阅读说明：本技术 表面声波滤波器件及其制造方法 (Surface acoustic wave filter device and method of manufacturing the same ) 是由 项少华 王冲 王大甲 于 2019-10-24 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种表面声波滤波器件及其制造方法,先将小尺寸的压电晶圆分割成多个压电晶粒,并临时键合到大尺寸的载体晶圆上,由此可以在载体晶圆尺寸对应的大尺寸晶圆加工机台上完成表面声波滤波器件的制作过程,即使得表面声波滤波器件的制作工艺和大尺寸晶圆的加工工艺兼容,由此,避免大尺寸晶圆代工厂代工表面声波滤波器件时重新购置设备的问题,从而降低成本。(The invention provides surface acoustic wave filter devices and a manufacturing method thereof, wherein a small-sized piezoelectric wafer is firstly divided into a plurality of piezoelectric crystal grains and is temporarily bonded onto a large-sized carrier wafer, so that the manufacturing process of the surface acoustic wave filter device can be completed on a large-sized wafer processing machine table corresponding to the size of the carrier wafer, the manufacturing process of the surface acoustic wave filter device is compatible with the processing process of the large-sized wafer, and therefore, the problem of equipment repurchase when the large-sized wafer replaces the surface acoustic wave filter device in a factory is avoided, and the cost is reduced.)

表面声波滤波器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种表面声波滤波器件及其制造方法。

背景技术

SAW(Surface Acoustic Wave，表面声波)滤波器件是目前主流的压电声波滤波器件之一，能够满足通讯终端使用的小尺寸滤波类器件的需求，且目前主流的SAW滤波器件的制备工艺是4英寸(inch)晶圆工艺，这是因为目前还没有成熟的8英寸压电材料的生长技术，而已有的6英寸压电材料生长技术存在片内加工均一性不佳的问题。

然而，为了进一步降低成本，目前MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)晶圆代工正逐渐向8英寸晶圆更替。显然，SAW滤波器件与MEMS晶圆代工的晶圆尺寸始终存在一个鸿沟，SAW滤波器的制作和MEMS晶圆代工的工艺不兼容，因此，如果MEMS晶圆代工厂打算代工SAW滤波器件，则需要重新购置相关的设备，这就大大不利于设备的折旧与成本的降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种表面声波滤波器件及其制造方法，能够使得表面声波滤波器件的制作工艺和大尺寸晶圆的加工工艺兼容，降低成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种表面声波滤波器件的制造方法，包括以下步骤：

提供压电晶圆和载体晶圆，所述压电晶圆的尺寸小于所述载体晶圆的尺寸；

将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒，并将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上，且相邻所述压电晶粒之间的间隙作为切割道；

形成叉指型电极和第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上；

提供尺寸不小于所述载体晶圆且具有多个第二焊盘的封装基板，将具有所述压电晶粒的载体晶圆装配到所述封装基板上，且各个所述第一焊盘和相应的所述第二焊盘对准并进行凸点键合；

将所述载体晶圆剥离，并沿各个所述切割道切割所述封装基板，以得到多个表面声波滤波器件。

可选地，通过包括涂覆键合胶水、贴键合膜和在所述载体晶圆上沉积激光释放层中的至少一种方式，将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上。

可选地，根据所述临时键合的方式来将所述载体晶圆剥离，所述剥离的方式包括热滑动剥离、机械剥离和激光剥离。

可选地，在将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上之后且在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前，还形成绝缘层于所述载体晶圆上，所述绝缘层填满所述切割道并暴露出各个所述压电晶粒的顶面；所述叉指型电极和第一焊盘均暴露出所述切割道中的所述绝缘层的顶面。

可选地，在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前和/或之后，还在所述压电晶粒的顶面上形成温度补偿层，所述温度补偿层至少填充在所述叉指型电极的缝隙中并暴露出各个所述第一焊盘的顶面。

可选地，所述温度补偿层的材料包括未掺杂或掺杂的氧化硅。

可选地，形成所述温度补偿层、所述叉指型电极和所述第一焊盘的步骤包括：

在形成所述叉指型电极和所述第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上之前，覆盖第一温度补偿层于各个所述压电晶粒和所述绝缘层的表面上；

