发光二极管的外延片及其制备方法
阅读说明：本技术 发光二极管的外延片及其制备方法 (Epitaxial wafer of light emitting diode and preparation method thereof ) 是由 丁涛 龚程成 尹涌 梅劲 于 2020-12-31 设计创作，主要内容包括：本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的第一高温AlN缓冲层、超晶格层、第二高温AlN缓冲层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层,其中,所述超晶格层包括交替层叠的多个AlN层和多个SiN层。SiN层能够起到阻挡穿透位错的作用,并且交替层叠的AlN层和SiN层能够使由第一高温AlN缓冲层延伸上来的位错弯曲,增加位错相互湮灭的几率,使得在各层层叠的方向上,AlN的晶体质量越来越好,有利于提升外延片整体的晶体质量,超晶格层还能够缓解AlN材料中的张应力,使得紫外LED的发光效率得到提升。(The disclosure provides an epitaxial wafer of a light emitting diode and a preparation method thereof, belonging to the technical field of photoelectron manufacturing. The epitaxial wafer comprises a substrate, and a first high-temperature AlN buffer layer, a superlattice layer, a second high-temperature AlN buffer layer, an AlGaN transition layer, an n-type AlGaN layer, a multi-quantum well layer and a p-type layer which are sequentially formed on the substrate, wherein the superlattice layer comprises a plurality of AlN layers and a plurality of SiN layers which are alternately stacked. The SiN layer can play the effect of blockking threading dislocation, and alternately range upon range of AlN layer and SiN layer can make by the dislocation bending that the first high temperature AlN buffer layer extends, increase the probability that the dislocation was annihilated each other, make in the direction that each layer is range upon range of, the crystal quality of AlN is better and better, be favorable to promoting the holistic crystal quality of epitaxial wafer, the tensile stress in the AlN material can also be alleviated to the superlattice layer, make ultraviolet LED's luminous efficacy obtain promoting.)
技术领域
本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制备方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。
外延片通常包括缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层。紫外发光二极管的外延片中，缓冲层通常为AlN层，AlN层内部容易累积较多的位错缺陷，导致外延片中后续生长的晶体结构质量较差，AlN层内部还具有较大的张应力，容易由于张应力过大而产生裂纹。
发明内容
本公开实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，能够提高紫外发光二极管的外延片的晶体质量，降低AlN层中的张应力。所述技术方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的第一高温AlN缓冲层、超晶格层、第二高温AlN缓冲层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，其中，所述超晶格层包括交替层叠的多个AlN层和多个SiN层。
可选地，所述AlN层和所述SiN层交替层叠的周期数为20～40。
可选地，所述AlN层的厚度为1nm～100nm，所述SiN层的厚度为1nm～100nm。
可选地，所述第一高温AlN缓冲层的厚度为100nm～500nm。
