具体实施方式

图1是根据示例实施例的发光装置基板10的透视图，并且图2是沿图1中的线II-II的截面图。

发光装置基板10可以包括用于安装发光装置芯片(图17中的50)的基板。例如，发光装置基板10可以包括印刷电路板(PCB)。然而，实施例不限于此，并且发光装置基板10可以包括载体、晶片等。

参照图1和图2，发光装置基板10可以包括绝缘层100、多个上焊盘110、第一电路图案120、第一导电穿通件(via)130、第二电路图案140、第二导电穿通件150、多个下焊盘160、第三导电穿通件170等。

发光装置基板10可以限定包括M行和N列的M*N矩阵(M和N是1或更大的整数)。例如，发光装置基板10可以包括多个区域，例如，可以被划分为M*N个区域，该M*N个区域被布置为包括M行和N列的矩阵图案。例如，如图1所示，发光装置基板10可以限定包括两行和两列的2*2矩阵，例如，可以如俯视图中观看到的被假想线(图中的虚线)划分为2*2矩阵。

另外，构成发光装置基板10的M*N矩阵的条目(entry)中的每一个可以限定像素P，例如，由M*N矩阵限定的发光装置基板10的区域中的每一个可以限定一个像素P。例如，如图1所示，构成发光装置基板10的2*2矩阵的四个条目中的每一个可以限定像素P。换句话说，图1的发光装置基板10可以限定2*2矩阵，并且可以具有布置在2*2矩阵中的四个像素P。然而，实施例不限于此，并且发光装置基板10可以包括任何合适的矩阵大小，例如，包括一个像素P的1*1矩阵、具有九个像素P的3*3矩阵等。

发光装置基板10的绝缘层100可以是形成发光装置基板10的外观的层。另外，绝缘层100可以保护第一电路图案120和第二电路图案140免受外部冲击，并且围绕第一电路图案120和第二电路图案140以防止第一电路图案120和第二电路图案140短路。例如，如图2所示，第一电路图案120和第二电路图案140可以以预定深度嵌入在绝缘层100内。

在示例实施例中，绝缘层100可以包括例如环氧树脂、聚苯并二恶唑(polybenzobisoxazole，PBO)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和聚酰亚胺衍生物中的至少一种绝缘材料。然而，实施例不限于此。

发光装置基板10的多个上焊盘110可以是设置在绝缘层100上的焊盘。另外，多个上焊盘110可以是电连接到发光装置芯片(图17中的50)的焊盘。

在示例实施例中，多个上焊盘110可以在绝缘层100上彼此间隔开。换句话说，多个上焊盘110可以不连接，而是可以在绝缘层100上彼此间隔开。

在示例实施例中，多个上焊盘110可以具有基本相同的形状、大小和厚度。换句话说，多个上焊盘110的尺寸可以彼此相同。例如，多个上焊盘110可以具有大小和厚度基本相同的长方体形状(例如，四边形俯视图)。然而，实施例不限于此，例如，多个上焊盘110可以具有大小和厚度基本相同的圆柱形形状。上述基本相同可以包括字面意义的相同或具有在大约5％的误差范围内的差异的相似。

在示例实施例中，多个上焊盘110可以以矩阵形状布置。例如，多个上焊盘110可以例如在每个像素P中以包括M行和N列的M*N矩阵(M和N是1或更大的整数)的形状布置。例如，如图1所示，多个上焊盘110可以具有基本相同的形状和大小，并且可以在一个像素P内以3*2矩阵布置。

在示例实施例中，在发光装置基板10的平面图中，可以以与在海中具有特定图案的相同形状和大小的多个岛相似的形状布置多个上焊盘110。例如，如图1所示，根据实施例，多个上焊盘110中的每一个可以是离散结构，例如，在俯视图中与多个上焊盘110中的其它上焊盘完全分离和断开，例如，以具有在绝缘层100的上表面之上暴露的上表面的减小的大小。

相反，如果多个上焊盘110中的一些在绝缘层100上(例如，在绝缘层100的上表面上方)彼此互连，则这种互连的上焊盘110的上表面的面积将是发光装置芯片(图17的50)的芯片焊盘(图18中的520)的面积的五倍或更多。因此，在这种互连的上焊盘110和芯片焊盘520之间的连接构件(例如，焊球)将具有相对大的面积和小的高度(例如，厚度)，从而例如由于连接构件的小的高度而降低了发光装置芯片50和发光装置基板10之间的接合可靠性。

详细地，发光装置基板10的多个上焊盘110中的一些可以经由稍后要描述的第一电路图案120和第二电路图案140在绝缘层100内部例如在预定深度处电互连。然而，在绝缘层100的上表面上，多个上焊盘110例如在俯视图(图1)中可以彼此间隔开而不互连。

此外，由于绝缘层100的上表面上的多个上焊盘110没有彼此连接，因此例如与如果上焊盘110在绝缘层100的顶表面上也互连则多个上焊盘110中的每一个的上表面的面积可以是发光装置芯片(图17中的50)的芯片焊盘520的面积的五倍或更大相比，多个上焊盘110中的每一个的上表面的面积可以是发光装置芯片(图17中的50)的芯片焊盘520的面积的大约1.0倍到大约4.5倍。因此，上焊盘110和芯片焊盘520之间的连接构件(图17中的90)(例如，焊球)可以具有相对小的面积和大的高度，从而例如由于连接构件90的大的高度而提高了发光装置芯片50和发光装置基板10之间的接合可靠性。下面参照图3更详细地描述多个上焊盘110的技术思想。

返回参照图2，发光装置基板10的第一电路图案120可以在绝缘层100中，并且可以包括被构造为将多个上焊盘110中的一些彼此电连接的电路图案。第一电路图案120可以被绝缘层100围绕，例如，第一电路图案120可以以预定深度嵌入在绝缘层100内部。

在示例实施例中，第一电路图案120可以包括金属，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、铟(In)、钼(Mo)、锰(Mn)、钴(Co)、锡(Sn)、镍(Ni)、镁(Mg)、铼(Re)、铍(Be)、镓(Ga)和钌(Ru)中的至少一种，或者包含其合金的导电材料。下面参照图4更详细地描述第一电路图案120的技术思想。

