阅读说明：本技术 多层布线板的制造方法 (Method for manufacturing multilayer wiring board ) 是由 沟口美智 吉川和广 于 2019-03-22 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种电路密合性优异且能够极其有效地防止激光加工导致的内层电路的贯通的多层布线板的制造方法。该多层布线板的制造方法包含：(a)在第1金属箔上依次层叠第1绝缘层和第2金属箔而形成第1层叠体的工序；(b)形成第2布线层的工序；(c)依次层叠第2绝缘层和第3金属箔而形成第2层叠体的工序；(d)形成第1导通孔和第2导通孔的工序；以及(e)形成包含第1布线层、第2布线层以及第3布线层的多层布线板的工序,对于第2金属箔的至少与第1绝缘层相对的面,通过傅立叶变换红外分光光度计(FT－IR)测得的、波长10.6μm的激光的反射率为80％以上,且依据ISO25178测得的峰的顶点密度Spd为7000个/mm<Sup>2</Sup>以上且15000个/mm<Sup>2</Sup>以下。(The invention provides a method for manufacturing a multilayer wiring board, which has excellent circuit adhesion and can extremely effectively prevent penetration of an inner layer circuit caused by laser processing. TheThe method for manufacturing a multilayer wiring board includes: (a) a step of forming a 1 st laminate by sequentially laminating a 1 st insulating layer and a 2 nd metal foil on a 1 st metal foil; (b) a step of forming a 2 nd wiring layer; (c) a step of forming a 2 nd laminate by sequentially laminating a 2 nd insulating layer and a 3 rd metal foil; (d) forming a 1 st via hole and a 2 nd via hole; and (e) a step of forming a multilayer wiring board including a 1 st wiring layer, a 2 nd wiring layer, and a 3 rd wiring layer, wherein the reflectance of a laser beam having a wavelength of 10.6 [ mu ] m, which is measured by a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR), is 80% or more with respect to at least the surface of the 2 nd metal foil facing the 1 st insulating layer, and the peak density Spd of peaks measured according to ISO25178 is 7000 pieces/mm 2 Above and 15000 pieces/mm 2 The following.)

多层布线板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种多层布线板的制造方法。

背景技术

近年来，为了提高印刷布线板的安装密度、进行小型化，开始广泛进行印刷布线板的多层化。这样的多层印刷布线板在大多便携式电子设备中出于轻量化、小型化的目的而被利用。而且，对该多层印刷布线板要求层间绝缘层的厚度的进一步减小、及作为布线板的进一步的薄型化和轻量化。

作为满足这种要求的技术，采用了使用无芯积层法的多层印刷布线板的制造方法。无芯积层法是指：在未使用所谓的芯基板的情况下交替层叠(积层)绝缘层和布线层而进行多层化的方法。对于无芯积层法，为了能够容易地进行支承体与多层印刷布线板之间的剥离，提出了使用带载体的金属箔的方案。例如，在专利文献1(日本特许第4460013号公报)中公开了如下布线基板的制造方法：在带载体的金属箔的金属箔侧依次层叠绝缘层和厚度18μm的金属层，对金属层进行加工而形成内层电路(第1导体图案)，在内层电路进一步依次层叠的绝缘层和金属箔，剥离载体而形成在内层电路的两个面侧具备金属箔的基板，之后，经由通路将内层电路和基板两个面的金属箔电连接。另外，在专利文献1中还公开了以下内容：从基板的两个面进行激光加工而分别形成导通孔，该导通孔贯通金属箔和绝缘层并到达内层电路，利用干膜对基板两个面的金属箔实施图案化，之后，通过电镀并利用镀金属来填充导通孔，且使外层电路(导体图案)形成于基板的两个面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第4460013号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，伴随着多层印刷布线板所要求的进一步的薄型化，用于多层布线板的内层电路的金属箔(以下，称作“内层金属箔”)的厚度也减少。对于该点，在专利文献1所记载那样的布线基板的制造中，也期望使用极薄化的内层金属箔。然而，在将现有的极薄铜箔(例如厚度6μm以上且12μm以下)用作内层金属箔的情况下会存在如下问题：在形成层间连接用的导通孔的工序中，激光加工不仅贯通两个面(外层)的金属箔和绝缘层而产生孔，还会贯通至内层电路而产生孔。

