阅读说明：本技术 优化发射器阵列的布局 (Optimizing the layout of an emitter array ) 是由 A.V.巴夫 B.克斯勒 M.G.彼得斯 于 2020-03-31 设计创作，主要内容包括：紧密间隔发射器阵列可以包括包含第一多个结构的第一发射器和与第一发射器相邻的包含第二多个结构的第二发射器。第一发射器和第二发射器可以被配置在紧密间隔发射器阵列中,使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠,同时保持第一发射器和第二发射器之间的紧密间隔。(The array of closely spaced emitters may include a first emitter comprising a first plurality of structures and a second emitter comprising a second plurality of structures adjacent to the first emitter. The first and second emitters may be configured in an array of closely spaced emitters such that different types of structures between the first and second pluralities of structures do not overlap while maintaining a close spacing between the first and second emitters.)

优化发射器阵列的布局

技术领域

本公开涉及发射器阵列，更具体地，涉及优化发射器阵列的布局。

背景技术

发射器可以包括垂直发射装置，例如垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。VCSEL是一种激光器，其中光束在垂直于VCSEL表面的方向上发射(例如，从VCSEL的表面垂直发射)。多个发射器可以成发射器阵列，具有共用的基板。

发明内容

根据一些实施方式，紧密间隔发射器阵列可以包括第一发射器，其包括第一多个结构；以及与第一发射器相邻的第二发射器，其包括第二多个结构，其中第一发射器和第二发射器被配置在紧密间隔发射器阵列中，使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠，同时保持第一发射器和第二发射器之间的紧密间隔。

根据一些实施方式，一种方法可以包括：由装置生成包括多个发射器的紧密间隔发射器阵列的布局；由所述装置识别包括在所述多个发射器中的第一发射器中的第一多个结构和包括在所述多个发射器中的第二发射器中的第二多个结构之间的不同类型结构的重叠；和通过该装置调整紧密间隔发射器阵列的布局，使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠，同时保持多个发射器之间的紧密间隔。

根据一些实施方式，紧密间隔发射器阵列可以包括：第一多个发射器，其每一个包括相应的第一多个结构，其中第一多个发射器被配置在紧密间隔发射器阵列中，使得每个相应的第一多个结构之间的不同类型结构不重叠，同时保持第一多个发射器之间的紧密间隔；和第二多个发射器，其每一个包括相应的第二多个结构，其中第二多个发射器被配置在紧密间隔发射器阵列中，使得每个相应的第二多个结构之间的不同类型结构不重叠，同时保持第二多个发射器之间的紧密间隔。

附图说明

图1A和1B分别是显示了示例性垂直发射装置的俯视图和示例性垂直发射装置的截面图。

图2A和2B是本文描述的一个或多个示例实施方式的示意图。

图3是装置的示例部件的图。

图4-7是用于优化紧密间隔发射器阵列的布局的示例过程的流程图。

具体实施方式

示例性实施方式的以下详细描述参照了附随的附图。相同附图标记在不同附图中可以表示相同或相似的元件。

发射器阵列用在各种应用中。例如，发射器阵列用在三维传感应用中，例如结构光应用、飞行时间应用、光检测与测距(LIDAR)应用、和/或诸如此类。发射器阵列包括多个发射器，例如形成在芯片上的多个垂直光发射装置，该芯片又形成在晶片上。通常，发射器包括凸台结构，其包括(例如以环或部分环的形状)围绕发射器的孔的欧姆金属层和经过保护层向下到达欧姆金属层的一组过孔(例如也是与欧姆金属层的形状匹配的环或部分环的形状)。此外，发射器阵列包括在发射器的凸台结构(和在形成凸台结构的一些情况下)与发射器阵列的一个或多个其他发射器之间的沟槽。例如，沟槽通常围绕欧姆金属层和/或发射器的相应一组过孔形成。发射器和/或发射器阵列的该构造(例如沟槽围绕欧姆金属层和相应一组过孔形成)通常造成窄制造公差和/或通常需要用于发射器阵列的每一个发射器的特定量的芯片空间。发射器阵列的发射器间隔开得越近，则总体芯片尺寸可减小得越多。小芯片尺寸允许每晶片有更多芯片，且更小的芯片可被置于更小的封装件中，由此降低芯片和封装结构的总体成本。

一些实施方式本文描述的提供各种技术和装置用于优化发射器阵列的布局。在一些实施方式中，本文描述的技术、过程和/或算法可以配置、调整、和/或修改被包括在发射器阵列中的发射器的参数和/或结构(例如过孔、沟槽、p型金属延伸部和/或诸如此类)，以优化发射器阵列的现有布局，以产生用于发射器阵列的新的和优化的布局的参数，和/或诸如此类。例如，本文描述的技术、过程和/或算法可以通过让邻近发射器中的一个或多个旋转而对准两个或更多邻近发射器的类似结构，两个或更多邻近发射器之间非类似结构不重叠。作为另一例子，本文描述的技术、过程和/或算法可以调整和/或修改被包括在发射器中的结构的尺寸、形状、取向和/或其他参数，使得结构不与被包括在一个或多个邻近发射器中的不同类型的结构重叠。作为另一个例子，本文描述的技术、过程和/或算法可以从发射器移除结构，使得不同类型的相邻发射器的结构不会被该结构重叠。作为另一个例子，本文描述的技术、过程和/或算法可以在相邻发射器之间连接类似的结构，使得相邻发射器共享相同的结构，如果结构在没有连接的情况下紧密间隔在一起，这通过消除结构之间的紧密制造公差来降低制造复杂性。

这样，本文描述的技术、过程和/或算法节省了与发射器阵列相关联的空间，并增加了每个芯片的发射器密度。此外，本文描述的技术、过程和/或算法有助于减小发射器阵列的发射器之间的距离(例如，在发射器之间具有较小间隔的发射器阵列)，有助于减小与发射器阵列相关联的总芯片尺寸(例如，对于与现有设计相同数量的发射器来说，更小的正方形面积)，有助于增加可包含在特定尺寸(具有与现有设计相比的特定尺寸)的芯片上的发射器的数量，和/或诸如此类。例如，在没有如本文所述的布局优化的情况下，对于10μm的氧化物孔径，发射器之间的最小距离可以被限制为大约25至30微米(μm)。对于基于本文描述的技术、过程和/或算法的布局优化，对于随机发射器阵列，发射器之间的最小距离可以被减小(例如，至大约14至24μm)。确切的空间节省取决于装置的几何结构(例如，氧化物和非氧化物发射器可具有影响发射器之间的最终最小距离的不同折衷)。

