阅读说明：本技术 反馈偏置垂直腔面发射激光器 (Feedback bias vertical cavity surface emitting laser ) 是由 佩特·韦斯特伯格 于 2018-11-07 设计创作，主要内容包括：VCSEL可以包括底部DBR反射镜和位于底部DBR反射镜上方的顶部DBR反射镜。VCSEL可以包括位于底部和顶部DBR反射镜的一部分内的垂直光学腔。垂直光学腔可以被配置为发射光信号。该VCSEL可以包括位于底部和顶部DBR反射镜的不同部分内的横向反馈光学腔,其被配置为接收反馈偏置信号,该反馈偏置信号被配置为偏置横向反馈光学腔以调节光信号。该VCSEL可包括形成在底部DBR反射镜和顶部DBR反射镜之间的有源区,该有源区可包括限定氧化物孔隙的氧化层。VCSEL可以包括隔离注入物,该隔离注入物被配置为将垂直光学腔与反馈光学腔电性隔离并且在氧化物孔隙内创建第一孔隙和第二孔隙。(The VCSEL can include a bottom DBR mirror and a top DBR mirror positioned above the bottom DBR mirror. The VCSEL can include vertical optical cavities within a portion of the bottom and top DBR mirrors. The vertical optical cavity may be configured to emit an optical signal. The VCSEL can include lateral feedback optical cavities located within different portions of the bottom and top DBR mirrors configured to receive a feedback bias signal configured to bias the lateral feedback optical cavities to condition the optical signal. The VCSEL can include an active region formed between the bottom DBR mirror and the top DBR mirror, which can include an oxide layer defining an oxide aperture. The VCSEL can include an isolation implant configured to electrically isolate the vertical optical cavity from the feedback optical cavity and create a first aperture and a second aperture within the oxide aperture.)

反馈偏置垂直腔面发射激光器

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月7日提交的第62/582,740号美国临时专利申请的优先权权益，其通过引用的方式并入本文。

技术领域

本文讨论的实施方式涉及反馈偏置垂直腔面发射激光器(VCSEL)

背景技术

除非本文另外指出，否则本文描述的素材不是本申请的权利要求的现有技术，并且被不能由于包含在本部分中而被认为是现有技术。

VCSEL通常在许多现代通信部件中用于数据传输。其中在数据网络中的使用是VCSEL的一个愈发普遍的用途。VCSEL用于许多光纤通信系统中，以在网络上传输数字数据。在一个示例性配置中，VCSEL可以由数字数据调制以产生光信号，该光信号包括代表二进制数据流的明暗输出时段。在实际实践中，VCSEL发出代表二进制高的高光学输出和代表二进制低的低功率光学输出。为了获得快速的反应时间，VCSEL常亮，但从高光学输出到低光学输出时变化。

本文所要求保护的主题不限于解决任何上述缺点或仅在诸如上述环境中操作的实施方式。而是，仅提供此背景来说明可以实践本文描述的一些实施方式的一种示例技术。

发明内容

在至少一个实施方式中，耦合腔垂直腔面发射激光器(VCSEL)可以包括底部分布式布拉格反射器(DBR)反射镜。耦合腔VCSEL还可以包括形成在底部DBR反射镜上方的顶部DBR反射镜。耦合腔VCSEL可以额外包括位于底部DBR反射镜的一部分和顶部DBR反射镜的一部分内的垂直光学腔。该垂直光学腔可被配置为发射光信号。耦合腔VCSEL可以包括位于底部DBR反射镜的不同部分和顶部DBR反射镜的不同部分内的横向反馈光学腔。该横向反馈光学腔可被配置为接收反馈偏置信号以对横向反馈光学腔进行偏置，从而调节光信号。耦合腔VCSEL还可以包括形成在底部DBR反射镜和顶部DBR反射镜之间的有源区。该有源区可以包括限定氧化物孔隙的氧化层。耦合腔VCSEL可以额外包括隔离注入物。该隔离注入物可以被配置为将垂直光学腔与横向反馈光学腔电性隔离，并在氧化物孔隙内创建第一孔隙和第二孔隙。

在至少一个实施方式中，一种偏置VCSEL的方法可以包括从VCSEL的有源区发射光。该方法还可以包括使光的第一部分穿过与VCSEL光学耦合的垂直光学腔的氧化物孔隙。该方法可额外包括使光的第二部分传输到VCSEL的横向反馈光学腔中。该方法可包括偏置横向反馈光学腔以调节由垂直光学腔发射的光。