发光装置基板10的第一导电穿通件130可以将多个上焊盘110(例如，多个上焊盘110中的每一个)连接到第一电路图案120。第一导电穿通件130可以在竖直方向上穿透绝缘层100的一部分，并将多个上焊盘110连接到第一电路图案120。例如，第一导电穿通件130可以接触多个上焊盘110的下表面的一部分和第一电路图案120的上表面的一部分。

在示例实施例中，第一导电穿通件130可以包括金属，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、铟(In)、钼(Mo)、锰(Mn)、钴(Co)、锡(Sn)、镍(Ni)、镁(Mg)、铼(Re)、铍(Be)、镓(Ga)和钌(Ru)中的至少一种，或者包含其合金的导电材料。另外，第一导电穿通件130可以包括与第一电路图案120基本相同的材料。

发光装置基板10的第二电路图案140可以在绝缘层100内部，例如，第二电路图案140可以以预定深度嵌入在绝缘层100内部，并且可以在第一电路图案120下方。另外，第二电路图案140可以电连接第一电路图案120中的电路图案中的一些，以电连接到多个上焊盘110中的一些。第二电路图案140可以被绝缘层100围绕。

在示例实施例中，第二电路图案140可以包括与上述第一电路图案120的导电材料基本相同的材料。下面参照图5更详细地描述第二电路图案140的技术思想。

发光装置基板10的第二导电穿通件150可以将第一电路图案120连接到第二电路图案140。第二导电穿通件150可以在竖直方向上穿透绝缘层100的一部分，并且将第一电路图案120连接到第二电路图案140。例如，第二导电穿通件150可以接触第一电路图案120的下表面的一部分和第二电路图案140的上表面的一部分。在示例实施例中，第二导电穿通件150可以包括与第一电路图案120、第二电路图案140以及第一导电穿通件130基本相同的材料。

发光装置基板10的多个下焊盘160可以是设置在绝缘层100下方(即，设置在发光装置基板10的与支撑多个上焊盘110的上表面相对的下表面上)的焊盘。另外，多个下焊盘160可以包括电连接到外部装置的焊盘。

在示例实施例中，多个下焊盘160可以沿着绝缘层100的下表面的边界布置。多个下焊盘160可以设置在绝缘层100的边缘部分处，以围绕绝缘层100的中心部分。

在示例实施例中，由多个下焊盘160中的一个的下表面形成的面积可以大于由多个上焊盘110中的一个的上表面形成的面积。例如，如果每个下焊盘160的相对表面具有相同的大小，并且每个上焊盘110的相对表面具有相同的大小，则单个下焊盘160的接触绝缘层100的表面的面积可以大于单个上焊盘110的接触绝缘层100的表面的面积，例如，单个下焊盘160和绝缘层100之间的表面接触的面积可以大于单个上焊盘110和绝缘层100之间的表面接触的面积。

另外，下焊盘160的总数量可以小于上焊盘110的总数量。例如，发光装置基板10可以包括八个下焊盘160和二十四(24)个上焊盘110。

多个下焊盘160中的至少一个可以经由第一电路图案120和第二电路图案140电连接到两个或更多个上焊盘110。例如，被供应负电的一个下焊盘160可以经由第一电路图案120和第二电路图案140电连接到两个或更多个上焊盘110。另外，被供应正电的一个下焊盘160可以经由第一电路图案120和第二电路图案140电连接到两个或更多个上焊盘110。

发光装置基板10的第三导电穿通件170可以连接到多个下焊盘160和第二电路图案140。第三导电穿通件170可以在竖直方向上穿透绝缘层100的一部分，以接触多个下焊盘160和第二电路图案140。例如，第三导电穿通件170可以接触多个下焊盘160的上表面的一部分和第二电路图案140的下表面的一部分。在示例实施例中，第三导电穿通件170可以包括与第一电路图案120、第二电路图案140、第一导电穿通件130和第二导电穿通件150的材料基本相同的材料。

因为发光装置基板10包括电连接多个上焊盘110(其在绝缘层100的上表面上彼此间隔开)中的一些的第一电路图案120和第二电路图案140，所以发光装置芯片(图17中的50)和发光装置基板10之间的连接构件(图17中的90)的高度可以增加。因此，可以提高发光装置芯片50和发光装置基板10的接合可靠性。

另外，因为发光装置基板10的多个上焊盘110具有基本相同的形状、大小和厚度，所以发光装置芯片50和发光装置基板10之间的连接构件90的高度也可以基本相同。因此，可以防止发光装置芯片50的倾斜和旋转。

图3是根据示例实施例的发光装置基板10的平面图。图3是关于发射光的绝缘层100上的多个上焊盘110的详细平面图。

参照图3，在发光装置基板10限定M*N矩阵时，发光装置基板10可以包括M*N个像素P。如果一个像素P包括六个上焊盘110，则具有M*N矩阵的发光装置基板10包括6*M*N个上焊盘110。例如，一个像素P可以包括以3*2矩阵布置的六个上焊盘110。例如，当发光装置基板10限定2*2矩阵时，发光装置基板10可以包括4个像素P，并且可以包括二十四(24)个上焊盘110。

在示例实施例中，发光装置基板10可以包括第一像素P1至第四像素P4。例如，如在图3的俯视图中观看到的，第一像素P1可以是左上部分处的像素，第二像素P2可以是右上部分处的像素，第三像素P3可以是左下部分处的像素，并且第四像素P4可以是右下部分处的像素。第一像素P1至第四像素P4可以分别包括第一上焊盘组110G1_a至110G1_d、第二上焊盘组110G2_a至110G2_d、以及第三上焊盘组110G3_a至110G3_d。