在一些应用中，例如三维传感应用，增加特定尺寸芯片上的发射器阵列中的发射器量可以通过为装置提供更大数量的光点以用于三维传感和/或通过从特定尺寸的芯片提供更大功率或亮度从而改善使用发射器阵列的装置的操作。进一步地，减小芯片上发射器的尺寸，而不增加芯片上发射器的量，相对于发射器阵列的前述设计提供更宽制造公差，由此有助于发射器阵列的更快制造，降低发射器阵列的制造成本，减少制造发射器阵列期间的缺陷，减少因位错传播带来的制造后缺陷(例如在保持芯片尺寸的同时，更小的发射器尺寸实现发射器之间更大的距离，这可以降低位错与发射器相交的可能性)，和/或诸如此类。

图1A和1B分别是显示了沿线XX的示例性发射器100的俯视图和示例性发射器100的截面图150的示意图。如图1B所示，发射器100可以包括以发射器架构构造的一组发射层。在一些实施方式中，发射器100可以对应于本文描述的一个或多个垂直发射装置。

如图1A所示，发射器100可以包括注入保护层102，其在该例子中是圆形形状。在一些实施方式中，注入保护层102可以具有另一形状，例如椭圆形、多边形等。基于包括在发射器200中的注入材料部分(未示出)之间的空间限定注入保护层102。

如图1A中的中灰色和深灰色所示，发射器100包括欧姆金属层104(例如p型欧姆金属层或n型欧姆金属层)，其构造为部分环形形状(例如具有内半径和外半径)。中灰色区域显示了被发射器100的保护层(例如电介质层，钝化层，和/或诸如此类)覆盖的欧姆金属层104的区域，且深灰色区域显示了通过过孔106露出的欧姆金属层104的区域，如下文所述。如所示的，欧姆金属层104与注入保护层102重叠。这种构造例如可以在P型向上/顶部发射的发射器100的情况下使用。在底部发射的发射器100的情况下，该构造可以按照需要调整。

在图1A中未示出，发射器100包括保护层，过孔106在该保护层中形成(例如蚀刻出)。深灰色区域显示了欧姆金属层104的通过过孔106露出的区域(例如深灰色区域的形状可以是过孔106形状的结果)，而中灰色区域显示了欧姆金属层104的被保护层覆盖的区域。保护层可以覆盖所有发射器，而非过孔。如所示的，过孔106形成为部分环形形状(例如类似欧姆金属层104)，且形成在欧姆金属层104上方，使得保护层上的金属化部与欧姆金属层104接触。在一些实施方式中，过孔106和/或欧姆金属层104可以形成为另一形状，例如完全环形形状或***环形形状。

如进一步所示的，在欧姆金属层104的部分环形形状的内半径中，发射器100包括在发射器100的一部分中的光孔108。发射器100经由光孔108发出激光束。如进一步所示的，发射器100还包括电流局限孔110(例如通过发射器100的氧化层(未示出)形成的氧化物孔)。电流局限孔110形成在光孔108下方。

进一步如图1A所示，发射器100包括一组沟槽112(例如氧化沟槽)，且围绕注入保护层102的周向间隔开(例如等距，不等距)。沟槽112可以相对于光孔108定位得多近取决于应用情况，且通常受到注入保护层102、欧姆金属层104、过孔106、和制造公差的限制。

图1A所示的层的数量和布置方式作为例子提供。实践中，与图1A所示的相比，发射器100可以包括额外层、较少层、不同层、或不同布置的层。例如，尽管发射器100包括六个一组的沟槽112，但是，实际中，其他构造也是可以想到的，例如包括五个沟槽112、七个沟槽112、和/或诸如此类的紧凑发射器。在一些实施方式中，沟槽112可以包围发射器100以形成凸台结构d_t。作为另一例子，尽管发射器100是圆形的发射器设计，但是在实践中，其他设计可以使用，例如矩形发射器、六边形发射器、椭圆形发射器等。另外或替换地，发射器100的一组层(例如一层或多层)可以执行一个或多个功能，所述一个或多个功能被描述为分别被发射器100的另一组层执行。

应注意，尽管发射器100的设计被描述为包括VCSEL，但是其他实施方式也是可以想到的。例如，发射器100的设计可以应用于其他类型的光学装置的情况，例如发光二极管(LED)或其他类型的垂直发射(例如顶部发射或底部发射)光学装置。另外，发射器100的设计可以应用于具有任何波长、功率水平、发射模式(emission profile)和/或诸如此类的发射器。换句话说，发射器100不是专门用于具有给定性能特征的发射器。

如图1B所示，示例性截面图可以代表经过一对沟槽112或在一对沟槽112之间(例如通过图1A中标记为“XX”的线所示)的发射器100的截面。如所示的，发射器100可以包括背侧阴极层128、基板层126、底部反射镜124、活性区域122、氧化层120、顶部反射镜118、注入绝缘材料116、保护层114(例如电介质钝化/反射镜层)和欧姆金属层104。如所示的，发射器100例如可以具有大约10μm的总高度。

背侧阴极层128可以包括与基板层126电接触的层。例如，背侧阴极层128可以包括经退火的金属化层，例如AuGeNi层、PdGeAu层等。

基板层126可以包括基部基板层，外延层在其上生长。例如，基板层126可以包括半导体层，例如GaAs层、InP层和/或类似层。

底部反射镜124可以包括发射器100的底部反射层。例如，底部反射镜124可以包括分布式布拉格反射器(DBR)。

活性区域122可以包括对电子进行局限并限定发射器100的发射波长的层。例如，活性层122可以是量子阱。

氧化层120可以包括氧化物层，其提供发射器100的光和电局限。在一些实施方式中，氧化层120可以因外延层的湿氧化而形成。例如，氧化层120可以是Al₂O₃层，其是由于AlAs或AlGaAs层的氧化形成的。沟槽112可以包括开口，其允许氧气(例如干燥氧气、湿润氧气)到达外延层，氧化层120从该外延层形成。

电流局限孔110可以包括通过氧化层120限定的旋光孔。电流局限孔110的尺寸可以例如为大约4μm到大约20μm的范围。在一些实施方式中，电流局限孔110的尺寸可以取决于围绕发射器100的沟槽112之间的距离。例如，沟槽112可以被蚀刻以露出外延层，氧化层120从该外延层形成。这里，在形成(例如沉积)保护层114之前，可以针对朝向发射器100的中心的特定距离(例如图1B中的d_o所示的)发生外延层的氧化，由此形成氧化层120和电流局限孔110。在一些实施方式中，电流局限孔110可以包括氧化物孔。另外或替换地，电流局限孔110可以包括与其他类型的电流局限技术(例如蚀刻凸台(etched mesa)、没有离子注入的区域、经平板印刷限定的内空腔凸台和再生长(regrowth)等)关联的孔。