可选地，所述第二高温AlN缓冲层的厚度为1000nm～2000nm。
另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次外延生长第一高温AlN缓冲层、超晶格层、第二高温AlN缓冲层、AlGaN过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，其中，所述超晶格层包括交替层叠的多个AlN层和多个SiN层。
可选地，所述第一高温AlN缓冲层的生长温度为1200℃～1300℃，生长压力为30mbar～70mbar。
可选地，所述超晶格层的生长温度为1300℃～1400℃，生长压力为30mbar～70mbar。
可选地，所述第二高温AlN缓冲层的生长温度为1300℃～1400℃，生长压力为30mbar～70mbar。
可选地，所述第一高温AlN缓冲层、所述超晶格层、所述第二高温AlN缓冲层的生长压力相同。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过在衬底的表面层叠设置第一高温AlN缓冲层、超晶格层和第二高温AlN缓冲层，超晶格层包括交替层叠的多个AlN层和多个SiN层，其中的SiN层能够起到阻挡穿透位错的作用，并且交替层叠的AlN层和SiN层能够使由第一高温AlN缓冲层延伸上来的位错弯曲，增加位错相互湮灭的几率，使得在各层层叠的方向上，AlN的晶体质量越来越好，有利于提升外延片整体的晶体质量，超晶格层还能够缓解AlN材料中的张应力，避免AlN材料由于张应力过大而产生裂纹，进一步提升外延片整体的晶体质量，使得紫外LED的发光效率得到提升。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制造方法的流程图；
图3是本公开实施例提供的另一种发光二极管的外延片的制造方法的流程图；
图4是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图5是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图6是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图7是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图8是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图9是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图10是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图11是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图；
图12是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备过程示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的结构示意图。如图1所示，该外延片包括衬底10和依次形成在衬底10上的第一高温AlN缓冲层20、超晶格层30、第二高温AlN缓冲层40、AlGaN过渡层50、n型AlGaN层60、多量子阱层70和p型层80。其中，超晶格层30包括交替层叠的多个AlN层31和多个SiN层32。
通过在衬底的表面层叠设置第一高温AlN缓冲层、超晶格层和第二高温AlN缓冲层，超晶格层包括交替层叠的多个AlN层和多个SiN层，其中的SiN层能够起到阻挡穿透位错的作用，并且交替层叠的AlN层和SiN层能够使由第一高温AlN缓冲层延伸上来的位错弯曲，增加位错相互湮灭的几率，使得在各层层叠的方向上，AlN的晶体质量越来越好，有利于提升外延片整体的晶体质量，超晶格层还能够缓解AlN材料中的张应力，避免AlN材料由于张应力过大而产生裂纹，进一步提升外延片整体的晶体质量，使得紫外LED的发光效率得到提升。
示例性地，衬底10为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。衬底10可以为平片衬底，也可以为图形化衬底。
作为示例，本公开实施例中，衬底10为蓝宝石衬底。蓝宝石衬底为一种常用衬底，技术成熟，成本低。具体可以为图形化蓝宝石衬底或蓝宝石平片衬底。
可选地，第一高温AlN缓冲层20的厚度可以为100nm～500nm，生长的第一高温AlN缓冲层20的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若第一高温AlN缓冲层20的厚度过薄，则会导致第一高温AlN缓冲层20的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着第一高温AlN缓冲层20厚度的增加，第一高温AlN缓冲层20的表面逐渐变得较为致密和平整，有利于后续结构的生长，但是若第一高温AlN缓冲层20的厚度过厚，则会导致第一高温AlN缓冲层20的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。
作为示例，本公开实施例中，第一高温AlN缓冲层20的厚度为250nm。
