具体实施方式

实施方式1

参照附图对实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法、半导体激光器装置制造方法、半导体装置制造方法、半导体激光器装置20以及半导体装置50进行说明。对相同或对应的构成要素有时标注相同的附图标记，并省略反复说明。图1是实施方式1所涉及的包含半导体激光器端面保护膜形成方法、半导体激光器装置制造方法的半导体装置制造方法的流程图。图2是表示实施方式1所涉及的半导体激光器装置的图，图3是表示实施方式1所涉及的半导体装置的图。图4是实施方式1所涉及的半导体激光器棒的鸟瞰图，图5是图4的半导体激光器棒的与y方向垂直的剖视图。图6是图2的形成有保护膜的半导体激光器棒的鸟瞰图。图7是图4的半导体激光器棒的与x方向垂直的剖视图，图8是图6的半导体激光器棒的与x方向垂直的剖视图。图9是图2的副安装座棒的鸟瞰图，图10是图9的副安装座棒的与x方向垂直的剖视图。图11、图12、图13分别是说明将图4的半导体激光器棒以及图9的副安装座棒设置于设置夹具的方法的图。图14是表示实施方式1所涉及的设置夹具的图，图15是图14的设置夹具的x方向的侧视图。图16、图17分别是说明实施方式1所涉及的接合工序的图。图18、图19分别是说明实施方式1所涉及的保护膜形成工序的图。

半导体激光器装置20具备：半导体激光器棒33，其为在解理端面14形成有保护膜19的棒形状的半导体激光器；和副安装座棒21，其为具有主体和金属层23的棒形状的副安装座。副安装座棒21的主体为副安装座棒主体22。半导体激光器棒33具备：半导体构造部16，其形成有多个发光区域18；表面电极15a，其形成于半导体构造部16的表面(与副安装座棒21相对的面的相反面)；背面电极15b，其形成于半导体构造部16的背面(与副安装座棒21相对的面)；以及保护膜19，其形成于解理端面14。表面电极15a以及背面电极15b分别形成于半导体构造部16的与解理端面14不同的面。此外，对在解理端面14未形成保护膜19的半导体激光器棒标注附图标记3。半导体装置50具备：半导体激光器棒33以及副安装座棒21，即半导体激光器装置20；和具有块主体52以及金属层53的块51。金属层53为金等。金属层53形成在块主体52的表面(与副安装座棒21相对的面)，半导体激光器装置20通过作为钎料的焊料24固定搭载于块51。这里，对半导体激光器装置20、半导体装置50的坐标系进行说明。将半导体激光器棒3、33的长边方向、短边方向分别设为x方向、y方向，将从半导体激光器棒3、33的背面电极15b向表面电极15a的方向设为z方向。

使用图1，对半导体激光器端面保护膜形成方法、半导体激光器装置制造方法以及半导体装置制造方法进行说明。作为步骤S001，准备形成为棒形状的副安装座棒21以及半导体激光器棒3(材料准备工序)。作为步骤S002，将多个半导体激光器棒3以及副安装座棒21交替重叠地设置于设置夹具40(夹具设置工序)。作为步骤S003，在形成保护膜19的端面保护膜形成装置60设置固定有半导体激光器棒3以及副安装座棒21的设置夹具40，将半导体激光器棒3与副安装座棒21接合(接合工序)。作为步骤S004，通过端面保护膜形成装置60在半导体激光器棒3的解理端面14形成保护膜19(保护膜形成工序)。作为步骤S005，从端面保护膜形成装置60取出设置夹具40，从设置夹具40单独地取出具有在解理端面14形成有保护膜19的半导体激光器棒33的半导体激光器装置20(半导体激光器装置搬出工序)。步骤S001～步骤S005是制造半导体激光器装置20的方法，即半导体激光器装置制造方法。此外，在使用半导体激光器装置20制造产品的情况下，存在接下来的工序，因此将步骤S001～步骤S005的半导体激光器装置制造方法称为半导体激光器装置制造工序。通过步骤S006，将制造出的半导体激光器装置20固定搭载于块51，来制造半导体装置50(块搭载工序)。步骤S001～步骤S006是制造半导体装置50的半导体装置制造方法。步骤S002～步骤S004是半导体激光器端面保护膜形成方法。此外，半导体装置制造方法包含半导体激光器装置制造工序和块搭载工序。

