具体实施方式

首先，参照图1A及图1B说明本公开的实施方式的光源装置的概略结构。图1A是示意性地表示本实施方式的光源装置100的结构例的立体图。图1B是示意性地表示制造工序中途的光源装置100的结构例的立体图。图中，为了参考，表示有相互正交的X轴、Y轴、及Z轴。

图示的光源装置100具备：激光二极管10、直接或间接地支承激光二极管10的基板30、固定于基板30且覆盖激光二极管10的罩40。

罩40具有收纳激光二极管10的空洞40V，如图1B所示，空洞40V在固定于基板30之前的状态下向下方敞开。罩40的正面部分40F具有使从激光二极管10放射出的激光14透过的透光性。正面部分40F的与激光二极管10对置的侧(内侧)的面为平坦的，典型而言为平滑的。在正面部分40F的外侧和/或内侧的表面可形成反射防止膜。罩40具有与基板30的主面32接合的下端面40E。下端面40E位于空洞40V的开放面的周围。图示的例子中，空洞40V的形状为长方体，但空洞40V的形状不限定于长方体。后面叙述罩40的结构及制作方法的详细。

激光二极管10能够采用例如放射蓝色光的激光二极管、放射绿色光的激光二极管、或反射红色光的激光二极管等。另外，也可以采用放射这些以外的光的激光二极管。

本说明书中，蓝色光是发光峰值波长处于420nm～494nm的范围内的光。绿色光是发光峰值波长处于495nm～570nm的范围内的光。红色光是发光峰值波长处于605nm～750nm的范围内的光。

作为发出蓝色光的激光二极管或发出绿色光的激光二极管，可举出包含氮化物半导体的激光二极管。作为氮化物半导体，例如能够使用GaN、InGaN、及AlGaN。作为发出红色光的激光二极管，可举出包含InAlGaP系或GaInP系、GaAs系或AlGaAs系的半导体的激光二极管。

从激光二极管10放射的激光14具有扩散，在与激光14的射出端面平行的面形成椭圆形状的远场图案(以下称为“FFP”。)。FFP由从射出端面远离的位置的激光14的光强度分布规定。也可以将该光强度分布中相对于峰值强度值具有1/e²以上的强度的部分称为光束截面。

本实施方式中，激光二极管10是具有射出激光14的端面的端面射出型，但也可以是面发光型(VCSEL)。为了简单，图中，以虚线表示激光14的中心轴。实际的激光14如上述，从激光二极管10的端面射出后，发散并扩散。因此，激光14可通过包含未图示的透镜的光学系统进行准直或会聚。典型而言，这种光学系统设置于光源装置100的外部。包含用于准直或会聚的透镜的光学系统的至少一部分可以设置于罩40本身，也可以配置于罩40的空洞40V内。

激光14的中心轴在沿着基板30的主面32的方向(Z轴方向)上延伸。从光源装置100向外部射出的激光14也可以利用配置于光源装置100的外部的反射镜，向例如与基板30的主面32垂直的方向反射。

图示的例子中，激光二极管10在固定于副底座20的状态下安装于基板30的主面32上。激光二极管10也可以不经由副底座20，而直接与基板30的主面32接合。这些图中，省略将激光二极管10与外部电路连接的配线的记载。

基板30能够以陶瓷为主材料而形成。需要说明的是，也可以不限于陶瓷而由金属形成。例如，陶瓷中能够将氮化铝、氮化硅、氧化铝、碳化硅用于基板30的主材料，金属中能够将铜、铝、铁、作为复合物的铜钼、铜-金刚石复合材料料、铜钨用于基板30的主材料。

在基板30的上表面及下表面可分别设置多个金属层。利用穿过基板30的内部的金属，能够将上表面的金属层和下表面的金属层电连接。在基板30的下表面可形成不与上表面的金属层电连接的金属层。基板30的一例可为在内部和/或外侧具备配线的多层陶瓷基板。