顶部反射镜118可以包括发射器100的顶部反射层。例如，顶部反射镜118可以包括DBR。

注入绝缘材料116可以包括提供电绝缘的材料。例如，注入绝缘材料116可以包括离子注入材料，例如氢/质子注入材料或相似的注入元素，以降低导电性。在一些实施方式中，注入绝缘材料116可以限定注入保护层102。

保护层114可以包括用作保护钝化层且可以用作额外DBR的层。例如，保护层114可以包括沉积(例如通过化学气相沉积，原子层沉积，或其他技术)在发射器100的一个或多个其他层上的一个或多个子层(例如电介质钝化层和/或反射层，SiO₂层，Si₃N₄层，Al₂O₃层，或其他层)。

如所示的，保护层114可以包括一个或多个过孔106，其提供对欧姆金属层104的电介入。例如，过孔106可以形成为保护层114的蚀刻部分或保护层114的剥离部分。光孔108可以包括在电流局限孔110上方的一部分保护层114，光可以通过该部分发射。

欧姆金属层104可以包括进行电接触的层，电流可以通过该层流动。例如，欧姆金属层104可以包括Ti和Au层、Ti和Pt层和/或Au层等，电流可以流动通过这种层(例如通过接合盘(未示出)，该接合盘通过过孔106接触欧姆金属层104)。欧姆金属层104可以是P型、N型或本领域已知的其他形式。具体类型欧姆金属层104的选择可以取决于发射器的架构且在本领域技术人员的知识范围内是已知的。欧姆金属层104可以提供金属和半导体之间的欧姆接触和/或可以提供非整流电结合和/或可以提供低电阻接触。在一些实施方式中，可以使用一系列步骤制造发射器100。例如，底部反射镜124、活性区域122、氧化层120、和顶部反射镜118可以在基板层126上外延生长，此后可以在顶部反射镜118上沉积欧姆金属层104。接下来，沟槽112可以被蚀刻以露出氧化层120，以用于氧化。注入绝缘材料116可以经由离子注入形成，此后可以沉积保护层114。过孔106可以被蚀刻在保护层114中(例如用于露出欧姆金属层104，以进行接触)。可以执行电镀、晶种和蚀刻，此后可以让基板层126变薄和/或重叠(lapped)到目标厚度。最后，背侧阴极层128可以被沉积在基板层126的底侧上。

图1B所示层的数量、布置方式、厚度、顺序、对称性等是作为例子提供的。实践中，与图1B所示的相比，发射器100可以包括额外层、较少层、不同层、不同构造的层、或不同布置的层。另外或替换地，发射器100的一组层(例如一层或多层)可以执行一个或多个功能，其被描述为通过发射器100的另一组层执行，且任何层可以包括多于一个的层。

图2A和2B是本文描述的用于优化发射器阵列200的布局的一个或多个示例性实施方式的示意图。在一些实施方式中，图2A和2B可以显示完整发射器阵列200。在一些实施方式中，图2A和2B可以显示发射器阵列200的一部分，且与图2A和2B相关的技术、过程、和/或算法可以用于优化发射器阵列200的其余部分的布局。

图2A示出了发射器阵列200的非优化布局。如图2A所示，发射器阵列200可以包括多个发射器202。在一些实施方式中，装置可以生成发射器阵列200的非优化布局，以包括芯片或装置的基板上的多个发射器202的二维图案(例如，网格图案、六边形图案、随机图案、不规则图案等)或配置。

发射器202可以是垂直发光装置，例如发光二极管(LED)、垂直腔表面发射激光器(VCSEL)、垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)等。如图2A进一步所示，发射器202可以包括多种类型的结构，例如一个或多个沟槽204、一个或多个p型金属延伸部208(例如，从p型金属环206径向向外延伸的延伸部)、在一个或多个p型金属延伸部208中的一个或多个过孔、和/或类似结构。

在一些实施方式中，沟槽204可以包括各种氧化沟槽等。在一些实施方式中，p型金属环206和p型金属延伸部208可以是一层或多层p型欧姆金属。在一些实施方式中，包括在p型金属环206和p型金属延伸部208上的一个或多个保护层(例如，介电层、钝化层和/或其他类型的保护层)可以被移除(例如，通过蚀刻或其他工艺)，使得过孔210形成为穿过保护层，以暴露保护层下的p型欧姆金属。沟槽204、p型金属延伸部208和过孔210可以位于p型金属环206的周围。沟槽204可以散布在p型金属延伸部208/过孔210之间。例如，如图2A所示，沟槽204和p型金属延伸部208/过孔210可以围绕p型金属环206的周向交替。

如图2A进一步所示，发射器阵列200的布局可以包括单独的发射器202(例如，未分组的发射器202)和发射器202的一个或多个组214，例如组214a、组214b、和/或类似组。如果发射器202至少部分重叠(例如，发射器202的一个或多个结构至少部分地与另一发射器202的一个或多个结构重叠)，如果发射器202在彼此的阈值距离内，和/或诸如此类，则多个发射器202可以被“分组”。也就是说，发射器202的组214可以包括多个连续重叠的发射器202。

发射器202可以被配置在图2A中的发射器阵列200中，使得所有发射器202的方向是相同的方向。如这里所使用的，发射器202的“取向”可以指发射器202的p型金属环206中的凹口212的位置，并且可以由穿过p型金属环206的半径并穿过凹口212的线YY来指示。发射器202的取向、发射器202之间的紧密间隔、发射器202中包括的结构的形状、尺寸和/或其他参数的组合会导致发射器阵列200的非优化布局。

在一些情况下，图2A所示的发射器阵列200的布局可以是非优化的布局，其中在发射器阵列200中存在两个或多个发射器202的不相似结构的区域216(例如，区域216a-216d)中的一个或多个重叠。例如，在区域216中，第一发射器202的沟槽204可以至少部分地与第二发射器202的p型金属延伸部208和过孔210重叠，并且第二发射器202的沟槽204可以至少部分地与第一发射器202的p型金属延伸部208和过孔210重叠。结果，在一些情况下，可以仅实现发射器阵列200中发射器202之间25至30μm的最小间隔。