例如，第一像素P1的第一上焊盘组110G1_a可包括第一阳极上焊盘110P1_G1a和第一阴极上焊盘110N1_G1a。此外，当从平面视角观看发光装置基板10时，第一像素P1的第二上焊盘组110G2_a可以在(图3的)竖直方向上与第一上焊盘组110G1_a间隔开，并且可以包括第二阳极上焊盘110P2_G2a和第二阴极上焊盘110N2_G2a。此外，当从平面视角观看发光装置基板10时，第一像素P1的第三上焊盘组110G3_a可以在(图3的)竖直方向上与第二上焊盘组110G2_a间隔开，并且可以包括第三阳极上焊盘110P3_G3a和第三阴极上焊盘110N3_G3a。

在示例实施例中，第一像素P1的第一上焊盘组110G1_a至第三上焊盘组110G3_a可以包括第一发光装置芯片(图17中的50a)和第二发光装置芯片(图17中的50b)，以及用于安装第三发光装置芯片50c的焊盘组。例如，第一发光装置芯片50a、第二发光装置芯片50b和第三发光装置芯片50c可以分别包括红色发光装置芯片、绿色发光装置芯片和蓝色发光装置芯片。

例如，第一像素P1的第一上焊盘组110G1_a的第一阳极上焊盘110P1_G1a可以电连接到第一发光装置芯片(图17中的50a)的芯片焊盘(图18中的520)中的阳极芯片焊盘(图18中的520a)。此外，第一像素P1的第一上焊盘组110G1_a的第一阴极上焊盘110N1_G1a可以与第一阳极上焊盘110P1_G1a间隔开，并且可以电连接到第一发光装置芯片50a的芯片焊盘520中的阴极芯片焊盘(图18中的520b)。

第二像素P2至第四像素P4中的多个上焊盘110的技术思想可与第一像素P1的多个上焊盘110的技术思想基本相同，因此省略其详细描述。

图4是图2中的线IV-IV的截面图。

如图2所示，在示例实施例中，第一电路图案120可以在绝缘层100内部，并且可以电连接多个上焊盘110中的一些。参照图4，第一电路图案120可以在绝缘层100内部包括多个例如离散的部分，且第一电路图案120的每个部分连接到上焊盘110中的不同的上焊盘110。例如，参照图3和图4，第一电路图案120的电路图案120a1至120a8中的一些可以经由第一导电穿通件130连接到多个上焊盘110中的一个，并且可以不连接到其他上焊盘110。

在示例实施例中，第一发光装置芯片(图17中的50a)、第二发光装置芯片(图17中的50b)和第三发光装置芯片(图17中的50c)可以分别安装在第一上焊盘组110G1_a至110G1_d、第二上焊盘组110G2_a至110G2_d和第三上焊盘组110G3_a至110G3_d上。在示例实施例中，第一电路图案120的电路图案120b1和120b2中的一些可以电连接到上焊盘110中的具有安装在其上的发射相同颜色的发光装置芯片的相同电极的上焊盘。

在示例实施例中，第一电路图案120的电路图案120b1中的一些可将第一像素P1的第二上焊盘组110G2_a的第二阳极上焊盘110P2_G2a电连接到第三像素P3的第二上焊盘组110G2_c的第二阳极上焊盘110P2_G2c。此外，第一电路图案120中的电路图案120b2中的一些可将第二像素P2的第二上焊盘组110G2_b的第二阳极上焊盘110P2_G2b电连接到第四像素P4的第二上焊盘组110G2_d的第二阳极上焊盘110P2_G2d。然而，第一电路图案120中的一些将上焊盘110彼此连接的结构不限于此。

另外，在示例实施例中，第一电路图案120的电路图案120c1和120c2中的一些可以将上焊盘110中的具有安装在其上的发射相同颜色的发光装置芯片的相同电极的上焊盘彼此电连接。例如，第一电路图案120中的电路图案120c1中的一些可将第一像素P1的第一阴极上焊盘110N1_G1a、第二阴极上焊盘110N2_G2a和第三阴极上焊盘110N3_G3a电连接到第二像素P2的第一阴极上焊盘110N1_G1b、第二阴极上焊盘110N2_G2b和第三阴极上焊盘110N3_G3b。此外，第一电路图案120中的电路图案120c2中的一些可将第三像素P3的第一阴极上焊盘110N1_G1c、第二阴极上焊盘110N2_G2c和第三阴极上焊盘110N3_G3c电连接到第四像素P4的第一阴极上焊盘110N1_G1d、第二阴极上焊盘110N2_G2d和第三阴极上焊盘110N3_G3d。然而，第一电路图案120中的一些连接上焊盘110的结构不限于此。

在示例实施例中，多个上焊盘110和第一电路图案120可以经由第一导电穿通件130彼此电连接。

图5是图2中的线V-V的截面图。参照图5，第二电路图案140可以在绝缘层100内部，并且可以电连接第一电路图案120中的一些。例如，第二电路图案140可以在绝缘层100内部包括多个例如离散的部分，且第二电路图案140的每个部分连接到第一电路图案120的不同部分。

第二电路图案140的一些电路图案140a1至140a4可以将第二导电穿通件150彼此电连接。在示例实施例中，第二电路图案140的电路图案140a1至140a4中的一些可以连接到多个第二导电穿通件150，从而使上焊盘110中的具有安装在其上的发射相同颜色的发光装置芯片的相同电极的上焊盘彼此电连接。

例如，第二电路图案140中的电路图案140a1中的一些可连接到多个第二导电穿通件150，使得第一像素P1的第一上焊盘组110G1_a的第一阳极上焊盘110P1_G1a连接到第三像素P3的第一上焊盘组110G1_c的第一阳极上焊盘110P1_G1c。例如，第二电路图案140中的电路图案140a3中的一些可连接到多个第二导电穿通件150，使得第一像素P1的第三上焊盘组110G3_a的第三阳极上焊盘110P3_G3a电连接到第三像素P3的第三上焊盘组110G3_c的第三阳极上焊盘110P3_G3c。

在示例实施例中，第二电路图案140可以延伸到与发光装置基板10的边缘部分相邻的部分。因此，连接到第二电路图案140的第三导电穿通件170可以形成在发光装置基板10的边缘部分处，并且多个下焊盘160也可以形成在发光装置基板10的边缘部分上。

