阅读说明:本技术 高纯度压电薄膜以及制造利用该薄膜的元件的方法 () 是由 安相贞 于 2020-02-28 设计创作,主要内容包括:本公开涉及制造高纯度Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法以及利用该方法的高纯度Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜及利用该薄膜的装置(Method of manufacturing Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)piezoelectric thin films with high purity and their apparatus using the thin film),其中,制造高纯度Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法包括:在蓝宝石成膜基板形成牺牲层的步骤;以及在牺牲层上生长Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤,其中,在生长Al-xGa-(1-x)N(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤之前,还包括:形成由Al-yGa-(1-y)N(0.5≤y≤1)构成的第一半导体层的步骤。()
- 上一篇:一种医用注射器针头装配设备
- 下一篇:固态电池及其制造方法