阅读说明：本技术 边缘发射的半导体激光器和这种半导体激光器的运行方法 (Edge-emitting semiconductor laser and method for operating such a semiconductor laser ) 是由 彼得·富克斯 于 2018-06-05 设计创作，主要内容包括：在一个实施方式中,边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。(In one embodiment, an edge-emitting semiconductor laser (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) having an active region (22) for generating laser radiation (L). A facet (3) for coupling out and/or reflecting the laser radiation (L) is formed on the semiconductor layer sequence (2). A protective layer sequence (4) for protecting the edge surface (3) against damage is directly present on the edge surface (3). The protective layer sequence (4) has a monocrystalline starting layer (41), an intermediate layer (42) comprising at least one group 14 material, and at least one sealing layer (43) made of a nitride, oxide, or oxynitride in a direction away from the semiconductor layer sequence (2). The starting layer (41), the intermediate layer (42) and the sealing layer (43) are produced in pairs from different material systems.)

边缘发射的半导体激光器和这种半导体激光器的运行方法

技术领域

提出一种边缘发射的半导体激光器。此外，提出一种用于这种半导体激光器的运行方法。

背景技术

在文献US 2009/0257466A1中提出一种具有棱面钝化部的光电子半导体激光器。

文献DE 10 2009 054 912 A1涉及一种高功率激光二极管的钝化部。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种半导体激光器，其在光学功率大的情况下具有高的使用寿命。

所述目的尤其通过具有独立权利要求的特征的半导体激光器和通过运行方法实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。

根据至少一个实施方式，半导体激光器是边缘发射的激光器。这例如意味着，在运行中产生的激光辐射基本上垂直于半导体激光器的半导体层序列的生长方向引导。半导体激光器的放射光的面可以平行于或近似平行于生长方向定向。

尤其，半导体激光器中的谐振器路段垂直于生长方向伸展。

根据至少一个实施方式，半导体层序列设立用于产生激光辐射。为此，半导体层序列优选具有一个或多个有源区。在至少一个有源区中经由载流子复合，即电致发光产生激光辐射。

半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mN，或者是磷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mP，或者也是砷化物化合物半导体材料，如Al_nIn_1-n-mGa_mAs或如Al_nGa_mIn_1-n-mAs_kP_1-k，其中分别有0≤n≤1,0≤m≤1并且n+m≤1以及0≤k＜1。优选地，在此对于半导体层序列的至少一个层或对于所有层适用0＜n≤0.8，0.4≤m＜1并且n+m≤0.95以及0＜k≤0.5。在此，半导体层序列可以具有掺杂物以及附加的组成部分。为了简单，然而仅给出半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分可以部分地由少量其他物质替代和/或补充时也如此。

优选地，半导体层序列基于材料体系AlInGaAs，如上文所定义那样。

根据至少一个实施方式，半导体激光器在半导体层序列上具有至少一个棱面。棱面设立用于将激光辐射耦合输出和/或反射。尤其，在半导体层序列上在彼此相对置的侧面上存在两个棱面，所述棱面限定用于激光辐射的谐振器。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包含一个或多个保护层序列。至少一个保护层序列设立用于保护棱面防止损坏。优选地，保护层序列直接位于棱面上。可能的是，在每个设立用于将激光辐射耦合输出和/或反射的棱面上安置有保护层序列。

根据至少一个实施方式，保护层序列具有起始层。起始层优选是单晶层。尤其起始层是未结构化的、连通的且以保持相同的厚度产生的层。例如，起始层借助于分子束外延，简称MBE产生。

根据至少一个实施方式，起始层直接位于半导体层序列的棱面上。由此，起始层可以直接接触半导体层序列。

根据至少一个实施方式，保护层序列包括中间层。中间层距棱面比起始层更远。中间层包括元素周期表的至少一种14族材料或由其构成。尤其，中间层具有子层，所述子层由刚好一种14族材料构成。中间层例如借助于溅镀产生。

