发明内容

因此，本发明的目的是实现p触头的低电阻，而不管低光束发散度。

根据本发明，这些目的通过权利要求1(装置)和权利要求12(方法)的特征来实现。本发明的有利构型包括在从属权利要求中。

根据本发明的二极管激光器包括：第一n型功能层；金属n触头；有源层，该有源层适于产生电磁辐射并布置在第一功能层上；第二p型功能层，该第二p型功能层布置在有源层上，其中第二功能层包括第一p型层和第二p型层；金属p触头；电流阻挡层，该电流阻挡层布置在第一p型层和第二p型层之间；至少一个小平面，所述至少一个小平面用于沿第一轴线耦合出电磁辐射，其中第一功能层、有源层和第二功能层沿第二轴线堆叠，其中电流阻挡层沿第三轴线延伸，其中电流阻挡层具有至少一个开口，并且开口沿第三轴线的第一宽度小于金属p触头沿第三轴线的第二宽度。

本发明的思想是将电流阻挡层引入二极管激光器中，使得金属p触头的接触表面的尺寸和位于金属p触头下面的第二p型层的厚度可以增加。这样做的优点是，较大p接触表面可以显著降低电阻，而不会对光束特性产生负面影响，并且较厚的第二p型层可以允许更容易地减轻机械张力，这对激光器的使用寿命和光束质量有积极的影响。

电流阻挡层优选地仅引入到第一p型层的部分区域中。

第一n型功能层优选地包括n包覆层、n波导层和n接触层，甚至更优选地，第一n型功能层恰好由一个n包覆层、一个n波导层和一个n接触层组成。

第一p型层优选地包括p波导层和p包覆层，甚至更优选地，第一p型层恰好由一个p波导层和一个p包覆层组成。

第二p型层优选地包括p接触层，甚至更优选地，第二p型层恰好由一个p接触层组成。

第一p型层的厚度优选地小于第二p型层的厚度。这是有利的，因为半导体层的机械张力因此可以被减轻。

在优选实施方案中，电流阻挡层的开口沿第二轴线的投影与金属p触头完全重叠。这样做的优点是电流扩展减小，并且因此激光器变得更有效。

根据本发明的另外的实施方案，电流阻挡层具有多个开口，其中开口沿第二轴线的投影与金属p触头完全重叠。这是有利的，因为光学激光束场的成形以及因此光束质量的改善可以通过调制电流密度以及因此调制有源层中注入的电荷载流子来实现。

电流阻挡层中的所有开口优选地是等宽的。这防止了有源层中电流密度的不一致性，从而导致光束质量的附加优点。

电流阻挡层的开口沿横向(第三)轴线的均匀分布是进一步优选的。这保证了尽可能完全地利用有源区。

在根据本发明的另外的实施方案中，优选地提供至少两个有源层，所述至少两个有源层被配置为沿第二轴线彼此相距一定距离，并且其中提供至少两个电流阻挡层(也就是说，对于至少两个有源层，沿第二轴线彼此相距一定距离的至少两个电流阻挡层)。这使得可以将用于两个频率的二极管激光器或在相同电流下具有两倍输出功率的二极管激光器与电流阻挡层的优点相结合。在这种情况下，堆叠两个发射极。

在根据本发明的另外的实施方案中，优选地提供至少两个有源层，所述至少两个有源层被配置为沿第二轴线彼此相距一定距离，其中仅提供一个电流阻挡层。该实施方案的优点是更简单的生产，因为只需要配置一个电流阻挡层。

根据本发明的另外的实施方案，提供至少两个电流阻挡层，所述至少两个电流阻挡层沿第一轴线彼此相距一定距离。因此，进一步尽可能完全地利用有源区，并且改善了激光器的光束特性。

在根据本发明的实施方案中，电流阻挡层的开口的宽度沿第一轴线变化。这里，激光束特性可以经由第一轴线改变。

根据另外的实施方案，在小平面的区域中沿第一轴线提供电流阻挡层。

金属p触头的第二宽度和电流阻挡层的开口的第一宽度之间的差异优选地大于1μm，甚至更优选地大于5μm，甚至更优选地大于20μm，甚至更优选地大于50μm。随着金属p触头的第二宽度与电流阻挡层的开口的第一宽度之间的差异增大，由于较宽的金属p触头而实现了较低的电阻，并且散热变得更有效，其中同时防止了电流扩展。

电流阻挡层的开口的第一宽度优选地大于0.5μm，更优选地大于2μm，更优选地大于5μm，更优选地大于10μm，更优选地大于30μm，更优选地大于50μm，更优选地大于100μm，更优选地大于200μm并且甚至更优选地大于400μm。由于电流阻挡层中的较大开口，电流被更有效地传导通过阻挡层，但不接受电流扩展。

电流阻挡层的厚度优选地大于0.10μm，更优选地大于0.15μm，甚至更优选地大于0.20μm，甚至更优选地大于0.25μm，甚至更优选地大于0.30μm，甚至更优选地大于0.40μm，甚至更优选地大于0.50μm并且甚至更优选地大于1.00μm。由于较厚的电流阻挡层，导电性变得更具抵抗力。

电流阻挡层与有源层的距离优选地小于1μm，更优选地小于0.5μm，更优地选小于0.2μm，更优选地小于0.1μm，甚至更优选地小于0.01μm。通过电流阻挡层距有源层的较小距离可以更好地防止电流扩展。

