阅读说明：本技术 一种led外延生长方法 (LED epitaxial growth method ) 是由 徐平 胡耀武 谢鹏杰 于 2019-09-24 设计创作，主要内容包括：本申请公开了一种LED外延生长方法,依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层,降温冷却,其中生长多量子阱层依次包括生长低温GaN垒层、生长压力渐变InGaN阱层、生长温度渐变InGaN阱层、生长温度和压力同时渐变InGaN阱层、生长高温GaN垒层、生长AlN层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长方法中存在的量子阱生长质量不高及量子阱辐射复合效率低下的问题,从而提高LED的发光效率,并减少外延片翘曲。(The application discloses an LED epitaxial growth method, which sequentially comprises the following steps: the method comprises the steps of treating a substrate, growing a low-temperature buffer layer GaN, growing an undoped GaN layer, growing an N-type GaN layer doped with Si, growing a multi-quantum well layer, growing an AlGaN electronic barrier layer, growing a P-type GaN layer doped with Mg, and cooling, wherein the growing multi-quantum well layer sequentially comprises the steps of growing a low-temperature GaN barrier layer, growing a InGaN well layer with gradually changed pressure, growing an InGaN well layer with gradually changed temperature, growing an InGaN well layer with simultaneously changed temperature and pressure, growing a high-temperature GaN barrier layer and growing an AlN layer. The method solves the problems of low quantum well growth quality and low quantum well radiation recombination efficiency in the conventional LED epitaxial growth method, thereby improving the luminous efficiency of the LED and reducing the warping of an epitaxial wafer.)

一种LED外延生长方法

技术领域

本发明属于LED技术领域，具体涉及一种LED外延生长方法。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。当LED有电流流过时，LED中的电子与空穴在其多量子阱内复合而发出单色光。LED作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，具有低电压、低能耗、体积小、重量轻、寿命长、高可靠性和色彩丰富等优点。目前国内生产LED的规模正在逐步扩大，但是LED仍然存在发光效率低下的问题，影响LED的节能效果。

目前现有的LED多量子阱的生长方法制备的LED外延InGaN/GaN多量子阱品质不高，该多量子阱发光区辐射效率低下，严重阻碍了LED发光效率的提高，影响LED的节能效果。另外，目前4英寸LED普遍存在外延片翘曲大的问题，减少外延片翘曲是行业内的技术难题。

综上所述，急需一种LED外延的生长方法，解决现有LED多量子阱中存在的发光效率低下及外延片翘曲的问题。

发明内容

本发明通过采用新的多量子阱层生长方法来解决现有LED外延生长方法中存在的量子阱生长质量不高及量子阱辐射复合效率低下的问题，从而提高LED的发光效率，并减少外延片翘曲，提高产品良率。

本发明的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却；其中生长多量子阱层依次包括：生长低温GaN垒层、生长压力渐变InGaN阱层、生长温度渐变InGaN阱层、生长温度和压力同时渐变InGaN阱层、生长高温GaN垒层、生长AlN层，具体为：

A、将反应腔压力控制在200-280mbar，反应腔温度控制在500-580℃，通入流量为6000-8000sccm的NH₃、150-200sccm的TMGa及200-250L/min的N₂，生长厚度为5-8nm的低温GaN垒层；

B、反应腔温度维持不变，将反应腔压力升高至300mbar，通入流量为20000-30000sccm的NH₃、200-300sccm的TMGa以及1300-1400sccm的TMIn，生长过程中控制反应腔压力从300mbar渐变增加至350mbar，生长厚度为10-20nm的压力渐变InGaN阱层；

C、保持反应腔压力350mbar不变，反应腔温度升高至800℃，通入流量为20000-30000sccm的NH₃、200-300sccm的TMGa以及1300-1400sccm的TMIn，生长过程中控制反应腔的温度由800℃渐变减少至700℃，生长厚度为10-20nm的温度渐变InGaN阱层；

D、将反应腔压力升高至550mbar，反应腔温度升高至900℃，通入流量为20000-30000sccm的NH₃、200-300sccm的TMGa以及1300-1400sccm的TMIn，生长过程中控制反应腔的温度由900℃渐变增加至1100℃，反应腔压力从550mbar渐变减少至500mbar，生长厚度为10-20nm的温度、压力同时渐变InGaN阱层；

E、保持反应腔温度1100℃不变，反应腔压力减少至300-350mbar，通入流量为6000-8000sccm的NH₃、150-200sccm的TMGa及200-250L/min的N₂，且控制氮原子与镓原子的摩尔比从600:1渐变增加至700:1，生长厚度为5-8nm的高温GaN垒层；