在至少一个实施方式中，光学收发器可以包括底部DBR反射镜。光学收发器还可包括位于底部DBR反射镜上方的顶部DBR反射镜。光学收发器可以额外包括位于底部DBR反射镜的一部分和顶部DBR反射镜的一部分内的垂直光学腔。该垂直光学腔可以被配置为发射光信号。光学收发器可以包括位于底部DBR反射镜的不同部分和顶部DBR反射镜的不同部分内的横向反馈光学腔。该横向反馈光学腔光学耦合到垂直光学腔，并且可以被配置为接收反馈偏置信号。该反馈偏置信号可以被配置为偏置横向反馈光学腔以调节由垂直光学腔发射的光信号。光学收发器还可包括在底部DBR反射镜和顶部DBR反射镜之间的有源区。该有源区可以包括氧化层。该氧化层可以限定氧化物孔隙。光学收发器可以额外包括隔离注入物。该隔离注入物可以被配置为将垂直光学腔与横向反馈光学腔电性隔离。隔离注入物可以在氧化物孔隙内创建第一孔隙和第二孔隙。

附图说明

为了进一步阐明本发明的上述以及其他优点和特征，将通过参考在附图中示出的本发明的特定实施方式来对本发明进行更具体的描述。应当理解，这些附图仅描绘了本发明的示例实施方式，因此不应被认为是对其范围的限制。通过使用附图，将使用附加的特性和细节来描述和解释本发明，在这些附图中：

图1示出了反馈偏置VCSEL的实施方式的截面图；

图2示出了图1的反馈偏置VCSEL的实施方式的芯片布局；

图3示出了图2的芯片布局的VCSEL台面的详细视图；

图4包括由图1的反馈偏置VCSEL发射的光信号的3dB带宽(千兆赫(GHz))作为反馈强度的函数的仿真图形表示；

图5包括由图1的反馈偏置VCSEL发射的光信号的共振峰值(以分贝(dB)为单位)作为反馈强度的函数的仿真图形表示；

图6包括由图1的反馈偏置VCSEL发射的光信号的调制响应作为频率的函数的仿真图形表示；

图7包括由图1的反馈偏置的VCSEL发射的光信号的调制响应作为频率的函数的仿真图形表示；和

图8示出了对图1的反馈偏置VCSEL进行偏置的方法的流程图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考构成其一部分的附图。在附图中，除非上下文另外指出，否则相似的符号通常标识相似的部件。在详细描述、附图和权利要求中描述的说明性实施方式并不意味着限制。在不脱离本文提出的主题的精神或范围的情况下，可以利用其他实施方式，并且可以进行其他改变。容易理解的是，可以以各种不同的配置来布置、替换、组合、分离和设计如本文一般描述的以及在附图中示出的本公开的各方面，所有这些在本文中是被明确预期的。

在光学数据传输中使用的一种类型的激光器是垂直腔面发射激光器(VCSEL)。VCSEL可包括夹设在两个反射镜堆叠之间并由这两个反射镜堆叠限定的激光腔。VCSEL通常构建在诸如砷化镓(GaAs)之类的半导体晶片上。VCSEL可以包括构建在半导体晶片上的底部反射镜。通常，底部反射镜包括多个交替的高折射率层和低折射率层。当光从一个折射率的层传递到另一折射率的层时，一部分光被反射。通过使用足够数量的交替层，高百分比的光可以被反射镜反射。

例如当电流通过PN结以将载流子注入VCSEL的有源区时，VCSEL发挥作用。注入的载流子在VCSEL量子阱中从导带到价带的重组产生开始在激光腔中传播的光子。光子被来回反射。当偏置电流足够时，在有源区中产生光学增益。当光学增益等于腔损耗时，发生激光振荡，VCSEL被称为处于阈值偏置，并且随着光学相干的光子从VCSEL顶部发射，VCSEL开始“激发(lase)”。