根据至少一个实施方式，层序列包括封闭层。封闭层距棱面比起始层和中间层更远。

根据至少一个实施方式，封闭层包括下面提到的材料类之一或由其构成：氮化物、氧化物、氮氧化物。

根据至少一个实施方式，起始层、中间层和封闭层由彼此不同的材料体系的材料构成。不同的材料体系例如意味着，存在不同的主材料组分。主材料组分尤其是相应的材料的主要的、例如结晶的组成部分。尤其，起始层和封闭层不具有14族材料。也就是说，元素周期表的14族材料在起始层和/或封闭层中优选最高以杂质的浓度存在。此外，这尤其意味着，起始层不是氧化物、氮化物或氮氧化物。尤其，起始层是硫化物、硒化物或碲化物。

在至少一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器包括具有用于产生激光辐射的有源区的半导体层序列。在半导体层序列上形成用于将激光辐射耦合输出和/或反射的棱面。直接在棱面上存在用于保护棱面防止损坏的保护层序列。保护层序列沿背离半导体层序列的方向具有单晶起始层、具有至少一种14族材料的中间层以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层。起始层、中间层以及封闭层成对地由不同的材料体系制造。

在此所描述的半导体激光器尤其基于如下构思，通过中间层对起始层相对于封闭层中的杂质提供保护。由此，能实现半导体激光器的特别高的使用寿命。在此，半导体激光器优选是近红外激光器，其具有在数瓦范围内的高的光学输出功率。

边缘发射的半导体激光器的反射镜或共振镜典型地由半导体晶体的平面平行的棱面形成，所述半导体晶体沿着晶体平面裂开。在这种具有高的光学功率的激光器的运行期间，在反射镜的范围内发生半导体材料的逐渐降解。降解尤其通过由于载流子的吸收和不进行辐射的复合引起的加热来驱动。

在棱面上的提高的温度除了带隙不利地减小之外又造成棱面的加剧的材料变化，尤其氧化，并且造成在晶体中的进一步的缺陷形成。由此，吸收和不进行辐射的复合继续升高。这又造成更强的加热，由此可以生成更多的材料缺陷，从中又造成增强的吸收和增强的加热。通过带隙减小还进行在棱面上的电流集中和光子的增多的吸收，这进一步增强加热，由此随着电流集中继续增加，带隙更强地减小。

如果激光棱面不足够稳定，那么这造成自增强的老化过程，最终通常突然造成灾难性的棱面损坏，英语catastrophic optical damage(光学灾变)或简称COD。所述损坏尤其通过半导体材料的迅速的过热和熔化进行，其结果是半导体激光器被破坏。由于所述机制，限制最大光学功率，其中半导体激光器可以在所要求的使用寿命期间运行。

棱面降解的一大部分尤其具有激光由于在由裂开产生的半导体棱面处的表面状态的吸收。为了抑制所述吸收，必须将在棱面的表面处的、造成吸收激光辐射的开放键饱和从而光学钝化。在此重要的是，选择直接施加在裂开的半导体棱面上的材料。直接在半导体棱面上的所述材料由起始层形成。

在最简单的情况下，起始层是无定形层，其例如通过物理沉积、如溅镀涂覆，并且已经可以造成边缘发射的半导体激光器的使用寿命的提高。在高的激光功率从而大的棱面负荷下，然而无定形的层是不够的。因此，在当前的半导体激光器中，起始层单晶地生长，尤其经由分子束外延生长。由此，能够实现起始层的材料与半导体晶体的表面原子的改善的接合从而能够改善开放键的饱和。

连接于所述单晶层，通常对应于封闭层直接施加一个或多个无定形的介电层作为阻挡物，尤其防止环境中的湿气，并且用于设定期望的棱面反射率。用于封闭层的材料在激光辐射的波长的范围内优选是透明的，以便避免激光辐射的吸收。

在这里所描述的半导体激光器中，附加地引入中间层，所述中间层优选直接位于起始层和至少一个封闭层之间。由此，明显地减缓半导体棱面的老化并且显著地提高半导体激光器的使用寿命。中间层的作用尤其可以在于，减少在起始层和封闭层之间的机械应力，由此可实现改善的粘附和稳定性。

此外，通过中间层可以实现：禁止来自环境的物质穿过起始层和到半导体材料中的扩散，尤其湿气以及还有位于封闭层中的污染物。

此外，将中间层施加到起始层上能够实现优选单晶的起始层的表面状态的有效的饱和。由此，防止出现在起始层的带隙的能量范围之内的状态，其中这些状态会吸收激光从而造成棱面的变热和降解。

