具体实施方式

下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明的实施例提供了一种复合膜片100，附图1所示，应用于背光模组200，包括层叠设置的第一光转换层110和第二光转换层120，所述第一光转换层110的入光面靠近所述背光模组200上的光源210一侧，经过所述第一光转换层110且被转换的光无法被所述第二光转换层120转换；所述背光模组200的光源210发出的光依次经过所述第一光转换层110和所述第二光转换层120转换成不同波长的光线发射出去。

本发明提供的复合膜片，相对于现有技术，本发明采用层叠设置的第一光转换层110和第二光转换层120，第一光转换层110的入光面靠近所述背光模组200上的光源210一侧，经过所述第一光转换层110且被转换的光无法被所述第二光转换层转换120；背光模组200的光源210发出的光依次经过所述第一光转换层110和所述第二光转换层120转换成不同波长的光线发射出去；相对现有技术采用混合的光转换层，本方案无需考虑两种波长发光材料的匹配程度以及配置比例，并且由于经过所述第一光转换层110且被转换的光无法被所述第二光转换层120转换，可以大大提高背光源的利用效率。

具体的，当前光致量子点膜中具有混合的红绿量子点，根据本发明方案，件红绿量子点分开，波长较长的红光量子点设置于第一光转换层110中，而波长较短的绿光量子点设置于第二光转化层120中，因此蓝光芯片发出的蓝光被红光吸收转换成红光后，红光不会被后置的绿光量子点吸收并转换，从而避免了光的二次转换，进而提高光的利用效率。

进一步的，所述第一光转换层110中含有第一光转换材料，所述第二光转换层120中含有第二光转换材料。

所述第一光转换材料和所述第二光转换材料包括量子点材料和/或有机荧光材料，由于量子点相对于有机荧光材料具有更高的色纯度，因此第一光转换材料和第二光转换材料均优选量子点材料，具体的，所述第一光转换材料和所述第二光转换材料为Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、钙钛矿、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、一元和Ⅳ-Ⅵ族量子点其中一种、两种或两种以上的组合。

量子点按照功能分，主要分为红、绿、蓝三色量子点。按照具体的材料分，可以分为Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、钙钛矿、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族、一元和Ⅳ-Ⅵ族量子点。

具体的，具备量子点材料包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物。所述的量子点发光层材料还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；具体地，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-；所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3+(n≥2)或NH3(CH2)nNH32+(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体MX64-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX64-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I。

目前不同颜色、不同结构的量子点发展并不均衡，例如普通的红光量子点，可以采用Ⅱ-Ⅵ族CdSe量子点，具有不错的光效及稳定性，而绿光量子点目前最好的是钙钛矿量子点。而不同结构或者颜色的量子点在一起混合的难度较大，因此，进一步的：

第一光转换材料选用的红光量子点，使用CdSe量子点或者绿色无毒的InP量子点，而绿光采用成熟的钙钛矿量子点。

本发明还提供了一种背光模组200，如图2所示，所述背光模组200包括上述的复合膜片100。所述背光模组200可以大大提高背光源的利用效率，避免光的二次转换，并且可以根据不同颜色、不同结构量子点分别选取合适的量子点材料，提高背光模组稳定进行光转换的性能。

具体的，所述背光模组还包括光源210、导光板220和反射片230，所述导光板220设置于所述反射片230的上方，所述光源210设置于所述导光板220的侧边，所述复合膜片100设置于所述导光板220的上方；所述光源210发出的光线依次经过所述导光板220和所述复合膜片100，转换成不同波长的光线发射出去。

本发明还提供了一种显示器(图中未示出)，包括上述背光模组200，使用该背光模组200的显示器，无论是色准、性能、寿命都将大幅提升。

以上依据图式所示的实施例详细说明了本发明的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本发明的较佳实施例，但本发明不以图面所示限定实施范围，凡是依照本发明的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本发明的保护范围内。