具体实施方式

本发明的LED发光装置是在基材上至少具有LED元件和树脂层的LED发光装置，其特征在于，在所述LED元件表面至少具有：含有具有由所述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的膜、或者含有具有由所述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的膜；或者本发明的LED发光装置是在基材上至少具有LED元件和树脂层的LED发光装置，其特征在于，所述树脂层至少含有：含有具有由下述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的粒子、或者含有具有由下述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的粒子。该特征是下述各实施方式中共同或对应的技术特征。

作为本发明的实施方式，从能够进一步显现本发明的目标效果的观点出发，具有在LED元件表面上层叠有含有具有由所述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的膜和含有具有由所述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的膜的结构，由于能够进一步显现本发明的目标效果的方面从而优选。

另外，所述树脂层同时含有含有具有由所述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的粒子和含有具有由所述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的粒子的构成，由于能够进一步显现本发明的目标效果从而优选。

另外，LED元件表面用含有具有由所述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的膜或含有具有由所述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的膜被覆、并且所述树脂层含有含有具有由所述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的粒子或含有具有由所述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的粒子的构成，由于能够进一步显现本发明的目标效果从而优选。

以下对于本发明及其构成要素和用于实施本发明的形态、方式进行详细的说明。应予说明，本申请中“～”以包含在其前后记载的数值作为下限值和上限值的含义使用。再有，在各图的说明中，在构成要素的末尾记载的数字表示各图中的附图标记。

《LED发光装置》

本发明的LED发光装置为在基材上至少具有LED元件和树脂层的LED发光装置，其一个特征在于，在LED元件表面至少具有：含有具有由所述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的膜、或者含有具有由所述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的膜。本发明中所说的含有有机金属氧化物的膜(以下，也称为“有机金属氧化物含有膜”)，是含有有机金属氧化物作为主成分的被膜，是指几乎不含粘结剂等成分的构成。

另外，本发明的LED发光装置为在基材上至少具有LED元件和树脂层的LED发光装置，其特征在于，所述树脂层至少含有：含有具有由下述通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的粒子、或者含有具有由下述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的粒子。予以说明，含有有机金属氧化物的粒子以下也称为“有机金属氧化物含有粒子”。

[LED发光装置的基本结构]

首先，对于本发明的LED发光装置的基本结构，参照附图进行说明。

作为本发明的LED发光装置的基本构成，能够列举出以下说明的表面安装型(SMT型)的LED发光装置、封装方法不同的芯片尺寸的CSP型、和使用TFT的TFT型。

本发明中所说的表面安装型(SMT型、Surface Mount Technology)的LED发光装置，是在带有金属端子(引线框)的基板上载置LED元件、用接合线将LED元件和电极连接的安装方式。

另外，本发明中所说的封装方法不同的芯片尺寸的CSP型(Chip Size Package)的LED发光装置，是LED元件自身具有金属化的阳极和阴极、直接焊接于电路基板的安装方式。

另外，本发明中所说的TFT型的LED发光装置，是具备TFT以控制LED的发光的方式。

[SMT型的LED发光装置的构成例1(实施方式1)]

图2为示出本发明涉及的含有有机金属氧化物含有粒子的SMT型的LED发光装置的一例的概略截面图。

图2中所示的LED发光装置100表示表面安装型(SMT型)的LED发光装置，在构成封装基板P的绝缘性基板2上，成为电极的引线框3与LED元件7经由连接用端子6连接，经由在LED元件7表面设置的焊料8和接合线9，与引线框3连接。

以将该LED元件7、接合线9、引线框3等被覆的构成设置树脂层10，是在树脂层10中与荧光体粒子11一起含有粒子状的本发明涉及的有机金属氧化物的构成。在图2中，作为有机金属氧化物，示出由Ti有机金属氧化物含有粒子12构成的例子。

在图2的构成中，进而在树脂层10的周边部形成了反射层5。反射层5可以有也可以没有。优选该反射层5由反射率高的Ag构成，另外，除了Ag以外也能够使用Al、Ni、Ti等金属。

在图2所示的构成的LED发光装置100中，在含有荧光体11的树脂层10中以分散状态存在的Ti有机金属氧化物含有粒子12与从LED发光装置1的外部侵入的硫化氢、卤素分子、卤素离子、或水等腐蚀性气体反应，通过将该硫化氢、卤素分子、卤素离子、或水捕获，从而能够极有效率地防止LED元件的构成材料、构成反射层的银等金属成分的腐蚀。

另外，树脂层10中所含的荧光体11由于水而失活，因此通过捕获水，从而能够提供可长时间维持色纯度的LED发光装置100。

再有，图1中所示的表面安装型(SMT)的LED发光装置为比较例，相对于上述图2中所示的本发明的构成，是在树脂层10中只含有荧光体粒子11的构成。

[SMT型的LED发光装置的构成例2(实施方式2)]

另外，作为本发明的SMT型的LED发光装置，在树脂层中同时含有本发明涉及的具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子和本发明涉及的具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子的构成也是优选的方案之一。

示出在图3中所示的SMT型的LED发光装置100中在树脂层10中与荧光体粒子11一起同时含有具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子(例如Ti有机金属氧化物含有粒子12)和具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子(例如Cu有机金属氧化物含有粒子13)的构成例。

[SMT型的LED发光装置的构成例3(实施方式3)]

另外，如图4所示，作为本发明的SMT型的LED发光装置，能够列举出如下构成：在树脂层中含有本发明涉及的具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子或本发明涉及的具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子，并且将LED元件7、引线框3和连接用端子6、在LED元件7表面设置的焊料8和接合线9表面用具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有膜或含有具有由下述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的膜被覆。

在图4中所示的LED发光装置100中，示出了如下的例子：在树脂层10中，与荧光体粒子11一起，作为有机金属氧化物含有粒子，使用具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子即Ti有机金属氧化物含有粒子12，在有机金属氧化物含有膜中，作为具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有膜，形成了Cu有机金属氧化物含有膜13B。

在本发明中，作为有机金属氧化物含有膜的形成方法，能够在制备包含有机金属氧化物成分的涂布液后，将该涂布液例如采用以往公知的湿式涂布法施加至规定的位置而形成。

[SMT型的LED发光装置的构成例4(实施方式4)]

另外，在图5中所示的本发明的SMT型的LED发光装置中，也能够列举出如下构成：将LED元件7、引线框3和连接用端子6、在LED元件7表面设置的焊料8和接合线9表面只用具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有膜或具有由下述通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有膜被覆。在图5中，示出如下的例子：作为有机金属氧化物含有膜，使用Ti有机金属氧化物含有膜12B形成作为具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有膜。

[SMT型的LED发光装置的构成例5(实施方式5)]

另外，在本发明中，也能够成为如下构成：对于LED元件表面，同时形成具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有膜和具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有膜。

在图6中所示的本发明的SMT型的LED发光装置中，也能够成为如下构成：对于LED元件7、引线框3和连接用端子6、在LED元件7表面设置的焊料8和接合线9表面，作为第一步，例如形成Cu有机金属氧化物含有膜13B作为具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有膜后，在其上部，形成Ti有机金属氧化物含有膜12B作为具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有膜。

[CSP型的LED发光装置的构成例1(实施方式6)]

在图7A和图7B中示出封装方法不同的芯片尺寸的CSP型的LED发光装置的构成。

图7A为CSP型的LED发光装置的截面图，图7B为其俯视图。

在图7A中所示的CSP型的LED发光装置100中，为如下构成：在封装基板P上配置多个LED元件7，在各LED元件7中形成电极图案，将在单面同样用焊料凸点形成有阳极电极103和阴极电极112的LED元件7连接至封装基板P，与图4的构成同样地，以保护封装基板P和LED元件7的方式将含有荧光体11和本发明涉及的金属氧化物含有粒子(例如Ti有机金属氧化物含有粒子12)的树脂层10与LED元件7和各电极103、112的表面被覆，作为具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有膜，形成了Mn有机金属氧化物含有膜15B。

在实施方式6中所示的CSP型的LED发光装置100中，也同样地通过捕获水、卤素、卤素离子、硫化氢等，从而能够极有效率地防止起因于水的荧光体的失活、电极部的腐蚀。

[TFT型的LED发光装置的构成例1(实施方式7)]

图8为示出本发明的LED发光装置的构成的一例的概略截面图，是在将进行白色发光的LED元件密封的树脂层中含有一种粒子状的本发明涉及的有机金属氧化物的构成(实施方式7)。

在图8中所示的LED发光装置100中，在TFT基板102上，经由与TFT111连接的端子电极114和连接用端子112，配置有分别发红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)这3色光的LED元件7，将它们点亮，从而使3色光合成，发出白色光。在TFT基板102的下部，经由TFT111配置有薄层晶体管(Thin Film Transistor，以下简写为“TFT”)，在图8中省略其记载。

另外，在TFT基板102上的LED元件7的周边部，形成有蒜臼状(すり鉢状)(倒圆锥形)的封装4、和在其表面部形成的由Ag等金属材料构成的反射层5，在其内部形成有作为凹状的空间的腔体。

