阅读说明：本技术 激光器件 (Laser device ) 是由 崔元珍 金东焕 于 2019-09-04 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种激光器件,其包括：基板；第一反射层叠体,其配置于上述基板上；有源层,其配置于上述第一反射层叠体上；氧化层,其配置于上述有源层上；第二反射层叠体,其配置于上述氧化层上；多个凹槽,其贯通上述第二反射层叠体、上述氧化层、上述有源层以及上述第一反射层叠体；第一电极层,其配置于上述第二反射层叠体上且与上述第二反射层叠体电连接；以及第二电极层,其配置于上述第二反射层叠体上并向上述多个凹槽的内部延伸而与上述第一反射层叠体电连接,上述第二反射层叠体的反射率高于上述第一反射层叠体的反射率。(The invention discloses a laser device, which comprises: a substrate; a first reflective laminate disposed on the substrate; an active layer disposed on the first reflective stack; an oxide layer disposed on the active layer; a second reflective laminate disposed on the oxide layer; a plurality of grooves penetrating the second reflective laminate, the oxide layer, the active layer, and the first reflective laminate; a first electrode layer disposed on the second reflective laminate and electrically connected to the second reflective laminate; and a second electrode layer disposed on the second reflective laminate and extending into the plurality of grooves to be electrically connected to the first reflective laminate, wherein the second reflective laminate has a reflectance higher than that of the first reflective laminate.)

激光器件

技术领域

本发明涉及一种激光器件(LASER DEVICE)。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser：VCSEL)能够进行窄光谱的单纵模(single longitudinal mode)振荡且光束的辐射角小，因而耦合效率(coupling efficiency)高。

最近在积极地研究对于将垂直腔面发射激光器(VCSEL)图案化为二维阵列形态而制造光源矩阵的技术。若向物体照射图案化为二维阵列形态的光源矩阵并分析反射的光的图案则能够构成物体的三维图像。

然而，大多数垂直腔面发射激光器由基板、下部反射层、激光腔、上部反射层结构构成，且是将在激光腔产生的光向与基板相反的方向即上部发射的结构。

即、就使在激光腔产生的光穿过基板而向外部发射的倒装芯片结构而言，实际情况是对于其的开发尚微不足道。

发明内容

所要解决的问题

本发明公开一种倒装芯片结构的VCSEL激光器件。

本发明公开一种光输出优良的VCSEL激光器件。

本发明中所要解决的问题并不限定于此，可谓还包括从下面说明的解决问题的方案或实施方式中所能够掌握的目的或效果。

解决问题的方案

根据本发明实施例的激光器件包括：基板；第一反射层叠体，其配置于上述基板上；有源层，其配置于上述第一反射层叠体上；氧化层，其配置于上述有源层上；第二反射层叠体，其配置于上述氧化层上；多个凹槽，其贯通上述第二反射层叠体、上述氧化层、上述有源层以及上述第一反射层叠体；第一电极层，其配置于上述第二反射层叠体上且与上述第二反射层叠体电连接；以及第二电极层，其配置于上述第二反射层叠体上并向上述多个凹槽的内部延伸而与上述第一反射层叠体电连接，上述第二反射层叠体的反射率高于上述第一反射层叠体的反射率。