这种穿过起始层扩散的污染物会造成进行吸收的晶体缺陷。这种污染物尤其通过制造工艺得到，例如通过溅镀设备的材料的不期望的引入、也称作为溅入，例如来自离子束源和溅镀腔的壁部。此外，也可以通过所使用的初始材料的杂质得到少量污染物。

已经证明是有效的中间层的是，由14族材料、如硅构成的、仅几nm厚的层。虽然在激光辐射的波长处，尤其与起始层的和封闭层的材料相比，中间层具有相对高的吸收，但是半导体激光器的使用寿命令人意外地明显提高。然而，由于吸收将中间层选择得薄。

在不那么优选的设计方案中可能的是，中间层由碳形成或者包括碳作为主要组成部分。在此情况下，中间层优选不作为金刚石层存在。

根据至少一个实施方式，起始层由(12族)(16族)材料构成。12族材料尤其是锌或镉。16族材料尤其是硫、硒或碲。优选地，起始层由ZnS或ZnSe构成。

根据至少一个实施方式，中间层由硅、锗、氧化硅和/或氧化锗构成。尤其，中间层是由硅和氧化硅、如二氧化硅构成的层。在中间层中存在至少一个或刚好一个子层，所述子层由14族材料构成。对于中间层优选仅沉积刚好一种14族材料，所述14族材料下面部分地氧化，使得优选产生一个或两个14族氧化物子层。“由……构成”在此和在下文中尤其意味着：存在具有最高10¹⁹l/cm或10¹⁸1/cm的浓度的杂质。

根据至少一个实施方式，至少一个封闭层是氧化物、氮化物或氮氧化物，其具有铝、硅和/或钽。尤其，封闭层或封闭层之一或所有封闭层由氧化铝、氮化硅、氧化硅、氧化钽、氮化铝、氮氧化铝和/或氮氧化硅构成。优选地，封闭层由Al₂O₃构成。如果存在多个封闭层，那么所述封闭层可以由不同材料构成。优选地，然而所有封闭层由相同材料构成。

根据至少一个实施方式，封闭层是无定形层。封闭层尤其借助于溅镀产生。

根据至少一个实施方式，封闭层在小的范围内具有杂质。杂质总计优选最高10¹⁶1/cm³或10¹⁹1/cm³或10²¹1/cm³浓度。杂质尤其由来自溅镀设备的金属，如Fe、Cr、Mo、Ni和/或Ti形成。同样地，作为杂质可以出现C。

根据至少一个实施方式，中间层在朝向封闭层的侧上氧化。换言之可行的是，中间层从封闭层起氧化。在此，尤其使用来自封闭层中的氧。例如，将氧化铝或超额的氧施加在封闭层中，使得在中间层中形成氧化硅或氧化锗。氧化优选不完全地穿透中间层，使得中间层的一部分保持作为硅子层或锗子层。在半导体激光器的运行时长期间，以中间层直接在其制造之后的初始厚度计，中间层的例如至少20％或40％和/或最高80％或60％氧化。

根据至少一个实施方式，中间层具有至少0.1nm或0.2nm或1nm或2nm或3nm的厚度。替选地或附加地，中间层的厚度位于最高50nm或20nm或10nm或6nm或4nm。优选地，中间层的厚度在1.5nm和3.5nm之间，其中包含边界值。

根据至少一个实施方式，起始层具有至少10nm或20nm的厚度。替选地或附加地，起始层的厚度为最高200nm或100nm或60nm。

根据至少一个实施方式，起始层的厚度为封闭层的厚度的至少5％或10％或15％。替选地或附加地，起始层的厚度为封闭层的厚度的最高60％或40％或30％。

根据至少一个实施方式，封闭层具有至少15nm或25nm或50nm的厚度。替选地或附加地，封闭层的厚度为最高1μm或0.5μm或250nm。

根据至少一个实施方式，起始层比中间层更厚。优选地，起始层的厚度是中间层的厚度的至少3倍或5倍或7倍和/或最高20倍或10倍。

根据至少一个实施方式，保护层序列位于半导体激光器的耦合输出侧上，所述耦合输出侧设计用于将激光辐射耦合输出。由此，保护层序列可以构成为起防反射作用的层或构成为防反射层。保护层序列的光学厚度总计优选为(1+N)λ/4。以光学厚度计，这尤其以最高λ/8或λ/16或λ/32的公差适用。