图6是根据示例实施例的发光装置基板10的底表面视图。

参照图6，当发光装置基板10限定M*N矩阵时，发光装置基板10可以包括3*M+N个下焊盘160。多个下焊盘160可以经由第三导电穿通件170电连接到第二电路图案140。例如，如图6所示，当发光装置基板10限定2*2矩阵时，发光装置基板10可以包括4个像素P，并且可以包括8个下焊盘160。

多个下焊盘160可以设置在绝缘层100的边缘部分处，以围绕绝缘层100的中心部分。另外，由多个下焊盘160中的一个的下表面形成的面积可以大于由多个上焊盘110中的一个的上表面形成的面积。

另外，下焊盘160的总数量可以小于上焊盘110的总数量。在发光装置基板10限定M*N矩阵时，作为下焊盘160的总数量的3*M+N可以小于作为上焊盘110的总数量的6*M*N。(换句话说，3*M+N＜6*M*N)。

图7是根据示例实施例的发光装置基板20的透视图。图8是图7中的线VIII-VIII的截面图。发光装置基板20可以包括用于在其上安装发光装置芯片(图17中的50)的基板。

参照图7和图8，发光装置基板20可以包括绝缘层200、多个上焊盘210、第一电路图案220、第一导电穿通件230、第二电路图案240、第二导电穿通件250、多个下焊盘260、第三导电穿通件270等。由于图7和图8的发光装置基板20的技术思想可以与图1和图2的发光装置基板10的技术思想基本相同，因此省略其重复描述。

在示例实施例中，发光装置基板20可以限定包括一行和一列的1*1矩阵。因此，发光装置基板20可以具有一个像素P。

图9是根据示例实施例的发光装置基板20的平面图。

参照图9，发光装置基板20可以包括一个像素P，并且像素P可以包括6个上焊盘210。例如，一个像素P可以包括以3*2矩阵布置的六个上焊盘210。

在示例实施例中，像素P可以包括第一上焊盘组210G1至第三上焊盘组210G3。第一上焊盘组210G1至第三上焊盘组210G3可以分别包括第一阳极上焊盘210P1_G1至第三阳极上焊盘210P3_G3以及第一阴极上焊盘210N1_G1至第三阴极上焊盘210N3_G3。

在示例实施例中，像素P的第一上焊盘组210G1至第三上焊盘组210G3可以包括用于在其上分别安装第一发光装置芯片50a、第二发光装置芯片50b和第三发光装置芯片50c的焊盘组。例如，第一发光装置芯片50a、第二发光装置芯片50b和第三发光装置芯片50c可以分别包括红色发光装置芯片、绿色发光装置芯片和蓝色发光装置芯片。

图10是图8中的线X-X的截面图。参照图10，第一电路图案220的电路图案220a1至220a3中的一些可以经由第一导电穿通件230连接到多个上焊盘210中的一个上焊盘，并且可以不连接到除了该一个上焊盘之外的其它上焊盘。另外，在示例实施例中，第一电路图案220的电路图案220b1中的一些可将上焊盘110中的具有安装在其上的发射相同颜色的发光装置芯片的相同电极的上焊盘彼此电连接。

在示例实施例中，第一电路图案220的电路图案220b1中的一些可将像素P的第一阴极上焊盘210N1_G1至第三阴极上焊盘210N3_G3彼此电连接。然而，第一电路图案220中的一些连接到上焊盘210的结构不限于此。

图11是图8中的线XI-XI的截面图。参照图11，第二电路图案240可在绝缘层200中在第一电路图案220下方，并且可以经由第二导电穿通件250电连接到第一电路图案220中的一些。

在示例实施例中，第二电路图案240可以延伸到与发光装置基板20的边缘部分相邻的部分。因此，连接到第二电路图案240的第三导电穿通件270可以形成在发光装置基板20的边缘部分处，并且多个下焊盘260也可以形成在发光装置基板20的边缘部分上。

例如，第二电路图案240的电路图案240a中的一些可以连接到第二阳极上焊盘210P2_G2，并且可以延伸到发光装置基板20的右上部分。此外，第二电路图案240的电路图案240b中的一些可以电连接到第一电路图案220的电路图案220b1中的电连接相同电极的上焊盘的一些，并且可以延伸到发光装置基板20的右下部分。然而，第二电路图案240中的一些连接到上焊盘210的结构不限于此。

图12是根据示例实施例的发光装置基板20的底表面视图。

参照图12，发光装置基板20可以包括1*1矩阵，并且包括4个下焊盘260。另外，下焊盘260的总数量可以小于上焊盘210的总数量。当发光装置基板20具有具备一个像素P的1*1矩阵时，下焊盘260的数量可以是4个，并且上焊盘210的数量可以是6个。

在示例实施例中，多个下焊盘260可以布置在绝缘层200的边缘部分处(例如，拐角处)，以围绕绝缘层200的中心部分。另外，由多个下焊盘260中的一个的下表面形成的面积可以大于由多个上焊盘210中的一个的上表面形成的面积。

图13是根据示例实施例的发光装置基板30的透视图。在示例实施例中，发光装置基板30可以限定M*N矩阵。为了便于描述，图13示出了1*1矩阵的发光装置基板30，但不限于此，并且发光装置基板30可以限定M(2或更多)行和N(2或更多)列的矩阵。

参照图13，发光装置基板30可以包括绝缘层200、多个上焊盘210、第一电路图案220、第一导电穿通件230、第二电路图案240、第二导电穿通件250、多个下焊盘260、第三导电穿通件270等。由于发光装置基板30的技术思想与上述发光装置基板10和20的技术思想基本相同，因此省略其重复描述。

在示例实施例中，如上所述，像素P可以包括包含第一阳极上焊盘210P1_G1和第一阴极上焊盘210N1_G1的第一上焊盘组210G1、包含第二阳极上焊盘210P2_G2和第二阴极上焊盘210N2_G2的第二上焊盘组210G2、以及包含第三阳极上焊盘210P3_G3和第三阴极上焊盘210N3_G3的第三上焊盘组210G3。