副底座20具有下表面、上表面、侧面，典型而言，具有长方体的形状。副底座20例如可利用氮化硅、氮化铝、或碳化硅形成。在副底座20的上表面可设置用于将激光二极管10与基板30上的配线连接的金属层。

罩40在覆盖支承于基板30的激光二极管10的状态下固定于基板30。图示的例子中，罩40的下端面40E接合于基板30的主面32。这种接合可经由金属等无机材料、有机材料的层实现。这样，激光二极管10可被气密地密封。也可以将图1A的光源装置100称为“半导体激光封装”。图示的例子中，一个光源装置100具备一个激光二极管10，但本公开的实施方式不限定于这种例子。也可以在罩40具有的一个空洞40V的内部排列多个激光二极管10。典型而言，多个激光二极管10可平行地配置，以使分别向同一方向射出激光14。

图2是示意性地表示本公开的实施方式的光源装置的另一例的立体图。该例子中，基板30具备在一个副底座20上排列的3个激光二极管10R、10G、10B。激光二极管10R、10G、10B分别放射红色、绿色、蓝色的激光14。这些激光二极管10R、10G、10B可收纳于一个罩40的内部并被气密地密封。副底座20的个数不限定于一个，也可以按照每个激光二极管10R、10G、10B而分离。

从激光二极管10R、10G、10B各自放射出的激光14可利用未图示的合束器结合成同轴的光束。激光二极管10R、10G、10B可分别在不同的定时或同时放射激光14。激光14的放射由未图示的驱动电路控制。

在光源装置100动作时，从激光二极管10射出的激光14透过罩40的正面部分40F。在该正面部分40F的外侧及内侧的至少一方可形成反射防止膜。罩40的正面部分40F以外的部分不需要具有透光性。

以下，参照图3A及图3B详细地说明本实施方式的罩40的结构例。图3A是示意性地表示与YZ面平行的剖面、即包含激光14的中心轴在内的剖面的图。图3B是图3A的1B-1B线的剖视图，是表示与XY面平行的剖面的图。图3A相当于图3B的1A-1A线的剖视图。

本实施方式的罩40包含：使从激光二极管10射出的激光14透过的平板状的第一部分(第一玻璃部分)40A、利用与第一玻璃部分40A不同的材料形成的第二部分(第二玻璃部分)40B。第一玻璃部分40A配置于基板30上将激光14横穿的位置。如图3A所示，第二玻璃部分40B具有如下结构，即，相对于第一玻璃部分40A平行地配置的平板状的部分40B1和具有图3B所示的“コ的字型(字母C的字型)”的剖面的部分40B2一体连续的结构。如图3B所示，第二玻璃部分40B的具有“コ的字型”的剖面的部分40B2具有位于激光二极管10的侧方的一对侧壁部40S和位于激光二极管10的上方并将一对侧壁部40S连结的盖部40T。这样，第二玻璃部分40B具有规定空洞40V的形状。

第一玻璃部分40A及第二玻璃部分40B的至少一方为碱性玻璃。“碱性玻璃”是含有Na⁺、Ka⁺、Li⁺等碱金属元素的可动离子的硅酸化合物玻璃。将碱金属氧化物的浓度为0.1质量％以下的硅酸化合物玻璃称为“无碱玻璃”。需要说明的是，硅酸化合物玻璃的例子包含硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、及石英玻璃。

第一玻璃部分40A及第二玻璃部分40B经由导电层40M而接合。某实施方式中，第一玻璃部分40A为碱性玻璃，相对于在第二玻璃部分40B的表面形成的导电层40M阳极接合。导电层40M也可以具有层叠不同种类的金属而成的结构。例如，也可以在第二玻璃部分40B的表面堆积作为基底层的钛层后，在其上堆积铝层，利用这些层叠体形成导电层40M。导电层40M的材料不限定于这种例子。