接下来，对步骤S001～步骤S006的各工序详细地进行说明。步骤S001的材料准备工序包含准备形成为棒形状的副安装座棒21的副安装座棒准备工序、和准备形成为棒形状的半导体激光器棒3的激光器棒准备工序。通过副安装座棒准备工序，制成将板状的AlN、SiC等半导体基板分离成棒形状的副安装座棒主体22，在与半导体激光器棒3的背面电极15b接合的面(表面)使用蒸镀装置、溅射装置、电镀技术等而形成Au(金)等金属层23。此外，金属层23是与半导体激光器棒3的背面电极15b接合的金属层，只要是进行金属扩散接合的金属即可。在不同种类金属彼此进行金属扩散接合的情况下，金属层23也可以为Ag(银)、Pt(白金)等。通常半导体激光器棒33的背面电极15b为金，在这种情况下金属层23优选为金。

通常不希望对半导体激光器施加高的温度，高温成为元件劣化的重要因素。在将金彼此接合的金接合的情况下，已知接合所需的温度低，在高真空中为150～200℃。示出有虽然在大气中处理，但在150℃下实施了金接合的事例(参照精密工学会志Vol.79，No.8，(2013)的719页～724页)。若为该温度区域，则不会对半导体激光器带来负面影响。另外，在实施方式1中，在不与半导体激光器棒3接合的副安装座棒21的面(背面)不形成金属层23。由此，即使在使多个半导体激光器棒3与副安装座棒21接触的状态下进行端面保护膜的形成(参照图13)，副安装座棒21的背面与半导体激光器棒33的表面电极15a也不接合，即，不产生半导体激光器装置20彼此的接合，从设置夹具40取出半导体激光器装置20的作业变得容易。

在激光器棒准备工序中，在由GaAs、InP等构成的半导体基板上使用MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition)装置、MBE(Molecular Beam Epitaxy)装置层叠构成半导体激光器构造的外延层。其后，使用光刻技术、蚀刻技术、杂质注入技术等来形成条纹区域。其后，使用蒸镀装置、溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置等来形成SiN、SiO₂等钝化膜，为了将半导体激光器的驱动用电流有效地注入条纹区域，实施半导体基板的薄板化而形成半导体构造部16。其后，在半导体构造部16的层叠构造的表面以及半导体基板的背面使用蒸镀装置、溅射装置来制成具有设置有电极的数千个半导体激光器的发光区域18的晶片。接下来，如图4所示，将制成的晶片沿结晶轴方向解理，形成作为半导体激光器的端面的解理端面14，并且分离成棒形状而制成半导体激光器棒3。表面电极15a例如为Ti(钛)/Pt/Au的层叠构造。Au(金)为最表面的金属。背面电极15b为仅有金或最表面为金的层叠构造。优选构成表面电极15a、背面电极15b的膜的最表面为金。

接下来，执行步骤S002的夹具设置工序。将准备好的半导体激光器棒3以及副安装座棒21设置于设置夹具40。设置夹具40具备固定板42、具有开口43的开口部件41、推动器46、以及盖44。例如，一个开口部件(第一开口部件)41通过固定螺钉39固定于固定板42。此外，在半导体激光器棒3以及副安装座棒21配置于固定板42后，其他开口部件(第二开口部件)41通过固定螺钉39固定于固定板42。如图13所示，半导体激光器棒3以及副安装座棒21配置为相对于固定板42，以副安装座棒21成为下侧的方式依次层叠。首先，如图11所示，使副安装座棒21与开口部件41接触的同时设置于固定板42上。接下来，如12所示，以使半导体激光器棒3与开口部件41接触的同时使背面电极15b与副安装座棒21的金属层23接触的方式，将半导体激光器棒3设置于副安装座棒21之上。完成由构成半导体激光器装置20的副安装座棒21和半导体激光器棒3堆叠而成的中间体34的设置。如图15所示，在该中间体34之上依次堆放多个中间体34。在图15中，示出有4个中间体34设置于设置夹具40的例子。包含推动器46的设置夹具40的材料优选为SUS(不锈钢)。

对在下层的中间体34之上设置下一中间体34的方法进行详细地叙述。如图13所示，以使副安装座棒21与开口部件41接触的同时使副安装座棒21的背面(与金属层23相反侧的面)与下层的中间体34中的半导体激光器棒3的表面电极15a接触的方式，将副安装座棒21设置于半导体激光器棒3之上。接下来，以使半导体激光器棒3与开口部件41接触的同时使背面电极15b与副安装座棒21的金属层23接触的方式，将半导体激光器棒3设置于副安装座棒21之上。在图13中，示出有3个堆叠副安装座棒21和半导体激光器棒3而成的中间体34设置于设置夹具40的固定板42的例子。半导体激光器棒3的背面电极15b与形成于副安装座棒21的金属层23接触。半导体激光器棒3的表面电极15a与未形成金属层23的副安装座棒21的背面或推动器46接触，即不与形成于副安装座棒21的金属层23接触。