在一般发光装置基板的情况下，第一阳极上焊盘210P1_G1和第一阴极上焊盘210N1_G1之间的间隙、第二阳极上焊盘210P2_G2和第二阴极上焊盘210N2_G2之间的间隙、以及第三阳极上焊盘210P3_G3和第三阴极上焊盘210N3_G3之间的间隙可以相对较窄，以便于发光装置芯片(图17中的50a至50c)的安装。

当在一般发光装置基板上安装并操作发光装置芯片50a至50c时，多个上焊盘210中的包括金属材料的一些可以被电离，并且可以将离子从第一阴极上焊盘210N1_G1至第三阴极上焊盘210N3_G3移动到第一阳极上焊盘210P1_G1至第三阳极上焊盘210P3_G3。离子迁移效应可能导致发光装置芯片50a至50c的故障。

为了降低上述离子迁移效应，发光装置基板30可以具有其中离子的路径被增加的结构。在下文中，更详细地描述其中离子的路径被增加的发光装置基板30的结构。

在示例实施例中，发光装置基板30的绝缘层200可以具有不平坦结构，在该不平坦结构中，凹入和凸起在第一阳极上焊盘210P1_G1和第一阴极上焊盘210N1_G1之间的部分、第二阳极上焊盘210P2_G2和第二阴极上焊盘210N2_G2之间的部分、以及第三阳极上焊盘210P3_G3和第三阴极上焊盘210N3_G3之间的部分中的至少一个中重复。

因为发光装置基板30包括在第一、第二和第三阳极上焊盘210P1_G1至210P3_G3与第一、第二和第三阴极上焊盘210N1_G1至210N3_G3之间具有凹凸结构形状的绝缘层200，所以可以增加离子的路径并且可以抑制离子迁移效应。因此，可以减少发光装置芯片50a至50c的故障。

图14和图15分别是根据示例实施例的发光装置基板30a和30b的截面图。

参照图14，发光装置基板30a的绝缘层200可以包括在阳极上焊盘210P1和阴极上焊盘210N1之间的部分中的多个凹槽200G。可通过蚀刻绝缘层200的在第一阳极上焊盘210P1_G1与第一阴极上焊盘210N1_G1之间的部分、绝缘层200的在第二阳极上焊盘210P2_G2与第二阴极上焊盘210N2_G2之间的部分、以及绝缘层200的在第三阳极上焊盘210P3_G3与第三阴极上焊盘210N3_G3之间的部分来形成多个凹槽200G。

在示例实施例中，可以通过诸如使用等离子体的反应离子蚀刻(RIE)工艺、激光钻孔工艺等的工艺来形成多个凹槽200G。在示例实施例中，多个凹槽200G的深度t可以是大约5微米到大约20微米。例如，多个凹槽200G的深度t可以是大约15微米。然而，多个凹槽200G的深度t不限于此。

参照图15，发光装置基板30b可以包括多个壁200W，多个壁200W从绝缘层200的在阳极上焊盘210P1和阴极上焊盘210N1之间的部分中的上表面向上突出。多个壁200W可具有从以下各部分向上突出的形状：绝缘层200的在第一阳极上焊盘210P1_G1与第一阴极上焊盘210N1_G1之间的部分、绝缘层200的在第二阳极上焊盘210P2_G2与第二阴极上焊盘210N2_G2之间的部分、以及绝缘层200的在第三阳极上焊盘210P3_G3与第三阴极上焊盘210N3_G3之间的部分。

在示例实施例中，多个壁200W的高度h可以是大约5微米到大约20微米。例如，多个壁200W的高度h可以是大约15微米。然而，多个壁200W的高度h不限于此。

在示例实施例中，多个壁200W的高度可以小于多个上焊盘210的高度。换句话说，多个壁200W的上表面可以处于比多个上焊盘210的上表面低的水平高度。该水平高度可以被限定为从绝缘层200的上表面起在竖直方向上形成的长度。因为多个壁200W的上表面处于比多个上焊盘210的上表面低的水平高度，所以多个壁200W可以不干扰安装在多个上焊盘210上的发光装置芯片50a至50c。

图16是根据比较例的发光装置基板10'的透视图。

参照图16，根据比较例的发光装置基板10'可以包括绝缘层100'和安装在绝缘层100'上的多个上焊盘110'。多个上焊盘110'可以包括第一上焊盘110'_1和第二上焊盘110'_2。第一上焊盘110'_1和第二上焊盘110'_2可以具有不同的大小和形状。例如，第一上焊盘110'_1的大小和面积可以大于第二上焊盘110'_2的大小和面积。另外，第一上焊盘110'_1的上表面的面积可以大于第二上焊盘110'_2的上表面的面积。

第一上焊盘110'_1可以在其上安装在多个上焊盘110'中发射不同颜色的发光装置芯片(图17中的50a至50c)，但是可以具有其中作为彼此相同的电极的上焊盘互连的结构。例如，第一上焊盘110'_1可以是这样的焊盘：其电连接其上安装有红色发光装置芯片、绿色发光装置芯片和蓝色发光装置芯片的焊盘中的阳极的焊盘。

第一上焊盘110'_1可以以与第二上焊盘110'_2不同的大小和形状设置在绝缘层100'上，因此，第一上焊盘110'_1上的连接构件(图17中的90)的高度可以小于由第二上焊盘110'_2上的连接构件90形成的高度。换句话说，在连接构件90的回流工艺期间，连接构件90可以在第一上焊盘110'_1和第二上焊盘110'_2上流动。可能由于第一上焊盘110'_1和第二上焊盘110'_2的上表面的面积的差异而导致连接构件90之间的高度的差异。

由于发光装置基板10'上的连接构件90的高度的差异，安装在发光装置基板10'上的发光装置芯片50可能倾斜。另外，安装在发光装置基板10'上的发光装置芯片50可能旋转。