图2B示出了发射器阵列200的示例优化布局。在一些实施方式中，装置可以使用本文描述的一种或多种技术、过程和/或算法来调整发射器阵列200的布局，以优化其他发射器阵列的布局和/或布局。图2B所示的发射器阵列200的布局可以被优化，其中发射器阵列200中的发射器202之间的不同类型的结构不重叠(例如，在发射器202的沟槽204和相邻发射器202的p型金属延伸部208或过孔210之间)，相对于非优化布局而言，这允许发射器阵列200中的发射器202之间的间隔更近。在这种情况下，发射器阵列200可以被称为紧密间隔发射器阵列，因为发射器202被允许间隔14-24μm。

在一些实施方式中，优化发射器阵列200的布局可以包括通过让发射器202旋转来修改或调整发射器202的取向，使得凹口212朝向不同的方向(例如，通过让发射器202旋转而使得凹口212相对于凹口212的初始位置旋转30度)。让一个或多个相邻发射器202旋转可以允许相邻发射器202的沟槽204对准和/或重叠，可以允许相邻发射器202的p型金属延伸部208和/或过孔210对准和/或重叠，并且可以防止沟槽204与相邻发射器202的p型金属延伸部208和/或过孔210重叠。

在一些实施方式中，优化发射器阵列200的布局可以包括修改或调整发射器阵列200中相邻发射器202之间的不同类型结构之间的间隔。例如，可以调整发射器202中的沟槽204和相邻发射器202中的p型金属延伸部208和/或过孔210之间的间隔，使得沟槽204不与p型金属延伸部208和/或过孔210重叠。在一些实施方式中，优化发射器阵列200的布局可以包括修改或调整同一发射器202内不同类型结构之间的间隔。例如，可以调整发射器202中的沟槽204和发射器202中的p型金属延伸部208和/或过孔210之间的间隔，使得沟槽204不与相邻发射器202中的p型金属延伸部208和/或过孔210重叠。

在一些实施方式中，优化发射器阵列200的布局可以包括修改或调整一个或多个相邻发射器202的一个或多个结构的尺寸和/或形状。在一些实施方式中，修改包括在发射器202中的结构的形状可以包括将该结构的形状改变为另一形状，使得该结构不与相邻发射器202中的不同类型的结构重叠。例如，根据发射器202和/或相邻发射器202的几何结构，发射器202的沟槽204的形状可以从环形截面改变为三角形。

在一些实施方式中，修改包括在发射器202中的结构的尺寸可以包括增加或减少该结构的径向宽度或扫掠角(sweep angle)。结构的径向宽度或扫掠角可以指结构的前缘218(例如，在逆时针方向上沿p型金属环206周向的、结构的第一边缘)和后缘220(例如，在逆时针方向上沿p型金属环206周向的、结构的第二边缘)之间的径向距离。可以通过增加或减小前缘218和后缘220之间的距离、通过修改或调整前缘218和/或后缘220的位置、和/或诸如此类来修改或调整结构的径向宽度或扫掠角。

在一些实施方式中，修改包括在发射器202中的结构的尺寸可以包括增加或减少该结构的径向宽度。结构的径向宽度可以指p型金属环206和结构的外边缘222之间的径向距离。可以通过增加或减少p型金属环206和外边缘222之间的径向距离来修改或调整结构的该径向宽度。

在一些实施方式中，优化发射器阵列200的布局可以包括从发射器202添加或移除一个或多个结构，使得一个或多个被移除的结构不与相邻发射器202中的一个或多个结构重叠。在这种情况下，相对于相邻的发射器202，发射器202可以包括不同数量的特定结构类型(或多个结构类型)。例如，可以从发射器202移除p型金属延伸部208和/或过孔210，使得p型金属延伸部208和/或过孔210以及相邻发射器202的沟槽204不重叠。

在一些实施方式中，优化发射器阵列200的布局可以包括调整或修改发射器202的取向、调整或修改发射器202的结构的尺寸和/或形状、和/或诸如此类，使得发射器202的结构可以与相邻发射器202的相同类型的结构重叠。相同类型的结构的重叠可以是有意的重叠，而不是无意或非故意的重叠。无意的重叠可以是作为例如发射器202的旋转这样的改变和/或另一种类型的改变的结果的、相同类型结构的重叠，其通过消除不同类型的结构之间的重叠来提供布局优化，而没有导致相同类型的结构重叠的故意。

有意的重叠可以是相同类型结构的重叠，使得重叠的结构可以被连接以形成发射器202和相邻发射器202之间共享的单个结构。在这种情况下，发射器202可以被明确地旋转，以引起相同类型的结构的重叠。作为示例，发射器202的p型金属延伸部208和相关联的过孔210可以分别连接到相邻发射器202的p型金属延伸部208和相关联的过孔210，使得单个p型金属延伸部208和单个过孔210在发射器202和相邻发射器202之间共享。这改善了用于制造发射器202和相邻发射器202的工艺余量，允许电流流过单个过孔210到达单个p型金属延伸部208，使得电流可以流过发射器202和相邻发射器202、和/或诸如此类。

在一些实施方式中，该装置可以使用上述任何技术或其组合来优化发射器阵列200的布局(例如，增加发射器阵列200中的发射器202的密度，减少和/或最小化不同类型结构的重叠、和/或诸如此类)。作为示例，如图2B中的区域216a所示，相邻发射器202中的沟槽204的尺寸可以被调整或修改(例如，沟槽204的径向宽度或扫掠角可以减小)，使得沟槽204不与相邻发射器202的p型金属延伸部208和过孔210重叠，如图2A中的216a的非优化配置所示。

作为另一个例子，如图2B中的区域216b所示，可以修改或调整发射器202的取向(例如，发射器202可以旋转)，使得发射器202的沟槽204与相邻发射器202的沟槽204重叠(例如，无意地或有意地)。在该示例中，发射器202的旋转防止发射器202的沟槽204与相邻发射器202的p型金属延伸部208和过孔210重叠，并且防止相邻发射器202的沟槽204与发射器202的p型金属延伸部208和过孔210重叠，如图2A中的216b的非优化配置所示。此外，发射器202的旋转允许p型金属延伸部208和相关联的过孔210与相邻过孔210的p型金属延伸部208和相关联的过孔210重叠和连接，从而单个p型金属延伸部208和相关联的过孔210形成并在发射器202和相邻发射器202之间被共享。发射器202的旋转进一步允许沟槽204与相邻过孔210的沟槽204重叠和连接，使得在发射器202和相邻发射器202之间形成并共享单个沟槽204。