可选地，超晶格层30的厚度为100nm～1000nm。超晶格层30的厚度过薄，不足以阻挡位错缺陷的延伸，对紫外LED的发光效率的提高作用不明显，超晶格层30的厚度过厚，会导致电阻增大，并且还会增加超晶格层30对于光线的吸收，导致发光效率降低。
作为示例，本公开实施例中，超晶格层30的厚度为500nm。
可选地，AlN层31和SiN层32交替层叠的周期数为20～40。
通过多个周期的AlN层31和SiN层32，使由第一高温AlN缓冲层20延伸上来的位错逐渐弯曲，相互湮灭，使晶体的质量逐渐提高。AlN层31和SiN层32交替层叠的周期数过少不足以得到质量较好的晶体。
作为示例，本公开实施例中，超晶格层30的周期数为30。
需要说明的是，图1中仅示出了超晶格层30中的部分结构，并不用于限制AlN层31和SiN层32交替层叠的周期数。
可选地，AlN层31的厚度为1nm～100nm，SiN层32的厚度为1nm～100nm。
作为示例，本公开实施例中，AlN层31的厚度为10nm，SiN层32的厚度为7nm，SiN层32的厚度过薄不足以减少位错缺陷。不同周期中，AlN层31的厚度可以相同也可以不同，SiN层32的厚度可以相同也可以不同。例如，SiN层32的厚度逐渐减小。
可选地，第二高温AlN缓冲层40的厚度为1000nm～2000nm。
作为示例，本公开实施例中，第二高温AlN缓冲层40的厚度为1500nm。
可选地，AlGaN过渡层50的厚度可以为50nm～5000nm，在本公开实施例中，AlGaN过渡层50的厚度为700nm。
可选地，n型AlGaN层60的厚度可以为600nm～800nm，在本公开实施例中，n型AlGaN层60的厚度为700nm。
可选地，n型AlGaN层60中Si的掺杂浓度为1017cm-3～1018cm-3。Si的掺杂浓度过高会降低晶体质量，导致缺陷的增加，Si的掺杂浓度过低会降低n型AlGaN层60的电导率。将Si的掺杂浓度控制在1017cm-3～1018cm-3，能够使n型AlGaN层60具有较好的晶体质量，同时也具有足够的电导率。
作为示例，在本公开实施例中，n型AlGaN层60中，Si的掺杂浓度为5×1017cm-3。
可选地，多量子阱层70包括3～8个AlxGa1-xN量子阱层71和AlyGa1-yN量子垒层72，其中0＜x＜y＜1。即多量子阱层70包括交替层叠的3～8个周期的AlxGa1-xN量子阱层71和AlyGa1-yN量子垒层72。
作为示例，本公开实施例中，多量子阱层70包括交替层叠的5个周期的AlxGa1-xN量子阱层71和AlyGa1-yN量子垒层72。
可选地，AlxGa1-xN量子阱层71的厚度可以为2nm～4nm。AlyGa1-yN量子垒层72的厚度可以为9～14nm。
示例性地，本公开实施例中，AlxGa1-xN量子阱层71的厚度为3nm。AlyGa1-yN量子垒层72的厚度为11nm。
需要说明的是，图1中仅示出了多量子阱层70中的部分结构，并不用于限制AlxGa1-xN量子阱层71和AlyGa1-yN量子垒层72交替层叠的周期数，此外在生长多量子阱层70时，也可以先在n型AlGaN层60上生长AlyGa1-yN量子垒层72。
在本公开实施例中，p型层80包括依次层叠在多量子阱层70上的p型阻挡层81、p型AlGaN层82和p型GaN层83。p型阻挡层81、p型AlGaN层82和p型GaN层83均为Mg掺杂。
示例性地，p型阻挡层81为p型AlGaN阻挡层。
p型AlGaN阻挡层的厚度可以为5nm～15nm。作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN阻挡层的厚度为10nm。若p型AlGaN阻挡层的厚度过薄，会降低对电子的阻挡作用，若p型AlGaN阻挡层的厚度过厚，则会增加p型AlGaN阻挡层对光的吸收，从而导致LED的发光效率降低。
在一些示例中，p型AlGaN层82的厚度为20nm～30nm。作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN层82的厚度为25nm。
可选地，p型GaN层83的厚度可以为20nm～70nm。作为示例，本公开实施例中，p型GaN层83的厚度为50nm。
图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的外延片的制造方法的流程图。该方法用于制造图1所示的外延片。如图2所示，该制造方法包括：
S11：提供一衬底10。
S12：在衬底10上依次外延生长第一高温AlN缓冲层20、超晶格层30、第二高温AlN缓冲层40、AlGaN过渡层50、n型AlGaN层60、多量子阱层70和p型层80。
其中，超晶格层30包括交替层叠的多个AlN层31和多个SiN层32。
通过在衬底的表面层叠设置第一高温AlN缓冲层、超晶格层和第二高温AlN缓冲层，超晶格层包括交替层叠的多个AlN层和多个SiN层，其中的SiN层能够起到阻挡穿透位错的作用，并且交替层叠的AlN层和SiN层能够使由第一高温AlN缓冲层延伸上来的位错弯曲，增加位错相互湮灭的几率，使得在各层层叠的方向上，AlN的晶体质量越来越好，有利于提升外延片整体的晶体质量，超晶格层还能够缓解AlN材料中的张应力，避免AlN材料由于张应力过大而产生裂纹，进一步提升外延片整体的晶体质量，使得紫外LED的发光效率得到提升。
图3是本公开实施例提供的另一种发光二极管的外延片的制造方法的流程图，该方法用于制造图1所示的外延片。下面结合附图4～附图12对图3提供的制造方法进行详细说明：
S21：提供一衬底10。