在形成的腔体内，形成有填充有密封用树脂和本发明涉及的有机金属氧化物(例如Ti有机金属氧化物含有粒子12)和荧光体粒子11的树脂层10。

进而，在树脂层10上，经由压敏粘接层103，配置有用于将来自LED元件7的发光光(用箭头表示)改变为特定的方向的滤色器104，经由压敏粘接层105在最表面配置有玻璃板106，构成了LED发光装置100。

在图8中所示的构成中，在树脂层中以分散状态存在的本发明涉及的有机金属氧化物含有粒子(例如Ti有机金属氧化物含有粒子12)与从LED发光装置100的外部侵入的硫化氢、卤素分子、卤素离子、或水等腐蚀性气体反应，通过将该硫化氢、卤素分子、卤素离子、或水捕获，从而能够极有效率地防止LED元件7的构成材料、构成反射层5的银等金属成分的腐蚀。

[TFT型的LED发光装置的构成例2(实施方式8)]

图9为示出本发明的LED发光装置的构成的一例的概略截面图，示出了在将进行白色发光的LED元件密封的树脂层中含有2种粒子状的本发明涉及的有机金属氧化物的构成(实施方式8)。

图9中所示的LED发光装置100的基本的构成与上述图8中说明的构成相同，为如下构成：在树脂层10中同时含有具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子(例如Ti有机金属氧化物含有粒子12)、和具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子(例如Cu有机金属氧化物含有粒子13)。

[TFT型的LED发光装置的构成例3(实施方式9)]

图10为示出本发明的LED发光装置的构成的另一例的概略截面图，其为如下构成：相对于上述图8中所示的构成，进一步地，作为本发明涉及的有机金属氧化物(例如具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有膜)，用Cu有机金属氧化物含有膜13B被覆LED元件7、端子电极114、连接用端子112的表面。

[TFT型2的LED发光装置的构成例1(实施方式10)]

其次，作为本发明的LED发光装置的构成的一例，对于在LED元件上具有荧光体含有层的构成的TFT型2的LED发光装置进行说明。

图11为示出的概略截面图(实施方式10)。

在图11中所示的LED发光装置100中，为如下构成：基本的构成与上述图9和图10中说明的LED发光装置相同，LED元件7主要由单色发光构成，在该LED元件7的发光面上，形成有荧光体含有层115。

荧光体含有层115的特征在于，主要由荧光体粒子11和荧光树脂116构成，进而含有本发明涉及的有机金属氧化物含有粒子例如Ti有机金属氧化物含有粒子12。

在图11中所示的构成的LED发光装置100中，荧光体含有层115含有的荧光体粒子11被LED元件7发出的光的波长(激发波长)激发，射出与激发波长不同的波长的荧光。例如，在LED元件7射出蓝色光的情况下，通过在荧光体含有层115中添加发出黄色的荧光的荧光体粒子11，从而可得到发白色光的LED发光装置。例如，作为发出黄色的荧光的荧光体粒子11的例子，有YAG(钇铝石榴石)荧光体。YAG荧光体以从蓝色LED元件射出的蓝色光(波长420～485nm)作为激发光、发出黄色(波长550～650nm)的荧光。

与图8和图9同样地，通过在图11中所示的构成的荧光体含有层115中存在作为本发明涉及的有机金属氧化物含有粒子的Ti有机金属氧化物含有粒子12，捕捉从外部侵入的硫化氢、卤素分子、卤素离子、或水等腐蚀性气体，从而能够防止荧光体粒子11由于这些气体而劣化。

在图11中所示的构成中，作为金属氧化物含有粒子，也能够将具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子和具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子并用。

[TFT型2的LED发光装置的构成例2(实施方式11)]

在图12中，为如下的构成：在荧光体含有层中含有有机金属氧化物含有粒子，并且对于LED元件7、端子电极114、连接用端子112的表面，作为本发明涉及的有机金属氧化物例如具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有膜，形成了Cu有机金属氧化物含有膜13B。

与图11同样地，通过成为图12中所示的构成，捕捉从外部侵入的硫化氢、卤素分子、卤素离子、或水等腐蚀性气体，从而能够防止荧光体粒子由于这些气体而劣化。

其次，对于上述说明的本发明的LED发光装置的各构成成分的详细情况，以下进行说明。

[LED发光装置的构成材料]

[有机金属氧化物]

本发明涉及的该有机金属氧化物优选含有由下述通式(A)所示的化合物制造的、具有由下述通式(1)或通式(2)表示的结构的有机金属氧化物作为主成分。所谓“主成分”，是指在有机金属氧化物的全部质量中，具有由通式(1)或通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的构成比率为70质量％以上，更优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上。

通式(A)M(OR₁)_y(O-R)_x-y

在上述通式(A)中，R表示氢原子、碳数1个以上的烷基、烯基、芳基、环烷基、酰基、烷氧基、或杂环基。其中，R可为包含氟原子作为取代基的碳链。M表示金属原子。OR₁表示氟代烷氧基。x表示金属原子的价数，y表示1与x之间的任意的整数。

本发明的LED发光装置的特征在于，在LED元件表面具有：含有具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的膜、或者含有具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的膜，或者树脂层至少含有：含有具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物的粒子、或含有具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物的粒子。

通式(1)：R-[M₁(OR₁)_y(O-)_x-y]_n-R

通式(2)：R-[M₂(OR₂)_y(O-)_x-y]_n-R

式中，R表示氢原子、碳数1个以上的烷基、烯基、芳基、环烷基、酰基、烷氧基、或杂环基。其中，R可为包含氟原子作为取代基的碳链。M₁表示选自Ti、Zn、Sn、Al、Si和Zr的金属原子。M₂表示选自Cu、Ag、Au、Mn、Co和Ni的金属原子。OR₁和OR₂分别表示氟代烷氧基。x表示金属原子的价数，y表示1与x之间的任意的整数。n分别表示缩聚度。

在上述通式(1)和通式(2)中，OR₁和OR₂分别表示氟代烷氧基，R₁和R₂表示被至少一个氟原子取代的烷基、芳基、环烷基、酰基、烷氧基、或杂环基。各取代基的具体例将后述。

R表示氢原子、碳数1个以上的烷基、烯基、芳基、环烷基、酰基、烷氧基、或杂环基。或者可将各个基团的氢的至少一部分用卤素取代。另外，也可以是聚合物。

烷基为取代或未取代的烷基，作为具体例，为甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷等，优选地，可为碳数8以上的烷基。另外，也可为这些的低聚物、聚合物。

烯基为取代或未取代的烯基，作为具体例，为乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基等，优选地，可为碳数8以上的烯基。另外，也可为这些的低聚物或聚合物。

芳基为取代或未取代的芳基，作为具体例，有苯基、甲苯基、4-氰基苯基、联苯基、邻，间，对-三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、9-苯基蒽基、9，10-二苯基蒽基、芘基等，优选地，可为碳数8以上的芳基。另外，也可以是这些的低聚物或聚合物。

作为取代或未取代的烷氧基的具体例，为甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基等，优选地，可为碳数8以上的烷氧基。另外，也可以是这些的低聚物、聚合物。

作为取代或未取代的环烷基的具体例，为环戊基、环己基、降冰片烷基、金刚烷基、4-甲基环己基、4-氰基环己基等，优选地，可为碳数8以上的环烷基。另外，也可以是这些的低聚物或聚合物。

作为取代或未取代的杂环基的具体例，为吡咯基、吡咯啉基、吡唑基、吡唑啉基、咪唑基、三唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、吲哚基、苯并咪唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹喔啉基、苯并喹啉基、芴酮基、二氰基芴酮基、咔唑基、噁唑基、噁二唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并三唑基、双苯并噁唑基、双苯并噻唑基、双苯并咪唑基等。另外，也可以是这些的低聚物或聚合物。

作为取代或未取代的酰基的具体例，为甲酰基(正孔ミル基)、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、异戊酰基、新戊酰基、月桂酰基、肉豆蔻酰基、棕榈酰基、硬脂酰基、草酰基、丙二酰基、琥珀酰基、戊二酰基、己二酰基、庚二酰基、辛二酰基、壬二酰基、癸二酰基、丙烯酰基、丙炔酰基、甲基丙烯酰基、巴豆酰基、异巴豆酰基、油酰基、十七碳酰基、马来酰基、富马酰基、柠康酰基、中康酰基、樟脑酰基、苯甲酰基、邻苯二甲酰基、间苯二甲酰基、对苯二甲酰基、萘甲酰基、甲基苯甲酰基、氢化阿托酰基、阿托酰基、肉桂酰基、糠酰基、噻吩甲酰基、烟酰基、异烟酰基、乙醇酰基、乳酰基、甘油酰基、酒石酰基、丙二酰基、酒石酰基、托品酰基、二苯乙醇酰基、水杨酰基、茴香酰基、香草酰基、藜芦酰基、胡椒酰基、原儿茶酰基、没食子酰基、乙醛酰基、丙酮酰基、乙酰乙酰基、中草酰基、丙酮二酰基、草酰乙酰基(オキサルアセチル基)、草酰乙酰基(オキサルアセト基)、戊酮酰基(レブリノイル基)，在这些酰基上氟、氯、溴、或碘等可取代。优选地，酰基的碳可为8以上。另外，也可以是这些的低聚物或聚合物。