上述激光器件能够进一步包括配置于上述基板与上述第一反射层叠体之间的导电层，上述基板并不掺杂掺杂剂，上述导电层掺杂有掺杂剂。

掺杂于上述导电层中的掺杂剂的种类能够与掺杂于上述第一反射层叠体中的掺杂剂相同，上述导电层的掺杂浓度高于上述第一反射层叠体的掺杂浓度。

上述激光器件能够包括向上述多个凹槽的内部延伸的第一绝缘层，上述多个凹槽和第一绝缘层使上述导电层的上表面的一部分暴露。

上述第二电极层能够包括向上述多个凹槽的内部延伸而与上述导电层电连接的接触部。

上述激光器件能够包括配置于上述第一电极层与上述第二电极层之间的第二绝缘层。

在上述有源层产生的激光能够由上述第二反射层叠体所反射并穿过上述基板而向外部发射。

上述氧化层能够包括多个非氧化区域，各个非氧化区域在平面上由上述多个凹槽所包围。

各个非氧化区域能够在平面上由上述多个接触部所包围，上述多个接触部在平面上与上述多个凹槽重叠。

根据本发明的另一实施例的激光器件包括：基板；导电层，其配置于上述基板上；第一反射层叠体，其配置于上述导电层上；有源层，其配置于上述第一反射层叠体上；氧化层，其配置于上述有源层上；第二反射层叠体，其配置于上述氧化层上；多个凹槽，其贯通上述第二反射层叠体、上述氧化层、上述有源层以及上述第一反射层叠体并使上述导电层暴露；第一电极层，其配置于上述第二反射层叠体上；第一绝缘层，其配置于上述第一电极层及上述多个凹槽上且包括使上述导电层暴露的开口部；第二电极层，其配置于上述第一绝缘层上且向上述开口部延伸而与上述导电层接触；第二绝缘层，其配置于上述第二电极层上；第一焊盘，其贯通上述第一绝缘层和上述第二绝缘层而与上述第一电极层电连接；以及第二焊盘，其贯通上述第二绝缘层而与上述第二电极层电连接。

发明效果

根据实施例，能够制作倒装芯片结构的激光器件。因此，能够省略另外的引线键合操作。

另外，能够提高光输出。

另外，能够降低工作电压。

另外，能够改善光均匀度。

另外，能够增加在1个晶片所能够生产的芯片的数量。

另外，能够降低芯片的制造成本。

附图说明

图1是根据本发明的一个实施例的激光器件的俯视图。

图2a是图1的A-A剖视图。

图2b是图2a的A局部放大图。

图3是图1的B-B剖视图。

图4是测定了根据基板的掺杂浓度的相对光输出的曲线图。

图5是测定了根据导电层的厚度的I-V曲线的曲线图。

图6至图25是示出了激光器件制作过程的图。

图26至图30是示出了凹槽和非氧化区域的配置的各种各样的变形例。

具体实施方式

本发明能够实施多种变更且能够具有各种实施例，因而要在附图中例示各特定实施例并对其进行说明。但这并不是要将本发明限定在特定的实施方式，而应当理解为包括落入本发明的思想以及技术范围的所有变更、等同物乃至替代物。

如第一、第二等那样包括序数的用语能够使用于说明多种构成要素，但上述各构成要素并不限定于上述各用语。上述各用语仅使用于使一个构成要素区别于其它构成要素的目的。例如，在不逸出本发明的权利范围的情况下第二构成要素能够命名为第一构成要素，类似地、第一构成要素也能够命名为第二构成要素。所谓“和/或”的用语包括多个相关而记载的各项目的组合或多个相关而记载的各项目中的某一项目。

在提及到某一构成要素与另一构成要素“连接”或者“接触”的情况下，虽然能够与该另一构成要素直接连接或接触，但应当理解为在两者之间还能够存在其它构成要素。相反，在提及到某一构成要素与另一构成要素“直接连接”或者“直接接触”的情况下，应当理解为在两者之间并不存在其它构成要素。

本申请中所使用的用语只是为了说明特定的实施例而使用的，并无限定本发明的用意。单个的表达除非在文理上有明显不同的含义就包括多个的表达。在本申请中，“包括”或“具有”等用语旨在指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、零部件或它们的组合存在，应当理解为并不是预先排除一个或其以上的其它各特征或者数字、步骤、动作、构成要素、零部件或它们的组合的存在或附加可能性。

除非另有定义，包括技术性或科学性用语在内这里所使用的全部用语具有与由本领域普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。如通常使用的词典中所定义的各用语应当解释为具有与相关技术的文理所具有的含义一致的含义，除非在本申请中明确地定义，否则不得理想地或过度地解释成形式上的含义。