阳极接合可通过如下实现，即，将比第二玻璃部分40B的电位低的电位(例如-500伏特～-1千伏特)赋予至第一玻璃部分40A，并加热至300℃～400℃左右。阳极接合的具体的方法没有特别限制，可采用公知的各种方法来执行。作为阳极接合的结果，第一玻璃部分40A的碱金属元素的浓度局部地在与导电层40M相接的区域降低。该例子中，第二玻璃部分40B也可以利用碱性玻璃形成，也可以利用无碱玻璃或半导体(单晶硅、多晶硅、碳化硅等)形成。第二玻璃部分40B不需要具有透光性。另外，图3A的例子中，导电层40M仅存在于接合面，但导电层40M也可以形成于第二玻璃部分40B的空洞40V侧的表面(内侧表面)。后面叙述制造罩40的方法的详细的例子。

根据本公开的实施方式，罩40的光透过部(第一玻璃部分40A)利用板状的第一玻璃部分40A构成，因此，容易使其表面平滑。另外，也能够在接合之前在第一玻璃部分40A的表面预先形成反射防止膜。因此，即使罩40被小型化，也能够在罩40的内侧表面成品率良好地形成反射防止膜。

本公开的实施方式中可采用的罩40的结构不限定于图3A及图3B所示的例子。参照图4A及图4B说明另一结构例。图4A是该例的光源装置100的与YZ面平行的剖视图。图4B是图4A的1B-1B线的剖视图。需要说明的是，图4A相当于图4B的1A-1A线的剖视图。

图4B及图4A所示的例子中，罩40的第二玻璃部分40B在内壁面具有包含曲面的形状。这样，罩40的空洞40V也可以具有长方体以外的形状。

接着，参照图5A及图5B说明又一结构例。图5A是该例的光源装置100的与YZ面平行的剖视图。图5B是图5A的1B-1B线的剖视图。需要说明的是，图5A相当于图5B的1A-1A线的剖视图。

图5B及图5A所示的例子中，罩40包含隔着激光二极管10而与第一玻璃部分40A对置的第三玻璃部分40C。如图5A所示，第二玻璃部分40B将第一玻璃部分40A和第三玻璃部分40C连结。如图5B所示，第二玻璃部分40B具有“コ的字型(C的字型)”的形状。第二玻璃部分40B及第三玻璃部分40C的至少一方为碱性玻璃。某实施方式中，第三玻璃部分40C为碱性玻璃，阳极接合于在第二玻璃部分40B的表面形成的导电层40M。作为阳极接合的结果，第三玻璃部分40C的碱金属元素的浓度在与导电层40M相接的区域局部降低。需要说明的是，也可以第二玻璃部分40B利用碱性玻璃形成，且第一玻璃部分40A及第三玻璃部分40C利用无碱玻璃形成，还可以这些玻璃部分全部由碱性玻璃形成。

图5A及图5B所示的罩40具有如图6所示，第一玻璃部分40A及第三玻璃部分40C从两侧与位于中央的第二玻璃部分40B接合的结构。需要说明的是，参照图3A～图4B说明的第二玻璃部分40B相当于图5A所示的第二玻璃部分40B及第三玻璃部分40C由同一玻璃材料形成的一体部件。

图7是表示用于形成多个第二玻璃部分40B(参照图6)的板(プレート，plate)42的例子的立体图。该板42具有排列成2行3列的6个贯通孔42H。通过利用两张玻璃片47、48从板42的两侧堵塞该贯通孔42H，而能够制作一张面板50。通过将该面板50沿着图7的横向分割，而能够得到图8所示的棒60。利用这种一根棒60能够制作3个罩。

以下，更详细地说明高效地制造多个罩40的方法的实施方式。

首先，参照图9。图9是示意性地表示板42的上表面(左侧)及A-A线剖面(右侧)的图。板42具有第一面(上表面)44、及位于第一面44的相反一侧的第二面(下表面)46。如图所示，板42具有沿着第一面44内的第一方向Dx及与第一方向Dx交叉的第二方向Dy二维地排列的多个贯通孔42H。贯通孔42H从第一面44到达第二面46。该例子中，第一方向Dx与X轴平行，第二方向Dy与Y轴平行。各贯通孔42H沿着Z轴方向延伸。