在多个中间体34设置于固定板42后，以通过固定好的开口部件14夹住副安装座棒21以及半导体激光器棒3的中间体34的方式将其他开口部件41配置于固定板42，并通过固定螺钉39临时固定于固定板42。此时，在半导体激光器棒3的解理端面14的两端即长边方向的两端(x方向的两端)未成为开口部件41的开口43的外侧的情况下，以使得半导体激光器棒3的解理端面14的两端成为开口部件41的开口43的外侧的方式调整配置。其后，使作为按压夹具的推动器46载置于最上部的中间体34之上，以覆盖多个中间体34的长边方向的端面(x方向的端面)、推动器46的表面的方式将盖44载置于固定板42。将螺栓48插入形成于开口部件41的孔38，通过螺母49将盖44固定于两个开口部件41。其后，将临时固定的其他开口部件41固定于固定板42，将固定螺钉39拧入形成于盖44的螺纹孔37，用固定板42和推动器46夹住多个中间体34进行固定。

在夹具设置工序中，以使半导体激光器棒3的一个解理端面14以及另一个解理端面14分别从一个开口部件(第一开口部件)41以及另一个开口部件(第二开口部件)41的开口43暴露的方式，将多个副安装座棒21以及半导体激光器棒3配置于设置夹具40，通过推动器46将多个副安装座棒21以及半导体激光器棒3以被按压在固定板42的状态固定设置于设置夹具40。推动器46按压中间体34的压力设为足够使半导体激光器棒3与副安装座棒21进行金属接合的压力。使用推动器46将半导体激光器棒3以及副安装座棒21以按压在设置夹具40的状态进行固定，从而结束夹具设置工序。按压中间体34的压力例如为70gf·cm。

将设置有多个半导体激光器棒3以及副安装座棒21的设置夹具40设置于端面保护膜形成装置60，执行步骤S003的接合工序、步骤S004的保护膜形成工序。端面保护膜形成装置60例如为溅射装置、蒸镀装置、CVD装置、MBE装置等。在图16示出有设置于端面保护膜形成装置60的3个中间体34a、34b、34c。中间体的附图标记总体上使用34，在区分时使用34a、34b、34c。同样，半导体激光器棒的附图标记总体上使用3，在区分时使用3a、3b、3c。副安装座棒的附图标记总体上使用21，在区分时使用21a、21b、21c。在图16中，示出了具有在右侧以及左侧即y方向上配置有解理端面14的半导体激光器棒3的3个中间体34a、34b、34c的与x方向垂直的截面。成为在中间体34a、34b、34c的右侧以及左侧即y方向的负侧以及正侧配置有开口部件41(未图示)，并且在中间体34c的z方向的正侧的面配置有推动器46(未图示)的状态。中间体34a具有副安装座棒21a以及半导体激光器棒3a。同样，中间体34b具有副安装座棒21b以及半导体激光器棒3b，中间体34c具有副安装座棒21c以及半导体激光器棒3c。

在将设置有多个半导体激光器棒3以及副安装座棒21的设置夹具40设置于端面保护膜形成装置60后，为了防止半导体激光器棒3的解理端面14的氧化，且防止碳(C)等杂质附着，而优选将端面保护膜形成装置60内设为真空。其后，使端面保护膜形成装置60的内部即保护膜形成室(主室)内升温，如图17所示，使形成于副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b接合。在半导体激光器棒3的背面电极15b的表面为金，且副安装座棒21的金属层23为金的情况下，相当于使副安装座棒21与半导体激光器棒3进行金接合。例如，进行接合工序的温度亦即金属接合温度为150～200℃。金属接合温度优选为在形成保护膜19的保护膜形成温度以下，且为副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b的表面金属接合的温度。半导体激光器棒3与副安装座棒21接合的中间体34即接合工序结束的中间体34，形成有将副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b接合的金属接合部61。此外，在图17中，示出有3个中间体34a、34b、34c因热膨胀而在相邻的中间体之间产生微小的缝隙的状态。此外，在图17中，省略端面保护膜形成装置60，夸大地表现出缝隙。图18、图19也省略端面保护膜形成装置60，也夸大地表现出缝隙。

接下来，如图18所示，在接合工序后，将端面保护膜形成装置60内部的温度变更为保护膜形成温度，使保护膜粒子8从开口部件41的开口43向半导体激光器棒3的一个解理端面14附着保护膜粒子8，形成保护膜19。保护膜19例如由Al₂O₃、SiO₂等氧化膜、SiN等氮化膜等构成。在形成保护膜时，为了控制保护膜19的组成以及提高膜质，而将保护膜形成温度设定为高于室温。例如，保护膜形成温度为100～150℃。