以下，将参照附图详细地说明实施例，对于与附图标记无关地相同或对应的构成要素，附注相同的参照标号，并省略对其的重复说明。

图1是根据本发明的一个实施例的激光器件的俯视图，图2a是图1的A-A剖视图，图2b是图2a的A局部放大图，图3是图1的B-B剖视图。

参照图1，根据实施例的激光器件可以是第一焊盘62和第二焊盘61在平面上配置于芯片的上部的倒装芯片型。

第一焊盘62和第二焊盘61配置于芯片的上部，且能够以在一个方向长的方式延伸。这种结构的激光器件能够直接安装于电路基板而无需另外的引线键合操作。另外，这种倒装芯片结构具有各种各样的好处。

激光器件在平面上能够包括多个凹槽H1和多个非氧化区域53。氧化层51能够由多个凹槽H1所暴露于外部而被氧化。氧化层51能够以凹槽H1为中心被氧化至假想的氧化直径P1。其结果，未与各氧化直径P1重叠的区域并不进行氧化。因此，未进行氧化的区域能够形成电流或光所透过的非氧化区域53。

各个非氧化区域53能够由相邻的多个凹槽H1所包围。能够将配置得与任一非氧化区域最近的凹槽H1定义为相邻凹槽H1。在图1中，虽然图示成1个非氧化区域53由4个相邻凹槽H1所包围，但并不特别限定相邻凹槽H1的数量。例示性地、相邻凹槽H1的数量还可以是5个或8个。

此时，从非氧化区域53至各相邻凹槽H1的距离实际上可以相同。根据实施例，由于由相邻凹槽H1所暴露的氧化层的侧面逐渐被氧化(P1区域)而形成非氧化区域53，因此，若氧化速度相同，则从非氧化区域53至各相邻凹槽H1的距离可以几乎相同。

多个非氧化区域与多个凹槽的面积比可以是1：0.03至1：5。在面积比变得比1：0.03小的情况(例如为1：0.01)下，凹槽的面积变得过小，因而存在氧化工序被拉长的问题。另外，在面积比变得大于1：5的情况下，非氧化区域变得过小，因而会发生空穴的注入并不顺利的问题。

多个接触部82a在平面上能够分别与多个凹槽H1重叠。接触部82a是第二电极层与导电层电连接的区域，其能够形成于凹槽H1的中央部位。因此，各个非氧化区域53可以是在平面上由多个接触部82a所包围的结构。

参照图2a和图2b，根据实施例的激光器件能够包括基板10、第一反射层叠体20、包括有源层32的激光腔30、氧化层51、第二反射层叠体40、多个凹槽H1、第一电极层81以及第二电极层82。

基板10可以是半绝缘性或导电性基板。例示性地、基板10是掺杂浓度低的GaAs基板，其掺杂浓度可以是1×10¹⁴cm^-3至1×10¹⁷cm^-3程度。

另外，根据实施例的基板10可以是未掺杂掺杂剂的GaAs基板。利用这种构成就能够提高基板10的透光率。基板10的厚度可以是0至120μm。根据需要，还能够去除基板。

在基板10上能够配置导电层11。由于在基板10并不掺杂掺杂剂，因此，基板10能够具有绝缘性。因此，有必要在导电层11连接电极而向第一反射层叠体20供给电流。

导电层11的掺杂浓度可以是1×10¹⁸cm^-3至10×10¹⁸cm^-3。导电层11的掺杂浓度还能够高于第一反射层叠体20的掺杂浓度。虽然图示成导电层11配置于基板10与第一反射层叠体20之间，但未必限定于此，导电层11还能够配置于第一反射层叠体20的内部。

即、第一反射层叠体20能够包括同时发挥反射作用和电流分散作用的功能层。功能层其掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3至10×10¹⁸cm^-3，从而可以高于其余层的掺杂浓度。