通常，本技术涉及反馈偏置VCSEL(例如，耦合腔VCSEL)。组合使用包括适当反馈强度的反馈信号与包括在反馈偏置VCSEL中的适当尺寸的氧化物孔隙来偏置一部分反馈偏置VCSEL，可以改善由反馈偏置VCSEL发射的光信号的调制响应、3dB带宽和/或共振峰。与其他VCSEL技术(例如，未通过适当尺寸的氧化物孔隙径来实现反馈偏置的VCSEL)发射的光信号的调制速度相比，如本文所述的改善光信号的调制响应、3dB带宽和/或共振峰可以使得光信号的调制速度提高。同样，如本文所述的由反馈偏置VCSEL发射的光信号的3dB带宽可能不会像其他VCSEL技术一样多得受到弛豫振荡频率(ROF)的限制，这也可允许增加要由反馈偏置VCSEL发射的光信号的调制速度。

图1示出了根据本文所述的至少一个实施方式的反馈偏置VCSEL 100(例如，耦合腔VCSEL 100)的实施方式的截面图。底部分布式布拉格反射器(DBR)反射镜106可以形成在底部接触136上。有源区104可以形成在底部DBR反射镜106上。顶部DBR反射镜102可以形成在有源区104上。抗反射层108可以形成在顶部DBR反射镜102附近、之上和/或上方。在一些实施方式中，抗反射层108可以形成在顶部DBR反射镜102上。

隔离注入物112可以形成在顶部DBR反射镜102中，并且可以贯穿延伸至至少一部分有源区104。在一些实施方式中，隔离注入物112可以延伸穿过有源区104，以便接触底部DBR反射镜106的至少一部分。垂直腔116(例如，垂直光学腔)可以由底部DBR反射镜106和顶部DBR反射镜102形成。横向反馈腔118(例如，横向反馈光学腔)也可由底部DBR反射镜106和顶部DBR反射镜102形成。p型接触金属层110可以在顶部DBR反射镜102的一部分上形成电接触。偏置金属接触114可以在顶部DBR反射镜102的不同部分形成上形成电接触，偏置金属接触114通过隔离注入物112与p型接触金属层110电性隔离。在一些实施方式中，偏置金属接触114可以位于横向反馈腔118附近和/或上方。p型接触金属层110和偏置金属接触114可以在顶部DBR反射镜102的另一不同部分上和/或上方形成和/或限定光学孔隙138。光学孔隙138可以在垂直腔116和隔离注入物112的至少一部分上方延伸。光学孔隙138可以允许光作为光信号142由反馈偏置VCSEL 100发射。

有源区104可以由一个或多个量子阱124形成，量子阱124通过多个量子阱势垒141a-b与氧化层126和底部DBR反射镜106分开。氧化层126可以包括由氧化层126的氧化部分和隔离注入物112所界定的垂直腔氧化物孔隙120。另外，氧化层126可以包括由氧化层126的氧化部分和隔离注入物112所界定的横向反馈腔氧化物孔隙122。在一些实施方式中，氧化物孔隙可以由垂直腔氧化物孔隙120和横向反馈腔氧化物孔隙122限定。例如，在一些实施方式中，氧化物孔隙可以包括垂直腔氧化物孔隙120和横向反馈空腔氧化物孔隙122两者。另外，氧化物孔隙可限定氧化层126的多个部分之间的空间。

在预期的操作期间，p型接触金属层110可以接收可被注入到量子阱124中的偏置电流。在足够高的偏置电流下，量子阱124可以产生光140a-c并且反馈偏置VCSEL 100可开始“激发”并发射作为光信号142的光。由量子阱124发射的光140a-c可发射到垂直腔116和横向反馈腔118中。被发射到垂直腔116的光140a和140c可被包括在垂直腔116中的各个层朝向光学孔隙138垂直反射。此外，光140a和140c的一部分可以穿过垂直腔氧化物孔隙径120。进一步地，光140a和140c的一部分可被朝向底部接触136垂直反射。

从垂直腔116(例如，横向地)耦合到横向反馈腔118中的光140b可以被包括在横向反馈腔118中的各个层反射。此外，光140b可以被包括在横向反馈腔118中的各个层朝向垂直腔116反射回去。进一步地，横向反馈腔氧化物孔隙122可以允许由顶部DBR反射镜102中的层朝着垂直腔116反射回的光140b进入底部DBR反射镜106，从而进入垂直腔116。在一些实施方式中，偏置金属接触114可以通过增强反射并通过限制通过其上形成有偏置金属接触114的顶部DBR反射镜102的输出损耗来减少横向反馈腔118上方的顶部DBR反射镜102中发生的光学损耗。光140a-c可以反射通过底部DBR反射镜106、顶部DBR反射镜102、垂直腔116和横向反馈腔118，直至光140a-c作为光信号142从光学孔隙138发射出。

