固态二次电池的制造装置及固态二次电池的制造方法
阅读说明：本技术 固态二次电池的制造装置及固态二次电池的制造方法 (Apparatus for manufacturing solid-state secondary battery and method for manufacturing solid-state secondary battery ) 是由 栗城和贵 田岛亮太 米田祐美子 山崎舜平 于 2020-04-16 设计创作，主要内容包括：本发明的课题之一是实现一种能够使固态二次电池的制造全自动化的制造装置。本发明的制造装置包括掩模对准室、与掩模对准室相连的第一传送室、与第一传送室相连的第二传送室、与第二传送室相连的第一成膜室、与第一传送室相连的第三传送室以及与第三传送室相连的第二成膜室,第一成膜室具有通过溅射法形成正极活性物质层或负极活性物质层的功能,第二成膜室具有进行锂的有机配合物与SiOx(0<x≤2)的共蒸镀来形成固体电解质层的功能,从掩模对准室到第一成膜室以及从掩模对准室到第二成膜室在不暴露于大气的状态下将衬底传送。(One object of the present invention is to realize a manufacturing apparatus capable of fully automating the manufacture of a solid-state secondary battery. The manufacturing apparatus of the present invention includes a mask alignment chamber, a first transfer chamber connected to the mask alignment chamber, a second transfer chamber connected to the first transfer chamber, a first film forming chamber connected to the second transfer chamber, a third transfer chamber connected to the first transfer chamber, and a second film forming chamber connected to the third transfer chamber, the first film forming chamber having a function of forming a positive electrode active material layer or a negative electrode active material layer by a sputtering method, the second film forming chamber having a function of performing co-evaporation of an organic complex of lithium and SiOx (0< x.ltoreq.2) to form a solid electrolyte layer, and the substrate is transferred from the mask alignment chamber to the first film forming chamber and from the mask alignment chamber to the second film forming chamber without being exposed to the atmosphere.)
技术领域
本发明的一个方式涉及一种物品、方法或者制造方法。此外，本发明涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。本发明的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、照明装置或电子设备及其制造方法。尤其是，涉及一种蓄电装置的制造方法及制造装置。