作为另一个例子，如图2B中的区域216c所示，可以修改或调整发射器202和相邻发射器202的取向(例如，发射器202和相邻发射器202每一个可以旋转)，使得发射器202的多个沟槽204中的每一个与相邻发射器202的相应沟槽204重叠(例如，无意或有意地)。此外，发射器202和相邻发射器202的旋转允许p型金属延伸部208和相关联的过孔210有意地与相邻过孔210的p型金属延伸部208和相关联的过孔210重叠和连接，从而单个p型金属延伸部208和相关联的过孔210被形成并在发射器202和相邻发射器202之间被共享。

在一些实施方式中，结构的各种组合可以连接在发射器202和相邻发射器202之间，例如发射器202和相邻发射器202之间的一个或多个p型金属延伸部208和相关联的过孔210(例如，如图2B的区域216b所示的多个，单个p型金属延伸部208和相关联的过孔210，和/或诸如此类)、发射器202和相邻发射器202之间的一个或多个沟槽204(例如，如图2B的区域216b和216c所示)，p型金属延伸部208(而不是相关联的过孔210)可以连接在发射器202和相邻发射器202之间，p型金属延伸部208和/或相关联的过孔210(而不是沟槽204)可以连接在发射器202和相邻发射器202之间，沟槽204(而不是p型金属延伸部208和/或相关联的过孔210)可以连接在发射器202和相邻发射器202之间，和/或其他组合。

作为另一个示例，如图2B中的区域216d所示，可以调整或修改发射器202中的第一沟槽204的尺寸(例如，沟槽204的径向宽度可以减小)，使得第一沟槽204不与相邻发射器202的p型金属延伸部208和相关联的过孔210重叠，如图2A中的非优化配置216d所示。此外，可以去除发射器202的第二沟槽204，使得第二沟槽204不与相邻发射器202的p型金属延伸部208和相关联的过孔210重叠。

在一些实施方式中，该装置可以在过程(例如，迭代或非迭代)、算法(例如，迭代或非迭代)和/或诸如此类中使用上述任何技术和/或其他技术或其组合来优化发射器阵列200的布局(例如，增加发射器阵列200中的发射器202的密度，减少和/或最小化不同类型的重叠结构等)。例如，在图4的过程400、图5的过程500、图6的过程600、图7的过程700中和/或诸如此类，该装置可以使用上述任何技术和/或其他技术或其组合来优化发射器阵列200的布局。

以这种方式，本文描述的技术、过程和/或算法可用于优化发射器阵列200和/或其他发射器阵列的布局，以节省与发射器阵列相关联的空间并增加每个芯片的发射器密度。此外，本文描述的技术、过程和/或算法有助于减小发射器阵列的发射器之间的距离(例如，发射器之间具有较小间隔的发射器阵列)，有助于减小与发射器阵列相关联的总芯片尺寸(例如，对于与现有设计相同数量的发射器而言，面积较小)，有助于增加可包含在特定尺寸(与现有设计相比具有特定尺寸)的芯片上的发射器数量，和/或诸如此类。

如上所述，图2A和2B被提供作为一个或多个示例。其他示例可以不同于关于图2A和2B所描述的。

图3是装置300的示例部件的图。装置300可以包括计算装置，例如膝上型计算机、平板计算机、手持计算机、台式计算机、服务器计算机、工作站计算机、云计算环境中提供的虚拟机、分布式计算网络中的一个或多个装置和/或诸如此类。在一些实现中，膝上型计算机、平板计算机、手持计算机、台式计算机、服务器计算机、工作站计算机、云计算环境中提供的虚拟机、分布式计算网络中的一个或多个装置和/或诸如此类可以包括一个或多个装置300和/或装置300的一个或多个部件。如图3所示，装置300可以包括总线310、处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360和通信接口370。

总线310包括允许装置300的部件之间通信的部件。处理器320以硬件、固件、或硬件和软件的组合来实现。处理器320采取中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、加速处理单元(APU)、微处理器、微控制器、数字信号处理器(DSP)、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)或其他类型的处理部件的形式。在一些实施方式中，处理器320包括能够被编程以执行功能的一个或多个处理器。存储器330包括存储供处理器320使用的信息和/或指令的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和/或另一种类型的动态或静态存储装置(例如，闪存、磁存储器和/或光存储器)。

存储部件340存储与装置300的操作和使用相关的信息和/或软件。例如，存储部件340可以包括硬盘(例如，磁盘、光盘、磁光盘和/或固态盘)、光盘(CD)、数字多功能盘(DVD)、软盘、盒式磁带、磁带和/或另一种类型的非暂时性计算机可读介质，以及相应的驱动器。

输入部件350包括允许装置300接收信息的部件，例如通过用户输入(例如，触摸屏显示器、键盘、小键盘、鼠标、按钮、开关和/或麦克风)。附加地或替代地，输入部件350可以包括用于感测信息的传感器(例如，全球定位系统(GPS)部件、加速度计、陀螺仪和/或致动器)。输出部件360包括提供来自装置300的输出信息的部件(例如，显示器、扬声器和/或一个或多个发光二极管(LED))。

通信接口370包括类似收发器的部件(例如，收发器和/或分开的接收器和发射器)，其使得装置300能够例如经由有线连接、无线连接或有线和无线连接的组合与其他装置通信。通信接口370可以允许装置300从另一装置接收信息和/或向另一装置提供信息。例如，通信接口370可以包括以太网接口、光学接口、同轴接口、红外接口、射频接口(RF)、通用串行总线接口(USB)、Wi-Fi接口、蜂窝网络接口等。

装置300可以执行本文描述的一个或多个过程。装置300可以基于处理器320执行由非暂时性计算机可读介质(例如存储器330和/或存储部件340)存储的软件指令来执行这些过程。计算机可读介质在这里被定义为非暂时性存储装置。存储装置包括单个物理存储装置内的存储空间或分布在多个物理存储装置上的存储空间。

软件指令可以通过通信接口370从另一计算机可读介质或从另一装置读入存储器330和/或存储部件340。当被执行时，存储在存储器330和/或存储部件340中的软件指令可以使处理器320执行本文描述的一个或多个过程。此外，或者可替换地，可以使用硬连线电路来代替软件指令或者与软件指令相结合来执行本文描述的一个或多个过程。因此，本文描述的实现不限于硬件电路和软件的任何特定组合。