关于用于形成本发明涉及的具有由通式(1)或(2)表示的结构的有机金属氧化物的金属醇盐、金属羧酸盐和氟代醇的具体的组合，以下例示。不过，本发明并不限定于此。

在本发明涉及的具有由通式(1)或(2)表示的结构的有机金属氧化物的形成中应用的金属醇盐或金属羧酸盐和氟代醇(R′-OH)通过以下的反应方案I，成为本发明涉及的有机金属氧化物。其中，作为(R′-OH)，例示以下的F-1～F-16的结构。

[化1]

(反应方案I)

[化2]

就本发明涉及的金属醇盐或金属羧酸盐而言，可例示以下的M(OR)_n或M(OCOR)_n所示的^化合物，本发明涉及的有机金属氧化物通过与所述(R′-OH：F-1～F-16)的组合，成为具有下述例示化合物序号1～110的结构的化合物(参照下述例示化合物I、II和III)。本发明涉及的有机金属氧化物并不限定于此。

[化3]

(例示化合物I)

[化4]

(例示化合物II)

[化5]

(例示化合物III)

<有机金属氧化物的反应性>

本发明涉及的有机金属氧化物显示出以下的反应方案II和反应方案III中所示的反应性。应予说明，在烧结后的有机金属氧化物的缩聚体的结构式中，“O-M”部的“M”进一步具有取代基，但省略了。

[化6]

(反应方案II)

例如，在金属种类不同的2种金属氧化物共存的情况下，具有由下述反应方案III表示的反应性。

[化7]

上述有机金属氧化物通过烧结或紫外线照射等缩聚而形成的有机薄膜具有以下的反应方案IV和反应方案V中所示的反应性。

在反应方案IV的情况下，利用来自体系外的水分(H₂O)而水解，放出作为拒水性或疏水性物质的氟代醇(R′-OH)。利用该氟代醇，进一步防止水分向电子器件内部透过。

即，本发明涉及的有机金属氧化物由于通过水解而生成的氟代醇为拒水性或疏水性，因此除了本来的干燥性(干燥剂性)以外，由于与水分的反应而附加拒水功能，具有对于密封性发挥协同效应(synergy effect)的特征。

应予说明，在下述结构式中，“O-M”部的“M”进一步具有取代基，但省略了。

[化8]

(反应方案IV)

在反应方案V的情况下，与具有腐蚀性的碘(I₂)气体反应以捕集碘，生成碘化银，同时生成比较稳定的聚碘离子(I₃ ^-、I₅ ^-和I₇ ^-)。

[化9]

(反应方案V)

〈有机金属氧化物的制造方法〉

制造本发明涉及的有机金属氧化物的有机金属氧化物的制造方法的特征在于，使用金属醇盐和氟代醇的混合液来制造。

本发明涉及的有机金属氧化物的制造方法能够列举出如下方法：在金属醇盐或金属羧酸盐中加入氟代醇，制成混合液，搅拌混合后，根据需要添加水和催化剂，在规定温度下使其反应。

在进行溶胶凝胶反应时，为了促进水解·缩聚反应，可加入下述所示的可成为水解·聚合反应的催化剂的物质。作为溶胶凝胶反应的水解·聚合反应的催化剂使用的催化剂为「最新ゾルーゲル法による機能性薄膜作製技術」(《采用最新溶胶-凝胶法的功能性薄膜制作技术》)(平岛硕著、株式会社综合技术中心、P29)、「ゾルーゲル法の科学」(《溶胶-凝胶法的科学》)(作花济夫著、アグネ承風会社、P154)等中记载的一般的溶胶凝胶反应中使用的催化剂。例如，对于酸催化剂，可列举出盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、醋酸、草酸、酒石酸、甲苯磺酸等无机和有机酸类等。

就优选的催化剂的使用量而言，相对于成为有机金属氧化物的原料的金属醇盐或金属羧酸盐1摩尔，为2摩尔当量以下，更优选为1摩尔当量以下。

在进行溶胶凝胶反应时，就优选的水的添加量而言，相对于成为有机金属氧化物的原料的金属醇盐或金属羧酸盐1摩尔，为40摩尔当量以下，更优选为10摩尔当量以下，进一步优选为5摩尔当量以下。

在本发明中，优选的溶胶凝胶反应的反应浓度、温度、时间由于所使用的金属醇盐或金属羧酸盐的种类、分子量、各个条件相互关联，因此不能一概而论。即，在醇盐或金属羧酸盐的分子量高的情形、反应浓度高的情形下，如果将反应温度设定得高、或使反应时间过长，则随着水解、缩聚反应，反应生成物的分子量上升，有可能发生高粘度化、凝胶化。因此，通常的优选的反应浓度大致用溶液中的固体成分的质量％浓度表示，为1～50％的范围内，更优选5～30％的范围内。另外，反应温度也取决于反应时间，通常为0～150℃的范围内，优选为1～100℃的范围内，更优选为20～60℃的范围内，反应时间优选1～50小时的范围内。

在本发明中，从拒水性或疏水性的观点出发，优选相对于树脂层含有的所述有机金属氧化物中的碳原子数和氟原子数的总数的氟原子数之比的值F/(C+F)为0.05～1.00的范围内。即，本发明涉及的有机金属氧化物中的氟比率优选满足下述式(a)。

式(a)：0.05≦F/(C+F)≦1.00

式(a)的测定意义在于，将采用溶胶凝胶法制作的有机薄膜需要某个量以上的氟原子这一事项数值化。上述式(a)中的F和C分别表示氟原子和碳原子的浓度。

作为更优选的范围，为0.2≦F/(C+F)≦0.6的范围。

就上述氟比率而言，通过将有机薄膜形成中使用的溶胶凝胶液在硅片上涂布而形成薄膜后，对于该薄膜进行采用SEM·EDS(Energy Dispersive X-ray Spectoroscopy、能量分散型X射线分析装置)的元素分析，能够分别求出氟原子和碳原子的浓度。作为SEM·EDS装置的一例，能够列举出JSM-IT100(日本电子株式会社制造)。

SEM·EDS分析具有能够以高速度和高灵敏度、高精度地检测元素的特征。

本发明涉及的有机金属氧化物能够使用溶胶凝胶法制备，从获得本发明的效果的观点出发，优选例如其特征在于，在「ゾルーゲル法の科学」的第13页和第20页中介绍的金属中，在本发明涉及的具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物中，作为M₁，应用选自Ti、Zn、Sn、Al、Si和Zr的金属原子，另外，在具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物中，作为M₂，应用选自Cu、Ag、Au、Mn、Co和Ni的金属原子。

(树脂层形成用树脂)

作为密封层形成用树脂，以往一般大多使用环氧树脂，为了满足近年来的对于发光装置的长寿命化的要求，正在采用难以发生变色(黄变)的有机硅树脂材料。对于作为对于高输出的LED元件的要求的耐热性，也使用能够减少有机成分的改性聚二甲基硅氧烷(PDMS)化合物这样的有机硅树脂材料。

作为树脂层形成用树脂材料的主成分、即、密封层形成用的基体，能够使用各种基体，例如能够例示低分子有机基体、有机树脂基体、低分子无机基体、无机树脂基体(例如聚硅氧烷、氟化氧化硅、磷腈(ホスファゼン)等)或者由这些的复合物构成的基体(例如由有机硅、三氟甲基硅烷、三甲氧基苯基硅烷、三乙氧基甲基硅烷等构成的有机二氧化硅膜、在有机基体中填充了无机化合物的产物、有机无机混合膜)等。

作为构成上述低分子有机基体的材料，只要是将结晶性低分子化合物混合而玻璃状态化的物质、能够以低分子形成基体的物质，则均可，例如，作为电子材料，已知酞菁、苯并环丁烯等。另外，能够例示在日本特开平8-321217号公报、日本特开平11-116663号公报等中见到的物质。

〈有机硅树脂〉

作为有机硅树脂，可列举出作为结构单元包含具有烷基、芳族基团等有机基团的硅氧烷键的树脂。作为所述烷基，并无特别限制，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基等。另外，作为所述芳族基团，并无特别限制，可列举出苯基、甲苯基等。这些中，优选具有甲基或苯基，更优选二甲基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、二苯基聚硅氧烷、以及它们的改性体。另外，有机硅树脂也能够作为市售品获得，作为反应性改性有机硅树脂，为在聚硅氧烷的侧链、单末端或两末端用氨基、环氧、羧基、羟基、甲基丙烯酰基、巯基、苯酚等取代而成的反应性型的改性有机硅树脂。作为氨基改性有机硅树脂，具体地，可列举出KF-860、KF-861、X-22-161A、X-22-161B(以上为信越化学工业株式会社制造)、FM-3311、FM-3325(以上为チッソ株式会社制造)，作为环氧改性有机硅树脂，可列举出KF-105、X-22-163A、X-22-163B、KF-101、KF-1001(以上为信越化学工业株式会社制造)，作为聚醚改性有机硅树脂，可列举出X-22-4272、X-22-4952(以上为信越化学工业株式会社制造)，作为羧基改性有机硅树脂，可列举出X-22-3701E、X-22-3710(以上为信越化学工业株式会社制造)，作为甲醇改性有机硅树脂，可列举出KF-6001、KF-6003(以上为信越化学工业株式会社制造)，作为甲基丙烯酰基改性有机硅树脂，可列举出X-22-164C(以上为信越化学工业株式会社制造)，作为巯基改性有机硅树脂，可列举出KF-2001(信越化学工业株式会社制造)，作为苯酚改性有机硅树脂，可列举出X-22-1821(信越化学工业株式会社制造)等。作为羟基改性有机硅树脂，可列举出FM-4411、FM-4421、FM-DA21，FM-DA26(以上为チッソ株式会社制造)等。此外，能够列举出单末端反应性有机硅树脂的X-22-170DX、X-22-2426、X-22-176F(信越化学工业株式会社制造)等。