导电层11的厚度可以是1μm至10μm。在导电层11的厚度大于10μm的情况下，变得过厚而会增加光吸收率。因此，光输出会变弱。另外，在厚度比1μm薄的情况下，电阻变大而电流分散效果降低，因此，光均匀度会降低。

第一反射层叠体20能够配置于基板10或导电层11上。第一反射层叠体20能够包括n型超晶格(super lattice)结构的分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector：DBR)。第一反射层叠体20能够通过MOCVD、MBE等技法而在基板10上外延沉积。

第一反射层叠体20能够在VCSEL结构执行内部反射功能。第一反射层叠体20能够交替地层叠多个第一反射层21和多个第二反射层22。

第一反射层21和第二反射层22均可以是AlGaAs或AlGaAsP，但第一反射层21的铝成分可以更高。

第一反射层21和第二反射层22能够掺杂n型掺杂剂。掺杂浓度可以是4×10¹⁸cm^-3至8×10¹⁸cm^-3。

第一反射层21和第二反射层22能够具有由VCSEL所产生的光波长的大致1/4程度的有效光学厚度。

第一反射层叠体20的反射率可以取决于第一反射层21与第二反射层22之间的折射率差异以及第一反射层21和第二反射层22的层叠数量。因此，为了获得用于确保高质量VCSEL特性的高反射率，折射率的差异越大且层叠数量越少则会越好。

激光腔30能够配置于第一反射层叠体20上。激光腔30能够包括一个以上的阱层和阻挡层。阱层能够选择GaAs、AlGaAs、AlGaAsSb、InAlGaAs、AlInGaP、GaAsP或InGaAsP中的任何一种，阻挡层能够选择AlGaAs、InAlGaAs、InAlGaAsP、AlGaAsSb、GaAsP、AlGaAsP、GaInP、AlInGaP或InGaAsP中的任何一种。

激光腔30能够设计成具有足够的光学增益。例示性地、根据实施例的激光腔30能够在其中心具备具有合适的厚度和成分比的阱层以发射大致800nm至900nm的波长范围的光。然而，并不特别限定阱层输出的激光的波长范围。

激光腔30能够包括配置于有源层32的下部的第一半导体层31和配置于有源层的上部的第二半导体层33。第一半导体层31可以是n型半导体层且第二半导体层33可以是P型半导体层，但未必限定于此。第一半导体层和第二半导体层还可以不掺杂掺杂剂。例示性地、第一半导体层和第二半导体层可以是AlGaAs，但未必限定于此。

氧化层51能够配置于激光腔30上。氧化层51能够掺杂与第二反射层叠体40相同种类的掺杂剂。例示性地、氧化层51能够掺杂浓度大致为1×10¹⁸cm^-3的P型掺杂剂，但未必限定于此。

氧化层51能够包括含铝的半导体化合物例如AlAs、AlGaAs、InAlGaAs等。根据实施例的氧化层51能够在其中央配置未氧化的非氧化区域53。即、氧化层51能够在其中央形成非氧化区域53。

就氧化层51的氧化区域而言，电阻会相对高，折射率反而会相对低。因此，电流会注入到非氧化区域53。具体地、空穴(hole)在非氧化区域53的分布变高，从而光学增益会有提高。

第二反射层叠体40能够配置于氧化层51上。第二反射层叠体40能够包括多个第三反射层41和第四反射层42。

第三反射层41能够具有AlGaAs的成分，第四反射层42能够具有GaAs成分。因此，第三反射层41的铝成分会比第四反射层42的铝成分更高。

第二反射层叠体40能够以具有与第一反射层叠体20不同的极性的方式掺杂。例示性地、若第一反射层叠体20和导电层11掺杂的是n型掺杂剂，则第二反射层叠体40能够掺杂P型掺杂剂。