F、降低反应腔温度至650-750℃，反应腔压力升高400-450mbar，通入50-70sccm的N₂、200-250sccm的TMAl以及NH₃,生长过程中TMAl源保持常开，而NH₃采用脉冲方式交替通入反应腔，NH₃中断和通入反应腔的时间分别是12s和6s，生长厚度为7nm-10nm的AlN层；

重复上述步骤A-F，周期性依次生长低温GaN垒层、压力渐变InGaN阱层、温度渐变InGaN阱层、温度和压力同时渐变InGaN阱层、高温GaN垒层、AlN层，生长周期数为2-8个。

优选地，所述处理衬底的具体过程为：

在1000℃-1100℃的温度下，通入100L/min-130L/min的H₂，保持反应腔压力100mbar-300mbar，处理蓝宝石衬底5min-10min。

优选地，所述生长低温缓冲层GaN的具体过程为：

降温至500℃-600℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为10000sccm-20000sccm的NH₃、50sccm-100sccm的TMGa及100L/min-130L/min的H₂，在蓝宝石衬底上生长厚度为20nm-40nm的低温缓冲层GaN；

升高温度到1000℃-1100℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为30000sccm-40000sccm的NH₃、100L/min-130L/min的H₂，保温300s-500s，将低温缓冲层GaN腐蚀成不规则岛形。

优选地，所述生长不掺杂GaN层的具体过程为：

升高温度到1000℃-1200℃，保持反应腔压力300mbar-600mbar，通入流量为30000sccm-40000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa及100L/min-130L/min的H₂，持续生长2μm-4μm的不掺杂GaN层。

优选地，所述生长掺杂GaN层的具体过程为：

保持反应腔压力300mbar-600mbar，保持温度1000℃-1200℃，通入流量为30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂及20sccm-50sccm的SiH₄，持续生长3μm-4μm掺杂Si的N型GaN，其中，Si掺杂浓度5E18atoms/cm³-1E19atoms/cm³。

优选地，所述生长AlGaN电子阻挡层的具体过程为：

在温度为900-950℃，反应腔压力为200-400mbar，通入50000-70000sccm的NH₃、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H₂、100-130sccm的TMAl、1000-1300sccm的Cp₂Mg的条件下，生长所述AlGaN电子阻挡层，所述AlGaN层的厚度为40-60nm，其中，Mg掺杂的浓度为1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

优选地，所述生长掺Mg的P型GaN层的具体过程为：

保持反应腔压力400mbar-900mbar、温度950℃-1000℃，通入流量为50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂及1000sccm-3000sccm的Cp₂Mg，持续生长50nm-200nm的掺Mg的P型GaN层，其中，Mg掺杂浓度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

优选地，所述降温冷却的具体过程为：

降温至650℃-680℃，保温20min-30min，关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。

相比于传统的生长方法，本发明中的LED外延生长方法达到了如下效果：

1、在量子阱GaN垒层之后***AlN层，能够在量子阱附近形成有效的势垒差，势垒差能够抑制量子阱内的空穴溢出量子阱，从而能够有效提升量子阱内的空穴浓度，进而提高了电子与空穴的复合几率，提升LED发光效率。生长AlN层通过控制NH₃采用脉冲方式交替通入，能够促成生长模式的渐变，使得AlN薄膜中晶粒的大小逐渐增加，在有效降低位错密度的同时减小了生长过程中的张应力，避免了翘曲的产生，因而获得晶体质量高，表面形貌好的外延材料。

2、本发明在生长高温GaN垒层过程中控制氮原子与镓原子的摩尔比渐变增加，能够提高InGaN层/GaN层以及GaN/AlN层之间的晶格匹配度，在此基础上继续生长外延材料时，材料达到完全弛豫的状态，从而消除了LED外延材料生长过程中晶格失配带来的应力，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲。

3、通过先在低温GaN垒层上生长压力渐变InGaN阱层，与GaN垒层能够更好的匹配，具有更小的晶格失配度，且可以使外延原子填充均匀向上，提高了片内均匀性。在压力渐变InGaN阱层上生长温度渐变InGaN阱层，外延层原子会释放片内应力，阻挡前期晶格失配产生缺陷的向上延伸。在温度渐变InGaN阱层上生长温度和压力同时渐变InGaN阱层，通过压力和生长温度同时渐变，再一次阻断直接平行向上推移时缺陷的向上延伸，降低位错密度，提高晶体质量，LED的发光效率、正向电压、抗静电良率等光电性能得到大幅提升。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明方法制备的LED外延的结构示意图；