贯通孔42H可通过例如准备玻璃或半导体的基板(厚度：例如0.5～4mm)，并加工该基板而形成。加工的例子包含掩膜图案的形成、喷砂加工、及蚀刻加工等。根据这种加工技术，也可代替形成从第一面44到达第二面46的贯通孔42H，而形成从第一面44向第二面46凹陷的孔42R。图10所示的例子中，利用具有规定各孔42R的形状及位置的开口部的掩模45覆盖板42的第一面44后，从掩模45的开口部选择性地除去板42的露出部分。图10的板42具有排列成行及列状的多个孔42R。如果扩大这些孔42R的深度，则能够得到贯通孔42H。孔42R或贯通孔42H的X方向、Y方向、及Z方向的尺寸分别为例如1～5mm、2～5mm、及0.5～4mm。

接着，参照图11。图11表示在设置有多个贯通孔42H的板42的第一面44堆积了金属层49M的状态。之后，如图12所示，在形成有金属层49M的板42的第一面44侧接合第一玻璃片(厚度：例如0.2～1.0mm)47。金属层49M的典型例为铝的层(厚度：例如50～1000nm)。金属层49M也可以利用铝以外的例如钛金属形成。接合可通过如上述的阳极接合而进行。之后，也可以从第二面46的侧经由贯通孔42H，在第一玻璃片47的内表面侧形成反射防止膜。第一玻璃片47的内表面相当于图1B所示的罩40的正面部分40F的内侧表面。根据本实施方式，例如容易使用溅射等薄膜堆积技术在罩40的内部形成反射防止膜。

图13A及图13B分别是示意性地表示反射防止膜的形成工序的一例的剖视图。该例子中，首先，如图13A所示，在与板42的第二面46对置的侧配置构成反射防止膜的材料的靶材46T。具体而言，例如向溅射装置的容积腔内装填板42。在板42和靶材46T之间配置掩模46M。掩模46M在与板42的贯通孔42H匹配的大小及位置具有开口部。利用等离子进行靶材46T的溅射，由此，靶材材料经过掩模46M的开口部堆积于贯通孔42H的内壁及第一玻璃片47的露出面。其结果，如图13B所示，形成反射防止膜55。

反射防止膜55的形成方法不限定于这种例。也可以利用掩模包覆板42的第二面46中的贯通孔42H以外的区域后，通过其它的薄膜堆积技术，从气相或液相实现反射防止膜55的堆积。在该情况下，形成反射防止膜55后，除去不需要的掩模。需要说明的是，在板42不具有贯通孔42H而具有孔42R的情况下，也可以在接合前的第一玻璃片47预先形成反射防止膜55的图案。

图13C是示意性地表示将形成有反射防止膜55的图案的第一玻璃片47与板42的第一面44接合的情形的剖视图。第一玻璃片47在一面具有以具有与多个孔42R匹配的形状及大小的方式被图案化的反射防止膜55。图示的例子中，在第一玻璃片47的正面侧的面也形成具有一样厚度的连续的一张反射防止膜55。在正面侧形成有反射防止膜的第一玻璃片47也可采用通过参照图13A及图13B说明的方法而获得。需要说明的是，在第一玻璃片47的正面侧形成反射防止膜的定时也可以是阳极接合全部完成之后。

接着，通过与上述的阳极接合的条件一样的条件进行阳极接合，在形成有金属层49M的板42的第二面46侧接合第二玻璃片(厚度：例如0.2～1.0mm)48。这样，得到图14所示那样的具有多个空洞40V的面板50。为了简单，省略反射防止膜55的记载。需要说明的是，在板42利用例如硅等半导体形成的情况下，不需要金属层49M。