图形化所述第一温度补偿层，以形成叉指槽和焊盘槽于各个所述压电晶粒的顶面上；

沉积金属层以填满所述叉指槽和焊盘槽，并平坦化所述金属层至所述第一温度补偿层的顶面，以形成所述叉指型电极和所述第一焊盘；

在所述第一温度补偿层、所述叉指型电极和所述第一焊盘的顶面上覆盖第二温度补偿层，并图案化所述第二温度补偿层，以暴露出所述第一焊盘的顶面，图案化后的所述第一温度补偿层和图案化后的所述第二温度补偿层构成所述温度补偿层。

可选地，所述压电晶圆的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅、氧化锌和压电陶瓷中的至少一种。

可选地，在将具有所述压电晶粒的载体晶圆装配到所述封装基板上之前，先在所述第一焊盘或所述第二焊盘上植球，以在所述第一焊盘和所述第二焊盘对准后进行凸点键合。

基于同一发明构思，本发明还提供一种表面声波滤波器件，其采用本发明的表面声波滤波器件的制造方法制造；所述表面声波滤波器件包括封装在一起的封装基板和压电晶粒，所述压电晶粒位于所述封装基板上方；其中，所述封装基板上设有第二焊盘，所述压电晶粒面向所述封装基板的一面上设有叉指型电极和第一焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘对准并键合在一起，所述压电晶粒和所述封装基板之间提供有用于声波谐振的空间。

与现有技术相比，本发明的技术方案，具有以下有益效果：

1、先将小尺寸的压电晶圆分割成多个压电晶粒，并临时键合到大尺寸的载体晶圆上，由此可以在载体晶圆尺寸对应的大尺寸晶圆加工机台上完成表面声波滤波器件的制作过程，即使得表面声波滤波器件的制作工艺和大尺寸晶圆的加工工艺兼容，由此，避免大尺寸晶圆代工厂代工表面声波滤波器件时重新购置设备的问题，从而降低成本。

2、将具有所述压电晶粒的载体晶圆装配到所述封装基板上，并通过各个所述第一焊盘和封装基板上相应的所述第二焊盘对准并进行凸点键合，可以实现高集成度的晶圆级封装工艺，进一步降低封装成本。

3、不仅适用于普通型的表面声波滤波器件的制作，还可以适用于温度补偿型的表面声波滤波(TC-SAW)器件的制作。

附图说明

图1是本发明具体实施例的表面声波滤波器件的制造方法的流程图；

图2是本发明具体实施例的表面声波滤波器件的制造方法的步骤S1中提供的压电晶圆的俯视结构示意图；

图3是本发明具体实施例的表面声波滤波器件的制造方法的步骤S2中将压电晶粒临时键合到载体晶圆上后的俯视结构示意图；

图4是本发明具体实施例的表面声波滤波器件的制造方法的步骤S2中将压电晶粒临时键合到载体晶圆上后的剖面结构示意图；

图5A至图5D是本发明一实施例的表面声波滤波器件的制造方法中的剖面结构示意图；

图6A至图6E是本发明另一实施例的表面声波滤波器件的制造方法中的剖面结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图对本发明提出的技术方案作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，本文中的用语“和/或”表示二选一或者二者兼具。

请参考图1，本发明一实施例提供了一种表面声波滤波器件的制造方法，包括以下步骤：

S1，提供压电晶圆和载体晶圆，所述压电晶圆的尺寸小于所述载体晶圆的尺寸；

S2，将所述压电晶圆分割成多个压电晶粒，并将各个压电晶粒临时键合到所述载体晶圆上，且相邻所述压电晶粒之间的间隙作为切割道；

S3，形成绝缘层，所述绝缘层填满所述切割道并暴露出各个压电晶粒的顶面；

S4，形成叉指型电极和第一焊盘于各个所述压电晶粒的顶面上，且所述叉指型电极和第一焊盘均暴露出所述切割道中的绝缘层的表面；

S5，提供尺寸不小于所述载体晶圆且具有多个第二焊盘的封装基板，将具有所述压电晶粒的载体晶圆装配到所述封装基板上，且各个所述第一焊盘和相应的所述第二焊盘对准并电连接；