另外，p型接触金属层110可以接收射频(RF)信号。可以通过模拟或数字调制技术将RF信号调制到光信号142上。例如，RF信号可以包括高频，该高频可以在光140a-c被作为光信号142发射之前强加在光140a-c上。光驻波的可能的强度分布可以由波143表示。

可以将直流(DC)反馈偏置电压施加至偏置金属接触114，以调节横向反馈腔118的反馈强度。由反馈偏置VCSEL 100发射的光信号142的共振峰、调制响应和/或3dB带宽可以通过修改DC反馈偏置电压进行调节，并由此调节横向反馈腔118的增益/损耗。DC反馈偏置可以包括反向偏置信号和/或正向偏置信号。在一些实施方式中，反向偏置信号可以通过增加横向反馈腔118内的光吸收来降低反馈强度。在这些和其他实施方式中，正向偏置信号可以通过使用增益来补偿横向反馈腔118中的光140c的吸收来增加反馈强度。

可以通过修改DC反馈偏置电压来实现由反馈偏置VCSEL 100发射的光信号142的平坦调制响应(例如，调制响应的低峰值)。将在下文中参考图4-7来更详细地讨论调节DC反馈偏置电压，使得反馈偏置VCSEL 100发射包括平坦调制响应、较高的3dB带宽和较低的共振峰的光信号。

由横向反馈腔氧化物孔隙122的几何形状、施加到偏置金属接触114的DC反馈偏压以及垂直腔氧化物孔隙120所确定的反馈强度还可以改善光信号142的调制响应、3dB带宽和/或共振峰。与其他VCSEL技术(例如，不实施如本文所述的横向反馈腔118的反馈偏置的VCSEL)相比，改善光信号142的调制响应、3dB带宽和/或共振峰可以提高光信号142的调制速度。

同样，与其他VCSEL技术(例如，不实施横向反馈腔118的反馈偏置的VCSEL)相比，光信号142的3dB带宽可能不受ROF限制。另外，一些实施方式可以允许增加光信号142的调制速度。

图2示出了根据本文所述的至少一个实施方式的图1的反馈偏置VCSEL100的实施方式的芯片布局。该芯片布局可以包括第一反馈接地迹线228a和第二反馈接地迹线228b(统称为“反馈接地迹线228”)，以及第一光学接地迹线229a和第二光学接地迹线229b(统称为“光学接地迹线229”)。该芯片布局还可包括反馈信号迹线230a和光学信号迹线230b。另外，该芯片布局可以包括VCSEL台面(mesa)232。

光学信号迹线230b可以被配置为接收偏置电流加上RF信号，以注入到反馈偏置VCSEL 100的量子阱中，如上文关于图1所讨论的。光学接地迹线229可以被配置为完成允许偏置电流和/或RF信号流过反馈偏置VCSEL 100的电路。允许偏置电流和/或RF信号流过或注入到偏置VCSEL 100的量子阱中可以使反馈偏置VCSEL 100发光，如上文关于图1所讨论的。

反馈信号迹线230a可以被配置为接收DC反馈偏置电压，以如上文关于图1所讨论的那样来调节VCSEL 100的反馈腔的反馈强度。另外，反馈接地迹线228可以被配置为完成允许DC反馈偏置电压进入反馈偏置VCSEL 100的横向反馈腔118的电路。

VCSEL台面232可以包括被配置为基于由信号迹线230接收的DC反馈偏置电压、偏置电流和RF信号偏置横向反馈腔118并使反馈偏置VCSEL 100发光的多个部件。下文将结合图3更详细地讨论VCSEL台面232。

图3示出了根据本文描述的至少一个实施方式的图2的芯片布局的VCSEL台面232的详细视图。VCSEL台面232可包括p型接触金属层110、隔离注入物112、偏置金属接触114、垂直腔氧化物孔隙120和横向反馈腔氧化物孔隙122。在一些实施方式中，横向反馈腔氧化物孔隙122和垂直腔氧化物孔隙120可以限定氧化物孔隙。在一些实施方式中，氧化物孔隙的宽度可以在3微米至15微米之间。附加地或可替代地，氧化物孔隙的宽度可以小于3微米或大于15微米。此外，氧化物孔隙的长度可以在10至15微米之间。