接着，沿着第一方向Dx切断面板50。具体而言，以第一断面C1横穿在第一方向Dx上直线状排列的多个贯通孔(空洞40V)、且与第一断面C1平行的第二断面C2横穿在第二方向Dy上相邻的贯通孔(空洞40V)之间的方式切断面板50，将面板50分割成多个棒60。分割可使用例如切割锯来执行。

在图15的上面示意性地表示有由第一断面C1切离的两根棒60。如图15的下面所示，在各棒60中通过沿着第二方向Dy切断在第一方向Dx上相邻的贯通孔(空洞40V)之间，而能够制作从各棒60单片化的多个罩40。沿着第三断面C3分割各罩40。罩40的下端面、上表面、及侧面分别由断面C1、C2、及C3形成，但与图的纸面平行的面由玻璃片47、48规定(参照图14)。断面C1、C2、及C3可能具有通过切割等加工而形成的粗糙的表面。但是，激光透过由第一玻璃片47形成的平滑的部分，因此，不会受到加工面的不良影响。这样，根据本实施方式，在制造工序中不会损害第一玻璃片47的平坦性及平滑性，因此，使罩40的激光透过的部分能够发挥优异的平滑性。需要说明的是，在断面C1、C2、及C3具有粗糙的表面的情况下，也可以通过研磨等实施平坦化加工。特别优选与支承基板接合的接合面为平坦的。

通过该方法，可制作分别具有图5A及图5B所示的结构的多个罩40。各罩40中的第一玻璃部分40A及第三玻璃部分40C分别利用第一玻璃片47的一部分及第二玻璃片48的一部分形成，第二玻璃部分40B利用板42的一部分形成。另外，导电层40M利用金属层49M的一部分形成。

如果使用图10所示的状态的板42，则能够制作分别具有图3A及图3B所示的结构的多个罩40。在该情况下，各罩40的第一玻璃部分40A利用第一玻璃片47的一部分形成，第二玻璃部分40B利用板42的一部分形成。导电层40M利用金属层49M的一部分形成。

通过利用这样制作的罩40，能够得到图1A所示的光源装置100。

根据本公开的实施方式，能够大量生产高度(Y方向尺寸)为例如2毫米以下的罩40。另外，容易在罩40适当形成反射防止膜，因此，也能够提高激光的透过率，并抑制杂散光的产生。

以下，说明上述实施方式的改变例。

上述的实施方式中，第一玻璃部分40A及第二玻璃部分40B的至少一方为碱性玻璃，但不需要第一玻璃部分40A或第二玻璃部分40B的整体为碱性玻璃。具体而言，也可以第一玻璃部分40A及第二玻璃部分40B的至少一方包含碱性玻璃区域，且第一玻璃部分40A及第二玻璃部分40B经由与该碱性玻璃区域接触的导电层40M而接合。

在罩40包含隔着激光二极管10而与第一玻璃部分40A对置的第三玻璃部分40C，且第二玻璃部分40B将第一玻璃部分40A和第三玻璃部分40C连结的实施方式中，也可以第二玻璃部分40B及第三玻璃部分40C的至少一方包含碱性玻璃区域，且第二玻璃部分40B及第三玻璃部分40C经由与该碱性玻璃区域接触的另一导电层40M而接合。

参照图16及图17说明本实施方式的变形例。图16是示意性地表示罩40的结构例的剖视图。图17是具备该罩40的光源装置100的剖视图。图16所示的罩40具有第一玻璃部分40A、第二玻璃部分40B、及第三玻璃部分40C。第一玻璃部分40A具有碱性玻璃区域70A和与碱性玻璃区域70A连结的无碱玻璃区域72A。另外，第三玻璃部分40C具有碱性玻璃区域70C和与碱性玻璃区域70C连结的无碱玻璃区域72C。该例子中的第二玻璃部分40B具有无碱玻璃区域70B，但不具有碱性玻璃区域。第二玻璃部分40B也可以具有与导电层40M接触的碱性玻璃区域。