图2为现有传统方法制备的LED外延的结构示意图；

其中，1、蓝宝石衬底，2、低温GaN缓冲层，3、非掺杂GaN层，4、n型GaN层，5、多量子阱发光层，51、低温GaN垒层，52、压力渐变InGaN阱层，53、温度渐变InGaN阱层，54、温度和压力同时渐变InGaN阱层，55、高温GaN垒层，56、AlN层，57、In_xGa_(1-x)N层，58、GaN层，6、AlGaN电子阻挡层,7、P型GaN。

具体实施方式

如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

另外，本说明书并没有将权利要求书公开的构件和方法步骤限定于实施方式的构件和方法步骤。特别是，在实施方式中记载的结构部件的尺寸、材质、形状、其结构顺序和邻接顺序以及制造方法等只要没有具体的限定，就仅作为说明例，而不是将本发明的范围限定于此。附图中所示的结构部件的大小和位置关系是为了清楚地进行说明而放大示出。

以下结合附图对本申请作进一步详细说明，但不作为对本申请的限定。

实施例1

本实施例采用本发明提供的LED外延生长方法，采用MOCVD来生长GaN基LED外延片，采用高纯H₂或高纯N₂或高纯H₂和高纯N₂的混合气体作为载气，高纯NH₃作为N源，金属有机源三甲基镓(TMGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，N型掺杂剂为硅烷(SiH₄)，三甲基铝(TMAl)作为铝源，P型掺杂剂为二茂镁(CP₂Mg)，反应压力在70mbar到900mbar之间。具体生长方式如下(外延结构请参考图1)：

一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底1、生长低温缓冲层GaN2、生长不掺杂GaN层3、生长掺杂Si的N型GaN层4、生长多量子阱层5、生长AlGaN电子阻挡层6、生长掺杂Mg的P型GaN层7，降温冷却；其中，

步骤1：处理衬底1。

具体地，所述步骤1，进一步为：

在温度为1000-1100℃，反应腔压力为100-300mbar，通入100-130L/min的H₂的条件下，处理蓝宝石衬底5-10分钟。

步骤2：生长低温GaN缓冲层2，并在所述低温GaN缓冲层2形成不规则小岛。

具体地，所述步骤2，进一步为：

在温度为500-600℃，反应腔压力为300-600mbar，通入10000-20000sccm的NH₃、50-100sccm的TMGa、100-130L/min的H₂的条件下，在所述蓝宝石衬底1上生长所述低温缓冲层GaN2，所述低温GaN缓冲层2的厚度为20-40nm；

在温度为1000-1100℃、反应腔压力为300-600mbar，通入30000-40000sccm的NH₃、100L/min-130L/min的H₂的条件下，在所述低温缓冲层GaN2上形成所述不规则小岛。

步骤3：生长非掺杂GaN层3。

具体地，所述步骤3，进一步为：

在温度为1000-1200℃，反应腔压力为300-600mbar，通入30000-40000sccm的NH₃、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H₂的条件下，生长的所述非掺杂GaN层3；所述非掺杂GaN层3的厚度为2-4μm。

步骤4：生长Si掺杂的N型GaN层4。

具体地，所述步骤4，进一步为：

保持反应腔压力300mbar-600mbar，保持温度1000℃-1200℃，通入流量为30000sccm-60000sccm的NH₃、200sccm-400sccm的TMGa、100L/min-130L/min的H₂及20sccm-50sccm的SiH₄，持续生长3μm-4μm掺杂Si的N型GaN4，其中，Si掺杂浓度5E18atoms/cm³-1E19atoms/cm³。

步骤5：生长多量子阱层5。

所述生长多量子阱层5，进一步为：

A、将反应腔压力控制在200-280mbar，反应腔温度控制在500-580℃，通入流量为6000-8000sccm的NH₃、150-200sccm的TMGa及200-250L/min的N₂，生长厚度为5-8nm的低温GaN垒层51；

B、反应腔温度维持不变，将反应腔压力升高至300mbar，通入流量为20000-30000sccm的NH₃、200-300sccm的TMGa以及1300-1400sccm的TMIn，生长过程中控制反应腔压力从300mbar渐变增加至350mbar，生长厚度为10-20nm的压力渐变InGaN阱层52；

C、保持反应腔压力350mbar不变，反应腔温度升高至800℃，通入流量为20000-30000sccm的NH₃、200-300sccm的TMGa以及1300-1400sccm的TMIn，生长过程中控制反应腔的温度由800℃渐变减少至700℃，生长厚度为10-20nm的温度渐变InGaN阱层53；