在本说明书中，电子设备是指具有蓄电装置的所有装置，具有蓄电装置的电光装置、具有蓄电装置的信息终端装置等都是电子设备。
背景技术
近年来，对使用者携带的电子设备或使用者穿戴的电子设备的开发非常活跃。
使用者携带的电子设备或使用者穿戴的电子设备将作为蓄电装置的一个例子的一次电池或二次电池用作电源而工作。对使用者携带的电子设备期待可长时间利用，因此可以使用大容量的二次电池。但是当将大容量的二次电池内置于电子设备时，因为大容量的二次电池体积较大，所以有重量大的问题。于是，对能够内置于携带的电子设备的小型或薄型且大容量的二次电池进行了开发。
作为用来使作为载体离子的锂离子迁移的介质使用有机溶剂等电解液的锂离子二次电池很普及。但是，使用液体的二次电池有如下问题：因为使用液体，所以伴随使用温度范围或使用电位而发生电解液分解反应以及向二次电池外部漏液。此外，使用电解液的二次电池有由漏液导致起火的风险。
作为不使用液体的二次电池，有燃料电池，但是它是使用贵金属作为电极且固体电解质的材料也昂贵的器件。
此外，作为不使用液体的二次电池，已知使用固体电解质的被称为固态电池的蓄电装置。例如，在专利文献1中公开。
专利文献1公开通过溅射法在正极集流体上形成钴酸锂膜的例子。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]美国专利第8404001号说明书
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的课题之一是实现一种能够使固态二次电池的制造全自动化的制造装置。另外，本发明的课题之一是实现一种能够以短时间制造固态二次电池的制造装置。另外，本发明的课题之一是实现一种能够以高成品率制造固态二次电池的制造装置。
另外，本发明的课题之一是提供一种在不暴露于大气的状态下制造固态二次电池的方法。
解决技术问题的手段
本说明书所公开的制造装置是固态二次电池的制造装置，具有如下结构：包括掩模对准室、与掩模对准室相连的第一传送室、与第一传送室相连的第二传送室、与第二传送室相连的第一成膜室、与第一传送室相连的第三传送室以及与第三传送室相连的第二成膜室，在第一成膜室中通过溅射法形成正极活性物质层或负极活性物质层，在第二成膜室中进行锂的有机配合物与SiOX(0<X≤2)的共蒸镀来形成固体电解质层，从掩模对准室到第一成膜室以及从掩模对准室到第二成膜室在不暴露于大气的状态下将衬底传送。
在上述结构中，也可以采用还包括与第二传送室相连的加热室。优选在加热处理的前后利用排气机构将加热室中的压力保持为比大气压低的压力(减压气氛)。在真空度较高时，可以更高效地使附着于绝缘膜表面的水等脱离。例如，将进行加热处理的腔室内部的放入衬底时的压力设定为1×10-7Pa以上且1×10-3Pa以下、更优选为1×10-6Pa以上且1×10-4Pa以下即可。
在上述结构中，通过保持成膜室及传送室的清洁度，可以制造一种特性良好的固态二次电池。
利用排气机构将上述第一成膜室的背压(全压)设定为1×10-4Pa以下、优选为3×10-5Pa以下、更优选为1×10-5Pa以下。上述第一成膜室的质量电荷比(m/z)为18的气体分子(原子)的分压为3×10-5Pa以下、优选为1×10-5Pa以下、更优选为3×10-6Pa以下。另外，上述第一成膜室的m/z为28的气体分子(原子)的分压为3×10-5Pa以下、优选为1×10-5Pa以下、更优选为3×10-6Pa以下。另外，上述第一成膜室的m/z为44的气体分子(原子)的分压为3×10-5Pa以下、优选为1×10-5Pa以下、更优选为3×10-6Pa以下。
另外，第一成膜室等真空腔室内的全压及分压可以使用质量分析器测量。例如，使用由ULVAC,Inc.制造的四极质量分析器(也称为Q-mass)Qulee CGM-051即可。