S6，将所述载体晶圆剥离，并沿各个所述切割道切割所述封装基板和所述绝缘层，以得到多个具有相应的所述压电晶粒和所述封装基板的表面声波滤波器件。

请参考图2～图4，在步骤S1中，可以提供4英寸或6英寸的压电晶圆10’，以及8英寸或12英寸的载体晶圆20，即提供的压电晶圆10的尺寸小于提供的硅晶圆20的尺寸。其中，所述压电晶圆10’的材料包括铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅、氧化锌中的至少一种，所述压电晶圆10’还常常被称为压电晶片。所述载体晶圆20的材料包括半导体(例如硅、锗、砷化镓、绝缘体上硅等)、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯中的至少一种。载体晶圆20相对压电晶圆10来说，为大尺寸晶圆，载体晶圆20的尺寸符合大尺寸晶圆加工机台的晶圆加工尺寸要求，压电晶圆10’的尺寸相对载体晶圆20较小，且不符合大尺寸晶圆加工机台的晶圆加工尺寸要求。

请参考图2～图4，在步骤S2中，首先，可以采用晶圆切割工艺将所述压电晶圆10’分割成多个压电晶粒10，这些压电晶粒10的大小和形状基本相同，该分割工艺具体包括：先在所述压电晶圆10的底面上贴蓝膜(未图示)，然后从所述压电晶圆10的顶面切割所述压电晶圆10至所述蓝膜的顶面，之后去除所述蓝膜以获得多个压电晶粒10a，其中所述蓝膜可以更好的固定压电晶圆10，并将切割出来的压电晶粒10a固定住，防止切割出来的压电晶粒10a飞出机台，利于压电晶粒10a的保护和收集。然后，可以在载体晶圆20对应的晶圆键合机台上，通过包括涂覆键合胶水、贴键合膜和在所述载体晶圆20上沉积激光释放层(未图示)等方式中的至少一种方式，将各个压电晶粒10临时键合到所述载体晶圆20上。例如，各个压电晶粒10通过临时键合层(为贴键合膜或键合胶水层)30临时键合到所述载体晶圆20上，实现了一种芯片到晶圆(chip to wafer)的封装方式。各个压电晶粒10可以等间距地排列成一个阵列，邻所述压电晶粒10之间的间隙作为切割道10a，切割道10a用于在后续实现压电晶粒之间(即chip to chip)的划片。各个压电晶粒10临时键合到载体晶圆20上之后形成的晶圆键合结构，便可以与大尺寸(例如8英寸)晶圆一样，进入相应的大尺寸晶圆加工机台，以进行相应的膜层沉积、光刻、刻蚀等处理。

请参考图5A，在步骤S3中，首先，在载体晶圆20对应的大尺寸晶圆加工机台(例如气相沉积设备、氧化炉或涂膜机台等)上，进行相应的气相沉积或旋涂等成膜工艺，以覆盖绝缘层11于压电晶粒10和载体晶圆20上，所述绝缘层11至少填满所述切割道10a。然后，通过化学机械抛光(CMP)工艺将绝缘层11的顶面研磨至暴露出各个压电晶粒10a的顶面，在本发明的其他实施例中，可以通过回刻蚀工艺对绝缘层11进行回刻蚀，以暴露出各个压电晶粒10的顶面。所述绝缘层11的材料包括塑封材料、氧化硅、氮氧化硅、硅酸盐玻璃(例如硼硅酸盐玻璃BSG、磷硅酸盐玻璃PSG、硼磷硅酸盐玻璃BPSG、未掺杂硅酸盐玻璃USG等)、低K介质(介电常数K小于4)、聚酰亚胺中的至少一种。所述绝缘层11一方面能够将增强压电晶粒10的牢固性，防止压电晶粒10仅由临时键合层30固定时在后续工艺中发生移动，从而提高后续工艺的可靠性；另一方面，绝缘层11还能保护压电晶粒10的侧壁，防止后续工艺从压电晶粒10侧壁对压电晶粒10产生损伤，影响制得的表面声波滤波器件的良率和性能。当然，在本发明的其他实施例中，如果后续工艺不存在上述问题，则也可以省略绝缘层11的形成。