在一些实施方式中，VCSEL台面232可以包括第一蚀刻沟槽334a、第二蚀刻沟槽334b、第三蚀刻沟槽334c、第四蚀刻沟槽334d、第五蚀刻沟槽334e、第六蚀刻沟槽334f和第七蚀刻沟槽334g(统称为“蚀刻沟槽334”)中的至少一个。

图4包括根据本文所述的至少一个实施方式，由图1的反馈偏置VCSEL100发射的光信号的3dB带宽(以千兆赫(GHz)为单位)作为反馈强度的函数的仿真图形表示400。可以根据公式1确定反馈强度。

η*exp(-2*α*L)/sqrt(1-η) 公式1

在公式1中，η可以是耦合到反馈腔的VCSEL腔中的激光模式的分数，α可以是反馈腔中的损耗(每长度单位)，L可以是反馈腔的长度。在一些实施方式中，η和L可以由设计的几何形状确定，并且α可以由施加到横向反馈腔的DC反馈偏置来调节(例如，负值用于正向偏置，正值用于零偏置或反向偏置(例如损失))。

曲线402表示光信号的3dB带宽与反馈DC偏置电压的反馈强度的函数关系。圆圈404和406表示在不同反馈强度处的不同采样带宽选择。

在图形表示400中表示的仿真中，圆圈404和406两者处的3dB带宽基本相同或相似。在仿真中，沿着曲线402，由圆圈404表示的第一点处的光信号的3dB带宽和由圆圈406表示的第二点处的光信号的3dB带宽基本相同或相似。在仿真中，由圆圈404表示的第一点位于大约0.16的反馈强度处，由圆圈406表示的第二点位于大约0.27的反馈强度处。

在仿真中，随着反馈强度增加到大约0.22，3dB带宽增加，在大约0.22的反馈强度处，3dB带宽急剧下降，直至达到大约0.23的反馈强度，在此之后，3dB带宽会再次开始增加，直至达到大约0.27的反馈强度，在大约0.27的反馈强度处，3dB带宽再次急剧下降。

图5包括根据本文所述的至少一个实施方式，由图1的反馈偏置VCSEL100发射的光信号的共振峰(以分贝(dB)为单位)作为反馈强度的函数的仿真图形表示500。

曲线502表示光信号的共振峰与反馈强度的函数关系。圆圈504和506代表在不同反馈强度处的不同采样带宽选择。圆圈504和506可以分别对应于以上关于图4讨论的圆圈404和406。例如，圆圈404和504都可以对应于在大约0.16的反馈强度处的测量结果。同样，圆圈406和506都可以对应于在大约0.27的反馈强度处的测量结果。

在图形表示500中表示的仿真中，尽管圆圈504和506对应于如上关于图4所讨论的相似的3dB带宽，但是在圆圈504和506两者处的共振峰可以是不同的。在仿真中，由圆圈504表示的第一点处的光信号的共振峰可以大约等于3dB。在仿真中，由圆圈506表示的第二点处的光信号的共振峰可以大约等于20dB。因此，与以大约0.27的反馈强度偏置反馈偏置VCSEL相比，以大约0.16的反馈强度偏置反馈偏置VCSEL可以实现与较低共振峰相对应的较大3dB带宽。

在仿真中，随着反馈强度增加到大约0.22，共振峰增加，在大约0.22的反馈强度处，共振峰急剧减小，直到达到大约0.23的反馈强度，在大约0.23的反馈强度处，共振峰通常会再次开始增加，直到达到大约0.27的反馈强度，在大约0.27的反馈强度处，共振峰再次急剧下降。增大的共振峰可能会引起许多错误和/或与通过光信号传输数据相关的其他问题。因此，会期望在较低的共振峰处(例如在与图5中的圆圈504相关联的共振峰处)操作反馈偏置VCSEL。还会期望在较高的3dB带宽下(例如在与图4中的圆圈404关联的3dB带宽下)操作反馈偏置VCSEL。通过以大约0.16的反馈强度操作反馈偏置VCSEL，可以同时实现较低的共振峰和较高的3dB带宽。