另外，在上述结构中，在传送室中也可以使用真空泵从大气压至低真空或中真空(几百Pa至0.1Pa左右)进行排气，切换阀，使用低温泵从中真空至高真空或超高真空(0.1Pa至1×10-7Pa左右)进行排气。
另外，制造方法，即固态二次电池的制造方法也是本说明书所公开的发明之一，该制造方法包括如下步骤：以与绝缘表面上接触的方式形成第一导电层；在第一导电层上形成负极活性物质层，在负极活性物质层上进行锂的有机配合物与SiOⅩ(0<Ⅹ≤2)的共蒸镀来形成固体电解质层；在固体电解质层上形成第一正极活性物质层；以与绝缘表面上接触的方式在第一正极活性物质层上形成第二导电层；以及在第二导电层上形成第二正极活性物质层，固体电解质层与负极活性物质层的侧面接触，第二导电层与固体电解质层的部分侧面接触，第一正极活性物质层和第二正极活性物质层不重叠。
在上述制造方法中，通过将同一溅射靶材用于第一正极活性物质层和第二正极活性物质层，可以降低制造成本。
另外，在上述制造方法中，通过将同一溅射靶材用于第一导电层和第二导电层，可以降低制造成本。
在上述结构中，锂的有机配合物是单个碱金属或单个碱土金属、碱金属或碱土金属的有机配合物或者碱金属或碱土金属的化合物，例如，可以举出Li、Li2O等。尤其是，锂的有机配合物是优选的，其中因为其特性良好所以8-羟基喹啉-锂(简称：Liq)是优选的。作为与SiOX(0<X≤2)共蒸镀的其他有机材料，也可以使用酞菁二锂(二锂酞花青)、锂2-(2-吡啶)苯酚(简称：Lipp)、锂2-(2’，2”-联吡啶-6’-基)苯酚(简称：Libpp)。
发明效果
通过在不暴露于大气且杂质不容易混入的环境下制造固态二次电池，可以制造一种特性良好的固态二次电池。
附图说明
图1是示出本发明的一个方式的制造装置的顶面示意图。
图2是示出本发明的一个方式的制造装置的一部分的截面图。
图3A是示出本发明的一个方式的二次电池的俯视图，图3B是截面图。
图4A是示出本发明的一个方式的二次电池的制造途中的俯视图，图4B是完成的二次电池的顶面图。
图5是示出本发明的一个方式的截面图。
图6是示出本发明的一个方式的制造流程图。
图7A是电池单元的立体图，图7B是示出电子设备的例子的图。
图8A、图8B、图8C是示出电子设备的例子的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。另外，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
(实施方式1)
在本实施方式中，图1示出可以实现二次电池的第一电极至第二电极的制造的全自动化的多室式制造装置的例子。
图1是包括门80、81、82、83、84、85、86、87、88、装载闭锁室70、掩模对准室91、第一传送室71、第二传送室72、第三传送室73、多个成膜室(第一成膜室92、第二成膜室74)、加热室93、第二材料供应室94、第一材料供应室95以及第三材料供应室96的多室式制造装置的一个例子。
掩模对准室91至少包括载物台51和衬底传送机构52。
第一传送室71包括衬底盒升降机构，第二传送室72包括衬底传送机构53，第三传送室包括衬底传送机构54。
第一成膜室92、第二成膜室74、第二材料供应室94、第一材料供应室95、第三材料供应室96、掩模对准室91、第一传送室71、第二传送室72、第三传送室73都与排气机构连接。作为排气机构，可以根据各室的使用用途适当地选择排气装置，例如可以举出具备低温泵、溅射离子泵、钛升华泵等具有吸附单元的泵的排气机构或具备设置有冷阱的涡轮分子泵的排气机构等。
作为在衬底上进行沉积的步骤，将衬底50或衬底盒设置在装载闭锁室70中，利用衬底传送机构52将其传送到掩模对准室91。在掩模对准室91中，从预先设置的多个掩模中挑选要使用的掩模，在载物台51上进行该掩模与衬底的对准。在对准结束之后打开门80，利用衬底传送机构52将衬底传送到第一传送室71。将衬底传送到第一传送室71，打开门81且利用衬底传送机构53将衬底传送到第二传送室72。