请参继续考图5A，在步骤S4中，首先，可以在载体晶圆20的尺寸对应的大尺寸晶圆加工机台上，通过真空蒸镀、溅射沉积等工艺，覆盖金属层(未图示)于绝缘层11和各个压电晶粒10上，所述金属层的材料包括钨、银、锆、钼、铂(即白金)、钌、铱、钛、钨、铜、铬、铪和铝中的至少一种。然后，通过光刻结合干法刻蚀的工艺图形化所述金属层(未图示)，以形成所述叉指型电极12b和所述第一焊盘12a，所述叉指型电极12b和第一焊盘12a均暴露出所述切割道10a中的绝缘层11的顶面。其中，第一焊盘12a用于在后续实现与封装基板凸点键合。叉指型电极12b是如指状或梳状的面内有周期性图案的电极。叉指型电极12b通常是成对出现，由此，输入电信号通过一个叉指型电极12b的压电效应激发出声表面波，并传播到另一个叉指型电极12b处，由于逆压电效应，声表面波在所述另一个叉指型电极12b处被转化为电信号输出，通过控制叉指型电极12b的周期、形状和选择压电介质的参数，可以得到想要的带通滤波频率响应曲线。在本发明的其他实施例中，还可以通过剥离(lift-off)工艺来形成所述叉指型电极12b和所述第一焊盘12a，其中剥离(Lift-off)工艺是首先在衬底(即绝缘层11和各个压电晶粒10)上涂胶并光刻，然后再制备金属薄膜，在有光刻胶的地方，金属薄膜形成在光刻胶上，而没有光刻胶的地方，金属薄膜就直接形成在衬底上。当使用溶剂去除衬底上的光刻胶时，不需要的金属就随着光刻胶的溶解而脱落在溶剂中，而直接形成在衬底上的金属部分则保留下来形成图形，即所述图形就是所述叉指型电极12b和所述第一焊盘12a。

请继续参考图5A，为了在后续实现具有第一焊盘12a和叉指型电极12b的载体晶圆20一面和封装基板40的一面之间的凸点键合，可以先在所述第一焊盘12a上植球，形成焊球13。焊球13可以为锡焊球、铅焊球、锡铅焊球、银焊球、锡银焊球、锡银铜焊球或铜柱。

请参考图5B，在步骤S5中，首先，提供尺寸不小于载体晶圆20且具有多个第二焊盘41的封装基板40，封装基板40可以是尺寸与载体晶圆20相同的高温共烧陶瓷(HighTemperature co-fired Ceramic，HTCC)基板，该HTCC基板的成型工艺包括：按照发热电路设计的要求，将保护钨、钼、钼、锰等至少一种高熔点金属的发热电阻浆料，印刷于92％～96％的氧化铝流延陶瓷生坯上，并在4％～8％的烧结助剂的作用下，多层叠合，在1500～1600℃下高温下共烧成一体。接着，可以在载体晶圆20的尺寸对应的大尺寸晶圆加工机台(即晶圆键合机台)上，将具有所述压电晶粒10的载体晶圆20装配到所述封装基板40上，且各个所述第一焊盘12a和相应的所述第二焊盘41对准并通过所述焊球13凸点键合。步骤S5实质上是一种晶圆到晶圆(wafer to wafer)的封装工艺，其将具有所述压电晶粒10的载体晶圆20装配到所述封装基板40上，并通过各个所述第一焊盘12a和封装基板40上相应的所述第二焊盘41对准并进行凸点键合，可以实现高集成度的晶圆级封装工艺，进一步降低封装成本。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，在将具有所述压电晶粒10的载体晶圆20装配到所述封装基板40上之前，还可以不在第一焊盘12a上植球，而是在第二焊盘41上植球；或者，在第一焊盘12a和第二焊盘41上均植球，以实现第一焊盘12a和第二焊盘41之间的凸点键合。

在步骤S6中，首先，请参考图5B和图5C，可以根据步骤S2中的临时键合的方式，选择合适的晶圆剥离方法，来将所述载体晶圆20从各个压电晶粒10上剥离下来，所述剥离的方式包括热滑动剥离、机械剥离和激光剥离，在一些剥离方式下，载体晶圆20和各个压电晶粒10之间的临时键合层30在载体晶圆20移除还保留在压电晶粒10的表面上，以用于后续切割压电晶粒10之间的切割道时，保护压电晶粒10。然后，请参考图5D，可以从压电晶粒10侧，沿各个所述切割道10a切割所述封装基板40和所述绝缘层11，以得到多个具有相应的所述叉指型电极12b、所述压电晶粒10和所述封装基板40的表面声波滤波器件50。