另外，因为第一上焊盘110'_1具有相对大面积的上表面，所以第一上焊盘110'_1上的连接构件90的高度可能小。例如，第一上焊盘110'_1上的连接构件90可以具有大约5微米到大约10微米的高度。因为根据比较例的发光装置基板10'上的连接构件90的高度小，所以发光装置芯片50和发光装置基板10'之间的接合可靠性可能低。

图17是根据示例实施例的发光装置封装件1的透视图。图18是沿图17中的线XVIII-XVIII的截面图。

参照图17和图18，发光装置封装件1可以包括发光装置基板10、多个发光装置芯片50和连接构件90。发光装置基板10的技术思想可以与参考图1描述的技术思想基本相同。

多个发光装置芯片50可以包括基于电信号发光的半导体芯片。在示例实施例中，多个发光装置芯片50可以包括第一发光装置芯片50a、第二发光装置芯片50b和第三发光装置芯片50c。第一发光装置芯片50a、第二发光装置芯片50b和第三发光装置芯片50c可以分别包括红色发光装置芯片、绿色发光装置芯片和蓝色发光装置芯片。

多个发光装置芯片50可以各自分别包括发光结构500、透光材料层510、芯片焊盘520和绝缘层530。在示例实施例中，发光结构500可以具有其中第一导电类型半导体层503、有源层505和第二导电类型半导体层507堆叠的结构。第一导电类型半导体层503和第二导电类型半导体层507可以分别包括掺杂有p型杂质的半导体和掺杂有n型杂质的半导体。

另外，有源层505可以包括在第一导电类型半导体层503和第二导电类型半导体层507之间的层，并且通过使电子和空穴结合来发射具有特定能量的光。有源层505可以根据构成发光结构500的化合物半导体的材料而发射蓝光、绿光、红光、紫外光等。

在示例实施例中，有源层505可具有其中量子阱层和量子势垒层交替堆叠的多量子阱(MQW)结构，例如，InGaN/GaN或AlGaN/GaN结构。然而，实施例不限于此，有源层505可以具有单量子阱(SQW)结构。

透光材料层510在发光结构500上，并且可以包括透射波长转换层和透镜层中的至少一个。例如，透射波长转换层可以包括通过被从发光结构500发射的光激发而将光的至少一些转换为不同波长的光的层。另外，透镜层可以包括具有能够改变取向角a的各种结构的层，如凸透镜或凹透镜。

芯片焊盘520可以包括阳极芯片焊盘520a和阴极芯片焊盘520b。在示例实施例中，阳极芯片焊盘520a和阴极芯片焊盘520b可以分别连接到第一导电类型半导体层503和第二导电类型半导体层507。

在示例实施例中，绝缘层530可防止阳极芯片焊盘520a、有源层505和阴极芯片焊盘520b之间的电连接。阳极芯片焊盘520a可以在由绝缘层530限定的空间中连接到第一导电类型半导体层503。另外，阴极芯片焊盘520b可以穿透覆盖第二导电类型半导体层507的绝缘层530，并且连接到第二导电类型半导体层507。

连接构件90可以在发光装置芯片50的芯片焊盘520和上焊盘110之间，并且将发光装置芯片50电连接到发光装置基板10。例如，连接构件90可以是包括导电材料的焊球。

如上所述，多个上焊盘110(例如，图18中的焊盘110P1_G1a和110N1_G1a)可以彼此间隔开，而不在绝缘层100的上表面上互连。另外，多个上焊盘110可以具有基本相同的形状、大小和厚度。例如，多个上焊盘110中的每一个可以具有具备基本相同的大小和厚度的长方体形状。

在示例实施例中，在发光装置基板10的平面图中，多个上焊盘110可以以与在海中具有特定图案的相同形状和大小的多个岛相似的形状布置在绝缘层100上。多个上焊盘110可以以基本相同的形状、大小和厚度彼此间隔开，因此第一阳极上焊盘110P1_G1a和第一阴极上焊盘110N1_G1a上的连接构件90可具有基本相同的形状、大小和高度。因此，可以防止安装在上焊盘110上的发光装置芯片50的倾斜和旋转。

另外，因为以小于根据图16的比较例的用于安装发光装置芯片的发光装置基板10'的第一上焊盘110'_1的大小设置发光装置基板10的上焊盘110，所以连接构件90可以具有相对大的高度。

在示例实施例中，由上焊盘110的上表面形成的面积可以是由发光装置芯片50的一个芯片焊盘520的下表面形成的面积的大约1.0倍至大约4.5倍。在示例实施例中，当多个上焊盘110中的每一个的上表面的面积小于发光装置芯片50的芯片焊盘520的面积的大约1.0倍时，可能增大发光装置芯片50的倾斜。另外，当多个上焊盘110中的每一个的上表面的面积超过发光装置芯片50的芯片焊盘520的面积的大约4.5倍时，可能增大发光装置芯片50的旋转。

当由上焊盘110的上表面形成的面积是由芯片焊盘520的下表面形成的面积的大约1.0倍至大约4.5倍时，由连接构件90形成的高度e可以是大约10微米。由连接构件90形成的高度e可以是大约10微米至大约20微米。

在示例实施例中，第一阳极上焊盘110P1_G1a与第一阴极上焊盘110N1_G1a之间的分隔距离l2可小于芯片焊盘520的阳极芯片焊盘520a与阴极芯片焊盘520b之间的分隔距离l1。例如，第一阳极上焊盘110P1_G1a与第一阴极上焊盘110N1_G1a之间的分隔距离l2可以是芯片焊盘520的阳极芯片焊盘520a与阴极芯片焊盘520b之间的分隔距离l1的大约0.25倍至大约0.50倍。因此，发光装置芯片50可以容易地安装在发光装置基板10上。

另外，多个下焊盘160可以沿绝缘层100的下表面的边界设置，使得绝缘层100的中心部分被围绕。因此，能够容易地检查和修复多个下焊盘160到外部装置的连接的缺陷。

图19和图20分别是根据示例实施例的发光装置封装件1a和1b的截面图。发光装置封装件1a和1b的发光装置基板10a和10b可以包括具有不平坦结构的绝缘层100，在该不平坦结构中，凹入和凸起在第一阳极上焊盘110P1_G1a和第一阴极上焊盘110N1_G1a之间重复，以抑制离子迁移效应。