D、将反应腔压力升高至550mbar，反应腔温度升高至900℃，通入流量为20000-30000sccm的NH₃、200-300sccm的TMGa以及1300-1400sccm的TMIn，生长过程中控制反应腔的温度由900℃渐变增加至1100℃，反应腔压力从550mbar渐变减少至500mbar，生长厚度为10-20nm的温度、压力同时渐变InGaN阱层54；

E、保持反应腔温度1100℃不变，反应腔压力减少至300-350mbar，通入流量为6000-8000sccm的NH₃、150-200sccm的TMGa及200-250L/min的N₂，且控制氮原子与镓原子的摩尔比从600:1渐变增加至700:1，生长厚度为5-8nm的高温GaN垒层55；

F、降低反应腔温度至650-750℃，反应腔压力升高400-450mbar，通入50-70sccm的N₂、200-250sccm的TMAl以及NH₃,生长过程中TMAl源保持常开，而NH₃采用脉冲方式交替通入反应腔，NH₃中断和通入反应腔的时间分别是12s和6s，生长厚度为7nm-10nm的AlN层56；

重复上述步骤A-F，周期性依次生长低温GaN垒层51、压力渐变InGaN阱层52、温度渐变InGaN阱层53、温度和压力同时渐变InGaN阱层54、高温GaN垒层55、AlN层56，生长周期数为2-8个。

步骤6：生长AlGaN电子阻挡层6。

具体地，所述步骤6，进一步为：

在温度为900-950℃，反应腔压力为200-400mbar，通入50000-70000sccm的NH₃、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H₂、100-130sccm的TMAl、1000-1300sccm的Cp₂Mg的条件下，生长所述AlGaN电子阻挡层6，所述AlGaN层的厚度为40-60nm，其中，Mg掺杂的浓度为1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

步骤7：生长Mg掺杂的P型GaN层7。

具体地，所述步骤7，进一步为：

在温度为950-1000℃，反应腔压力为400-900mbar，通入50000-70000sccm的NH₃、20-100sccm的TMGa、100-130L/min的H₂、1000-3000sccm的Cp₂Mg的条件下，生长厚度为50-200nm的Mg掺杂P型GaN层7，Mg掺杂浓度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

步骤8：在温度为650-680℃的条件下保温20-30min，接着关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。

实施例2

以下提供对比实施例，即传统LED外延的生长方法(外延结构请参考图2)。

步骤1：在温度为1000-1100℃，反应腔压力为100-300mbar，通入100-130L/min的H₂的条件下，处理蓝宝石衬底5-10分钟。

步骤2：生长低温GaN缓冲层，并在所述低温GaN缓冲层2形成不规则小岛。

具体地，所述步骤2，进一步为：

在温度为500-600℃，反应腔压力为300-600mbar，通入10000-20000sccm的NH₃、50-100sccm的TMGa、100-130L/min的H₂的条件下，在所述蓝宝石衬底1上生长所述低温缓冲层GaN2，所述低温GaN缓冲层2的厚度为20-40nm；

在温度为1000-1100℃、反应腔压力为300-600mbar，通入30000-40000sccm的NH₃、100L/min-130L/min的H₂的条件下，在所述低温缓冲层GaN2上形成所述不规则小岛。

步骤3：生长非掺杂GaN层3。

具体地，所述步骤3，进一步为：

在温度为1000-1200℃，反应腔压力为300-600mbar，通入30000-40000sccm的NH₃、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H₂的条件下，生长的所述非掺杂GaN层；所述非掺杂GaN层3的厚度为2-4μm。

步骤4：生长Si掺杂的N型GaN层4。

具体地，所述步骤4，进一步为：

在温度为1000-1200℃，反应腔压力为300-600mbar，通入30000-60000sccm的NH₃、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H₂、20-50sccm的SiH₄的条件下，生长Si掺杂的N型GaN4，所述n型GaN的厚度为3-4μm，Si掺杂的浓度为5E18atoms/cm³-1E19atoms/cm³。

步骤5：生长In_xGa_(1-x)N/GaN多量子肼层5。

具体地，所述生长多量子肼层5，进一步为：

保持反应腔压力300mbar-400mbar、保持温度720℃，通入流量为50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-40sccm的TMGa、10000-15000sccm的TMIn及100L/min-130L/min的N₂，生长掺杂In的厚度为3nm的In_xGa_(1-x)N层57，其中，x＝0.20-0.25，In掺杂浓度为1E20atoms/cm³-3E20 atoms/cm³；