在一个解理端面14形成保护膜19后，如图19所示，通过端面保护膜形成装置60的旋转机构(未图示)使设置夹具40旋转180度，保护膜粒子8附着在其他解理端面14，而形成保护膜19。即，在保护膜形成工序中，在半导体激光器棒3中的一个解理端面14形成保护膜19后，不是分解设置夹具40，而是变更设置夹具40的朝向以使得保护膜19的材料粒子亦即保护膜粒子8到达半导体激光器棒3中的另一个解理端面14，从而在半导体激光器棒3中的另一个解理端面14形成保护膜19。此外，在图18、图19中，示出有保护膜粒子8从右向左行进的例子。另外，示出有3个中间体34a、34b、34c因热膨胀而在与相邻的中间体之间产生微小的缝隙的状态。此时，副安装座棒21的背面和半导体激光器棒3的表面电极15a存在凹凸，且设置夹具40通过推动器46按压的同时抑制各中间体34a、34b、34c向x方向、y方向、z方向移动，因此缝隙从保护膜粒子8所行进的上游侧(y方向的正侧)的解理端面14到达下游侧(y方向的负侧)的解理端面14的可能性极小。

此外，旋转机构也可以设置于子室，该子室设置于端面保护膜形成装置60。在该情况下，使设置夹具40一旦返回到子室并反转后，再次设置于端面保护膜形成装置60之后，形成保护膜19。在端面保护膜形成装置60中的形成保护膜19的主室或子室设置有旋转机构的情况下，由于不使设置夹具40暴露到大气中，所以能够格地减少形成于解理端面14的自然氧化膜。在端面保护膜形成装置60没有旋转机构的情况下，在一个解理端面14形成保护膜19后，从端面保护膜形成装置60取出，并通过搬运装置等使设置夹具40反转，并再次设置于端面保护膜形成装置60后在其他解理端面14形成保护膜19。即使在保护膜形成工序的中途从端面保护膜形成装置60的外部取出的情况下，与在半导体激光器形成解理端面后进行副安装座的芯片接合、线接合、耐热片包覆的工序并且之后在解理对面形成保护膜的专利文献1的端面保护膜形成方法相比，也能够减少形成于解理端面14的自然氧化膜。

此外，虽然以使设置夹具40反转的例子即旋转180度的例子进行说明，但并不限定于180度。在形成保护膜19的保护膜粒子8的产生源为1个的情况下，使解理端面14朝向保护膜粒子8的产生源即可，例如与解理端面14垂直的垂线、与连接产生源和解理端面14的长边方向的中心而成的线的角度成为30度以内即可。在保护膜粒子8的产生源为2个的情况下，使未形成有保护膜19的解理端面14暴露的设置夹具40的开口43朝向其他产生源。

通常在如专利文献1的图5那样，在夹具固定半导体激光器棒的情况下，将隔离件插入到半导体激光器棒间。在形成保护膜时，保护膜形成的温度上升，其结果，由于半导体激光器棒、隔离件等的热膨胀系数的不同，而在半导体激光器棒与隔离件之间产生缝隙，保护膜粒子进入到缝隙，并附着于半导体激光器棒的电极面。但是，在实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成中，形成有金属接合部61的部分，即使上升至保护膜形成的温度，由于金属接合部61已经形成，所以也不会在接合的半导体激光器棒3与副安装座棒21之间产生缝隙。因此，保护膜粒子8不附着于将副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b接合的每一个表面。

通常半导体激光器棒与副安装座棒的接合通过作为钎料的焊料进行。但是，在实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成中，不使用焊料，而是采用副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒33的背面电极15b的金属接合。在实施方式1的半导体激光器装置20通过金来接合的情况下，即，在副安装座棒21的金属层23为金，半导体激光器棒33的背面电极15b的表面为金，金属接合部61为金接合部的情况下，由于金的热传导率比焊料的热传导率高，因此能够将由半导体激光器棒的驱动产生的热高效地排出到副安装座棒21。这里金(Au)的热传导率为315w/m·K，金锡(AuSn)焊料的热传导率为57w/m·K。

此外，虽然示出有在端面保护膜形成装置60内实施接合工序的例子，但也可以在其他装置内实施接合工序。但是，在端面保护膜形成装置60内实施接合工序时，在操作性以及费用方面有效。

在步骤S004的保护膜形成工序之后，执行步骤S005的半导体激光器装置搬出工序。从端面保护膜形成装置60取出设置夹具40，从设置夹具40单独地取出具有在解理端面14形成有保护膜19的半导体激光器棒33的半导体激光器装置20。其后，执行步骤S006的块搭载工序。向半导体激光器装置20的副安装座棒21的背面供给焊料等，并将半导体激光器装置20搭载于块51。使半导体激光器装置20通过焊料24等钎料与块51的金属层53接合。此外，也可以向块51的金属层53供给焊料24等钎料，并将半导体激光器装置20搭载于块51。