参照图19，发光装置基板10a的绝缘层100可以包括在第一阳极上焊盘110P1_G1a和第一阴极上焊盘110N1_G1a之间的部分中的多个凹槽100G。另外，多个凹槽100G的深度t可以是大约5微米到大约20微米。例如，多个凹槽100G的深度t可以是大约15微米。然而，多个凹槽100G的深度t不限于此。

参照图20，发光装置基板10b可以包括在第一阳极上焊盘110P1_G1a和第一阴极上焊盘110N1_G1a之间的部分中从绝缘层100的上表面向上突出的多个壁100W。另外，多个壁100W的高度h可以是大约5微米到大约20微米。例如，多个壁100W的高度h可以是大约15微米。然而，多个壁100W的高度h不限于此。

在示例实施例中，多个壁100W的高度可以小于多个上焊盘110的高度。换句话说，多个壁100W的上表面可以处于比多个上焊盘110的上表面低的水平高度。因为多个壁100W的上表面处于比多个上焊盘110的上表面低的水平高度，所以多个壁100W可以不干扰安装在多个上焊盘110上的发光装置芯片50。

图21是沿图17中的线XXI-XXI的截面图。

在一般发光装置封装件的情况下，发光装置芯片和发光装置基板可以通过使用导线彼此电连接。因此，用于连接导线的导线焊盘可以形成在发光装置芯片的上表面上。发光装置芯片的上表面上的导线焊盘可以增大从发光装置芯片发射的光的取向角a。另外，发光装置芯片的增大后的取向角a可能导致相邻像素之间的光干涉现象，因此在发光装置芯片中产生的光的颜色质量可能劣化。

参照图17和图21，当从平面视角观看发光装置芯片50的第一长度d1时，发光装置芯片50的第一长度d1可以被定义为发光装置芯片50在水平方向上的长度。另外，发光装置封装件1的第二长度d2可以被定义为一个像素P在水平方向上的长度。另外，发光装置封装件1的第三长度d3可以被定义为发射相同颜色的发光装置芯片50的中心之间在水平方向上的距离。

为了抑制发光装置封装件1的光干涉现象，可以基于发光装置封装件1的第二长度d2和第三长度d3来确定发光装置封装件1的发光装置芯片50的第一长度d1。在示例实施例中，当发光装置封装件1的第二长度d2为大约0.8毫米至大约1.0毫米，或者发光装置封装件1的第三长度d3为大约1.0毫米至大约1.5毫米时，发光装置芯片50的第一长度d1可以被确定为大约300微米或更小。在这种情况下，发光装置芯片50的取向角a可以是大约90度至大约110度。因此，可以抑制发光装置封装件1的相邻像素P之间的光干涉现象。

在示例实施例中，当发光装置封装件1的第二长度d2为大约0.6毫米至大约0.8毫米，或者发光装置封装件1的第三长度d3为大约0.8毫米至大约1.0毫米时，发光装置芯片50的第一长度d1可以被确定为大约200微米或更小。在这种情况下，发光装置芯片50的取向角a可以是大约90度至大约110度。因此，可以抑制发光装置封装件1的相邻像素P之间的光干涉现象。

在示例实施例中，当发光装置封装件1的第二长度d2为大约0.4毫米至大约0.6毫米，或者发光装置封装件1的第三长度d3为大约0.6毫米至大约0.8毫米时，发光装置芯片50的第一长度d1可以被确定为大约150微米或更小。在这种情况下，发光装置芯片50的取向角a可以是大约90度至大约110度。因此，可以抑制发光装置封装件1的相邻像素P之间的光干涉现象。

在示例实施例中，当发光装置封装件1的第二长度d2为大约0.2毫米至大约0.4毫米，或者发光装置封装件1的第三长度d3为大约0.4毫米至大约0.6毫米时，发光装置芯片50的第一长度d1可以被确定为大约100微米或更小。在这种情况下，发光装置芯片50的取向角a可以是大约90度至大约110度。因此，可以抑制发光装置封装件1的相邻像素P之间的光干涉现象，并且可以提高在发光装置封装件1中产生的颜色的质量。

在下文中，将参考图22至图28描述制造发光装置基板20的方法。然而，制造发光装置基板20的方法不限于此。

图22和图23是根据实施例的发光装置基板20的制造方法中的各阶段的图。图22和图23中的制造方法可以是以封装件级制造图7的发光装置基板20的方法。此外，图22和图23中的制造方法可以应用于图1的发光装置基板10的制造方法。

参照图22，制造方法可以包括制造多个PCB并堆叠该多个PCB。

在示例实施例中，制造多个PCB可包括：制造包括第一绝缘层200a的第一PCB 20a，其中第一导电穿通件230穿透第一绝缘层200a；制造包括第二绝缘层200b的第二PCB 20b，其中第一电路图案220从第二绝缘层200b暴露，并且第二导电穿通件250连接到第一电路图案220；以及制造包括第三绝缘层200c的第三PCB 20c，其中第二电路图案240从第三绝缘层200c暴露，并且第三导电穿通件270连接到第二电路图案240。堆叠第一绝缘层200a至第三绝缘层200c可以形成绝缘层200。

详细地，堆叠多个PCB可以包括将第一PCB 20a附接到第二PCB 20b。第一PCB 20a和第二PCB 20b可以彼此附接并集成为一体。另外，第一导电穿通件230可以接触第一电路图案220，并且可以电连接到第一电路图案220。

在示例实施例中，堆叠多个PCB可以包括附接第二PCB 20b和第三PCB 20c。第二PCB 20b和第三PCB 20c可以彼此附接并集成为一体。另外，第二导电穿通件250可以接触第二电路图案240，并且可以将第一电路图案220电连接到第二电路图案240。