图3中所示的部件的数量和布置被提供作为示例。实际上，装置300可以包括比图3所示的更多的部件、更少的部件、不同的部件或不同布置的部件。附加地或替代地，装置300的一组部件(例如，一个或多个部件)可以执行被描述为由装置300的另一组部件执行的一个或多个功能。

图4是用于优化紧密间隔发射器阵列的布局的示例过程400的流程图。例如，图4示出了用于优化上述发射器阵列200的布局的示例过程400。值得注意的是，虽然示例过程400是在优化发射器阵列200的布局的背景下描述的，但是针对过程400描述的实施方式同样适用于其他类型的紧密间隔发射器阵列。在一些实现中，过程400可以由装置(例如，装置300和/或另一装置)执行。

如图4所示，过程400可以包括生成包括多个发射器的紧密间隔发射器阵列的布局(框410)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以生成包括多个发射器(例如，发射器202)的紧密间隔发射器阵列(例如，发射器阵列200)的布局。在一些实施方式中，紧密间隔发射器阵列的布局可以包括装置或芯片的基板上的多个发射器的二维图案(例如，网格图案、六边形图案、随机图案、不规则图案等)或配置。

如图4中进一步所示，过程400可以包括识别包括在多个发射器中的第一发射器中的第一多个结构和包括在多个发射器中的第二发射器中的第二多个结构之间的不同类型结构的重叠(框420)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以识别包括在多个发射器中的第一发射器中的第一多个结构和包括在多个发射器中的第二发射器中的第二多个结构之间的不同类型结构的重叠。例如，该装置可以识别第一发射器的沟槽(例如，沟槽204)和第二发射器的p型金属延伸部(例如，p型金属延伸部208)和/或过孔(例如，过孔210)之间的重叠。

如图4中进一步所示，过程400可以包括调整紧密间隔发射器阵列的布局，使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠，同时保持多个发射器之间的紧密间隔(框430)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以调整紧密间隔发射器阵列的布局，使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠，同时保持多个发射器之间的紧密间隔。

在一些实施方式中，调整紧密间隔发射器阵列的布局可以包括调整包括在第一多个结构中的一个或多个沟槽(例如，沟槽204)的形状、调整包括在第二多个结构中的一个或多个沟槽的形状、调整包括在第一多个结构中的一个或多个沟槽的尺寸、调整包括在第二多个结构中的一个或多个沟槽的尺寸、调整包括在第一多个结构中的一个或多个过孔(例如，过孔210)的形状，调整包括在第二多个结构中的一个或多个过孔的形状、调整包括在第一多个结构中的一个或多个过孔的尺寸、调整包括在第二多个结构中的一个或多个过孔的尺寸、调整包括在第一多个结构中的过孔和沟槽之间的间隔、调整包括在第二多个结构中的过孔和沟槽之间的间隔、旋转第一发射器或第二发射器中的至少一个、或者调整包括在第一多个结构中的过孔的数量或包括在第二多个结构中的过孔的数量中的至少一个、或者调整包括在第一多个结构中的多个沟槽的数量或包括在第二多个结构中的多个沟槽的数量中的至少一个、调整包括在第一多个结构和/或第二多个结构中的p型金属延伸部(例如，p型金属延伸部208)的尺寸、形状、间隔和/或数量，等等。

在一些实施方式中，调整紧密间隔发射器阵列的布局可以包括基于针对图5的过程500、图6的过程600和/或图7的过程700描述的一个或多个技术、过程和/或算法来调整紧密间隔发射器阵列的布局。

过程400可以包括额外的实施方式，例如下面描述的任何单个实施方式或任何实施方式的组合，和/或与本文别处描述的一个或多个其他过程相关联。

尽管图4示出了过程400的示例框，但是在一些实施方式中，过程400可以包括与图4中描绘的那些框相比额外的框、更少的框、不同的框或不同布置的框。附加地或替代地，过程400的两个或更多个框可以并行执行。

图5是用于优化紧密间隔发射器阵列的布局的示例过程500的流程图。例如，图5示出了用于优化上述发射器阵列200的布局的示例过程500。值得注意的是，虽然示例性过程500是在优化发射器阵列200的布局的背景下描述的，但是关于过程500描述的实施方式同样适用于其他类型的紧密间隔发射器阵列。在一些实施方式中，过程500可以由装置(例如，装置300和/或另一装置)执行。

如图5所示，过程500可以包括选择在紧密间隔发射器阵列的布局中的第一发射器的取向(框510)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以在紧密间隔发射器阵列(例如，发射器阵列200)的布局中选择第一发射器(例如，第一发射器202)的取向。在一些实施方式中，过程500可以包括基于确定第一发射器与紧密间隔发射器阵列中的阈值数量(例如，三个和/或诸如此类)的相邻发射器具有最小间隔来识别第一发射器。在一些实施方式中，确定第一发射器与紧密间隔发射器阵列中的阈值数量的相邻发射器具有最小间隔可以包括，确定紧密间隔发射器阵列中的每个发射器的沟槽中心，以及从发射器的沟槽中心识别最靠近发射器的阈值数量的相邻发射器。

在一些实施方式中，第一发射器的取向可以基于包括在第一发射器中的p型金属环(例如，p型金属环206)中的凹口(例如，凹口212)的位置来确定。在一些实施方式中，选择第一发射器的取向可以包括在发射器阵列中将第一发射器的取向固定在特定旋转角度。

如图5中进一步所示，过程500可以包括基于确定第二发射器处于距第一发射器的阈值距离内来识别第二发射器(框520)。例如，装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以基于确定第二发射器处于距第一发射器的阈值距离内来识别第二发射器(例如，第二发射器202)。在一些实施方式中，确定第二发射器处于距第一发射器的阈值距离内可以包括，确定第二发射器是与第一发射器最接近并与第一发射器具有最小间隔的未优化发射器(例如，未标记为优化的)和/或与其他已优化发射器最接近的未优化发射器(例如，未标记为优化的)。

如图5中进一步所示，过程500可以包括调整发射器阵列布局中的第二发射器的取向，使得第一发射器中的沟槽和第二发射器中的沟槽之间的间隔满足阈值距离(框530)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以调整发射器阵列布局中的第二发射器的取向，使得第一发射器中的沟槽(例如，沟槽204)和第二发射器中的沟槽(例如，沟槽204)之间的间隔满足阈值距离。在一些实施方式中，调整第二发射器的取向可以包括旋转第二发射器，使得调整后的第二发射器的取向将第二发射器和第一发射器(以及发射器阵列中的其他优化发射器)之间的沟槽到沟槽的间隔最小化。