升高温度至800℃，保持反应腔压力300mbar-400mbar，通入流量为50000sccm-70000sccm的NH₃、20sccm-100sccm的TMGa及100L/min-130L/min的N₂，生长10nm的GaN层58；

重复交替生长In_xGa_(1-x)N层57和GaN层58，得到In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱发光层，其中，In_xGa_(1-x)N层57和GaN层58的交替生长周期数为7-13个。

步骤6：生长AlGaN电子阻挡层6。

具体地，所述步骤6，进一步为：

在温度为900-950℃，反应腔压力为200-400mbar，通入50000-70000sccm的NH₃、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H₂、100-130sccm的TMAl、1000-1300sccm的Cp₂Mg的条件下，生长所述AlGaN电子阻挡层6，所述AlGaN层6的厚度为40-60nm，其中，Mg掺杂的浓度为1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

步骤7：生长Mg掺杂的P型GaN层7。

具体地，所述步骤7，进一步为：

在温度为950-1000℃，反应腔压力为400-900mbar，通入50000-70000sccm的NH₃、20-100sccm的TMGa、100-130L/min的H₂、1000-3000sccm的Cp₂Mg的条件下，生长厚度为50-200nm的Mg掺杂P型GaN层7，Mg掺杂浓度1E19atoms/cm³-1E20atoms/cm³。

步骤8：在温度为650-680℃的条件下保温20-30min，接着关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。

根据上述实施例1和实施例2分别制得样品1和样品2，样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层约150nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极约1500nm，相同的条件下镀保护层SiO₂约100nm，然后在相同的条件下将样品研磨切割成635μm*635μm(25mil*25mil)的芯片颗粒，之后将样品1和样品2在相同位置各自挑选100颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。采用积分球在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能。

表1样品1和样品2的电性参数比较结果

将积分球获得的数据进行分析对比，从表1中可以看出，本发明提供的LED外延生长方法制备的LED(样品1)发光效率得到明显提升，并且电压、反向电压、漏电、抗静电能力等其它各项LED电性参数变好，是因为本专利技术方案解决了现有LED存在的量子阱生长质量不高及量子阱辐射复合效率低下的问题，从而提高LED的发光效率，并改善其它LED光电性能。

对外延片样品1和样品2的翘曲度BOW值数据(um)进行统计，样品1翘曲度平均值为5.1um，样品2翘曲度平均值为6.4um，本发明方法制作的LED外延片样品的翘曲度明显要小，这说明本发明方法能够明显减少外延片翘曲，提高产品合格率。

本发明的LED外延生长方法中，通过采用新的多量子阱层生长方法，跟传统方式相比，达到了如下效果：

1、在量子阱GaN垒层之后***AlN层，能够在量子阱附近形成有效的势垒差，势垒差能够抑制量子阱内的空穴溢出量子阱，从而能够有效提升量子阱内的空穴浓度，进而提高了电子与空穴的复合几率，提升LED发光效率。生长AlN层通过控制NH₃采用脉冲方式交替通入，能够促成生长模式的渐变，使得AlN薄膜中晶粒的大小逐渐增加，在有效降低位错密度的同时减小了生长过程中的张应力，避免了翘曲的产生，因而获得晶体质量高，表面形貌好的外延材料。

2、本发明在生长高温GaN垒层过程中控制氮原子与镓原子的摩尔比渐变增加，能够提高InGaN层/GaN层以及GaN/AlN层之间的晶格匹配度，在此基础上继续生长外延材料时，材料达到完全弛豫的状态，从而消除了LED外延材料生长过程中晶格失配带来的应力，显著增大了外延膜材料应力控制的窗口，从而可以减少外延片翘曲。

3、通过先在低温GaN垒层上生长压力渐变InGaN阱层，与GaN垒层能够更好的匹配，具有更小的晶格失配度，且可以使外延原子填充均匀向上，提高了片内均匀性。在压力渐变InGaN阱层上生长温度渐变InGaN阱层，外延层原子会释放片内应力，阻挡前期晶格失配产生缺陷的向上延伸。在温度渐变InGaN阱层上生长温度和压力同时渐变InGaN阱层，通过压力和生长温度同时渐变，再一次阻断直接平行向上推移时缺陷的向上延伸，降低位错密度，提高晶体质量，LED的发光效率、正向电压、抗静电良率等光电性能得到大幅提升。

由于方法部分已经对本申请实施例进行了详细描述，这里对实施例中涉及的结构与方法对应部分的展开描述省略，不再赘述。对于结构中具体内容的描述可参考方法实施例的内容，这里不再具体限定。

上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。