隔着门82设置有第二传送室72和第一成膜室92，该第一成膜室92是溅射成膜室。在溅射成膜室中可以通过切换RF电源、脉冲DC电源对溅射靶材施加电压。另外，可以设置两种或三种溅射靶材。在本实施方式中，设置单晶硅靶材、以锂钴氧化物(LiCoO2)为主要成分的溅射靶材以及钛靶材。可以在第一成膜室92中设置衬底加热机构，在直到加热器温度到达700℃为止进行加热的状态下进行沉积。
在是利用单晶硅靶材的溅射法的情况下，可以形成负极活性物质层。另外，在负极中，也可以通过利用Ar气体和O2气体的反应性溅射法来形成SiOX膜且将其用作负极活性物质层。可以使用通过利用Ar气体和N2气体的反应性溅射法来形成的氮化硅膜作为密封膜。另外，在是利用以锂钴氧化物(LiCoO2)为主要成分的溅射靶材的溅射法的情况下，可以形成正极活性物质层。在是利用钛靶材的溅射法的情况下，可以形成将成为集流体的导电膜。可以通过利用Ar气体和N2气体的反应性溅射法来形成氮化钛膜，将其用作集流体层和活性物质层之间的扩散防止层。
在形成正极活性物质层的情况下，利用衬底传送机构53将重叠的掩模和衬底从第二传送室72传送到第一成膜室92，关闭门82，通过溅射法进行沉积。在沉积结束后，打开门82及门83，将衬底及掩模传送到加热室93，在关闭门83之后可以进行加热。在加热室93内的加热处理中，可以使用RTA(快速热退火)装置、电阻加热炉、微波加热装置。作为RTA装置可以使用GRTA(气体快速热退火)装置、LRTA(灯快速热退火)装置。加热室93内的加热处理可以在氮、氧、稀有气体或干燥空气的气氛下进行。另外，加热时间为1分钟以上且24小时以下。
在沉积或加热处理结束之后，将衬底及掩模传送回到掩模对准室91，与新掩模进行对准。利用衬底传送机构52将对准好的衬底及掩模传送到第一传送室71。利用第一传送室71的升降机构将衬底传送，打开门84利用衬底传送机构54将衬底传送到第三传送室73。
在通过门85与第三传送室73相连的第二成膜室74中，通过蒸镀进行沉积。
图2示出第二成膜室74的结构的截面结构的一个例子。图2是沿着图1中的虚线截断而得的截面示意图。第二成膜室74与排气机构49相连，第一材料供应室95与排气机构48相连。第二材料供应室94与排气机构47相连。图2所示的第二成膜室74是利用从第一材料供应室95转移的蒸镀源56进行蒸镀的蒸镀室，从多个材料供应室将各蒸镀源转移，可以同时进行多个物质的气化和蒸镀，即可以进行共蒸镀。在图2中，示出包括还从第二材料供应室94转移的蒸镀舟58的蒸镀源。
另外，第二成膜室74通过门86与第二材料供应室94相连。另外，第二成膜室74通过门88与第一材料供应室95相连。另外，第二成膜室74通过门87与第三材料供应室96相连。因此，在第二成膜室74中可以进行三源共蒸镀。
作为进行蒸镀的步骤，将衬底设置到衬底保持部45。衬底保持部45与旋转机构65连接。并且，在第一材料供应室95中在一定程度上对第一蒸镀材料55进行加热，在蒸镀速率稳定时才打开门88，拉伸臂62而以位于衬底的下方的方式将蒸镀源56转移。蒸镀源56由第一蒸镀材料55、加热器57以及容纳第一蒸镀材料55的容器构成。另外，在第二材料供应室94中在一定程度上对第二蒸镀材料进行加热，在蒸镀速率稳定时才打开门86，拉伸臂61而以位于衬底的下方的方式将蒸镀源转移。
然后，打开闸门68及蒸镀源闸门69进行共蒸镀。在蒸镀中，使旋转机构65旋转以提高厚度均匀性。蒸镀好的衬底经过原路被传送到掩模对准室91。在从制造装置取出衬底时，将衬底从掩模对准室91传送到装载闭锁室70并取出。
另外，图2示出衬底保持部45保持衬底50及掩模的例子。通过使用衬底旋转机构使衬底50(及掩模)旋转，可以提高沉积均匀性。衬底旋转机构也可以兼作衬底传送机构。
另外，第二成膜室74也可以具备CCD相机等摄像单元63。通过具备摄像单元63可以确认衬底50的位置。
另外，在第二成膜室74中，根据厚度测量机构67的测量结果，可以估计出衬底表面上的沉积厚度。厚度测量机构67例如具备晶振等即可。
此外，具备直到蒸镀材料的气化速率稳定为止与衬底重叠的闸门68及与蒸镀源56或蒸镀舟58重叠的蒸镀源闸门69，以控制气化蒸镀材料的蒸镀。