上述的表面声波滤波器件的制造方法中，步骤S3～S6均是在载体晶圆20对应的大尺寸晶圆加工机台(即能直接对载体晶圆进行加工的机台，包括光刻机台、刻蚀机台、CMP机台、沉积机台等)上进行的。由此可见，本发明的表面声波滤波器件的制造方法，先将小尺寸的压电晶圆分割成多个压电晶粒，并临时键合到大尺寸的载体晶圆上，可以在载体晶圆尺寸对应的大尺寸晶圆加工机台上完成表面声波滤波器件的制作过程，即使得表面声波滤波器件的制作工艺和大尺寸晶圆的加工工艺兼容，继而避免大尺寸晶圆代工厂代工表面声波滤波器件时重新购置设备的问题，从而降低成本。此外，本实施例的表面滤波器件的制造方法，由于切割出来的压电晶粒10可以在载体晶圆20上进行最大集成度的排布，因此可以提高载体晶圆20和封装基板40的利用率，并避免对载体晶圆20和封装基板40进行切边的操作，进而可以提高最终制得的表面滤波器件的产量。

本发明的表面声波滤波器件的制造方法不仅适用于普通型的表面声波滤波器件的加工，还适用于温度补偿型的表面声波滤波TC-SAW器件的加工。请参考图1～4以及图6A～6E，本发明的另一实施例还提供一种温度补偿型的表面声波滤波TC-SAW器件的制造方法，包括以下步骤：

S1，提供压电晶圆10’和载体晶圆20，所述压电晶圆10’的尺寸小于所述载体晶圆20的尺寸，请参考图2和图3所示，压电晶圆10’和载体晶圆20的具体选材可以参考上文所述，在此不再详述。

S2，将所述压电晶圆10’切割成多个压电晶粒10，并将各个压电晶粒10临时键合到所述载体晶圆20上，且相邻所述压电晶粒10之间的间隙作为切割道10a，请参考图2～图4所示，具体的工艺过程参考上文的步骤S2所述，在此不再详述。

S3，形成绝缘层11，所述绝缘层11填满所述切割道10a并暴露出各个压电晶粒10的顶面，请参考图6A所示，绝缘层11的具体形成工艺过程参考上文的步骤S3所述，在此不再详述。

S4，形成叉指型电极12b和第一焊盘12a于各个所述压电晶粒10的顶面上，且所述叉指型电极12b和第一焊盘12a均暴露出所述切割道10a中的绝缘层11的表面，请参考图6A所示，叉指型电极12b和第一焊盘12a的具体形成工艺过程参考上文的步骤S4所述，在此不再详述。

在步骤S4之后，首先，请参考图6A，通过气相沉积等工艺，在所述叉指型电极12a、所述第一焊盘12a、压电晶粒10和绝缘层11的顶面上沉积温度补偿层14，所述温度补偿层14的材料包括未掺杂或掺杂的氧化硅；接着，还可以通过CMP机台等修整(trim)机台将温度补偿层14的表面平坦化；然后，请参考图6B，通过光刻结合刻蚀的工艺，图形化所述温度补偿层14，剩余的温度补偿层14将所述叉指型电极12a掩埋在内并暴露出各个所述第一焊盘12a和切割道10a中的绝缘层11的顶面；之后，请参考图6C，可以在第一焊盘12a上植球，形成焊球13。

S5，提供满足所述大尺寸晶圆加工机台的尺寸要求且具有多个第二焊盘41的封装基板40，将具有所述压电晶粒10的载体晶圆20装配到所述封装基板40上，且各个所述第一焊盘12a和相应的所述第二焊盘41对准并通过焊球13凸点键合,请参考图6C所示。具体的工艺过程可以参考上文中的步骤S5，在此不再详述。

S6，将所述载体晶圆20剥离，并沿各个所述切割道10a切割所述封装基板40和所述绝缘层11，以得到多个具有相应的所述叉指型电极12b、所述压电晶粒10和所述封装基板40的温度补偿型表面声波滤波器件，请参考图6D和6E所示，具体工艺过程可参考上文的步骤S6所述，在此不再详述。