第二反射层叠体40的反射率可以高于第一反射层叠体20的反射率。例示性地、在以800nm至900nm波长范围的光为基准时，第二反射层叠体40的反射率可以是100％，第一反射层叠体20的反射率可以是80％。因此，在激光腔30产生的光L1能够朝向第一反射层叠体20和基板10方向出射。

为了使激光的出射方向朝向基板10方向并为了降低反射率，第一反射层叠体20的层数可以少于第二反射层叠体40的层数。例如，第一反射层叠体的层数可以大致为17至25对(pair)，第二反射层叠体的层数可以大致为35至39对(pair)。因此，第一反射层叠体20的反射率能够小于第二反射层叠体40的反射率。

多个凹槽H1能够贯通第二反射层叠体40、氧化层51、激光腔30以及第一反射层叠体20。因此，由多个凹槽H1所暴露的氧化层51能够从侧面开始逐渐氧化而形成非氧化区域53。

第一电极层81能够配置于第二反射层叠体40上并与第二反射层叠体40电连接。第一电极层81能够配置于多个凹槽H1形成之后所残留的第二反射层叠体40上。

第一电极层81可以是P型接触电极。例示性地、第一电极层81能够形成为包括ITO(indium tin oxide，氧化铟锡)、IZO(indium zinc oxide，氧化铟锌)、IZTO(indium zinctin oxide，氧化铟锌锡)、IAZO(indium aluminum zinc oxide，氧化铟铝锌)、IGZO(indiumgallium zinc oxide，氧化铟镓锌)、IGTO(indium gallium tin oxide，氧化铟镓锡)、AZO(aluminum zinc oxide，氧化锌铝)、ATO(antimony tin oxide，氧化锑锡)、GZO(galliumzinc oxide，氧化镓锌)、IZON(IZO Nitride，氧化铟锌氮化物)、AGZO(Al-Ga ZnO，铝镓氧化锌)、IGZO(In-Ga ZnO，铟镓氧化锌)、ZnO(氧化锌)、IrO_x(氧化铱)、RuO_x(氧化钌)、NiO(氧化镍)、RuO_x/ITO(氧化钌/氧化铟锡)、Ni/IrO_x/Au(镍/氧化铱/金)或Ni/IrO_x/Au/ITO(镍/氧化铱/金/氧化铟锡)、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、W中的至少一种，但不限定于这些材料。

第一绝缘层71能够配置于第一电极层81和多个凹槽H1上。第一绝缘层71在多个凹槽H1的内部形成槽而能够使导电层11的上表面的一部分暴露。

第二电极层82配置于第一绝缘层71上且能够向多个凹槽H1的内部延伸。第二电极层82能够包括穿过第一绝缘层71的槽而与导电层11电连接的接触部82a。因此，注入到第二电极层82中的电流能够流经导电层11而向第一反射层叠体20分散。第二电极层82可以是n型接触电极。

第二绝缘层72能够配置于第二电极层82上。第二绝缘层72能够包括使第一电极层81的一部分暴露的槽和使第二电极层82的一部分暴露的槽。

第一绝缘层71和第二绝缘层72可以是SiO₂、Si₃N₄、SiON、Ta₂O₅、HfO₂、BCB(benzocyclobutene，苯并环丁烯)、聚酰亚胺(polyimide)中的至少一种，但未必限定于此。

第一焊盘62能够贯通第二绝缘层72而与第一电极层81电连接。另外，第二焊盘61能够贯通第二绝缘层72而与第二电极层82电连接。

根据实施例，第一焊盘62和第二焊盘61均能够配置于第二反射层叠体40的上部。根据实施例的激光器件具有倒装芯片结构，因此，能够安装于电路基板而无需另外的引线键合工艺。