作为蒸镀源56示出电阻加热方式的例子，但是也可以采用EB(电子束)蒸镀方式。另外，作为蒸镀源56的容器的例子示出坩锅，但是也可以使用蒸镀舟。对用加热器57加热的坩锅作为第一蒸镀材料55放入有机材料。另外，当将颗粒或粒子状的SiO等用作蒸镀材料时，使用蒸镀舟58。蒸镀舟58由三个部件构成，其中重叠有具有凹面的构件、有两个孔的内盖以及由一个孔的上盖。此外，也可以卸下内盖而进行蒸镀。通过给蒸镀舟58通电，蒸镀舟58被用作电阻器，并对本身进行加热。
另外，在本实施方式中示出多室方式的例子，但是没有特别的限制，也可以采用串列方式制造装置。
以下，以利用图1及图2所示的制造装置制造二次电池的情况为例，使用图3A及图3B进行说明。图3A是二次电池的俯视图，图3B对应于沿着图3A中的线AA’截断的截面图。
如图3B所示，在衬底50上形成负极集流体203，负极集流体203上依次层叠有负极活性物质层205、固体电解质层202、正极活性物质层204、正极集流体201及保护层206。各厚度为10nm以上且10μm以下、优选为100nm以上且2μm以下。
这些膜各自可以使用金属掩模形成。负极集流体203和负极活性物质层205的金属掩模是共同的，正极集流体201和正极活性物质层204的金属掩模是共同的，由此可以使用四个不同的金属掩模制造二次电池。
首先，将衬底50放在图1所示的装载闭锁室70中并传送到掩模对准室91。在掩模对准室91中进行与第一金属掩模的对准。并且，将衬底经过传送室71和传送室72而传送到第一成膜室92，通过溅射法选择性地形成作为负极集流体203的钛膜以及作为负极活性物质层205的硅膜。
作为衬底50可以举出为具有绝缘表面的衬底的石英衬底、玻璃衬底、塑料衬底等。另外，也可以使用具有绝缘表面的半导体衬底。可以在半导体衬底上预先形成半导体元件等的电路，将其与后面形成的二次电池电连接。
在负极集流体203及负极活性物质层205的形成结束之后，将衬底传送回到掩模对准室91，进行与第二金属掩模的对准。并且，将衬底经过传送室71及传送室73传送到第二成膜室74，通过蒸镀法选择性地形成固体电解质层202。
在第二成膜室74中，通过利用Si粉末(SiO、SiO2、混合SiO和SiO2而成的等)的蒸镀和Liq粉末的蒸镀来进行共蒸镀，由此形成固体电解质层202。Liq是锂的有机配合物，并是指8-羟基喹啉-锂。在共蒸镀中使用电阻加热源或电子束蒸镀源。此外，不局限于Si粉末(SiO)，也可以使用颗粒形状、粒子状的Si。
在固体电解质层202的形成结束之后，将衬底传送回到掩模对准室91，进行与第三金属掩模的对准。并且，将衬底经过传送室71及传送室72传送到第一成膜室92，通过溅射法选择性地形成作为正极活性物质层204的LiCoO2膜以及作为正极集流体201的钛膜。
在正极活性物质层204及正极集流体201的形成结束之后，将衬底传送回到掩模对准室91，进行与第四金属掩模的对准。并且，将衬底经过传送室71及传送室72传送到第一成膜室92，在氮气氛下通过溅射法并利用单晶硅靶材选择性地形成将成为保护层206的氮化硅膜(也称为SiN膜)。
如图3A所示，使负极集流体203的一部分露出来形成负极端子部。负极端子部以外的区域被保护层206覆盖。另外，使正极集流体201的一部分露出来形成正极端子部。正极端子部以外的区域被保护层206覆盖。
在保护层206的形成结束之后，将衬底传送回到掩模对准室91且传送到装载闭锁室70，然后取出形成有二次电池的衬底。
使用图1及图2所示的制造装置且通过以上的一系列工序可以制造图3A及图3B所示的薄膜型固态二次电池。
另外，通过层叠固态二次电池可以增加容量，还可以制造并联连接的薄膜型固态二次电池。在层叠固态二次电池的情况下，以与正极的两个面接触的方式形成正极活性物质层，以与负极的两个面接触的方式形成负极活性物质层。
(实施方式2)
为了增加固态二次电池的输出电压可以串联连接固态二次电池。在实施方式1中示出单层单元的例子，但是在本实施方式中示出制造串联连接的固态二次电池的例子。
