改示例4的发光装置12A的平面配置。因此，导电膜A121A和导电膜B121B的平面形状可以是圆形。除了这一点之外，根据修改示例4的发光装置12A具有与根据上述实施例的发光装置12A相似的配置和效果。

导电膜A121A设置在例如第一面S1的中间。导电膜A121A的平面形状是圆形。导电膜B121B的平面形状例如是包围该导电膜A121A的周围的框状圆形。在平面图中，导电膜A121A和导电膜B121B的中心设置在例如第一面S1的中心。即是说，导电膜A121A和导电膜B121B具有较高的对称性。这使得能够获得更高的光分布特性。例如，导电膜B121B的电极面积大于导电膜A121A的电极面积。流经导电膜B121B的电流的电流密度小于流经导电膜A121A的电流的电流密度。

与本修改示例一样，导电膜A121A和导电膜B121B的平面形状可以是圆形。在这种情况下，也能够获得与上述实施例等同的效果。此外，通过增强导电膜A121A和导电膜B121B的平面形状的对称性，能够进一步增强光分布特性。

<修改示例5>

图20示意性地图示了根据上述实施例的修改示例5的显示面板(显示面板10C)的平面配置。显示面板10C包括发光装置12A和发光装置12B两者。因此，发光装置12A和发光装置12B可以以混合方式设置在一个显示面板10C中。显示面板10C可以包括发光装置12C(图12)或发光装置12D(图18)。因此，设置在显示面板10C中的一部分发光装置(例如，发光装置12A)的第一电极(导电膜A121A)的形状或构成材料可以不同于其他发光装置(例如，发光装置12B)的第一电极(导电膜B121B)的形状或构成材料。在这种情况下，也能够获得与上述实施例等同的效果。

<应用示例>

在上述实施例等中描述的显示器1可应用于各种领域的电子设备(诸如，电视设备、数码相机、膝上型个人计算机、诸如移动电话等移动终端设备、或者摄像机)，其将从外部输入的图像信号或在内部生成的图像信号显示为图像或视频图像。下面将描述这些示例中的一个。

图21图示了应用根据上述实施例的显示器1的电视设备的外观。该电视设备包括例如图像显示屏300，图像显示屏300包括前面板310和滤光镜片320。上述显示器1用于图像显示屏300。

上面已经参照实施例和修改示例描述了本技术。然而，本技术不限于实施例等，并且能够进行各种修改。例如，上述实施例等中所描述的每个部分的材料和厚度不限于此，并且可以是其他材料和其他厚度。

此外，导电膜A121A和导电膜B121B在第一面S1上的布置不限于图6B和其他附图中所图示的布置。例如，如图22所示，在平面图中，第一面S1的每一侧以及导电膜A121A和导电膜B121B的每个顶点可以相对。

此外，导电膜B121B的平面形状可以不是框形。例如，如图23所示，导电膜A121A可以设置在多个导电膜B121B(图23中的两个导电膜B121B)之间。

此外，发光装置12A、12B、12C和12D可以是发出例如在红色波长范围内的光的发光装置。

此外，显示器1可以包括一个显示面板(显示面板10A、10B或10C)。

值得注意的是，在本说明书中公开的效果仅仅是示例并且是非限制性的，并且此外，可以提供其他效果。

值得注意的是，本技术还能够采用以下配置。

(1)

一种发光装置，该发光装置包括：

发光层，该发光层设置在第一面与第二面之间；

第一电极，该第一电极设置在第一面上并且电耦合至发光层；

第二电极，该第二电极设置在第二面上并且电耦合至发光层；以及

非选择电极，该非选择电极设置在第一面上并且处于未电耦合至电位供应源的状态中。

(2)

根据(1)的发光装置，其中，第一电极和非选择电极在电极面积上彼此不同。

(3)

根据(1)的发光装置，其中，第一电极和非选择电极在平面形状上彼此不同。

(4)

根据(1)的发光装置，其中，第一电极和非选择电极在构成材料上彼此不同。

(5)

根据(1)至(4)中任一项的发光装置，该发光装置进一步包括：

在第一电极与发光层之间的第一半导体层；以及

在第二电极与发光层之间的第二半导体层。

(6)

根据(5)的发光装置，其中，第一电极和非选择电极设置在第一面的彼此不同的相应区域中。

(7)

根据(6)的发光装置，其中，在发光层和第一半导体层中，与第一电极重叠的部分和与非选择电极重叠的部分电气地隔离。

(8)

根据(1)至(7)中任一项的发光装置，其中，第一电极和非选择电极在平面图中具有相应旋转对称形状。

(9)

根据(1)至(8)中任一项的发光装置，其中，第一电极和非选择电极中的一个的平面形状为四边形。

(10)

根据(9)的发光装置，其中，第一电极和非选择电极中的另一个包围四边形。

(11)

根据(1)至(8)中任一项的发光装置，其中，第一电极和非选择电极中的一个的平面形状为圆形。

(12)

根据(1)至(11)中任一项的发光装置，其中，发光层包括InGaN。

(13)

根据(1)至(12)中任一项的发光装置，该发光装置进一步包括：开关装置，该开关装置耦合至第一电极和非选择电极，

其中，开关装置可操作用于给第一电极供应电位。

(14)

根据(1)至(13)中任一项的发光装置，其中，第一电极、非选择电极或者这两者包括多个导电膜。

(15)

一种显示器，该显示器包括显示面板，该显示面板包括安装基板、和设置在安装基板上的多个发光装置，

发光装置分别包括：

发光层，该发光层设置在第一面与第二面之间，

第一电极，该第一电极设置在第一面上并且电耦合至发光层，

第二电极，该第二电极设置在第二面上并且电耦合至发光层，以及

非选择电极，该非选择电极设置在第一面上并且处于未电耦合至电位供应源的状态中。

(16)

根据(15)的显示器，其中，设置在安装基板上的所有发光装置均包括相同形状的第一电极。

(17)

根据(15)的显示器，其中，设置在安装基板上的所有发光装置均包括包括相同构成材料的第一电极。

(18)

根据(15)的显示器，其中，设置在安装基板上的多个发光装置的一部分使第一电极的形状不同于另一发光装置的第一电极的形状。

(19)

根据(15)至(18)中任一项的显示器，其中，多个显示面板以瓷砖模式紧密地放置。

本申请是基于2017年6月6日在日本专利局提交的日本专利申请第2017-111525号并且要求其优先权，其全部内容以引用的方式并入本文。

本领域的技术人员应理解，取决于设计要求和其他因素，可以出现各种修改、组合、子组合和变更，只要其在所附权利要求书或其等同物的范围内即可。