图6包括根据本文所述的至少一个实施方式，由图1的反馈偏置VCSEL100发射的光信号的调制响应作为频率的函数的仿真图形表示600。

曲线602表示在大约0.16的反馈强度下光信号的调制响应与光信号频率的函数关系。圆圈604表示调制响应的峰值。

在图形表示600中表示的仿真中，调制响应可以相对平坦，这意味着随着光信号的频率增加和/或减少，调制响应可能不会有太大变化。在仿真中，由圆圈604表示的第一点处的调制响应可以大致等于4dB。在仿真中，调制响应在大约18GHz处可能大约为0dB，在大约18GHz处，调制响应可能会略微增加，直至达到大约28GHz处的大约4dB。在大约80GHz处，调制响应会降低到大约-36dB。

图7包括根据本文所述的至少一个实施方式，由图1的反馈偏置VCSEL100发射的光信号的调制响应作为频率的函数的仿真图形表示700。

曲线702表示在大约0.27的反馈强度下光信号的调制响应与光信号的频率的函数关系。圆圈704代表调制响应的峰值。

在图形表示700中表示的仿真中，调制响应可相对陡峭，这意味着调制响应可以随着光信号的频率在至少一些频率范围上的增大和/或减小而显著变化。在仿真中，由圆圈704表示的第一点处的调制响应可大致等于20dB。在仿真中，调制响应在大约18GHz处可大约为0dB，在大约18GHz处，调制响应可增加，直至达到大约28GHz处的大约20dB。在大约80GHz处，调制响应可降低到大约-36dB。因此，与以大约0.27的反馈强度偏置反馈偏置VCSEL相比，以大约0.16的反馈强度偏置反馈偏置的VCSEL可以实现与较低共振峰和较平坦调制响应相对应的较大3dB带宽。

图8示出了根据本公开内容中描述的至少一个实施方式的用于偏置图1的反馈偏置VCSEL 100的方法800的流程图。方法800可以全部或部分地由反馈偏置VCSEL(例如图1的反馈偏置VCSEL 100)执行。虽然通过离散的框表示，但根据具体的实施方式，与方法800的一个或多个的框相关联的步骤和操作可以被分割成额外的框、组合成更少的框、或被消除。

方法800可以包括框802，在框802处，可以从有源区发射光。有源区可以包括在反馈偏置VCSEL中。在一些实施方式中，电流可以流经PN结以将载流子注入到反馈偏置VCSEL的有源区中。当偏置电流足够时，在有源区中产生光学增益，反馈偏置VCSEL可以开始“激发”，并且光可以由垂直腔(例如，垂直光学腔)发出，如上文所讨论的。

在框804处，光的第一部分可以穿过光学耦合至垂直腔的氧化物孔隙。替代地或附加地，氧化物孔隙可以包括在垂直腔中，和/或可以至少部分地形成和/或限定垂直腔。氧化物孔隙可以由包括一个或多个氧化区域和一个或多个非氧化区域的氧化层限定。如例如在图1-9中所公开的，隔离注入物可以将氧化物孔隙分成两个单独的孔隙。例如，氧化物孔隙可以包括由隔离注入物分开的垂直腔氧化层孔隙和横向反馈腔氧化物孔隙。

在框806处，光的第二部分可以进入横向反馈腔。光的第二部分可以由包括在横向反馈腔中的各个层朝向垂直腔反射。

在框808处，可以偏置横向反馈腔以调节由垂直腔发射的光。在一些实施方式中，偏置横向反馈腔可以调节横向反馈腔的增益或损耗。例如，反向偏置横向反馈腔可以增加横向反馈腔内的光吸收。作为另一个示例，正向偏置横向反馈腔可以减少横向反馈腔内的光吸收。

在一些实施方式中，方法800可以包括额外操作。例如，方法800还可包括使用目标反馈强度来偏置横向反馈腔。替代地或附加地，目标反馈强度可以被确定为与目标3dB带宽和目标共振峰两者相关联的目标反馈强度。可以根据公式1来计算目标反馈强度。可替代地或另外地，目标反馈强度可以是至少0.05、至少0.1、或至少0.15，例如0.16或大约0.16(例如，0.16±10％或20％)。目标3dB带宽可以是至少25GHz或至少30GHz，例如32.5GHz或大约32.5GHz。目标共振峰可以小于10dB或小于5dB，例如3dB或大约3dB。在一些实施方式中，可以在操作期间测量和/或估计反馈强度、3dB带宽和/或共振峰，并且可以向上或向下调节，直到测量值或估计值中的一个或多个等于或大致等于相应的目标。