〈其他树脂材料〉

作为构成上述有机树脂基体的材料，能够列举出在该领域中使用的各种的有机树脂。作为代表性的树脂，能够列举出环氧树脂，能够列举出双酚A型环氧树脂、耐候性高、即使长时间使用黄变也少的脂环式环氧树脂。

作为构成上述无机树脂基体的材料，能够例示氢化硅倍半氧烷、甲基硅倍半氧烷、氢化甲基硅倍半氧烷等硅氧烷系材料等。

可使用多种构成上述各种基体的材料，可使用使用了它们的复合物的基体。

本发明中，优选使用与低分子基体相比从抑制气体透过的观点出发优异的有机树脂基体和无机树脂基体，更优选使用从耐热性的观点出发优异的无机树脂基体。

在形成无机树脂基体的物质中，特别优选使用引入了由于在成膜时抑制有机成分的残存的单元的改性聚二甲基硅氧烷化合物(改性PDMS)。

作为其他基体所使用的优选的有机树脂，能够使用各种有机树脂，例如能够使用(i)热塑性树脂、(ii)热固性树脂、(iii)放射线固化性树脂、以及(iv)由热塑性树脂、热固性树脂、放射线固化性树脂中的2种以上组成的复合树脂、或者(v)上述(i)～(iv)的2种以上的混合物。这些基体的例子详见「次世代ULSI多層配線の新材料、ピロセス技術」(《下一代ULSI多层配线的新材料、工艺技术》)(2000年技术信息协会)、「変貌する実装材料·積層技術―高周波、高密度、低温焼結、環境への対応―」(《改变面貌的安装材料·层叠技术-对高频、高密度、低温烧结、环境的应对-》)(2003年TIC)。其中，能够优选使用选自热塑性树脂、热固性树脂、以及热塑性树脂和热固性树脂的复合树脂中的至少一种树脂。

作为上述热塑性树脂，能够例示聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚1-丁烯树脂、聚4-甲基-1-戊烯树脂等聚烯烃树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂；尼龙6、尼龙66等聚酰胺树脂；聚四氟乙烯树脂、聚三氟乙烯树脂等氟树脂；以及聚苯乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚(甲基)丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚苯醚树脂、聚酰胺酰亚胺树脂等。

〈放射线固化性树脂〉

在本发明中，作为放射线固化性树脂，能够广泛地使用在电子部件等的领域中使用的放射线固化性树脂，基本上可使用具有2个以上双键的化合物，进而，为了形成更精细的图案，能够使用在侧链赋予了双键和用于可进行水性显影的羧基的化合物。多作为紫外线固化型使用。作为这些放射线固化性树脂，例如能够使用日本特开昭61-243869号公报、日本特开2002-294131号公报、日本特开2005-154780号公报等中记载的放射线固化性树脂。

典型地，作为放射线固化性树脂，可列举出使“包含2个以上环氧基的化合物”与“具有羧基的烯属不饱和单体”反应的产物。

其中，作为“包含2个以上环氧基的化合物”，有苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚A-酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂(例如ダイセル化学工业株式会社制“EHPE-3150”)、以及作为三(羟基苯基)甲烷的衍生物的多官能环氧树脂(例如日本化药(株)制EPPN-502H、以及ダウケミカル公司制タクテックス-742和XD-9053等)等环氧树脂。

另外，作为“包含2个以上环氧基的化合物”，也能够使用以下所示的环氧化合物与烯属不饱和单体的共聚物。即，作为环氧化合物，可列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-甲基缩水甘油酯等(甲基)丙烯酸缩水甘油类，以及(甲基)丙烯酸(3，4-环氧环己基)甲酯等(甲基)丙烯酸的环氧环己酯衍生物类等。另外，作为上述的烯属不饱和单体，可列举出脂肪族或脂环族的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等芳族系(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯等乙二醇酯系(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇酯系(甲基)丙烯酸酯和丙二醇系(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酰胺系化合物；N-取代马来酰亚胺系化合物；乙烯基吡咯烷酮；(甲基)丙烯腈；醋酸乙烯酯；苯乙烯；α-甲基苯乙烯；和乙烯基醚等。

作为上述热固性树脂，能够例示聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、交联性聚苯醚、固化性聚苯醚、酚醛树脂、蜜胺树脂、脲醛树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、二甲苯树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A、由间苯二酚等合成的各种酚醛清漆型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、线状脂肪族环氧树脂、脂环式环氧树脂、杂环式环氧树脂、卤化环氧树脂、螺环式环氧树脂等。

作为上述热塑性树脂与热固性树脂的复合树脂，能够例示聚苯醚-环氧树脂、聚酰胺酰亚胺-环氧树脂、聚酰胺-环氧树脂、聚酰胺酰亚胺-聚酰亚胺树脂等。

具体地，可列举出环氧树脂、聚酯树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、稠合多环多核芳族(COPNA)树脂、聚苯并咪唑、氟树脂、氟化聚合物、非晶性聚烯烃树脂、间规聚苯乙烯、聚萘、聚茚满、聚苯醚、液晶聚合物、聚喹啉、聚苯基喹喔啉、氰酸酯树脂、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、聚醚醚腈、芳族聚醚等树脂。

(树脂层的其他添加剂)

在本发明涉及的树脂层中，除了上述说明的有机金属氧化物和树脂层形成用树脂以外，在不损害本发明的目标效果的范围内，能够使用各种添加剂。

〈固化促进剂〉

作为可应用于本发明涉及的树脂层的固化促进剂，只要是具有促进环氧基与酚性羟基的醚化反应的催化功能的化合物，则均可，例如能够例示碱金属化合物、碱土金属化合物、咪唑化合物、有机磷化合物、仲胺、叔胺、季铵盐等。其中，将亚氨基用丙烯腈、异氰酸酯、蜜胺丙烯酸酯等掩蔽化的咪唑能够获得优异的稳定性，在这方面优选。

〈阻燃剂〉

阻燃剂只要是一般称作阻燃剂的物质，则并无特别限制，例如有双酚A、双酚F、双酚S、聚乙烯基苯酚、苯酚、甲酚、烷基酚、儿茶酚等酚醛清漆树脂等的卤化物、缩水甘油醚等，并无特别限制，另外，可将三氧化锑、四苯基膦等并用。其中，作为该阻燃剂，能够列举出四溴双酚A或四溴双酚A的缩水甘油醚等。

〈无机树脂基体〉

作为密封层形成用的树脂材料，也优选使用无机树脂基体。作为用作基体的优选的无机树脂，能够使用各种的无机树脂，例如能够使用聚硅氧烷、氟化氧化硅、磷腈等。特别优选使用将聚硅氧烷的末端用硅酸酯化合物取代的改性聚硅氧烷。

〈抗氧化剂〉

在树脂层形成用材料为热固性树脂的情况下，可在树脂材料中添加抗氧化剂。通过添加抗氧化剂，从而能够制成防止加热时的氧化劣化、着色少的固化物。抗氧化剂的例子为酚系、硫系、和磷系的抗氧化剂。使用抗氧化剂时的优选的配合比例用以热固性树脂为基准的质量比表示，为0.0001～0.1的范围内。

〈紫外线吸收剂〉

另外，为了提高耐光性，根据需要可在树脂层中配合紫外线吸收剂。作为紫外线吸收剂，能够使用一般的塑料用紫外线吸收剂，就其优选的配合比例而言，用以成为基体的树脂材料为基准的质量比表示，为0.0001～0.1的范围内。

除了上述说明的以外，作为本发明涉及的添加剂，例如能够列举出日本特开2012-15485号公报、日本特开2013-84796号公报、日本特开2013-166886号公报、日本特开2014-135400号公报、国际公开第2013/099193号、国际公开第2014/027460号、国际公开第2014/091762号、国际公开第2014/103330号中各自记载的化合物。

[荧光体含有层]

本发明的一个特征在于，本发明涉及的树脂层中含有具有由通式(1)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子、或具有由通式(2)表示的结构的有机金属氧化物含有粒子，进而，如用图2所说明的那样，含有荧光体粒子、树脂层形成用树脂等而构成。另外，在用图11等说明的构成的LED发光装置中，荧光体粒子存在于荧光体含有层。

(荧光体粒子)

本发明涉及的树脂层或荧光体含有层中含有的荧光体粒子具有如下特征：被来自LED元件的具有特定波长(激发波长)的出射光激发，发出与激发波长不同的波长的荧光。LED元件射出蓝色光的情况下，通过荧光体粒子发出黄色的荧光，从而能够得到发白色光的LED元件。

作为发出黄色的荧光的荧光体的例子，可列举出YAG(钇铝石榴石)荧光体。YAG荧光体接受从蓝色LED元件射出的由蓝色光(波长420～485nm)构成的激发光，能够发出黄色光(波长550～650nm)的荧光。