实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法，在半导体激光器棒3的解理端面14形成保护膜19之前，对半导体激光器棒3与副安装座棒21进行金属接合，由此在形成保护膜19时，不在副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b之间产生缝隙，因此保护膜粒子8不附着于将副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b接合的每一个表面。实施方式1的半导体激光器装置20、半导体装置50由于保护膜粒子8不附着于将副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b接合的每一个表面，所以能够将由半导体激光器装置20、半导体装置50的驱动而产生的热高效地排出到副安装座棒21，从而能够抑制COD劣化等由端面引起的元件劣化。

另外，实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法，能够在同一装置内实施将半导体激光器棒3与副安装座棒21进行金属接合的接合工序、和在半导体激光器棒3的解理端面14形成保护膜19的保护膜形成工序，且能够在几个小时内实施从利用解理技术形成半导体激光器棒3的解理端面14到形成保护膜19为止的工序。因此，在实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法中，半导体激光器棒3的解理端面14暴露于大气的时间短，因此能够使作为半导体激光器装置20、半导体装置50的劣化因素之一的半导体激光器棒3的解理端面14的自然氧化膜比以往减少。

专利文献1的图3所示的保护膜形成方法，由于在将半导体激光器的芯片固定搭载于副安装座，并且在通过线将半导体激光器与副安装座接合后，设置于保护膜形成时使用的夹具(设置夹具)，因此需要通过耐热片保护副安装座的电极面，存在作业工序复杂且操作性不良的问题。与此相对，在实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法中，使用棒形状的半导体激光器棒3以及副安装座棒21，能够执行步骤S002的夹具设置工序、步骤S003的接合工序、以及步骤S004的保护膜形成工序。实施方式1的半导体装置制造方法在半导体激光器端面保护膜形成方法的工序后，使用被接合的半导体激光器棒3以及副安装座棒21，能够执行步骤S005的半导体激光器装置搬出工序、和步骤S006的块搭载工序。即，实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法不执行专利文献1的图3所示的保护膜形成方法中的芯片接合工序、线接合工序、耐热片包覆工序，而能够在短时间内将半导体激光器棒3以及副安装座棒21设置于设置夹具40，其后在设置于设置夹具40的状态下能够执行半导体激光器棒3与副安装座棒21的接合工序以及半导体激光器棒3的保护膜形成工序。因此，实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法与专利文献1的图3所示的保护膜形成方法相比操作性优异。

实施方式1的半导体激光器装置20、半导体装置50由于半导体激光器棒3的背面电极15b、副安装座棒21的金属层23均具有未形成图案的金属表面，所以能够扩大半导体激光器棒3的背面电极15b与副安装座棒21的金属层23的接合面积，从而能够提高从半导体激光器棒3向副安装座棒21的散热性。

实施方式1的半导体装置制造方法以及半导体激光器装置制造方法，由于包含实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法，因此起到与实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法同样的效果。实施方式1的半导体激光器装置20，由于在半导体激光器棒3的解理端面14以减少自然氧化膜的状态形成有保护膜19，因此能够抑制COD劣化等由端面引起的元件劣化。另外，实施方式1的半导体激光器装置20，由于在半导体激光器棒3的背面电极15b与副安装座棒21的金属层23之间未附着保护膜粒子8，因此能够将由该半导体激光器装置20的驱动产生的热高效地排出到副安装座棒21，从而能够抑制COD劣化等由端面引起的元件劣化。实施方式1的半导体装置50由于具有实施方式1的半导体激光器装置20，因此起到与实施方式1的半导体激光器装置20同样的效果。

如以上这样，实施方式1的半导体激光器装置制造方法是制造在棒形状的半导体激光器亦即半导体激光器棒3的解理端面14形成有保护膜19的半导体激光器装置的制造方法。半导体激光器棒3在与解理端面14不同的一个面形成有表面电极15a，在与该一个面相反侧的面形成有背面电极15b。包含：材料准备工序，在棒形状的副安装座棒主体22中的与半导体激光器棒3相对的表面形成金属层23，而准备搭载半导体激光器棒3的棒形状的副安装座棒21；夹具设置工序，以使副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b相对的方式，将多个副安装座棒21以及半导体激光器棒3交替重叠地设置于设置夹具40；接合工序，使设置有多个副安装座棒21以及半导体激光器棒3的设置夹具40升温，而将金属层23与背面电极15b接合；以及保护膜形成工序，在接合工序之后，针对设置有多个副安装座棒21以及半导体激光器棒3的设置夹具40，通过保护膜形成装置(端面保护膜形成装置60)，在半导体激光器棒3的解理端面14形成保护膜19。实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法，由于在将多个副安装座棒21以及半导体激光器棒3交替重叠地设置于设置夹具40，并将副安装座棒21的金属层23与半导体激光器棒3的背面电极15b接合后，在半导体激光器棒3的解理端面14形成保护膜19，所以能够防止在半导体激光器(半导体激光器棒3)的解理端面14形成保护膜时保护膜19向半导体激光器(半导体激光器棒3)的与副安装座(副安装座棒21)接合的一侧的电极面(背面电极15b的面)的附着，从而能够在自然氧化膜比以往减少的半导体激光器(半导体激光器棒3)的解理端面14形成保护膜19。