可选地，衬底10为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。衬底10可以为平片衬底，也可以为图形化衬底。
作为示例，本公开实施例中，衬底10为蓝宝石衬底。蓝宝石衬底为一种常用衬底，技术成熟，成本低。具体可以为图形化蓝宝石衬底或蓝宝石平片衬底。
在步骤S21中，可以对蓝宝石衬底进行预处理，将蓝宝石衬底置于MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition；金属有机化合物化学气相沉淀)反应腔中，对蓝宝石衬底进行烘烤处理12分钟～18分钟。作为示例，本公开实施例中，对蓝宝石衬底进行烘烤处理15分钟。
具体地，烘烤温度可以为1000℃～1200℃，烘烤时MOCVD反应腔内的压力可以为100mbar～200mbar。
S22：在衬底10上外延生长第一高温AlN缓冲层20。
如图4所示，在衬底10上生长有第一高温AlN缓冲层20。
其中，第一高温AlN缓冲层20的厚度可以为100nm～500nm，生长的第一高温AlN缓冲层20的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若第一高温AlN缓冲层20的厚度过薄，则会导致第一高温AlN缓冲层20的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着第一高温AlN缓冲层20厚度的增加，第一高温AlN缓冲层20的表面逐渐变得较为致密和平整，有利于后续结构的生长，但是若第一高温AlN缓冲层20的厚度过厚，则会导致第一高温AlN缓冲层20的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。
可选地，第一高温AlN缓冲层20的生长温度为1200℃～1300℃。作为示例，本公开实施例中，第一高温AlN缓冲层20的生长温度为1250℃。
可选地，第一高温AlN缓冲层20的生长压力为30mbar～70mbar。作为示例，本公开实施例中，第一高温AlN缓冲层20的生长压力为50mbar。
S23：在第一高温AlN缓冲层20上生长超晶格层30。
如图5所示，在第一高温AlN缓冲层20上生长有超晶格层30。
其中，超晶格层30包括交替层叠的多个AlN层31和多个SiN层32。可选地，AlN层31和SiN层32交替层叠的周期数为20～40。作为示例，本公开实施例中，超晶格层30的周期数为30。
需要说明的是，图5中仅示出了超晶格层30中的部分结构，并不用于限制AlN层31和SiN层32交替层叠的周期数。
超晶格层30中，AlN层31和SiN层32的生长温度可以相同，也可以不同。作为示例，本公开实施例中，AlN层31和SiN层32的生长温度相同，采用相同的生长温度交替生长AlN层31和SiN层32，更方便操作，工艺上更简单。
可选地，超晶格层30的生长温度为1300℃～1400℃。作为示例，本公开实施例中，超晶格层30的生长温度为1350℃。
超晶格层30中，AlN层31和SiN层32的生长压力可以相同，也可以不同。作为示例，本公开实施例中，AlN层31和SiN层32的生长压力也相同，采用相同的生长压力交替生长AlN层31和SiN层32，更方便操作，工艺上更简单。
可选地，超晶格层30的生长压力为30mbar～70mbar。作为示例，本公开实施例中，超晶格层30的生长压力为50mbar。
本公开实施例中，通过向反应腔中周期性交替通入TMAl和硅烷，生长30层AlN层31和30层SiN层32，得到超晶格层30。
可选地，超晶格层30的厚度为100nm～1000nm。作为示例，本公开实施例中，超晶格层30的厚度为500nm。
可选地，AlN层31的厚度为1nm～100nm，SiN层32的厚度为1nm～100nm。作为示例，本公开实施例中，AlN层31的厚度为10nm，SiN层32的厚度为7nm。
S24：在超晶格层30上生长第二高温AlN缓冲层40。
如图6所示，在超晶格层30上生长有第二高温AlN缓冲层40。
第二高温AlN缓冲层40的生长温度高于第一高温AlN缓冲层20的生长温度和超晶格层30的生长温度。
可选地，第二高温AlN缓冲层40的生长温度为1300℃～1400℃。
作为示例，本公开实施例中，第二高温AlN缓冲层40的生长温度为1370℃。
可选地，所述第一高温AlN缓冲层20、所述超晶格层30、所述第二高温AlN缓冲层40的生长压力均相同。第一高温AlN缓冲层20、所述超晶格层30、所述第二高温AlN缓冲层40采用相同的生长压力进行生长，工艺更简单。
示例性地，第二高温AlN缓冲层40的生长压力为30mbar～70mbar。例如，本公开实施例中，第二高温AlN缓冲层40的生长压力为50mbar。
在本公开实施例中，第一高温AlN缓冲层20、超晶格层30和第二高温AlN缓冲层40均采用相同的生长温度生长，工艺更方便。
S25：在第二高温AlN缓冲层40上生长AlGaN过渡层50。
如图7所示，在第二高温AlN缓冲层40上生长有AlGaN过渡层50。
可选地，AlGaN过渡层50的生长温度为1280℃～1320℃。
作为示例，本公开实施例中，AlGaN过渡层50的生长温度为1300℃。
可选地，AlGaN过渡层50的生长压力为120mbar～180mbar。作为示例，本公开实施例中，AlGaN过渡层50的生长压力为150mbar。
可选地，AlGaN过渡层50的厚度可以为50nm～5000nm，在本公开实施例中，AlGaN过渡层50的厚度为700nm。