在一些实施方式中，过程500可以进一步包括针对发射器阵列中的其他发射器执行以上针对框510-530描述的技术，直到发射器阵列的布局被优化。

过程500可以包括额外的实施方式，例如下面描述的任何单个实施方式或任何实施方式的组合，和/或与本文别处描述的一个或多个其他过程相关联。

尽管图5示出了过程500的示例框，但是在一些实施方式中，过程500可以包括与图5所示的那些框相比的附加框、更少的框、不同的框或不同布置的框。另外，或者可替换地，过程500的两个或更多个框可以并行执行。

图6是用于优化发射器阵列布局的示例过程600的流程图。例如，图6示出了用于优化上述发射器阵列200的布局的示例过程600。值得注意的是，虽然示例过程600是在优化发射器阵列200的布局的背景下描述的，但是关于过程600描述的实施方式同样适用于其他类型的发射器阵列。在一些实施方式中，过程600可以由装置(例如，装置300和/或另一装置)执行。

如图6所示，过程600可以包括，针对包括在发射器阵列中的第一发射器的取向和包括在发射器阵列中的第二发射器的取向的多个候选组合中的每一个，确定包括在第一发射器中的沟槽的前缘(leading edge)和包括在第二发射器中的沟槽的后缘(trailingedge)之间的第一距离，包括在第一发射器中的沟槽的中心和包括在第二发射器中的沟槽的中心之间的第二距离，以及包括在第一发射器中的沟槽的后缘和包括在第二发射器中的沟槽的前缘之间的第三距离(框610)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以针对包括在发射器阵列(例如，发射器阵列200)中的第一发射器(例如，第一发射器202)的取向和包括在发射器阵列中的第二发射器(例如，第二发射器202)的取向的多个候选组合中的每一个，确定包括在第一发射器中的沟槽(例如，沟槽204)的前缘(例如，前缘218)和包括在第二发射器中的沟槽的后缘(例如，后缘220)之间的第一距离，包括在第一发射器中的沟槽的中心和包括在第二发射器中的沟槽的中心之间的第二距离，以及包括在第一发射器中的沟槽的后缘和包括在第二发射器中的沟槽的前缘之间的第三距离。

在一些实施方式中，可以基于包括在第一发射器中的p型金属环(例如，p型金属环206)中的凹口(例如，凹口212)的位置来确定第一发射器的取向。在一些实施方式中，可以基于第二发射器中包括的p型金属环(例如，p型金属环206)中的凹口(例如，凹口212)的位置来确定第二发射器的取向。

在一些实施方式中，过程600可以包括通过基于发射器阵列的制造和/或掩模布局的设计参数而将第一发射器和第二发射器分组为一组(例如，组214)，从而识别第一发射器和第二发射器。例如，第一发射器和第二发射器可以基于第一发射器和第二发射器之间的接近度和/或阈值距离而被分组。在一些实施方式中，可以将其他发射器与第一发射器和第二发射器分在一组，并且可以基于类似的参数形成其他发射器组。在一些实施方式中，未分组的发射器可以被忽略。

在一些实施方式中，过程600可以进一步包括，针对第一发射器和第二发射器的取向的多个候选组合中的每一个，确定包括在第一发射器中的p型金属延伸部(例如，p型金属延伸部208)的前缘和包括在第二发射器中的p型金属延伸部的后缘之间的第一距离，包括在第一发射器中的p型金属延伸部的中心和包括在第二发射器中的p型金属延伸部的中心之间的第二距离，以及包括在第一发射器中的p型金属延伸部的后缘和包括在第二发射器中的p型金属延伸部的前缘之间的第三距离。在一些实施方式中，过程600可以进一步包括，针对第一发射器和第二发射器的取向的多个候选组合中的每一个，确定包括在第一发射器中的过孔(例如，过孔210)的前缘和包括在第二发射器中的过孔的后缘之间的第一距离，包括在第一发射器中的过孔的中心和包括在第二发射器中的过孔的中心之间的第二距离，以及包括在第一发射器中的过孔的后缘和包括在第二发射器中的过孔的前缘之间的第三距离。

如图6中进一步所示，过程600可以包括，针对发射器阵列的布局并从第一发射器的取向和第二发射器的取向的多个候选组合中，选择第一发射器的取向和第二发射器的取向的组合，该组合能使得第一距离、第二距离和第三距离最小化(框620)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以针对发射器阵列的布局并从第一发射器的取向和第二发射器的取向的多个候选组合中选择第一发射器的取向和第二发射器的取向的组合，该组合能使得第一距离、第二距离和第三距离最小化。

过程600可以包括额外的实施方式，例如下面描述的任何单个实施方式或任何实施方式的组合，和/或结合本文别处描述的一个或多个其他过程。

在一些实施方式中，过程600可以进一步包括选择第一发射器作为发射器组中的种子(seed)，并且针对第一发射器和第二发射器的取向的多个候选组合中的每一个并在该多个候选组合中第一发射器的取向固定的情况下，确定第一距离、第二距离和第三距离。在一些实施方式中，可以基于第二发射器是距第一发射器最接近的未优化发射器来选择第二发射器。在一些实施方式中，过程600可以进一步包括基于选择能使得第一距离、第二距离和第三距离最小化的、第一发射器的取向和第二发射器的取向的组合来将第二发射器的取向标记为已优化。

在一些实施方式中，过程600可以进一步包括针对该组中的其他发射器执行以上结合框610-620描述的技术，直到该组中的所有发射器的取向被标记为已优化。在一些实施方式中，过程600可以进一步包括，一旦组中的所有发射器被标记为已优化，则为组中的所有发射器组合确定所有被最小化的第一距离、第二距离和第三距离的总和。

在一些实施方式中，过程600可以进一步包括，在针对该组中所有发射器组合确定所有被最小化的第一距离、第二距离和第三距离的总和之后，旋转第一发射器(例如，种子)，并将第一发射器的取向标记为已优化，并针对发射器组中的所有发射器重复以上针对框610-620描述的技术，直到基于第一发射器的修改后的取向将所有发射器标记为已优化。在一些实施方式中，过程600可以进一步包括，一旦该组中的所有发射器针对第一发射器的修改后的取向而被标记为已优化，则针对该组中所有发射器组合确定所有被最小化的第一距离、第二距离和第三距离的总和。在一些实施方式中，导致最小或最低第一距离、第二距离和第三距离组合的第一发射器的取向(或旋转角度)可以是发射器组的最佳情况的取向优化。在一些实施方式中，过程600可以进一步包括针对发射器阵列中的其他发射器组执行以上针对图6描述的技术。