光学厚度意味着，参与的材料的相应的折射率已经被考虑，而在上面提到的公式关系中没有详尽地出现。在此，λ是激光辐射的最大强度的波长并且N是≥0的整数。优选适用N＝0或N＝1。反射率在这种层中可以为0.1％或更少。

经由与防反射层的理想厚度的(1+N)λ/4的期望的偏差，可以将反射率也有针对性地设定，尤其提高。

例如保护层序列对于激光辐射的反射率为至少0.5％或1％和/或最高10％或5％或2％。

根据至少一个实施方式，保护层序列位于半导体激光器的反射侧上，所述反射层设立用于反射激光辐射。也就是说，保护层序列可以位于半导体激光器的共振镜上或位于其中。在此，保护层序列优选包含在形成共振镜的布拉格反射镜中。布拉格反射镜设立用于反射激光辐射并且优选具有对于激光辐射的至少95％或98％或99.5％的反射率。

根据至少一个实施方式，布拉格反射镜包括至少3个或4个和/或最高20个或12个或8个或6个层对。层对分别由对于激光辐射具有高的折射率的高折射层和具有相对低的折射率的低折射层形成。高折射层和低折射层之间的折射率差例如为至少0.2或0.3或0.5和/或最高1.5或1或0.7。优选地，布拉格反射镜由四个层堆构成。

根据至少一个实施方式，布拉格反射镜具有两种或多于两种类型的层对，其具有不同的材料组成。例如，一种类型的层对仅由对于激光辐射可穿透的材料形成并且另一种类型的层对具有尤其高折射率的层，所述层由对于激光辐射进行吸收的材料构成。例如，第一种类型的层对由氧化铝和氧化钽或氧化钛构成，并且第二种类型的层对由氧化铝和硅构成。

根据至少一个实施方式，存在刚好一个起始层、刚好一个中间层和刚好一个封闭层。这些层以提到的顺序优选直接彼此跟随，在棱面处起始。

根据至少一个实施方式，存在M个封闭层和M或M-1个中间层。在此，M是整数，其中M≥3或M≥2，尤其M＝3。封闭层优选各自位于中间层的彼此相对置的侧上。也就是说，在两个相邻的封闭层之间存在各一个中间层。此外，可选地中间层可以位于距棱面最远的封闭层的背离棱面的侧上。

根据至少一个实施方式，封闭层之一直接位于起始层上。从直接在起始层处的所述封闭层起始，层序列的其余的封闭层和中间层交替地且优选直接地彼此跟随。

根据至少一个实施方式，存在J个封闭层和J或J+1个中间层。在此，J是≥2或≥3的整数。

尤其适用J＝3。在此，中间层和封闭层优选交替地和/或直接地彼此跟随。

根据至少一个实施方式，中间层之一直接位于起始层上。从所述中间层开始，其他中间层和封闭层交替地且优选直接地彼此跟随，沿背离起始层的方向。

根据至少一个实施方式，半导体激光器针对至少2W或4W或8W的激光辐射的平均发射功率设立。尤其，平均发射功率为至少10W或13W。

根据至少一个实施方式，在半导体激光器的常规运行中，在其上存在保护层序列的棱面上存在至少暂时地且至少局部地为至少2MW/cm²或6MW/cm²和/或最高8MW/cm²或12MW/cm²的能量密度。由此，在棱面上存在非常高的能量密度。

根据至少一个实施方式，半导体激光器设立用于产生近红外辐射。激光辐射的最大强度的波长优选为至少800nm或880nm或900nm和/或最高1300nm或1050nm或980nm。尤其，最大强度的波长为910nm。

此外，提出一种用于运行这种半导体激光器的运行方法。因此，对于半导体激光器的特征也对于运行方法公开并且反之亦然。

在至少一个实施方式中，至少一个中间层对于所产生的激光辐射是吸收性的。尤其，中间层包括具有比对应于激光辐射的最大强度的波长更小的带隙的材料。在此，激光辐射在中间层中的吸收随着运行时长增加而减少。

根据至少一个实施方式，至少一个中间层，优选所有中间层，随着运行时长增加，从朝向封闭层的侧起氧化。在此，优选每个中间层一对一地与封闭层相关联。

如果存在多个封闭层，在所述封闭层之间安置有中间层，那么可能的是，仅在朝向棱面从而朝向起始层的方向上进行氧化。替选地，在此情况下，可以从中间层的两个主侧起进行氧化，即在朝向起始层和背离起始层的方向，从各所属的封闭层开始。