S26：在AlGaN过渡层50上生长n型AlGaN层60。
如图8所示，在AlGaN过渡层50上生长有n型AlGaN层60。
可选地，n型AlGaN层60的生长温度为1000℃～1100℃。作为示例，本公开实施例中，n型AlGaN层60的生长温度为1060℃。
可选地，n型AlGaN层60的生长压力可以为80mbar～110mbar。作为示例，本公开实施例中，n型AlGaN层60的生长压力为100mbar。
在生长n型AlGaN层60时，进行硅烷掺杂，n型AlGaN层60中的Si掺杂浓度可以为1017cm-3～1018cm-3。作为示例，本公开实施例中，n型AlGaN层60中的Si掺杂浓度为5×1017cm-3。
n型AlGaN层60的厚度可以为600nm～800nm，在本公开实施例中，n型AlGaN层60的厚度为700nm。
S27：在n型AlGaN层60上生长多量子阱层70。
如图9所示，在n型AlGaN层60上生长有多量子阱层70。
实现时，多量子阱层70可以包括交替层叠的多层AlxGa1-xN量子阱层71和多层AlyGa1-yN量子垒层72，其中0＜x＜y＜1。
可选地，AlxGa1-xN量子阱层71和AlyGa1-yN量子垒层72交替层叠的周期数可以为3～8。示例性地，本公开实施例中，AlxGa1-xN量子阱层71和AlyGa1-yN量子垒层72交替层叠的周期数为5。
需要说明的是，图9中仅示出了多量子阱层70中的部分结构，并不用于限制AlxGa1-xN量子阱层71和AlyGa1-yN量子垒层72交替层叠的周期数，此外在生长多量子阱层70时，也可以先在n型AlGaN层60上生长AlyGa1-yN量子垒层72。
可选地，AlxGa1-xN量子阱层71的厚度可以为2nm～4nm。AlyGa1-yN量子垒层72的厚度可以为9～14nm。
示例性地，本公开实施例中，AlxGa1-xN量子阱层71的厚度为3nm。AlyGa1-yN量子垒层72的厚度为11nm。
在生长完多量子阱层70之后，在多量子阱层70上生长p型层80，在本公开实施例中，p型层80包括依次层叠在多量子阱层70上的p型阻挡层81、p型AlGaN层82和p型GaN层83。p型阻挡层81、p型AlGaN层82和p型GaN层83均为Mg掺杂。p型层80的生长包括如下的步骤S28～S30。
S28：在多量子阱层70上生长p型阻挡层81。
如图10所示，在多量子阱层70上生长有p型阻挡层81。
可选地，p型阻挡层81可以为p型AlGaN阻挡层。
具体地，p型阻挡层81的生长温度可以为960℃～990℃，作为示例，本公开实施例中，p型阻挡层81的生长温度为980℃。
具体地，p型阻挡层81的生长压力可以为100mbar～200mbar。作为示例，本公开实施例中，p型阻挡层81的生长压力为150mbar。
可选地，p型阻挡层81的厚度可以为5nm～15nm。作为示例，本公开实施例中，p型阻挡层81的厚度为10nm。若p型阻挡层81的厚度过薄，会降低对电子的阻挡作用，若p型阻挡层81的厚度过厚，则会增加p型阻挡层81对光的吸收，从而导致LED的发光效率降低。
S29：在p型阻挡层81上生长p型AlGaN层82。
如图11所示，在p型阻挡层81上生长有p型AlGaN层82。
具体地，p型AlGaN层82的生长温度可以为880℃～920℃，作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN层82的生长温度为900℃。
具体地，p型AlGaN层82的生长压力可以为180mbar～220mbar。作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN层82的生长压力为200mbar。
可选地，p型AlGaN层82的厚度可以为20nm～30nm。作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN层82的厚度为25nm。
S30：在p型AlGaN层82上生长p型GaN层83。
如图12所示，在p型AlGaN层82上生长有p型GaN层83。
可选地，p型GaN层83的生长温度可以为800℃～900℃。作为示例，本公开实施例中，p型GaN层83的生长温度为850℃。
可选地，p型GaN层83的生长压力可以为250mbar～350mbar。作为示例，本公开实施例中，p型GaN层83的生长压力为300mbar。
可选地，p型GaN层83的厚度可以为20nm～70nm。作为示例，本公开实施例中，p型GaN层83的厚度为50nm。
在生长p型阻挡层81、p型AlGaN层82和p型GaN层83时，以采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，采用二茂镁进行Mg掺杂。
S31：对外延片进行退火。
可选地，可以在氮气分为下进行退火30分钟，结束外延片的生长。之后关闭加热系统和给气系统，待反应腔温度降低至室温。
对外延片进行退火，还可以对外延片进行后续制程，以制备LED。
在具体实现时，本公开实施例可以采用高纯H2或/和N2作为载气，采用TEGa或TMGa作为Ga源，TMIn作为In源，SiH4作为n型掺杂剂，TMAl作为铝源，Cp2Mg作为p型掺杂剂。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
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