在一些实施方式中，除了前缘和后缘之间的距离之外和/或备选地，可以使用其他品质因数(figure of merit)，例如径向宽度、形状、间隔和/或其他品质因数。

尽管图6示出了过程600的示例框，但是在一些实施方式中，过程600可以包括与图6中描绘的那些框相比的附加框、更少的框、不同的框或不同布置的框。另外，或者可替换地，过程600的两个或更多个框可以并行执行。

图7是用于优化发射器阵列布局的示例过程700的流程图。例如，图7示出了用于优化上述发射器阵列200的布局的示例过程700。值得注意的是，虽然示例过程700是在优化发射器阵列200的布局的背景下描述的，但是关于过程700描述的实现同样适用于其他类型的发射器阵列。在一些实现中，过程700可以由装置(例如，装置300和/或另一装置)执行。

如图7所示，过程700可以包括选择与发射器阵列的设计参数相关联的品质因数(框710)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以选择与发射器阵列(例如，发射器阵列200)的设计参数相关联的品质因数。在一些实施方式中，设计参数可以包括使得发射器阵列中相邻发射器(例如，发射器202)之间不同结构类型之间的重叠最小化和/或消除。

在一些实施方式中，品质因数可以包括发射器阵列的相邻发射器中的相同类型的结构之间的重叠面积，例如相邻发射器中的沟槽(例如，沟槽204)、相邻发射器中的p型金属延伸部(例如，p型金属延伸部208)、相邻发射器中的过孔(例如，过孔210)等。在一些实施方式中，品质因数可以包括与发射器的沟槽和相邻发射器的p型金属延伸部和/或过孔之间的重叠相关联的成本函数。在一些实施方式中，过程700可以包括为发射器阵列选择多个品质因数。在一些实施方式中，其他品质因数(一个或多个)可以用于相邻发射器的沟槽、p型金属延伸部和/或过孔。

如图7中进一步所示，过程700可以包括将品质因数参数化为包括在发射器阵列中的发射器的一个或多个参数的函数(框720)。例如，该装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以将品质因数参数化为包括在发射器阵列中的发射器的一个或多个参数的函数。例如，品质因数可以被参数化为发射器阵列中发射器的取向(例如，旋转角度)的函数(例如，品质因数(FoM)＝f(θ₁,θ₂,..θ_n)，其中θ_i是第i个发射器的取向)。作为另一个例子，品质因数可以被参数化为发射器中的结构(例如，沟槽、p型金属延伸部、过孔和/或类似物)的尺寸、形状、配置、数量、间隔和/或诸如此类的函数。在一些实施方式中，品质因数可以被参数化为包括在发射器阵列中的发射器的多个参数的函数。

如图7中进一步所示，过程700可以包括基于经参数化的品质因数来求解n维最小化函数(框730)。例如，装置(例如，使用处理器320、存储器330、存储部件340、输入部件350、输出部件360、通信接口370和/或诸如此类)可以基于经参数化的品质因数来求解n维最小化函数。在一些实施方式中，n维最小化函数可以是用于发射器阵列布局的优化函数。n维可以对应于包括在发射器阵列中的发射器的数量。在一些实现中，n维最小化函数可以是经参数化的品质因数的函数。在这种情况下，求解n维最小化函数可以包括，确定包括在发射器阵列中的发射器的一个或多个参数，该一个或多个参数使品质因数最小化(例如，使相邻发射器中不同结构类型之间的重叠最小化和/或诸如此类)。

过程700可以包括额外的实施方式，例如下面描述的任何单个实施方式或任何实施方式的组合，和/或结合本文别处描述的一个或多个其他过程。

尽管图7示出了过程700的示例框，但是在一些实施方式中，过程700可以包括与图7所示的那些框相比的附加的框、更少的框、不同的框或不同布置的框。附加地或替代地，过程700的两个或更多个框可以并行执行。

前述公开内容提供了说明和描述，但并不旨在穷举或将实现限制为所公开的精确形式。可以根据上述公开内容进行修改和变化，或者可以从实现的实践中获得修改和变化。

如本文所用，术语“层”旨在广义地解释为一个或多个层，并且包括水平、垂直或以其他角度取向的层。

即使特征的特定组合在权利要求中陈述和/或在说明书中公开，这些组合并不旨在限制各种实施方式的公开。事实上，这些特征中的许多可以以权利要求中未具体列举和/或说明书中未公开的方式组合。尽管下面列出的每个从属权利要求可以直接仅依赖于一个权利要求，但是各种实现的公开包括每个从属权利要求与权利要求集中的每个其他权利要求的组合。

除非明确说明，否则本文中使用的任何元素、动作或指令都不应被解释为关键或必要的。此外，如这里所使用的，冠词“一”旨在包括一个或多个项目，并且可以与“一个或多个”互换使用此外，如本文所用，冠词“该”旨在包括与冠词“该”相关的一个或多个项目，并且可以与“一个或多个”互换使用此外，如本文所用，术语“组合”旨在包括一个或多个项目(例如，相关项目、不相关项目、相关和不相关项目的组合等)并且可以与“一个或多个”互换使用。如果只打算使用一个项目，则使用短语“只有一个”或类似的语言。此外，如在此使用的，术语“有”等旨在是开放式术语。此外，短语“基于”旨在表示“至少部分基于”，除非另有明确说明。此外，如本文所用，术语“或”在一系列中使用时旨在是包含性的，并且可以与“和/或”互换使用，除非另有明确说明(例如，如果与“任一”或“仅其中之一”结合使用)。

相关应用

本申请要求2019年4月9日提交的标题为“OPTIMIZING EMITTER ORIENTATION TOMAXIMIZE EMITTER DENSITY ORIENTATION”的美国临时专利申请No.62/831,513和2019年4月18日提交的标题为“OPTIMIZING EMITTER LAYOUT WITHIN AN ARRAY FOR DENSELYPACKET ARRAY DESIGN”的美国临时专利申请No.62/835,791的优先权，且是2019年3月25日提交的标题为“EMITTER ARRAY WITH SHARED VIA TO AN OHMIC METAL SHARED BETWEENADJACENT EMITTERS”的美国专利申请No.16/383,753的部分继续申请，其要求2018年3月28日提交的标题为“INTERSTITIAL VIA FOR HIGH DENSITY VERTICAL CAVITY SURFACEEMITTING LASER(VCSEL)ARRAY”的美国临时专利申请No.62/649,366优先权，所有文献的内容通过引用全部合并于本文。