参照图23，该制造方法还可包括将多个上焊盘210和多个下焊盘260安装在(在图22中形成的)绝缘层200上。

在示例实施例中，多个上焊盘210可以安装在绝缘层200的上表面上(例如，第一绝缘层200a的上表面上)，并且连接到第一导电穿通件230。因此，多个上焊盘210可以经由第一导电穿通件230电连接到第一电路图案220。另外，多个下焊盘260可以安装在绝缘层200上(例如，第三绝缘层200c的下表面上)，并且连接到第三导电穿通件270。因此，多个下焊盘260可以经由第三导电穿通件270电连接到第二电路图案240。

图24至图28是根据实施例的发光装置基板10的制造方法中的各阶段的图。图24至图28中的制造方法可以是以晶片级制造图1的发光装置基板10的方法。此外，图24至图28中的制造方法可以应用于图7的发光装置基板20的制造方法。

参照图24，发光装置基板10的制造方法可以包括形成绝缘层100和形成穿透绝缘层100的第一过孔V1。

在示例实施例中，可以在形成绝缘层100之前提供第一支撑基板2400。第一支撑基板2400可以包括对光刻工艺、蚀刻工艺和烘焙工艺具有稳定性的基板。当稍后要通过使用激光烧蚀工艺来分离并移除第一支撑基板2400时，第一支撑基板2400可以是透射基板。此外，当要通过加热来分离并移除第一支撑基板2400时，第一支撑基板2400可以包括耐热基板。

例如，形成绝缘层100可以包括在第一支撑基板2400上形成绝缘材料，例如，环氧树脂、聚苯并二恶唑(PBO)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、和/或聚酰亚胺衍生物。在另一示例中，形成绝缘层100可以包括在第一支撑基板2400上形成绝缘材料，该绝缘材料包括能够进行光刻工艺的光可成像电介质(PID)材料(例如，光敏聚酰亚胺(PSPI)、聚苯并二恶唑(PBO)等)的绝缘材料。

在示例实施例中，形成第一过孔V1可以包括通过例如蚀刻工艺、使用等离子体的反应离子蚀刻(RIE)工艺和激光钻孔工艺来形成穿透绝缘层100的第一过孔V1。

参照图25，发光装置基板10的制造方法可以包括形成第三导电穿通件170和第二电路图案140。

在示例实施例中，形成第三导电穿通件170和第二电路图案140可以包括在绝缘层100的顶表面上共形地形成种子层。可以通过使用物理气相沉积工艺形成种子层，并且可以通过使用无电解电镀工艺来形成第三导电穿通件170和第二电路图案140。第三导电穿通件170可以形成在第一过孔(图24中的V1)中，并且第二电路图案140可以形成在绝缘层100上。然而，实施例不限于此。

参照图26，发光装置基板10的制造方法可以包括形成第二导电穿通件150、第一电路图案120和第一导电穿通件130。形成第二导电穿通件150、第一电路图案120和第一导电穿通件130的技术思想可以与参照图24和图25描述的技术思想基本相同，因此省略其详细描述。

参照图27，发光装置基板10的制造方法可以包括在绝缘层100上安装多个上焊盘110。例如，在绝缘层100上安装多个上焊盘110可以包括在绝缘层100上安装上焊盘110，并且将上焊盘110连接到第一导电穿通件130。因此，多个上焊盘110可以经由第一导电穿通件130电连接到第一电路图案120。

参照图28，发光装置基板10的制造方法可以包括在绝缘层100上安装多个下焊盘160。在将多个下焊盘160安装在绝缘层100上之前，可以执行移除第一支撑基板2400。另外，在移除第一支撑基板2400之后，可以执行翻转图27的结构。另外，在执行翻转图27的结构之后，可以执行将第二支撑基板2500附接到图27的被翻转的结构的下部。

在示例实施例中，将多个下焊盘160安装在绝缘层100上可以包括将下焊盘160安装在绝缘层100上，并将下焊盘160连接到第三导电穿通件170。因此，多个下焊盘160可以经由第三导电穿通件170电连接到第二电路图案140。例如，在将多个下焊盘160安装在绝缘层100上之后，可以执行移除第二支撑基板2500。

通过总结和回顾的方式，可以基于发光装置基板上的焊盘的面积来确定发光装置芯片和发光装置基板之间的连接构件的面积和高度。例如，当发光装置基板上的焊盘的面积相对大时，例如基于焊球的蔓延，连接构件的面积可以大，并且其高度可以小。然而，当连接构件的高度小时，发光装置芯片和发光装置基板之间经由连接构件的接合可靠性可能低。

相反，实施例提供了一种用于提高发光装置芯片和发光装置基板之间的接合可靠性的发光装置基板以及包括该发光装置基板的发光装置封装件。此外，实施例提供了一种用于改善在发光装置芯片中产生的颜色的质量的发光装置基板和包括该发光装置基板的发光装置封装件。

也就是说，根据实施例，在俯视图中，发光装置基板的多个上焊盘可以具有基本相同的形状、大小和厚度，同时该多个上焊盘在发光装置基板的上表面上彼此完全分离并间隔开。因此，当例如焊球的连接构件位于这样的上焊盘上时，例如与在较大面积焊盘上蔓延的焊球相比，其可以具有较小的面积和较大的高度，从而提高了发光装置芯片和发光装置基板之间的接合可靠性。

另外，多个下焊盘可以沿发光装置基板的下表面的边界(例如，外围区域)布置，并且可以以比多个上焊盘少的数量提供。因此，发光装置封装件的缺陷识别和修复可以更容易。

此外，发光装置封装件可以经由焊球将发光装置芯片电连接到发光装置基板。换句话说，发光装置封装件可以不包括用于将发光装置芯片电连接到发光装置基板的导线。发光装置芯片可以不包括用于在其上连接导线的焊盘。因此，可以改善发光装置封装件的颜色质量。

本文中已经公开了示例实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅以一般性和描述性意义使用并且将以一般性和描述性意义解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如自提交本申请起对本领域普通技术人员将显而易见的，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有具体指示。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。