图4是测定了根据基板的掺杂浓度的相对光输出的曲线图，图5是测定了根据导电层的厚度的I-V曲线的曲线图。

参照图4，可知光输出随基板的掺杂浓度而变化。例示性地、在基板的掺杂浓度分别为2.0×10¹⁸cm^-3、1.0×10¹⁸cm^-3、5.0×10¹⁷cm^-3、1.0×10¹⁷cm^-3以及1.0×10¹⁶cm^-3的情况下，可知光输出随厚度而变化。

在基板10的掺杂浓度最低的1.0×10¹⁶cm^-3的情况下，可知即使厚度变厚，光输出也几乎不变。然而，可知基板的掺杂浓度越高则光吸收率变得越高从而光输出急剧下降。例示性地、可知在基板的掺杂浓度为2.0×10¹⁸cm^-3且基板的厚度为20μm的情况下，光输出减小至80％，且在基板的厚度为40μm的情况下，光输出急剧减小至大致60％。

因此，在通过基板而输出光的倒装芯片结构中，可知对于基板而言掺杂浓度越低则对光输出越有利。因此，在一个实施例中，对于基板并不进行掺杂而是形成另外的薄的导电层，从而不仅能够改善光输出，而且能够提高电流分散效率。

参照图5，在导电层的厚度为0.5μm、1.0μm、2.0μm、3.0μm、6.0μm的情况下，可知驱动芯片时电流增加所带来的电压增加为一定。即、可知导电层的电阻所带来的电压上升对于总的工作电压上升的影响并不大。然而，可知在导电层的厚度为0.1μm的情况下工作电压相对变大。因此，导电层的厚度优选为0.5μm以上。另外，在导电层的厚度大于10μm的情况下存在光吸收率变大的问题。因此，导电层的厚度可以是0.5μm至10μm。

图6至图25是示出了激光器件制作过程的图。

参照图6，能够使基板10、导电层11、第一反射层叠体20、激光腔30、氧化层51以及第二反射层叠体40依次生长。各层的构成能够将前面所述的特征均包括。虽然能够利用有机金属化学气相沉积法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：MOCVD)、液相外延法(Liquid Phase Epitaxy：LPE)、分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy：MBE)等而制造，但未必限定于此。

基板是GaAs基板，可以将掺杂浓度降低到1×10¹⁴cm^-3至1×10¹⁷cm^-3程度而制作基板以降低光吸收率，或者还可以根本不掺杂。

参照图7，利用掩模而在第二反射层叠体40上形成第一光刻胶R1，并能够如图8那样在未形成第一光刻胶R1的区域形成凹槽H1。

凹槽H1能够贯通第二反射层叠体40、氧化层51、激光腔30、第一反射层叠体20而使导电层11的上表面的一部分暴露。

参照图9，若使由多个凹槽H1所暴露的氧化层51暴露于水蒸气(H₂O)中，则能够从所暴露的氧化层51的外侧向内侧进行氧化。如图1那样被氧化的区域P1会沿着凹槽H1的直径而逐渐变宽。

参照图10，若氧化停止，则在中央会形成未氧化的非氧化区域53。能够适当地调节氧化速度和时间以调节非氧化区域53的面积。即、能够调节水蒸气的量和氧化时间等以形成所期望的直径的非氧化区域。此时，还能够在氧化层51中预先去除非氧化区域之后在其上形成第二反射层叠体。

参照图11，能够在多个凹槽H1中填充第二光刻胶R2。参照图12，能够在第二光刻胶R2的上部形成第一电极层81。第一电极层81能够整体上形成于第二光刻胶R2的上部及第二电极层叠体40的上部。参照图13，若适用剥离(lift-off)工艺而选择性地去除第二光刻胶R2，则能够仅在第二反射层叠体40的上部配置第一电极层81。

参照图14，能够在第一电极层81的上部及多个凹槽H1的内部整体上形成第一绝缘层71。此后，如图15那样形成第三光刻胶R3并如图16那样去除配置于凹槽H1的内部区域的第一绝缘层71的一部分而形成第三槽H3，从而能够使导电层11暴露。此时，能够进一步形成使第一电极层81的一部分暴露的第二槽H2。此后，能够如图17那样去除第三光刻胶R3。