第一p型层的厚度优选地小于5μm，更优选地小于2μm，更优选地小于1μm，更优选地小于0.5μm，更优选地小于0.2μm并且甚至更优选地小于0.1μm。通过第一p型层的更小的层厚度可以促进电流阻挡层的引入。

第二p型层的厚度优选地大于0.05μm，更优选地大于0.1μm，更优选地大于0.5μm，更优选地大于1μm，甚至更优选地大于5μm。由于第二p型层的更大的层厚度，导致晶体缺陷的机械应力可以更好地减轻。

第二p型层的厚度与第一p型层的厚度的商优选地大于0.1，更优选地大于0.2，更优选地大于1，更优选地大于2，甚至更优选地大于10。这产生的优点是在电流穿过电流阻挡层之后电流扩展被最小化。

二极管激光器优选地被配置为边缘发射二极管激光器。二极管激光器优选地被配置为光学放大器。这导致激光二极管可以尽可能容易地构造的优点。

优选提供承载衬底(例如，GaAs、InP、GaSb或GaN)，在该承载衬底上构造所示的层结构。

第一n型功能层优选地布置在有源层的面向承载衬底的一侧上，而第二p型功能层布置在有源层的背离承载衬底的一侧上。

金属n触头优选地布置在承载衬底的背离第一n型功能层的一侧上。

电流阻挡层优选地具有显著大于所用的层结构的比电阻(以下称为σ_c，例σ_c＝5.5×10^-5Ω-cm²)的比电阻。电阻元件的比电阻优选地大于2σ_c(例如，1.1×10^-4Ω-cm²)，进一步优选地大于10σ_c(例如，5.5×10^-4Ω-cm²)，进一步优选地大于10²σ_c(例如，5.5×10^-3Ω-cm²)，进一步优选地大于10³σ_c(例如，5.5×10^-2Ω-cm²)，进一步优选地大于10⁴σ_c(例如，5.5×10^-1Ω-cm²)，进一步优选地大于10⁵σ_c(例如，5.5Ω-cm²)，进一步优选地大于10⁶σ_c(例如，5.5×10¹Ω-cm²)，进一步优选地大于10⁷σ_c(例如，5.5×10²Ω-cm²)，进一步优选地大于10⁸σ_c(例如，5.5×10³Ω-cm²)，以及特别优选地大于10⁹σ_c(例如，5.5×10⁴Ω-cm²)。

在进一步优选的构型中，电流阻挡层的比电阻相对于所使用的层结构的比电阻的比率大于2，进一步优选地大于10，进一步优选地大于10²，进一步优选地大于10³，进一步优选地大于10⁴，进一步优选地大于10⁵，进一步优选地大于10⁶，进一步优选地大于10⁷，进一步优选地大于10⁸，并且特别优选地大于10⁹。

第一p型层和第二p型层优选地由不同材料组成。

进一步优选地，电流阻挡层和第一p型层由相同的基材组成，其中电流阻挡层被配置为掺杂有外来原子。

本发明的另一方面涉及一种用于生产激光二极管的方法。

指示的用于生产激光二极管的方法包括以下方法步骤：配置第一n型功能层，配置适于产生电磁辐射且布置在第一功能层上的有源层，配置有源层上的第一p型层，将外来原子引入第一p型层中以便配置电流阻挡层，随后配置第一p型层上的第二p型层，配置第一n型功能层下的金属n触头以及配置第二p型层上的金属p触头，其中外来原子仅被引入到第一p型层的部分区域中，其中第一p型层的没有引入外来原子的部分区域的宽度小于金属p触头的宽度。

在优选实施方案中，借助结构化掩模来引入外来原子，该掩模更优选地在引入外来原子之前配置在第一p型层上，并且在将外来原子引入第一p型层之后再次去除。这使得容易通过例如注入或扩散将外来原子引入到第一p型层中。

优选地将硅、氧、铁或硒作为外来原子引入到第一p型层中，以便配置电流阻挡层。这产生了长期稳定且具有抵抗性的电流阻挡层。

第一n型功能层、有源层、第一p型层和第二p型层优选地借助外延工艺来配置。

在该方法中，第一p型层的厚度优选地被配置为小于第二p型层的厚度。

在该方法中，电流阻挡层的厚度优选地被配置为大于0.10μm，更优选地大于0.15μm，甚至更优选地大于0.20μm，甚至更优选地大于0.25μm，甚至更优选地大于0.30μm，甚至更优选地大于0.40μm，甚至更优选地大于0.50μm并且甚至更优选地大于1.00μm。由于较厚的电流阻挡层，导电性变得更具抵抗力。

较宽的金属p触头降低了电阻，从而导致激光器更有效的操作。在激光器的p底部安装期间的热耗散通过更大的接触表面而被附加地改善。较厚的第二p型层增大了从金属p触头到有源层的距离，并且因此允许小平面涂层和p底部安装的更大的公差。通过半导体层中的安装引入的机械张力经由较厚第二p型层得到更好的减轻，其结果是在有源层附近产生较少的晶体缺陷，这提高了使用寿命。较厚的第二p型层还对偏振度和热透镜的形式具有正面影响，并且因此对光束质量具有正面影响。

除非在个别情况中另有说明，否则本申请案中所指示的本发明的各种实施方案及方面可有利地彼此组合。特别地，关于该方法的优选配置和实施方案的表示和描述可以相应地不断地转移到装置，反之亦然。