实施方式2

图20是表示实施方式2所涉及的半导体激光器装置的图，图21是表示实施方式2所涉及的半导体装置的图。图22是图20的副安装座棒的鸟瞰图，图23是图22的副安装座棒的与x方向垂直的剖视图。图24、图25、图26分别是说明将半导体激光器棒以及图22的副安装座棒设置于设置夹具的方法的说明图。图27、图28分别是说明实施方式2所涉及的接合工序的说明图。图29、图30分别是说明实施方式2所涉及的保护膜形成工序的说明图。实施方式2的半导体激光器装置20以及半导体装置50与实施方式1的半导体激光器装置20以及半导体装置50的不同点在于，在副安装座棒21中在副安装座棒主体22的背面形成有焊料25。主要对与实施方式1不同的部分进行说明。此外，在图28、图29、图39中，省略端面保护膜形成装置60，夸张地表现出缝隙。

在步骤S001的材料准备工序中，准备在副安装座棒主体22的背面形成有焊料25的副安装座棒21。通过料准备工序的副安装座棒准备工序，制作将板状的AlN、SiC等半导体基板分离成棒形状的副安装座棒主体22，并且在与半导体激光器棒3的背面电极15b接合的面(表面)使用蒸镀装置、溅射装置、电镀技术等来形成金属层23。接下来，在副安装座棒主体22的与金属层23相反侧的背面使用蒸镀装置、溅射装置等来形成锡铜(SnCu)、锡银铜(SnAgCu)等焊料25。

这里，形成于副安装座棒主体22的焊料25需要选择在步骤S003的接合工序的处理温度下不熔融的材料。例如，SnCu焊料的熔点为230℃。例如，在构成半导体激光器棒3的表面电极15a、背面电极15b的膜的最表面为金，且金属层23为金的情况下，副安装座棒21与半导体激光器棒3进行金接合。在对于副安装座棒21与半导体激光器棒3进行金接合的处理温度以150～200℃实施的情况下，SnCu、SnAgCu等焊料25不熔融。例如，SnAgCu的熔点为219℃。并且，由于在焊料25中不包含金，因此不与半导体激光器棒3的表面电极15a接合。中间体34c的下侧的中间体34b中的半导体激光器棒3b的表面电极15a、与中间体34c中的副安装座棒21c的焊料25不接合。即，中间体34的下侧的中间体34中的半导体激光器棒3的表面电极15a与中间体34中的副安装座棒21的焊料25不接合。

材料准备工序的激光器棒准备工序、步骤S002的夹具设置工序、步骤S003的接合工序、步骤S004的保护膜形成工序、步骤S005的半导体激光器装置搬出工序与实施方式1同样。此外，在步骤S002的夹具设置工序中，如图26那样，半导体激光器棒3的背面电极15b与形成于副安装座棒21的金属层23接触。另外，半导体激光器棒3的表面电极15a与副安装座棒21的背面的焊料25接触，即不与形成于副安装座棒21的金属层23接触。

步骤S006的块搭载工序与实施方式1不同。由于在执行到步骤S005的半导体激光器装置搬出工序的半导体激光器装置20中的副安装座棒21的背面形成有焊料25，因此在步骤S006的块搭载工序中，在使焊料25熔融的状态下将半导体激光器装置20搭载于块51。通过冷却而固定焊料25，而将半导体激光器装置20固定于块51。焊料25的熔融方法例如能够使用通过烙铁等工具进行熔融的方法、将块51加热至焊料25的熔融温度以上的方法。

实施方式2的半导体激光器端面保护膜形成方法，在将保护膜19形成于半导体激光器棒3的解理端面14之前，将半导体激光器棒3与副安装座棒21金属接合，能够在同一装置内实施接合工序和保护膜形成工序，起到与实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法同样的效果。实施方式2的半导体装置制造方法，在副安装座棒21的未与半导体激光器棒3接合的背面，形成有块搭载工序所需的焊料25等钎料，不需要供给另外的焊料等，与实施方式1的半导体装置制造方法相比，作业效率提高。

实施方式2的半导体装置制造方法以及半导体激光器装置制造方法，由于包含实施方式2的半导体激光器端面保护膜形成方法，因此起到与实施方式2的半导体激光器端面保护膜形成方法同样的效果。实施方式2的半导体激光器装置20，由于除了在副安装座棒21的背面形成有焊料25以外，与实施方式1的半导体激光器装置20为相同的构造，因此起到与实施方式1的半导体激光器装置20相同的效果。实施方式2的半导体装置50，由于具有实施方式2的半导体激光器装置20，因此起到与实施方式2的半导体激光器装置20同样的效果。