参照图18和图19，能够在第一电极层81所暴露的第二槽H2的上部形成第四光刻胶R4并整体上形成第二电极层82。在该过程中，能够形成向多个凹槽H1内部延伸而与导电层11连接的接触部82a。

参照图20和图21，能够适用剥离(lift-off)工艺而选择性地去除第四光刻胶R4并整体上形成第二绝缘层72。参照图22和图23，能够形成第五光刻胶R5而在第二绝缘层72上形成第四槽H5和第五槽H4。第四槽H5能够使第二电极层82暴露，且第五槽能够使第一电极层81暴露。

此后，能够如图24和图25那样形成第六光刻胶R6而形成第一焊盘62和第二焊盘61。第一焊盘62能够通过第五槽而与第一电极层81电连接，且第二焊盘61能够通过第四槽而与第二电极层82电连接。

图26至图30是示出了凹槽和非氧化区域的配置的各种各样的变形例。

凹槽H1能够选择性地适用十字形、多边形、辐射状等各种各样的形状。但是，须沿着多个凹槽H1进行氧化而形成均匀的非氧化区域53，因此，就凹槽H1的形状而言，以贯通中心的假想线为轴而对称的形状会有利。

参照图26和图27，凹槽H1能够具有矩形或正方形形状。在该情况下，非氧化区域53能够具有四边形。

参照图28，凹槽H1能够具有三角形。在该情况下，非氧化区域53也能够具有三角形。

另外，参照图29，凹槽H1能够具有六边形。在该情况下，非氧化区域53也能够具有六边形。然而未必限定于此，凹槽H1和非氧化区域53还能够具有诸如五边形、八边形等各种各样的多边形结构。然而未必限定于此，凹槽H1能够如图30那样具有圆形。

根据本实施例的激光器件能够用作3D面部识别和3D成像技术的光源。

3D面部识别和3D成像技术需要图案化为二维阵列形态的光源矩阵。能够将这样的图案化为二维阵列形态的光源矩阵照射到物体上并分析反射的光的图案。

此时，若分析图案化为二维阵列形态的光源矩阵中从各形态物体的曲面反射的各单元光的变形的状态，则能够构成物体的三维图像。

若以这样的图案化为二维阵列形态的光源(Structured light source)来制作根据实施例的VCSEL阵列，则能够提供各单元光源的特性均匀的图案化为二维阵列形态的光源(Structured light source)矩阵。

3D面部识别和3D成像技术所需的VCSEL会需要能够实现几到几十瓦(watt)的光输出和1至10ns的短脉冲或100MHz以上的光调制且功耗低的高效光学器件。

光学器件的调制等效电路能够以RC电路来表示，在RC电路中，决定调制速度的特性时间能够以电阻与静电电容的乘积来表示。因此，重要的是确保低电阻以具体实现能够进行高速调制且光电转换效率高的器件。因此，本发明能够提供最合适提供3D面部识别和3D成像用光源的解决方案。

另外，根据本发明的激光器件能够在光通信器件、闭路电视(CCTV)、汽车用夜视(night vision)、动作识别、医疗/治疗、物联网(IoT)用通信器件、热感摄像机、热成像摄像机、SOL(Solid state laser，固态激光器)的泵浦领域、用于粘合塑料膜的加热工艺等诸多应用领域用作价格低廉的VCSEL光源。

以上虽然以实施例为中心进行了说明，但这只是例示而已，并不限定本发明，本领域普通技术人员清楚，在不逸出本实施例的本质特性的范围内能够进行以上并未例示的各种变形和应用。例如，实施例中所具体示出的各构成要素能够经变形而实施。而且，与这种变形和应用相关的各种不同点应当解释为包括在所附的权利要求书中所规定的本发明的范围。