在不脱离本公开内容的范围的情况下，可以对方法800进行修改、增加或省略。例如，方法800的操作可以以不同的顺序实施。另外地或替代地，可以同时执行两个或更多个操作。此外，概述的操作和动作仅作为示例提供，并且某些操作和动作可以是可选的，可以被组合为较少的操作和动作，或者可以被扩展为附加的操作和动作，这些不会背离所公开的实施方式的本质。

关于本文中基本上任何复数和/或单数术语的使用，本领域技术人员可以根据情况和/或应用将复数转换为单数和/或将单数转换为复数。为了清楚起见，可以在本文中明确地陈述各种单数/复数置换。

本领域技术人员将理解，通常，本文中，尤其是在所附权利要求中使用的术语(例如，所附权利要求的主体)通常旨在作为“开放”术语(例如，术语“包括”应当应解释为“包括但不限于”，术语“具有”应解释为“至少具有”，术语“包含”应解释为“包含但不限于”等)。本领域技术人员将进一步理解的是，如果引入的权利要求表述的特定数量是有意的，则该意图将在权利要求中明确表述，并且在没有该表述的情况下，不存在该意图。例如，为了帮助理解，以下所附权利要求可以包含介绍性短语“至少一个”和“一个或多个”的使用，以引入权利要求表述。然而，此类短语的使用不应解释为暗示由不定冠词“一”或“一个”引入的权利要求表述将任何包含这种引入的权利要求表述的特定权利要求限制为仅包含一个此类表述的实施方式，即使在同一权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”和不定冠词，诸如“一”或“一个”(例如，“一”和/或“一个”应解释为“至少一个”或“一个或多个”)；使用用于引入权利要求表述的定冠词也是如此。此外，即使明确列举了引入的权利要求表述的具体数量，本领域技术人员也将认识到，这种表述应至少理解为所表述的数量(例如，没有其他修饰词的“两个表述”的无修饰表述是指至少两个表述，或两个或更多个表述。此外，在使用类似于“A、B和C等中的至少一个”的约定(convention)的那些情况下，通常这样的结构的意图是本领域技术人员将理解所述约定的意义(例如，“具有A、B和C中至少一个的系统”将包括但不限于具有只有A、只有B、只有C、A+B、A+C、B+C和/或A+B+C等的系统)。在使用类似于“A、B或C等中的至少一个”的约定的那些情况下，通常这样的结构的意图是本领域技术人员将理解所述约定的意义(例如，“具有A、B或C中至少一个的系统”将包括但不限于具有只有A、只有B、只有C、A+B、A+C、B+C和/或A+B+C等的系统)。本领域技术人员还应当理解的是，几乎表示两个或多个可选术语的任何析取性(disjunctive)单词和/或短语，无论在说明书、权利要求书或附图中，应该被理解为设想包括术语中的之一、术语中的任一或两个术语的可能性。例如，短语“A或B”应当被理解为包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。

此外，当本公开内容的特征或方面被以马库什组的方式进行描述时，本领域技术人员将会认识到，本公开内容还因此被以所述马库什组的任何个体成员或成员的亚组进行描述。

如本领域技术人员应当理解的是，为了任何及所有目的，如就提供书面描述而言，本文中披露的所有范围还包括任何及所有可能的子范围及其子范围的组合。任何列出的范围可以被容易地识别为充分描述并使该相同的范围被分解为至少相等的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一、十分之一等。作为一个非限制性的例子，本文所讨论的每个范围可容易地分解成下三分之一、中间三分之一和上三分之一等。如本领域技术人员还应当理解的是，所有语言如“高达”、“至少”等包括所记载的数量，并且指可以被随后分解成如上所讨论的子范围的范围。最后，如本领域技术人员应当理解的是，范围包括每个个体成员。因此，例如，具有1-3个单元的组是指具有1个、2个或3个单元的组。类似地，具有1-5个单元的组是指具有1个、2个、3个、4个或5个单元的组，等等。

根据前述内容，将理解的是，出于说明的目的已经在本文中描述了本公开内容的各种实施方式，并且可以在不脱离本公开内容的范围和精神的情况下进行各种修改。因此，本文公开的各种实施方式不旨在进行限制，真实的范围和精神由随附权利要求指示。在不脱离本发明的精神或基本特征的情况下，本发明可以以其他特定形式实施。所描述的实施方式在所有方面仅应被认为是说明性的而非限制性的。因此，本发明的范围由随附权利要求书指示，而不是上文的描述指示。落入权利要求等同含义和范围内的所有改变均应包含在其范围之内。