图4A示出刚形成第一个固态二次电池后的俯视图，图4B示出两个固态二次电池串联连接的俯视图。注意，在图4A及图4B中，对与实施方式1所示的图3相同的部分使用相同的符号。
图4A示出刚形成正极集流体201后的状态。与图3不同之处在于：正极集流体201的顶面形状。图4A所示的正极集流体201与固体电解质层的侧面部分地接触，并与衬底的绝缘表面接触。该绝缘表面还与第一个负极接触。
在不与第一个正极活性物质重叠的正极集流体201的区域上形成第二正极活性物质层。并且，形成第二固体电解质层212，在其上形成第二负极活性物质层及第二负极集流体213。如图4B所示，最后形成保护层206。
图4B示出两个固态二次电池排列在平面上并串联连接的结构。
通过使用图1及图2所示的制造装置，也可以在不暴露于大气的状态下制造串联连接的多个薄膜型固态二次电池。
(实施方式3)
在实施方式1中示出单层单元的例子，但是在本实施方式中示出多层单元的例子。图5及图6是示出薄膜型固态二次电池为多层单元的情况的实施方式之一。
图5示出三层单元的截面的一个例子。
在衬底50上形成正极集流体201，在正极集流体201上依次形成正极活性物质层204、固体电解质层202、负极活性物质层205和负极集流体203，由此构成第一个单元。
并且，在负极集流体203上依次形成第二层负极活性物质层、第二层固体电解质层、第二层正极活性物质层以及第二层正极，由此构成第二个单元。
并且，在第二层正极上依次形成第三层正极活性物质层、第三层固体电解质层、第三层负极活性物质层以及第三层负极，由此构成第三个单元。
在图5中，最后形成保护层206。在图5所示的三层叠层中采用串联连接以便增加电压，但是也可以采用利用外部接线的并联连接。另外，在利用外部接线时可以选择串联、并联或者串并联。
此外，在固体电解质层202、第二层固体电解质层和第三层固体电解质层使用相同材料时可以降低制造成本，所以是优选的。
另外，图6示出用来得到图5所示的结构的制造流程的一个例子。
在图6中，为了减少制造工序，作为正极活性物质层使用LCO膜，作为集流体(导电层)使用钛膜，将钛膜看作正极。另外，作为负极活性物质层使用硅膜，作为集流体(导电层)使用钛膜，将其看作负极。通过将钛膜用作公共电极，可以以较少的构成要素实现三层叠层单元。
通过使用图1及图2所示的制造装置，也可以在不暴露于大气的状态下制造薄膜型固态二次电池的多层单元。
本实施方式可以与实施方式1或实施方式2自由地组合。
(实施方式4)
在本实施方式中，使用图7及图8说明使用薄膜型二次电池的电子设备的例子。
图7A是薄膜型二次电池3001的外观立体图。以与固态二次电池的正极电连接的正极引线电极510、与负极电连接负极引线电极511突出的方式用层压薄膜或绝缘薄膜进行密封。
图7B是使用根据本发明的薄膜型二次电池的应用设备的一个例子的包括IC的卡。可以将通过由电波3005的供电得到的电力储存在薄膜型二次电池3001中。包括IC的卡3000内部配置有天线、IC3004及薄膜型二次电池3001。在包括IC的卡3000上贴上佩戴管理徽章的工作人员的ID3002及照片3003。可以使用储存在薄膜型二次电池3001中的电力从天线发送识别信号等信号。
另外，也可以设置有源矩阵显示装置代替照片3003。作为有源矩阵显示装置有反射型液晶显示装置、有机EL显示装置或电子纸等。也可以在有源矩阵显示装置上显示映像(动态图像或静态图像)或时间。可以从薄膜型二次电池3001供给有源矩阵显示装置的电力。
因为将塑料衬底用于包括IC的卡，所以使用柔性衬底的有机EL显示装置是优选的。
另外，也可以设置太阳能电池代替照片3003。可以通过户外光的照射吸收光，产生电力，将该电力储存在薄膜型二次电池3001中。
另外，薄膜型二次电池不局限于用于包括IC的卡，也可以用于车载无线传感器的电源、MEMS器件用二次电池等。
图8A示出可穿戴设备的例子。可穿戴设备作为电源使用二次电池。另外，为了提高使用者在生活中或户外使用时的防水性能，使用者不仅希望可穿戴设备能够进行用于连接的连接器部分露出的有线充电，还希望能够进行无线充电。