实施方式3

图31是表示实施方式3所涉及的半导体激光器装置的图，图32是表示实施方式3所涉及的半导体装置的图。图33是实施方式3所涉及的半导体激光器棒的鸟瞰图，图34是图33的半导体激光器棒的与y方向垂直的剖视图。图35是表示图34的表面电极层的图。图36是图31的副安装座棒的鸟瞰图，图37是表示图36的副安装座棒中的背面的金属层的图。实施方式3的半导体激光器装置20以及半导体装置50与实施方式2的半导体激光器装置20以及半导体装置50的不同点在于，半导体激光器棒33的表面电极为被图案化的表面电极26，且在副安装座棒21的背面形成有被图案化的金属层27。主要对与实施方式1以及实施方式2不同的部分进行说明。

通常具有多个发光区域18的半导体激光器棒33的表面电极15a、背面电极15b，为了有效地分离成具有一个发光区域18的半导体激光器以及识别发光区域的位置等而被图案化。实施方式3的半导体激光器棒33如图34、图35所示具备表面电极26和未图案化的背面电极15b，其中，该表面电极26具有第一电极层11和形成于第一电极层11的表面并且被图案化的第二电极层10。第二电极层10是按照每个发光区域18分离距背面电极15b远的表面的分离电极层。第一电极层11例如为Ti/Pt的层叠构造，第二电极层10为金。背面电极15b是仅有金或最表面为金的层叠构造。优选构成表面电极15a、背面电极15b的膜的最表面为金。另外，在第一电极层11的未形成被图案化的第二电极层10的表面形成有绝缘膜9。此外，在图31～图33中，省略半导体激光器棒3、33的表面的绝缘膜9。

如图36、图37所示，实施方式3的副安装座棒21具备未图案化的金属层23和图案化的金属层27。金属层23与实施方式1相同。在半导体激光器棒33的背面电极15b的最表面为金的情况下，金属层23优选为金。图案化的金属层27具有多个分离的金属图案12。相邻的金属图案12间成为非金属区域13。非金属区域13例如为副安装座棒主体22暴露的背面。金属层27为金等。这里，图案化的金属层27以在设置夹具40设置了半导体激光器棒3和副安装座棒21时在半导体激光器棒3被图案化的表面电极26的第二电极层10与副安装座棒21的背面的图案化的金属层27的金属图案12不接触的方式形成有金属图案12。

实施方式3的半导体激光器端面保护膜形成方法的材料准备工序与实施方式1以及2的半导体激光器端面保护膜形成方法不同。通过步骤S001的材料准备工序的副安装座棒准备工序，在与块51接合的副安装座棒21的背面，使用光刻技术、金属层形成技术、蚀刻技术形成图案化的金属层27。金属层形成技术是使用蒸镀装置、溅射装置等来形成金属层的技术或电镀技术。蚀刻技术是通过干蚀刻或湿蚀刻来对金属层的一部分进行蚀刻的技术。

通过步骤S001的材料准备工序的激光器棒准备工序，将具有第一电极层11、和形成于第一电极层11的表面并且被图案化的第二电极层10的表面电极26形成于半导体构造部16的表面。被图案化的第二电极层10使用光刻技术、金属层形成技术、蚀刻技术而形成。步骤S002的夹具设置工序、步骤S003的接合工序、步骤S004的保护膜形成工序以及步骤S005的半导体激光器装置搬出工序与实施方式1同样。此外，在步骤S002的夹具设置工序中，以在半导体激光器棒3被图案化的表面电极26的第二电极层10与副安装座棒21的背面的被图案化的金属层27的金属图案12不接触的方式配置中间体34。

通过步骤S006的块搭载工序，将半导体激光器装置20配置于块51后，对半导体激光器装置20的金属层27和块51的金属层53进行加热而使其金属接合，由此将半导体激光器装置20固定搭载于块51。在金属层27以及金属层53均为金的情况下，半导体激光器装置20的金属层27与块51的金属层53进行金接合。例如，块搭载工序的加热温度为150～200℃。