图16的例子中，无碱玻璃区域72A及无碱玻璃区域72C均具有薄板的形状。而且，碱性玻璃区域70A及碱性玻璃区域70C分别设置于无碱玻璃区域72A及无碱玻璃区域72C的预定的位置。图16的处于左侧的留白的箭头示意性地表示第一玻璃部分40A的碱性玻璃区域70A与第二玻璃部分40B的导电层40M接合。同样，图16的处于右侧的留白的箭头示意性地表示第三玻璃部分40C的碱性玻璃区域70C与第二玻璃部分40B的导电层40M接合。它们的接合通过上述的阳极接合而实现。为了制造这种罩40，只要在图14的玻璃片47中、与板42的第一面44对置的区域设置碱性玻璃区域70A即可。同样，在图14的玻璃片48中、与板42的第二面46对置的区域设置碱性玻璃区域70C。从图14的左侧的图可知，板42的第一面44及第二面46具有沿着YX面扩展的格子形状。因此，期望碱性玻璃区域70A、70C也分别在玻璃片47、48上具有沿着YX面扩展的格子形状。

这样，为了通过阳极接合制作罩40，只要在与用于阳极接合的金属层相接的部分存在碱性玻璃区域即可，不需要位于该金属层的一侧的玻璃部分的整体利用碱性玻璃形成。

接着，参照图18～图23说明另一变形例。

首先，参照图18及图19。图18是该变形例的罩40的分解立体图。图19是该变形例的光源装置100的与YZ面平行的剖视图。

图18的变形例中，罩40的第二玻璃部分40B具有盖部40T的薄壁部40Tu和侧壁部40S的薄壁部40Su。更详细而言，第二玻璃部分40B具有：薄壁部40Tu、40Su、比薄壁部40Tu厚的厚壁部40Ta、及比薄壁部40Su厚的厚壁部40Sa。薄壁部40Tu及厚壁部40Ta的厚度为盖部40T的Y轴方向的尺寸。薄壁部40Su及厚壁部40Sa的厚度为侧壁部40S的X轴方向的尺寸。

如图19所示，薄壁部40Tu和厚壁部40Ta之间的厚度的差例如处于10μm以上且200μm以下的范围。薄壁部40Su和厚壁部40Sa之间的厚度的差也一样。后面叙述形成薄壁部40Tu、Su的方法。

罩40基本上可通过与参照图9～图15说明的方法一样的方法制作。不同的点在于，在进行阳极接合之前的阶段，从板42的第一面(上表面)44削去板42的一部分，形成薄壁部40Tu、40Su。

图20是示意性地表示进行阳极接合之前的阶段的板42及玻璃片47、48的一部分剖面的图。在板42的贯通孔42H所在的部分，以虚线表示第一面44及第二面46。薄壁部40Tu、40Su可通过如下形成，即，通过切割技术加工(半切割)板42，在板42的第一面44形成比板42的厚度浅的格子状的槽。格子状的槽形成为，最终经过将罩40单片化时的断面。格子状的槽的深度、即Z方向的尺寸可为板42的厚度的例如30％以上且70％以下。半切割的槽宽(槽的Y方向或X方向的尺寸)例如为50μm～3mm。

图21表示在形成有格子状的槽的板42接合了玻璃片47、48的状态。通过半切割工序而形成的格子状的槽由沿X轴方向延伸的多个凹部40Tx和沿Y轴方向延伸的多个凹部40Sy构成。通过将利用阳极接合而制作的图21的面板50进行分割，而能够得到本变形例的罩40。分割面板50的方法与参照图15说明的方法一样。

根据该变形例，分割面板50时，沿着分割的线存在格子槽状的凹部40Tx、40Sy。在凹部40Tx、40Sy的位置，板42变薄，切断容易。因此，通过切割等分割面板50时，能够抑制或防止在面板50产生破裂、缺口。其结果，不会损坏各个罩40的形状，提高良品化率即成品率。