根据至少一个实施方式，中间层在半导体激光器的常规使用中仅部分地氧化。也就是说，中间层的原材料，尤其硅或替选地还有锗，作为优选连续的且不中断的层也在半导体激光器的运行时长期间在中间层中保持作为至少薄的子层存在。尤其，中间层关于其沿垂直于起始层的方向的扩展以最高80％氧化。

附图说明

下面，参照附图根据实施例详细阐述在此所描述的半导体激光器。相同的附图标记在此在各个附图中说明相同的元件。然而，在此没有示出符合比例的关系，更确切地说为了更好的理解可以夸大地示出个别元件。

附图示出：

图1、2、4和5示出在此所描述的半导体激光器的实施例的示意剖面图；

图3示出在此所描述的半导体激光器的一个实施例的示意立体图；以及

图6示出半导体激光器的光学输出功率的示意的时间变化曲线。

具体实施方式

在图1中示出边缘发射的半导体激光器1的一个实施例。在衬底21上，生长具有用于产生激光辐射L的有源区22的半导体层序列2。为了对半导体层序列2通电，在衬底21上以及在半导体层序列2上安置有两个金属化部6。有源区22垂直于半导体层序列的生长方向G取向。

半导体层序列2在晶片复合件中生长。例如通过折断分割成半导体激光器1，由此在半导体层序列2处产生棱面3。尤其，棱面3在半导体激光器1的耦合输出侧11上形成。在耦合输出侧11上，激光辐射L从半导体激光器1中射出。

在耦合输出侧11的棱面3上存在保护层序列4。保护层序列4由起始层41、中间层42和封闭层43组成。这些层41、42、43沿背离棱面3的方向直接彼此跟随。通过直接在棱面3上的起始层41进行半导体层序列2的半导体材料的表面状态的钝化。通过中间层42实现在起始层41和封闭层43之间的增附，中间层42还形成扩散阻挡物。通过封闭层43实现例如防止来自半导体激光器1的环境的湿气的阻挡效果。

半导体层序列2优选基于材料体系AlInGaAs。起始层41优选是具有25nm的厚度的单晶的ZnSe层，借助于MBE制造。中间层42尤其由大约厚度为2.5nm的Si溅镀。封闭层43例如是无定形的Al₂O₃层，其厚度为112nm，同样借助于溅镀制造。

在由对于激光辐射L进行吸收的材料产生中间层42之后，进行部分氧化。由此，中间层42在少量时间之后由14族子层44和14族氧化物子层45组成。随着半导体激光器1的运行时长增加，14族子层44的厚度减少并且相应地14族氧化物子层45的厚度增加，其中然而优选14族子层44不完全氧化。由此，中间层42在此期间变得对于激光辐射L越来越透明。

保护层序列4总体上是对于激光辐射L的防反射层。保护层序列4的反射率例如为大约1％。在此，激光辐射L的最大强度的波长为910nm。在最大强度的其他波长的情况下，相应地调整起始层41和/或封闭层43的厚度，以便达到期望的反射率。

在图2中说明半导体激光器1的另一实施例。在此，保护层序列4位于半导体激光器1的反射侧12上，在所述反射侧上反射激光辐射L。为此，保护层序列4是布拉格反射镜5的一部分，其具有交替地彼此跟随的具有高折射率的层51和具有低折射率的层52。层51、52分别具有λ/4的光学厚度，其中λ是激光辐射L的最大强度的波长。

通过保护层序列4形成距反射侧12的棱面3最近的具有低折射率的层52。在此，布拉格反射镜5具有两个区域5a、5b，所述区域由不同材料组成。所述区域5a、5b中的每个优选具有刚好两个由层51、52构成的层对。在棱面3上的区域5a的其他低折射率的层52优选由氧化铝层形成。区域5a的高折射率的层51优选通过氧化钽层或氧化钛层实现。区域5b的高折射层51例如是硅层，区域5b的低折射层52优选同样是氧化铝层。