需要说明的是，上述实施例中的温度补偿层在叉指型电极12a之后形成，能够将所述叉指型电极12a掩埋在内并暴露出各个所述第一焊盘12a和切割道10a中的绝缘层11的顶面，并起到温度补偿的作用，有利于降低频率温度系数，提高器件的性能，即可以补偿压电晶粒10a随温度变化而引起的体积变化，减小最终制得的TC-SAW滤波器随温度变化带来的频率变化。但是本发明中形成温度补偿层的方案并不仅仅限于上述实施方式。具体地，在本发明的另一实施例中，还可以在步骤S3之后且在步骤S4之前(即在形成绝缘层11之后，且在形成所述叉指型电极12b和所述第一焊盘12a于各个所述压电晶粒10的顶面上之前，在所述压电晶粒10的顶面上形成温度补偿层。其中，形成温度补偿层、所述叉指型电极12b和所述第一焊盘12a的步骤包括：首先，在步骤S3之后，覆盖温度补偿层于各个所述压电晶粒10和所述绝缘层11的表面上，并进一步通过CMP机台等修整(trim)机台将温度补偿层14的表面平坦化；然后，图形化所述温度补偿层，以形成叉指槽(未图示)和焊盘槽(未图示)于各个所述压电晶粒10的顶面上，且剩余的所述温度补偿层还暴露出切割道10a的绝缘层11的顶面；之后，执行步骤S4，沉积金属层以填满所述叉指槽和焊盘槽，并平坦化所述金属层至所述温度补偿层的顶面，并去除切割道10a区域的多余金属层，以形成所述叉指型电极12b和所述第一焊盘12a，此时温度补偿层填充在叉指型电极12b之间的缝隙中并暴露出所述叉指型电极12b、所述第一焊盘12a、切割道10a中的绝缘层11的顶面。此时的温度补偿层在叉指型电极12a之前形成，虽然无法将所述叉指型电极12a掩埋在内，但是也能起到温度补偿的作用。

在本发明的又一实施例中，还可以在步骤S3之后且在步骤S4之前以及在步骤S4之后且在步骤S5之前，均形成温度补偿层。具体过程包括：首先，在步骤S3之后，覆盖第一温度补偿层(未图示)于各个所述压电晶粒10和所述绝缘层11的表面上，所述第一温度补偿层的材料包括未掺杂或掺杂的氧化硅，并进一步通过CMP机台等修整(trim)机台将第一温度补偿层的表面平坦化；然后，图形化所述第一温度补偿层，以形成叉指槽(未图示)和焊盘槽(未图示)于各个所述压电晶粒10的顶面上，且剩余的所述第一温度补偿层还暴露出切割道10a的绝缘层11的顶面；之后，执行步骤S4，沉积金属层以填满所述叉指槽和焊盘槽，并平坦化所述金属层至所述第一温度补偿层的顶面，并去除切割道10a区域的多余金属层，以形成所述叉指型电极12b和所述第一焊盘12a；接着，覆盖第二温度补偿层(未图示)于所述叉指型电极12a、所述第一焊盘12a、压电晶粒10、第一温度补偿层和绝缘层11的顶面上，所述第二温度补偿层的材料包括未掺杂或掺杂的氧化硅；接着，还可以通过CMP机台等修整(trim)机台将第二温度补偿层的表面平坦化；然后，通过光刻结合刻蚀的工艺，图形化所述第二温度补偿层，剩余的第二温度补偿层将所述叉指型电极12a掩埋在内并暴露出各个所述第一焊盘12a和切割道10a中的绝缘层11的顶面，由此，剩余的第一温度补偿层和剩余的第二温度补偿层组成所述温度补偿层，在本实施例中的温度补偿层也可以将所述叉指型电极12b掩埋在内并暴露出所述第一焊盘12a和切割道10a中的绝缘层11的顶面，且因为有两层温度补偿层的叠加，所以更有利于降低频率温度系数，提高器件的性能。

基于同一发明构思，本发明还提供一种表面声波滤波器件，其采用上述任一实施例中的表面声波滤波器件的制造方法制造。请参考图5D和6E，所述表面声波滤波器件包括封装在一起的封装基板40和压电晶粒10，所述压电晶粒10位于所述封装基板40上方。其中，所述封装基板40上设有第二焊盘41，所述压电晶粒10面向所述封装基板40的一面上设有叉指型电极12b和第一焊盘12a，所述第一焊盘12a和第二焊盘41对准并通过焊球13凸点键合，所述压电晶粒10和所述封装基板40之间提供有用于声波谐振的空间。

可选地，所述叉指型电极12b面向封装基板40的一面上还覆盖有温度补偿层14，所述温度补偿层14将所述叉指型电极12b掩埋在内并暴露出各个所述第一焊盘12a。可选地，所述温度补偿层的材料包括未掺杂或掺杂的氧化硅。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于本发明的技术方案所要求的保护范围。