图22是示意性地表示利用罩40的薄壁部40Tu，将图案化后的金属层(金属层的图案)80设置于罩40的上表面，具体而言设置于薄壁部40Tu的表面的光源装置100的结构例的剖视图。金属层80具有文字、图案、及记号那样人通过视觉能够识别的图案、或条形码那样通过电气设备可解码的图案。这些图案可包含对各个光源装置100赋予的识别信息、与制造批次相关的信息、对齐图案、时钟图案等多种信息。图案化后的金属层80的例子可作为线形条形码、2D条形码、数据矩阵(Data Matrix)等光学标记发挥作用。

某个优选的实施方式中，金属层80可在将用于阳极接合的导电层40M堆积于罩40的第二玻璃部分40B时同时堆积。这样堆积的金属层80的层结构与导电层40M的层结构相同。金属层80的图案化也可以通过剥离法进行，也可以通过激光打标法或其它的蚀刻法进行。通过将导电层40M和金属层80在同一工序中堆积，而能够高效地实现担任识别信息的标记的形成。图22的例子中，金属层80堆积于薄壁部40Tu的表面，并形成于罩40的上表面，但也可以形成于其它薄壁部40Su。通过金属层80形成于罩40的凹陷的部分的底面，而能够避免由金属层80引起的不需要的突出部的形成，能够将罩40的外形收纳于预定的收纳空间内。

需要说明的是，以薄壁部40Tu、Su的表面为底面的凹陷的深度D比通过上述的半切割而形成的槽的宽度Wh的一半狭窄。更详细而言，当将全切割板42时的切断宽度设为Wf时，大致处于D＝(Wh-Wf)/2的关系，例如为10～200μm左右。因此，供金属层80形成的罩40的凹陷的部分通过如下实现，使通过半切割而形成的槽的宽度Wh比形成例如第二断面C2时形成于板42的切断宽度大。图24是示意性地表示以薄壁部40Tu的表面为底面的凹陷的深度D、通过半切割而形成的槽的宽度Wh、全切割面板50时的切断宽度Wf的剖视图。在利用例如刀片形成全切割的断面C1、C2的情况下，切断宽度Wf相当于刀片宽度。

需要说明的是，图21中，第一断面C1经过的凹部40Tx的槽宽和第二断面C2经过的凹部40Tx的槽宽记载为相同的大小。优选第一断面C1经过的凹部40Tx的槽宽为分割面板50时的切断宽度以下。第一断面C1为将罩40的下端面40E规定的面(参照图15)。如图18所示，罩40的下端面40E与基板30的主面32接合，因此，优选为平坦。因此，优选在形成第一断面C1的部分通过半切割形成凹部40Tx时，其槽宽度Wh设为全切割板42时的切断宽度Wf以下。但是，即使在第一断面C1存在因半切割造成的凹凸的情况下，也只要在切断后进行研磨等而使其平坦化即可。

图23是示意性地表示图案化后的金属层80设置于罩40的薄壁部40Tu的光源装置100的另一结构例的剖视图。该例子中，罩40通过如下得到，通过参照图10说明的方法制作板42之后，在板42形成格子槽状的薄壁部40Tu、40Su。

图22及图23中记载了在罩40的第一玻璃部分40A形成的反射防止膜55。这些例子中，反射防止膜55不仅形成于作为罩40的正面部分40F发挥作用的第一玻璃部分40A的内侧，也形成于外侧。反射防止膜55的形成位置不限定于图示的例子。

产业上的可利用性

本公开的光源装置具备光透过部的平滑性优异且适于小型化的罩，因此，可适当用作头戴式显示器等的小型光源。本公开的光源装置的制造方法可实现这种罩的高效的量产化，因此，可降低具备激光二极管的光源装置的制造成本。

附图标记说明

10…激光二极管，12…激光二极管的射出端面，20…副底座，30…基板，32…基板的主面，40…罩，40A…第一玻璃部分，40B…第二玻璃部分，40C…第三玻璃部分，100…光源装置