例如，可以将二次电池安装于图8A所示的眼镜型设备400上。眼镜型设备400包括镜框400a和显示部400b。通过在具有弯曲的镜框400a的镜腿部安装二次电池，可以实现轻量且重量平衡性好的连续使用时间长的眼镜型设备400。也可以包括实施方式1中示出的薄膜型二次电池，可以实现能够应对框体的小型化所引起的空间节省化的结构。
另外，可以将二次电池安装在耳麦型设备401上。耳麦型设备401至少包括麦克风部401a、柔性管401b和耳机部401c。另外，可以在柔性管401b内、耳机部401c内设置二次电池。也可以包括实施方式1中示出的薄膜型二次电池，可以实现能够应对框体的小型化所引起的空间节省化的结构。
另外，可以将二次电池安装在能直接安在身上的设备402上。另外，可以将二次电池402b设置在设备402的薄型框体402a中。也可以包括实施方式1中示出的薄膜型二次电池，可以实现能够应对框体的小型化所引起的空间节省化的结构。
另外，可以将二次电池安装在能够安到衣服上的设备403上。可以将二次电池403b设置在设备403的薄型框体403a中。也可以包括实施方式1中示出的薄膜型二次电池，可以实现能够应对框体的小型化所引起的空间节省化的结构。
另外，可以将二次电池安装在腰带型设备406上。腰带型设备406包括腰带部406a及无线供电受电部406b，可以将二次电池安装在腰带部406a的内部。也可以包括实施方式1中示出的薄膜型二次电池，可以实现能够应对框体的小型化所引起的空间节省化的结构。
另外，可以将二次电池安装在手表型设备405上。手表型设备405包括显示部405a及表带部405b，可以将二次电池设置在显示部405a或表带部405b上。也可以包括实施方式1中示出的薄膜型二次电池，可以实现能够应对框体的小型化所引起的空间节省化的结构。
显示部405a除了能够显示时间之外还可以显示电子邮件或电话来电等各种信息。
另外，由于手表型设备405为直接缠在手腕上可穿戴设备，所以也可以安装有测量使用者的脉搏、血压等的传感器。可以储存与使用者的运动量及健康有关的数据，该数据可以有助于维护健康。
以下，详细说明图8A所示的手表型设备405。
图8B示出手表型设备405的立体图。
另外，图8C示出手表型设备405的侧面图。图8C示出内部内置有薄膜型二次电池913的情况。薄膜型二次电池913是图7A所示的二次电池。薄膜型二次电池913设置在与显示部405a重叠的位置上，小型且轻量。
[符号说明]
45：衬底保持部、47：排气机构、48：排气机构、49：排气机构、50：衬底、51：载物台、52：衬底传送机构、53：衬底传送机构、54：衬底传送机构、55：蒸镀材料、56：蒸镀源、57：加热器、58：蒸镀舟、61：臂、62：臂、63：摄像单元、65：旋转机构、67：厚度测量机构、68：闸门、69：蒸镀源闸门、70：装载闭锁室、71：传送室、72：传送室、73：传送室、74：成膜室、80：门、81：门、82：门、83：门、84：门、85：门、86：门、87：门、88：门、91：掩模对准室、92：成膜室、93：加热室、94：第二材料供应室、95：第一材料供应室、96：第三材料供应室、201：正极集流体、202：固体电解质层、203：负极集流体、204：正极活性物质层、205：负极活性物质层、206：保护层、212：固体电解质层、213：负极集流体、400：眼镜型设备、400a：镜框、400b：显示部、401：耳麦型设备、401a：麦克风部、401b：柔性管、401c：耳机部、402：设备、402a：框体、402b：二次电池、403：设备、403a：框体、403b：二次电池、405：手表型设备、405a：显示部、405b：表带部、406：腰带型设备、406a：腰带部、406b：无线供电受电部、510：正极引线电极、511：负极引线电极、913：二次电池、3000：卡、3001：薄膜型二次电池、3002：ID、3003：照片、3004：IC、3005：电波
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