作为具体的荧光体，作为蓝色荧光体，可列举出Sr₁₀(PO₄)₆Cl₂：Eu²⁺、CaS：Bi、CaSrS：Bi、Ba_1-aEu_aMgAl₁₀O₁₇；作为绿色荧光体，可列举出ZnS：Cu，Al、Ba₂SiO₄：Eu、ZnGe₂O₄：Eu；作为红色荧光体，可列举出Y₂O₂S：Eu³⁺、CaS：Eu、3.5MgO·0.5MgF₂·GeO₂：Mn、K₅Eu_2.5(WO₄)等。

荧光体例如能够通过1)在具有规定的组成的混合原料中适量混合作为助熔剂的氟化铵等氟化物并加压，得到成形体，2)将得到的成形体装在坩埚中，在空气中1350～1450℃的温度范围内烧结2～5小时而得到烧结体。

具有规定的组成的混合原料能够通过将Y、Gd、Ce、Sm、Al、La、Ga的氧化物、或者在高温下容易成为氧化物的化合物以化学计量比充分地混合而得到。或者，具有规定的组成的混合原料能够通过将Y、Gd、Ce、Sm的稀土元素以化学计量比溶解于酸中而成的溶液用草酸共沉淀的产物烧成，将得到的共沉淀氧化物与氧化铝、氧化镓混合而得到。

荧光体的种类并不限定于YAG荧光体，例如也能够使用不含Ce的非石榴石系荧光体等其他荧光体。

荧光体粒子的平均粒径优选为1～50μm的范围内，更优选为1～10μm的范围内。

(荧光体含有层形成用树脂)

作为形成图11中所示的本发明涉及的荧光体含有层115的荧光树脂116，并无特别限制，优选为对于可见光透明的热固性树脂。作为荧光层形成用树脂的例子，例如包含环氧改性有机硅树脂、醇酸改性有机硅树脂、丙烯酸系改性有机硅树脂、聚酯改性有机硅树脂、苯基有机硅树脂等有机硅树脂；环氧树脂；丙烯酸系树脂；甲基丙烯酸系树脂；聚氨酯树脂等透明树脂等。特别优选为苯基有机硅树脂。

此外，也能够列举出与在上述树脂层的形成中使用的密封用树脂同样的树脂材料。

(其他添加剂)

在本发明涉及的荧光体含有层中，除了上述说明的有机金属氧化物、荧光体粒子和荧光体层形成用的荧光树脂以外，在不损害本发明的目标效果的范围内，能够使用可在上述的树脂层中应用的各种添加剂。

[TFT]

在本发明的LED发光装置中，作为在TFT基板2所形成的TFT，可以是以往公知的顶栅型TFT，也可以是底栅型TFT。

作为在TFT基板上形成的TFT，例如可列举出在塑料膜上形成的无定形硅系半导体的TFT。此外，可列举出应用了美国Alien Technology公司开发的FSA(Fluidic SelfAssembly)技术而得到的TFT、即、通过在压花加工的塑料膜上将采用单晶硅形成的微小CMOS(Nanoblocks)排列而得到的、在柔性的塑料膜上形成的TFT等。进而，可以是使用Science，283,822(1999)、Appl.Phys.Lett，771488(1998)、Nature，403,521(2000)等文献中记载的有机半导体的TFT。

作为可应用于TFT的基板材料，只要具有绝缘性，则并无特别限定，能够从各种材料中选择。例如，作为树脂基板材料，能够使用环氧树脂、聚酰胺树脂、液晶聚合物树脂、有机硅树脂等。作为聚酰胺树脂，能够使用聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、PA6T(以壬二胺为原料聚合物的耐热聚酰胺树脂)。

作为复合基板材料，能够使用称为FR-4、CEM-3等的玻璃环氧复合基板。

作为陶瓷基板材料，能够使用烧结氧化铝或烧结的氮化铝，也能够使用LTCC(低温烧结陶瓷基板)。

另外，也能够使用在金属基板表面设置了绝缘层的基板。作为这样的设置了绝缘层的金属基板的具体例，也能够使用在铝或铜这样的导热性高的金属基板的表面作为绝缘层设置上述的树脂基板材料(例如环氧树脂)的层的产物。

进而，也能够使用在金属基板上作为绝缘层不是设置有机层(树脂层)而是设置无机层的产物。作为无机层，可列举出在金属基板表面形成的氧化物层，例如可列举出在铝基板表面形成阳极氧化被膜的产物。

另外，可列举出在金属基板表面形成了玻璃层的产物。这种情况下，玻璃层能够采用珐琅、溶胶凝胶法这样的各种技术形成。

TFT基板为用于保持LED元件的构件，与由金属构成的连接用端子连接。端子电极为从配置在TFT基板的外部的电源(未图示)向LED元件供给电的构件。端子电极可兼作用于将来自LED元件的光，例如来自荧光体含有层的光向光提取面侧反射的反射层。

另外，TFT基板可如图9～图12中所示那样具有腔体(凹部)，也可以是平板状。对TFT基板具有的腔体的形状并无特别限制。例如可为圆锥台状，也可为棱锥台状、圆柱状、棱柱状等。

[封装、围堰]

在本发明的LED发光装置中，在TFT基材上例如设置了圆锥状的封装4(也称为围堰)。

封装主要以图像的对比度的改善为目的而形成。因此，就封装而言，作为基本的特性，要求透光率低。因此，将光吸收大的材料用作形成遮光层的材料。

作为封装或围堰的形成材料，近年来从环境问题、低反射化、低成本化的观点出发，着眼于在树脂中使遮光性的色素分散的树脂制黑色基体。例如，可在树脂粘结剂中含有碳微粒、金属氧化物、无机颜料、有机颜料等遮光性粒子，作为使用的树脂粘结剂，能够使用将聚酰亚胺树脂、丙烯酸系树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、明胶、酪蛋白、纤维素等树脂中的1种或2种以上混合而成的产物，感光性树脂，进而O/W乳液型的树脂组合物(例如将反应性有机硅进行乳液化的产物)等。这样的树脂性黑色基体的图案化的方法能够使用光刻法、印刷法等一般使用的方法。

[反射层]

在本发明的LED发光装置中，在上述封装4的表面部设置有反射层5。

作为反射层，能够适当地参照并应用以往公知的反射层，例如能够通过将银、铝等的金属薄膜以点状或条状、或者在黑色基体的整个面蒸镀而形成。

[压敏粘接层(PSA)]

在本发明的图8～图12中所示的LED发光装置中，在上述说明的树脂层上，形成用于粘接滤色器的压敏粘接层103。

本发明中所说的压敏粘接层并不是通过热固化、紫外线照射而固化从而获得粘接力的固化型的粘接层，而是指使用通过加压而粘接、粘接时不伴有粘接部的固化的压敏粘接剂的层。

对构成本发明涉及的压敏粘接层的压敏粘接剂的种类并无特别限定，例如可列举出聚氨酯系、环氧系、水性高分子-异氰酸酯系、丙烯酸系等的粘接剂，聚醚甲基丙烯酸酯型、酯系甲基丙烯酸酯型、氧化型聚醚甲基丙烯酸酯型、橡胶系、乙烯基醚系、有机硅系等的粘接剂等。作为形态，有溶剂型、乳液型、热熔型等。

优选用光透过性高的压敏粘接剂进行粘接，优选透明性高、粘接力强的丙烯酸系的压敏粘接剂。另外，可使用公知的方法使压敏粘接剂中混合抗静电剂、各种的填料。

在本发明中，作为压敏粘接层的形成方法，并无特别限定，可列举出一般的湿式涂布法，例如使用了凹版涂布机、微凹版涂布机、缺角轮涂布机、反转辊涂布机、刮刀涂布机、棒涂机、狭缝模涂布机、气刀涂布机、反转凹版涂布机、Vario凹版涂布机等的方法，或者喷涂法、喷墨法等方法。

压敏粘接层的层厚优选为1～50μm的范围内，更优选为10～40μm的范围内，最优选为20～30μm的范围内。

[滤色器]

图8～图12中所示的滤色器由第二基材和滤色器层构成，这是优选的形态。

(第二基材)

作为可应用于本发明涉及的滤色器的第二基材，优选具有充分的强度、平坦性、耐热性、光透过性等的基材，例如可列举出作为通常的滤色器的基材使用的透明的树脂膜、无碱玻璃、钠玻璃等薄膜玻璃基板。

作为透明的树脂膜基材，例如能够列举出由聚对苯二甲酸乙二醇酯(简称：PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(简称：PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(简称：PMMA)、聚碳酸酯(简称：PC)、聚砜、聚醚砜(简称：PES)、聚环烯烃(简称：COP)、丙烯酸系交联性树脂、环氧系交联性树脂交联性树脂、不饱和聚酯系交联性树脂、具有耐高温性的清漆、酰亚胺化的聚酰亚胺等构成的膜基材。

(滤色器层)

本发明涉及的滤色器层除了多个滤色器例如红·绿·蓝(RGB)、黄·品红·青(YMC)的组合、其混合系以外，能够应用用于亮度(辉度)调整的透明像素。在多个滤色器上，为了平坦化等，形成了平坦化层。