优选地，两个棱面3，即不仅在耦合输出侧11上而且在反射侧12上，设有保护层序列4。

根据图3的实施例的半导体激光器1具有多个发射单元10。例如五个发射单元10中的每个由半导体激光器1形成，如在图1或2中所示出。发射单元10可以单片地集成在半导体层序列2中以及衬底21中，在图3中通过发射单元10之间的虚线象征性地表明。替选可能的是，各个发射单元10通过缝隙彼此分开和/或在未示出的、另外的载体上安置。

例如，每个发射单元10设立用于发射相同波长的激光辐射L。每个发射单元10的光学功率优选为至少10W。各个发射单元10可以是彼此构造相同的。

在图4的实施例中，存在多个封闭层43。在相邻的封闭层43之间存在各一个中间层2。封闭层43优选全部构造相同地构成。相应的内容优选适用于中间层42。距半导体层序列2最近的封闭层43直接跟随起始层41。

因为中间层42由对于激光辐射L进行吸收的材料构成，所以中间层42分别选择为非常薄的。由于在保护层序列4中的放热和由于高的射束强度，尤其硅中间层42在半导体激光器1的运行期间，从所属的封闭层43起转换为氧化硅，如结合图1所阐述。所述转换可以大部分地已经在半导体激光器1的前几个运行分钟期间进行并且部分地也已经在产生封闭层43以及中间层42期间进行。因此，氧化的明显可测量的份额在用保护层序列40覆层之后已经在退火时发生。到氧化硅的继续转换然而在较大的时标上进行。因此，通过中间层42的吸收在数百个运行小时的时标上进一步明显降低。也就是说，随着运行时长增加，保护层序列4变得对于激光辐射L越来越可穿透。

通过使用多个中间层42，可以实现改善的扩散阻挡物。通过从中间层42的边缘起氧化中间层42，在此每个中间层42例如在几百运行小时之后以大约60％氧化。中间层42的氧化尤其仅直至非常小的在1nm至2nm的范围内的深度进行。通过使用多个中间层42，在此能有效地实现良好的阻挡作用，在硅层厚度总体上小的情况下。与其不同，唯一的、实心的且较厚的硅层仅以明显更小的份额氧化，由此带来对于激光辐射L的更高的吸收损失。

在图5的实施例中，又存在多个中间层42和多个封闭层43。从起始层41起，由中间层42和封闭层43构成的对交替地直接彼此跟随。尤其，通过距起始层41最近的中间层42能实现封闭层43在起始层41上的改善的层附着。

如也在图4中那样，在图5的实施例中可能的是，另外的、未示出的中间层位于保护层序列4的背离棱面3的外侧上，所述外侧对保护层序列4向外限界。

在图6A和6B中相对于运行时长t绘制相对的光学输出功率P。在此，使用分别具有五个发射单元10的半导体激光器1，如在图3中所示出。在图6B中的视图在此涉及具有在那描述的保护层序列4的图1的实施例。在图6A中说明比较半导体激光器，其中然而在其他方面相同构造的情况下，缺少中间层42。

五个发射单元10，参见图3，总共以62A的电流运行，在65W的测量序列开始时的光学输出功率中得出。所述测量在20℃的周围温度下进行。

根据图6A在大约800运行小时之后所有发射单元10失效。由此，从图6A中得出大约600h的所述半导体激光器的使用寿命。与之相对，根据图6B直至2170运行小时，发射单元10不失效。从图6B中从而由于中间层42读出至少2170小时的明显提高的使用寿命。

在图中示出的部件，只要没有另作说明，优选以给定的顺序分别直接彼此跟随。在附图中不接触的层优选彼此间隔开。只要线彼此平行地示出，那么相应的面优选同样彼此平行地定向。同样，只要没有另作说明，示出的部件相对于彼此的相对位置在附图中正确地描述。

在此所描述的发明不受根据实施例的描述限制。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身并未详尽地在权利要求或实施例中给出时也如此。

所述专利申请要求德国专利申请10 2017 112 610.4的优先权，其公开内容通过参引结合于此。

附图标记列表

1 半导体激光器

10 发射单元

11 耦合输出侧

12 反射侧

2 半导体层序列

21 衬底

22 有源区

3 棱面

4 保护层序列

41 起始层

42 中间层

43 封闭层

44 14族子层

45 14族氧化物子层

5 布拉格反射镜

51 高折射层

52 低折射层

6 金属化部

G 半导体层序列的生长方向

L 激光辐射

P 以％为单位的光学功率

t 以h为单位的时间