在实施方式2的半导体激光器端面保护膜形成方法中，考虑半导体激光器棒3的未图案化的表面电极15a的最表面为金，且将形成于副安装座棒21的背面的金属从焊料25变更为未图案化的金的情况。在这种情况下，在步骤S003的接合工序，在所希望的部分以外的部分，即副安装座棒21的背面的金与其他中间体34的半导体激光器棒3的未图案化的表面电极15a之间也产生金接合，在步骤S004的保护膜形成工序之后，在步骤S005的半导体激光器装置搬出工序中，存在中间体34彼此接合不能分解的问题。但是，如实施方式3的半导体激光器端面保护膜形成方法那样，在半导体激光器棒3、33的表面电极为被图案化的表面电极26，且在副安装座棒21的背面形成有被图案化的金属层27的情况下，能够从设置夹具40单独地取出具有在解理端面14形成有保护膜19的半导体激光器棒33的半导体激光器装置20。

在实施方式3的半导体激光器端面保护膜形成方法中，半导体激光器棒3的表面电极为被图案化的表面电极26，在副安装座棒21的背面形成有被图案化的金属层27，在步骤S002的夹具设置工序中，以在半导体激光器棒3被图案化的表面电极26的第二电极层10与副安装座棒21的背面的被图案化的金属层27的金属图案12不接触的方式配置中间体34，因此在步骤S003的接合工序中，能够仅在所希望的部分，即半导体激光器棒3的背面电极15b与副安装座棒21的金属层23之间形成通过金接合等实现的金属接合部61，在其他部分未形成通过金接合等实现的金属接合部。

实施方式3的半导体激光器端面保护膜形成方法在半导体激光器棒3的解理端面14形成保护膜19之前，将半导体激光器棒3与副安装座棒21进行金属接合，能够在同一装置内实施接合工序和保护膜形成工序，起到与实施方式1的半导体激光器端面保护膜形成方法同样的效果。实施方式3的半导体装置制造方法与实施方式2的半导体装置制造方法不同，在步骤S006的块搭载工序中，能够使用金接合搭载半导体激光器装置20和块51。由于金比焊料的热传导率高，因此能够提高副安装座棒21与块51之间的散热性。实施方式3的半导体装置制造方法由于能够使用金接合来搭载半导体激光器装置20和块51，因此与实施方式2的半导体装置制造方法相比，能够提高半导体激光器装置20与块51之间的散热性。因此，实施方式3的半导体装置50能够比实施方式2的半导体装置50提高半导体激光器装置20与块51之间的散热性。此外，半导体激光器装置20的被图案化的金属层27与块51的金属层53的接合面积虽然变得小于实施方式2的半导体装置50中的半导体激光器装置20的焊料25与块51的金属层53的接合面积，但从半导体激光器棒3到块51的距离成为副安装座棒21的厚度，因此散热性没有问题。

实施方式3的半导体装置制造方法以及半导体激光器装置制造方法，由于包含实施方式3的半导体激光器端面保护膜形成方法，因此起到与实施方式3的半导体激光器端面保护膜形成方法相同的效果。实施方式3的半导体激光器装置20由于除了在副安装座棒21的背面形成有被图案化的金属层27并在半导体激光器棒33的表面形成有被图案化的表面电极26以外，与实施方式1的半导体激光器装置20为相同的构造，因此起到与实施方式1的半导体激光器装置20同样的效果。实施方式3的半导体装置50由于具备实施方式3的半导体激光器装置20，因此起到与实施方式3的半导体激光器装置20同样的效果。

此外，到目前为止，虽然对半导体激光器装置20具有多个发光区域18的例子进行了说明，但也可以将半导体激光器装置20按照每个发光区域18进行分离。即，在步骤S005的半导体激光器装置搬出工序之后，也可以将半导体激光器装置20即半导体激光器棒33、副安装座棒21按照每个发光区域18进行切断，来制造具有一个发光区域18的小片的半导体激光器装置20。在该情况下，小片的半导体激光器装置20也起到与具有棒形状的半导体激光器棒3以及副安装座棒21的半导体激光器装置20同样的效果。

此外，本申请中记载了各种例示的实施方式以及实施例，但一个或多个实施方式所记载的各种特征、形态以及功能并不限定于特定的实施方式的应用，也可以单独或以各种组合的方式应用于实施方式。因此，在本申请说明书所公开的技术的范围内能够想到未例示的无数的变形例。例如，包括对至少一个构成要素进行变形的情况、追加的情况或省略的情况，还包括抽取至少一个构成要素并与其他实施方式的构成要素组合的情况。

附图标记说明

3、3a、3b、3c...半导体激光器棒；8...保护膜粒子(材料粒子)；10...第二电极层(分离电极层)；12...金属图案；14...解理端面；15a...表面电极；15b...背面电极；18...发光区域、19...保护膜；20...半导体激光器装置；21、21a、21b、21c...副安装座棒；22...副安装座棒主体；23...金属层；25...焊料；26...表面电极；33...半导体激光器棒；40...设置夹具；41...开口部件(第一开口部件、第二开口部件)；42...固定板；43...开口；46...推动器；50...半导体装置；60...端面保护膜形成装置(保护膜形成装置)。