以下列举出在滤色器的形成中可应用的代表性的着色剂。

对于用于形成红色滤色器(CFR1)的红色着色剂，例如能够使用C.I.颜料红7、9、14、41、48：1、48：2、48：3、48：4、81：1、81：2、81：3、97、122、123、146、149、168、177、178、179、180、184、185、187、192、200、202、208、210、215、216、217、220、223、224、226、227、228、240、242、246、254、255、264、269、272、279等红色颜料。在红色着色剂中，能够将黄色颜料、橙色颜料并用。

作为黄色颜料，可列举出C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、10、12、13、14、15、16、17、18、20、24、31、32、34、35、35：1、36、36：1、37、37：1、40、42、43、53、55、60、61、62、63、65、73、74、77、81、83、86、93、94、95、97、98、100、101、104、106、108、109、110、113、114、115、116、117、118、119、120、123、125、126、127、128、129、137、138、139、144、146、147、148、150、151、152、153、154、155、156、161、162、164、166、167、168、169、170、171、172、173、174、175、176、177、179、180、181、182、185、187、188、193、194、199、213、214等。

作为橙色颜料，可列举出C.I.颜料橙36、43、51、55、59、61、71、73等。

对于用于形成绿色滤色器(CFG1)的绿色着色剂，能够使用C.I.颜料绿7、36、58等绿色颜料。在绿色着色组合物中能够并用与红色着色组合物同样的黄色颜料。

对于用于形成蓝色滤色器(CFB1)的蓝色着色剂，除了C.I.颜料蓝15：3、15：4的蓝色颜料、C.I.颜料紫23的紫色颜料以外，也能够适当地将其他的颜料组合使用。

另外，为了获得彩度与明度的平衡，同时确保良好的涂布性、感度、显影性等，根据需要也可将无机颜料与上述有机颜料组合使用。作为无机颜料，可列举出黄色铅、锌黄、氧化铁红(红色氧化铁(III))、镉红、群蓝、绀蓝、氧化铬绿、钴绿等金属氧化物粉、金属硫化物粉、金属粉等。进而，为了调色，能够在不使耐液晶性、耐热性降低的范围内含有染料。

(滤色器层形成用粘结剂)

作为为了保持上述各着色剂、形成滤色器可应用的粘结剂，滤色器层能够在不损害本发明的目标效果的范围内应用以下的各种树脂材料。

作为热塑性树脂，例如可列举出缩丁醛树脂、苯乙烯-马来酸共聚物、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚醋酸乙烯酯、聚氨酯系树脂、聚酯树脂、丙烯酸系树脂、醇酸树脂、聚苯乙烯、聚酰胺树脂、橡胶系树脂、环化橡胶系树脂、纤维素类、聚乙烯、聚丁二烯、聚酰亚胺树脂等。

另外，作为热固性树脂，例如可列举出环氧树脂、苯并胍胺树脂、松香改性马来酸树脂、松香改性富马酸树脂、蜜胺树脂、脲醛树脂、酚醛树脂等。

作为感光性树脂，可使用使具有异氰酸酯基、醛基、环氧基等反应性取代基的(甲基)丙烯酸系化合物、肉桂酸与具有羟基、羧基、氨基等反应性的取代基的线状高分子反应，将(甲基)丙烯酰基、苯乙烯基等光交联性基团引入该线状高分子的树脂。另外，也可使用将苯乙烯-马来酸酐共聚物、α-烯烃-马来酸酐共聚物等包含酸酐的线状高分子采用(甲基)丙烯酸羟基烷基酯等具有羟基的(甲基)丙烯酸系化合物进行半酯化的产物。

在本发明涉及的包含着色剂的滤色器的形成中，能够使用溶剂。作为溶剂，例如可列举出环己酮、乙基溶纤剂乙酸酯、丁基溶纤剂乙酸酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、二甘醇二甲醚、乙基苯、乙二醇二乙醚、二甲苯、乙基溶纤剂、甲基正戊基酮、丙二醇单甲醚、甲苯、甲乙酮、醋酸乙酯、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、异丁酮、石油系溶剂等，能够将这些单独地或混合使用。

[保护构件]

在本发明的LED发光装置中，在最外表层设置有保护构件。

作为保护构件，例如，优选为具有光透过性和耐擦过性的构件，更优选为玻璃基材或具有柔性的树脂构件。

作为具体的构成保护构件的玻璃基材，例如可列举出钠钙玻璃、硅酸盐玻璃等，优选为硅酸盐玻璃，具体地，更优选为二氧化硅玻璃或硼硅酸玻璃。在图8～图12中，示出了应用玻璃板106作为保护构件的例子。

另外，作为具有柔性的树脂构件，例如能够使用聚乙烯、聚丙烯、环状烯烃共聚物(COP)等聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯、赛璐玢、二乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、乙酸丙酸纤维素(CAP)、三乙酰纤维素(TAC)、硝酸纤维素等纤维素酯类、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯乙烯醇共聚物(EVOH)、间规聚苯乙烯、聚碳酸酯、降冰片烯树脂、聚甲基戊烯、聚醚酮、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚苯硫醚、聚砜类、聚醚酰亚胺、聚醚酮酰亚胺、氟树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系树脂、聚芳酯类等材料以及它们的衍生物。进而，例如也能够使用称为アートン(注册商标：JSR会社制造)、或アペル(注册商标：三井化学株式会社制造)的环烯烃系树脂。

[LED发光装置的制造方法]

以下示出本发明的LED发光装置的制造方法的一例。

[制造工序流程]

(图2中所示的SMT型的LED发光装置的制造)

将切断成芯片尺寸的LED元件7安装于封装基板P，将一个电极用Ag糊等固定，进行芯片贴装。其次，用接合线9将LED元件7与另一电极熔接连接。其次，采用分配器涂布由分散有荧光体粒子11和本发明涉及的有机金属氧化物含有粒子12的有机硅、环氧等构成的树脂层10，形成LED发光装置100。

(图7A中所示的构成的CSP型LED发光装置)

就图7A中所示的CSP型的LED发光装置而言，首先，在LED元件7的一方向上形成阳极电极和阴极电极，采用干蚀刻使一个基板露出，在阳极和阴极分别形成反射电极，采用焊料凸点与图2同样地与封装基板连接。其次，与图2同样地以覆盖LED元件7和封装基板P的方式形成树脂层，从而形成CSP型的LED发光装置100。

(图8中所示的TFT型的LED发光装置的制造)

工序1)TFT基材的准备

使TFT基板102与TFT111连接，进而在与LED元件7的连接位置形成端子电极114。

其次，在TFT基板102上，如图8中所示那样，将封装4和反射层5形成为圆锥状，在LED设置位置形成凹状的腔体。

工序2)LED的赋予

其次，在形成于TFT基材102上的端子电极114上，经由连接用端子112，设置LED元件7。

工序3)树脂层的形成

其次，形成含有本发明涉及的有机金属氧化物、密封用光学树脂、荧光体粒子11的密封用的树脂层10以将LED元件7和反射层5密封。

工序4)压敏粘接层的形成

其次，在形成至树脂层10的TFT基板102的整个面，采用湿式涂布法形成压敏粘接层103。

工序5)滤色器的赋予

其次，在形成至压敏粘接层103的TFT基材102的整个面，设置由以往公知的构成组成的滤色器104。

工序6)保护构件的赋予

最后，对整个面赋予保护构件，制作实施方式1(图1)的LED发光装置。

(图11中所示的构成的LED发光装置的制造)

图11中所示的LED发光装置是在图8等中所示的LED发光装置的制造方法中在工序2与工序3之间具有在LED元件上进行包含本发明涉及的有机金属氧化物含有粒子的荧光体含有层的形成的工序(工序A)的方法，其以外的工序与上述图8中所示的方法相同。

工序A)荧光体含有层的形成

其次，使用将在TFT基材102上形成的LED元件7的形成区域以外被覆的掩模构件，将至少包含本发明涉及的有机金属氧化物、荧光体粒子和荧光体层形成用树脂的荧光体层形成用组合物例如采用喷墨印刷法在规定的LED元件上赋予，形成荧光体含有层115。

[湿式涂布法]

在本发明中，树脂层、荧光体含有层优选采用湿式涂布法形成，更优选地，作为湿式涂布法，为应用喷墨印刷法的形成方法。

作为可应用于本发明的湿式涂布法，例如可列举出旋涂法、流延法、丝网印刷法、模压涂布法、刮刀涂布法、辊涂法、喷涂法、帘式涂布法、LB法(Langmuir-Blodgett法)、喷墨印刷法等，从容易得到均质的薄膜并且高生产率的方面出发优选。

(喷墨印刷法)

在本发明中，在能够对于局部的区域高精度地形成均质的层厚的方面，优选喷墨印刷法。

〈喷墨头〉

作为在喷墨印刷法中使用的喷墨头，可以是按需方式(オンデマンド方式)，也可以是连续方式(コンティニュアス方式)。另外，作为排出方式，作为具体的例子，能够列举出电-机械转换方式(例如单腔体型、双腔体型、弯管型、活塞型、共模型、共壁型等)、电-热转换方式(例如热喷墨型、Bubble Jet(注册商标)型等)、静电吸引方式(例如电场控制型、狭缝喷射型等)、放电方式(例如火花喷射型等)等，可使用任意的排出方式。另外，作为打印方式，能够没有限制地使用串行式头方式、线头方式等。

实施例

以下列举实施例，对本发明具体地说明，但本发明并不限定于这些。应予说明，实施例中，使用“份”或“％”的表示，只要无特别说明，则表示“质量份”或“质量％”。

《LED发光装置的制作》

[LED1的制作：比较例(SMP型)]

按照下述的方法，制作了作为LED发光元件的LED1。

以下示出LED1的制作中使用的各构成材料。

·封装基板：开口直径3mm、底面直径2mm、壁面角度60°市售品

荧光体1：根本特殊化学株式会社制YAG(钇铝石榴石)405C205；粒度分布D50：20.5μm

树脂层形成用树脂1(有机硅树脂)：東レ·ダウコーニング会社制OE6630

引线框：株式会社アルファクト制5050型

接合线：田中贵金属制Y型

LED元件：对于光源，使用发出发光波长约为460nm的蓝色光的InGaN系的LED元件，对于荧光体，使用YAG荧光体，从而通过蓝色光与黄色光的混色得到白色光。

〈LED元件的安装〉

就LED元件而言，在形成了接触孔后，准备切粒机纵200um×横200um×高200um的长方体状的LED元件。

封装基板使用开口直径的可搭载多个一般的LED芯片的封装基板，使用对于合金194-H的引线框实施了镀Cu的引线框，使用Au制引线框进行了安装。

引线框使用了对于合金制引线框镀Cu的产物。

对于封装基板采用等离子体清洗法进行清洁，将有机污染物除去后，在封装基板上安装LED元件，将引线框与LED端子采用接合线连接安装。

〈树脂层的形成〉

树脂层使用了以下的构成的树脂层形成用组合物。

树脂层形成用树脂1(有机硅树脂：東レ·ダウコーニング会社制OE6630) 80质量份

荧光体1(根本特殊化学株式会社制YAG 405C205；粒度分布D50：20) 20质量份

对于树脂层形成用树脂1和荧光体1，使用クラボウ株式会社制行星式搅拌脱泡装置“マゼルスターKK-400”，以1500rpm搅拌15分钟，从而制备树脂层形成用组合物，使用分配器(武藏野エンジニアリング会社制MPP-1)，使其流入到连接有LED元件的上述封装基板，在150℃下干燥15分钟，从而制作了作为比较例的LED1。

[LED2的制作：本发明(SMP型、实施方式1)]

在上述LED1的制作中，除了采用下述的方法形成了树脂层以外，同样地制作由图2中所示的构成组成的LED2。

(树脂层的形成)

树脂层形成用树脂1(前面出现) 75质量份

荧光体1(前面出现) 20质量份

有机金属氧化物：Ti有机金属氧化物例示化合物1 5质量份

将上述各构成材料在氮环境下采用与上述同样的方法搅拌，制备树脂层形成用组合物，与LED1的制作同样地用分配器使其流入安装有LED元件的封装基板。

其次，为了开始溶胶凝胶反应，在110℃下进行30分钟的加热处理，然后，为了将树脂干燥，在150℃下进行15分钟的热处理，制作了LED2。

[LED3的制作：本发明(SMP型、实施方式2)]

在上述LED1的制作中，除了采用下述的方法形成了树脂层以外，同样地制作了由图3中所示的构成组成的LED3。

(树脂层的形成)

将上述各构成材料在氮环境下采用与上述同样的方法搅拌，制备树脂层形成用组合物，与LED1的制作同样地，用分配器使其流入安装有LED元件的封装基板。

其次，为了开始溶胶凝胶反应，在110℃下进行30分钟的加热处理，然后，为了将树脂干燥，在150℃下进行15分钟的热处理，制作了LED3。

[LED4的制作：本发明(SMP型、实施方式3)]

在上述LED2的制作中，除了采用下述的方法进一步在安装有LED元件的封装基板上形成保护被膜以外，同样地制作了由图4中所示的构成组成的LED4。

在LED4的制作中，制备Ti有机金属氧化物和Cu有机金属氧化物，就Cu有机金属氧化物而言，向安装有LED元件的封装基板进行涂布，然后，使含有与LED2的制作中使用的同样的Ti有机金属氧化物的树脂层形成用组合物流入封装基板，从而制作了LED4。

具体地，采用与LED2的制作同样的方法，将LED元件安装于封装基板。

然后，使用分配器将Cu有机金属氧化物(例示化合物86)在封装基板上涂布以致湿膜厚成为2μm，在110℃下加热30分钟，形成了保护被膜。该保护被膜的干膜厚为200nm，透射率为88％。

其次，将与LED2的制作中使用的同样的树脂层形成用组合物同样采用分配器涂布于封装基板，同样地进行了110℃下30分钟的加热处理后，在150℃下进行15分钟的热处理，制作了由图4中记载的构成组成的LED4。

[LED5的制作：本发明(SMP型、实施方式4)]

在上述LED1的制作中，除了采用下述的方法在安装有LED元件的封装基板上形成保护被膜以外，同样地制作了由图5中所示的构成组成的LED5。

〈树脂层的形成〉

树脂层使用了以下构成的树脂层形成用组合物。

树脂层形成用树脂1(前面出现) 78质量份

荧光体1(前面出现) 20质量份

硅烷偶联剂(信越化学工业株式会社制：KBM-403) 2质量份

将上述各构成材料在氮环境下采用与上述同样的方法搅拌，制备树脂层形成用组合物，与LED1的制作同样地，用分配器使其流入安装有LED元件的封装基板。

〈保护被膜的形成〉

使用分配器将Ti有机金属氧化物(例示化合物1)向安装有LED元件的封装基板上涂布以致湿膜厚成为2μm，在110℃下加热30分钟，形成了保护被膜。该保护被膜的干膜厚为200nm，透射率为88％。

[LED6的制作：本发明(SMP型、实施方式5)]

在上述LED5的制作中，除了采用下述的方法在安装有LED元件的封装基板上形成由Ti有机金属氧化物(例示化合物1)构成的第一保护被膜和其上的由Cu有机金属氧化物(例示化合物86)构成的第二保护被膜以外，同样地制作了由图6中所示的构成组成的LED6。

使用分配器将Ti有机金属氧化物(例示化合物1)向安装有LED元件的封装基板上涂布，以使湿膜厚成为2μm，其次，采用同样的方法层叠Cu有机金属氧化物(例示化合物86)，在110℃下加热30分钟，形成了第一保护被膜和第二保护被膜。各个保护被膜的干膜厚为200nm，透射率为88％。

[LED7的制作：本发明(CSP型、实施方式6)]

LED7为设想芯片规模封装(CSP)的倒装芯片型的封装。CSP型由于不需要引线框，另外使用芯片接合膜等，因此连接方式不同。

除了封装基板、保护被膜形成材料以外，使用了与LED4同样的材料。

就封装基板而言，准备了可在5cm×2cm的PCB基板上安装5个LED芯片的基板。

就LED芯片而言，准备在460nm左右具有峰的InGaN系的LED元件，分别切割为200μm。

〈保护被膜的形成〉

在封装基板上采用回流焊将5个LED元件连接，在该基板使用分配器涂布Mn有机金属氧化物(例示化合物96)以使湿膜厚成为2μm，在110℃下加热30分钟，从而促进溶胶凝胶反应，形成了干膜厚为200nm的保护被膜。

〈树脂层的形成〉

制备由下述的构成组成的树脂层形成用组合物。

将上述各构成材料在氮环境下采用与上述同样的方法搅拌，制备树脂层形成用组合物，与LED1的制作同样地，用分配器使其流入安装有LED元件的封装基板，形成树脂层，制作了由图7A中记载的构成组成的CSP型的LED7。

[LED8的制作：本发明(TFT型、实施方式7)]

按照下述的方法，制作了由图8中记载的构成组成的TFT型的LED8。

作为TFT，使用无定形Si型。作为柔性基板，使用聚酰亚胺膜。在柔性基材上，采用公知的方法形成气体阻隔层，在其上形成TFT。这些在柔性基板上形成TFT的方法按照日本特开2016-162535号公报中记载的方法进行。

如图8中所示那样，为了将LED元件的光提取至正面方向，形成了反射层5。首先，形成了封装4(也称为围堰)。作为封装4的形成材料，使用感光性聚酰亚胺(メルク公司制造)，采用旋涂法涂布，在60℃下进行120秒的预烘焙。其次，在光工序中进行图案曝光，用氢氧化四甲铵(简称：TMAH)显影，进行纯漂洗，从而形成了封装4。

其次，采用使用了Ag的溅射法形成了反射层5。使用アルバック制的DC溅射装置，在总压0.5Pa的条件下以300nm的厚度将Ag成膜，准备了反射层5。将安装LED元件的电极部位采用光致图案化除去。

采用上述方法，形成了具有由亚像素为700μm×500μm的大小组成的像素部的TFT基板。其次，在这些TFT基板配置200μm×200μm的LED元件，采用回流焊连接。

〈树脂层的形成〉

树脂层使用与LED2的制作同样的材料制作。

树脂层形成用树脂1(前面出现) 75质量份

荧光体2(下述) 20质量份

红色荧光体：根本特殊化学株式会社制的0.5MgF₂·3.5MgO·GeO₂：Mn材料

绿色荧光体：根本特殊化学株式会社制的Zn₂SiO₄：Mn

蓝色荧光体：根本特殊化学株式会社制的Sr₅(PO₄)₃Cl：Eu

有机金属氧化物：Ti有机金属氧化物例示化合物1 5质量份

将上述各构成材料在氮环境下采用与上述同样的方法搅拌，制备树脂层形成用组合物，与LED2的制作同样地，用分配器使其流入安装有LED元件的TFT基板。

其次，为了开始溶胶凝胶反应，在110℃下进行30分钟的加热处理，然后为了树脂的干燥，在150℃下进行15分钟的热处理，制作LED单元。

其次，在树脂层上将采用公知的方法制作的压敏粘接层、滤色器、压敏粘接层、玻璃基板层叠。

作为玻璃基板，将0.5mm的玻璃基板(コーニング会社制EagleXG)采用以下方法清洗。将碱洗剂稀释为5质量％，将稀释的洗剂溶液加热到60℃，在60℃的洗剂溶液中将玻璃基板浸渍，实施擦洗清洁，将附着于玻璃基板的异物除去。接着，对于玻璃基板，依次实施了超声波清洗处理、纯水冲洗、氮气吹扫和IR(Infra Red)干燥。其次，对于玻璃基板，实施UV(Ultra Violet)照射，将附着于玻璃基板表面的有机物除去。接着，使用烘箱，使玻璃基板干燥。

其次，在上述制作的玻璃基板上贴合作为压敏粘接层的3M制的热固化型粘接剂，形成了粘接层后，形成滤色器和同样的压敏粘接层，与LED单元贴合，在100℃下实施30分钟的加热处理，从而制作了LED8。

[LED9的制作：本发明(TFT型、实施方式8)]

在上述LED8的制作中，除了将树脂层的形成变为下述的方法以外，同样地制作了具有含有2种有机金属氧化物的树脂层的图9中记载的构成的LED9。

〈树脂层的形成〉

树脂层形成用树脂1(前面出现) 70质量份

荧光体2(下述) 20质量份

红色荧光体：根本特殊化学株式会社制的0.5MgF₂·3.5MgO·GeO₂：Mn材料

绿色荧光体：根本特殊化学株式会社制的Zn₂SiO₄：Mn

蓝色荧光体：根本特殊化学株式会社制的Sr₅(PO₄)₃Cl：Eu

有机金属氧化物1:Ti有机金属氧化物例示化合物1 5质量份

有机金属氧化物2:Cu有机金属氧化物例示化合物86 5质量份

将上述各构成材料在氮环境下采用与上述同样的方法搅拌，制备树脂层形成用组合物，与LED8的制作同样地，用分配器使其流入安装有LED元件的TFT基板。

其次，为了开始溶胶凝胶反应，在110℃下进行30分钟的加热处理，然后为了干燥树脂，在150℃下进行15分钟的热处理，制作作为LED单元的LED9。

[LED10的制作：本发明(TFT型、实施方式9)]

在上述LED8的制作中，除了按照下述的方法形成了保护被膜和树脂层以外，同样地制作了由图10中记载的构成组成的LED10。

(保护被膜的形成)

使用分配器将Cu有机金属氧化物(例示化合物86)在LED单元上涂布以使湿膜厚成为2μm，在110℃下加热30分钟，形成了保护被膜。该保护被膜的干膜厚为200nm，透射率为88％。

(树脂层的形成)

树脂层形成用组合物使用与LED8的制作同样的材料制备。

树脂层形成用树脂1(前面出现) 73质量份

荧光体2(下述) 20质量份

红色荧光体：根本特殊化学株式会社制的0.5MgF₂·3.5MgO·GeO₂：Mn材料

绿色荧光体：根本特殊化学株式会社制的Zn₂SiO₄：Mn

蓝色荧光体：根本特殊化学株式会社制的Sr₅(PO₄)₃Cl：Eu

有机金属氧化物：Ti有机金属氧化物例示化合物1 5质量份

硅烷偶联剂(前面出现) 2质量份

将上述各构成材料在氮环境下采用与上述同样的方法搅拌，制备树脂层形成用组合物，与LED8的制作同样地，用分配器使其流入安装有LED元件的TFT基板。

其次，为了开始溶胶凝胶反应，在110℃下进行30分钟的加热处理，然后为了干燥树脂，在150℃下进行15分钟的热处理，制作作为LED单元的LED10。

[LED11的制作：本发明(TFT型、实施方式10)]

LED11如图11中所示那样，在LED元件上直接形成包含有机金属氧化物含有粒子的荧光体含有层，制作作为彩色显示的LED发光元件的LED11。

就LED元件而言，使用所述LED8中记载的LED，切割为200μm×200μm从而各片化。采用回流焊将LED元件与TFT基板连接，其次，以与LED10的制作中使用的树脂层同样的构成，在LED元件上形成了包含Ti有机金属氧化物含有粒子(例示化合物1)的荧光体含有层。其次，在110℃下加热30分钟，从而促进了溶胶凝胶反应。

[LED12的制作：本发明(TFT型、实施方式11)]

就LED12而言，相对于上述制作的LED11，除了进一步在LED单元上形成了由Cu有机金属氧化物构成的保护被膜以外，同样地制作了LED12。

(保护被膜的形成)

使用分配器将Cu有机金属氧化物(例示化合物86)在LED单元上涂布以使湿膜厚成为2μm，在110℃下加热30分钟，形成了保护被膜。该保护被膜的干膜厚为200nm，透射率为88％。

《LED发光装置的评价》

对于上述制作的作为LED发光装置的LED1～LED12，按照下述的方法，进行了高温高湿试验和对于硫化成分的耐腐蚀性的评价。

(高温高湿试验：耐水性的评价)

按照下述的方法，进行了荧光体在高温高湿环境下由水分引起的劣化耐性的评价。

准备30个LED1～LED7、3个LED8～12，全部放入成为85℃、85％RH的环境条件的恒温槽内，保存了1000小时。本评价为评价水分从外部环境浸透荧光体、不耐水分的荧光体失活的程度的试验。

其次，保存了1000小时后，对于各个LED发光装置，采用驱动评价确认发光特性，用积分球确认荧光体的亮度维持水平，按照下述的标准评价了耐高温高湿性。

◎：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数不到1％

○：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为1％以上且不到5％

△：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为5％以上且不到10％

×：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为10％以上。

(硫化氢气体耐性的评价)

准备30个LED1～LED7、3个LED8～12，在25℃的密封装置内，作为腐蚀成分(G)，在10L的N₂容器内导入150ppm的硫化氢，放置200小时，评价对于硫化氢的耐腐蚀性，对于各LED发光装置采用驱动评价确认发光特性，用积分球确认荧光体的亮度维持水平，按照下述的标准评价了耐硫化氢气体性。

◎：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数不到1％

○：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为1％以上且不到5％

△：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为5％以上且不到10％

×：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为10％以上。

(复合评价)

准备30个LED1～LED7、3个LED8～12，配置具有硫粉末的开放系的样品瓶，放入设为85℃、85％RH的环境条件的恒温槽内，在实际工作状态下保存了1000小时。

该评价为评价水分和S8硫成分从外部环境侵入密封层内、荧光体的失活的程度和耐腐蚀性的程度的试验。本发明人预先评价了采用硫化氢的评价与采用硫粉末的S8试验显示大致同等的倾向特性，从而在本实验中确立了能够与水分一起同时对S8引起的腐蚀进行耐性评价的方法。

本试验也同样地，在保存了1000小时后，对于各个LED装置，采用驱动评价确认发光特性，用积分球确认荧光体的亮度维持水平，按照下述的标准评价了包含水分和硫成分的复合环境中的耐性。

◎：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数不到1％

○：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为1％以上且不到5％

△：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为5％以上且不到10％

×：LED发光装置内、在工作操作中发生了异常的个体数为10％以上。

将由以上得到的结果示于表I中。

由表I的记载可知，本发明的LED发光装置即使在水分多的高温高湿下、包含硫化氢的环境、水分和硫成分存在的高温高湿环境下长期保存后，也没有发生硫成分、水分等引起的电极的腐蚀、荧光体的劣化，相对于作为比较例的LED1，能够确认本发明正常地工作，可知耐腐蚀性非常优异。另外，目视观察上述的各评价后的LED发光装置的颜色变化的状态，结果能够确认，本发明的LED发光装置相对于比较例，耐颜色变化性提高。

产业上的可利用性

本发明的LED发光装置防止水分、腐蚀性气体引起的劣化、腐蚀，防止颜色变化，并且耐久性和发光稳定性优异，能够适宜地用于显示装置的背光、各种电气设备、电子设备的显示灯、车载照明、一般照明等。

附图标记说明

2 绝缘性基板

3 引线框

4 封装(也称为围堰)

5 反射层

6 连接用端子

7 LED元件

8 焊料

9 接合线

10 树脂层

11 荧光体粒子

12 Ti有机金属氧化物含有粒子

12B Ti有机金属氧化物含有膜

13 Cu有机金属氧化物含有粒子

13B Cu有机金属氧化物含有膜

15B Mn有机金属氧化物含有膜

100 LED发光装置

102 TFT基板

103、105 压敏粘接层

104 滤色器

106 玻璃板

111 TFT

112 连接用端子

114 端子电极

115 荧光体含有层

116 荧光树脂

P 封装基板