本发明人等现已得到如下见解：通过将具备特定面的金属箔用作内层金属箔并进行多层布线板的制造，不仅电路密合性优异，而且能够极其有效地防止激光加工导致的内层电路的贯通，对于该特定面，波长10.6μm的激光的反射率和峰的顶点密度Spd满足预定的条件。

因而，本发明的目的在于提供一种电路密合性优异且能够极其有效地防止激光加工导致的内层电路的贯通的多层布线板的制造方法。

采用本发明的一技术方案，提供一种多层布线板的制造方法，其中，该多层布线板的制造方法包含：(a)在第1金属箔上依次层叠第1绝缘层和第2金属箔而形成第1层叠体的工序；(b)对所述第2金属箔实施图案化而形成第2布线层的工序；(c)在形成有所述第2布线层的所述第1层叠体上依次层叠第2绝缘层和第3金属箔而形成第2层叠体的工序；(d)分别从所述第1金属箔和所述第3金属箔对所述第2层叠体实施激光加工，从而形成贯通所述第1金属箔和所述第1绝缘层而到达所述第2布线层的第1导通孔以及贯通所述第3金属箔和所述第2绝缘层而到达所述第2布线层的第2导通孔的工序；以及(e)对于所述第2层叠体的两个面，以形成经由所述第1导通孔、所述第2布线层以及所述第2导通孔实现的电连接的方式实施镀敷和图案化，从而形成多层布线板的工序，该多层布线板包含与所述第1绝缘层相邻的第1布线层、源自所述第2金属箔的第2布线层、以及与所述第2绝缘层相邻的第3布线层，对于所述第2金属箔的至少与所述第1绝缘层相对的面，通过傅立叶变换红外分光光度计(FT－IR)测得的、波长10.6μm的激光的反射率为80％以上，且依据ISO25178测得的峰的顶点密度Spd为7000个/mm²以上且15000个/mm²以下。

附图说明

图1是表示本发明的制造方法的一个例子中的初期的工序(工序(i)～工序(iii))的工序流程图。

图2是表示本发明的制造方法的一系列工序中的、接着图1所示的工序进行的工序(工序(iv)～工序(v))的工序流程图。

图3是表示本发明的制造方法的一系列工序中的、接着图2所示的工序进行的工序(工序(vi)～工序(vii))的工序流程图。

具体实施方式

定义

以下，示出了为了确定本发明而使用的参数的定义。

在本说明书中“波长10.6μm的激光的反射率”是指，将利用傅立叶变换红外光度计(FT－IR)测得的、波长10.6μm的激光向试样(金属箔)表面照射时的、由试样反射的光量相对于由基准板(例如Au蒸镀镜)反射的光量的比率。对于波长10.6μm的激光的反射率的测量，能够使用市售的傅立叶变换红外光度计按照本说明书的实施例记载的诸条件来进行。此外，典型地用于激光加工的二氧化碳激光的波长是10.6μm，因此使傅立叶变换红外光度计的激光波长为10.6μm。

本说明书中，“峰的顶点密度Spd”是依据ISO25178所测量的表示每单位面积的峰顶点数量的参数。该值较大时预示与其他物体接触的接触点的数量较多。峰的顶点密度Spd能够通过利用市售的激光显微镜对金属箔表面的预定的测量面积(例如107μm×143μm的区域)的表面轮廓进行测量而算出。

本说明书中“十点平均粗糙度Rz”是依据日本工业标准JIS B 0601－1994决定的参数，指的是在基准长度的粗糙度曲线中，从最高的峰顶起按从高到低的顺序至第5个峰顶的峰高度的平均值、与从最深的谷底起按从深到浅的顺序至第5个谷底为止的谷深度的平均值之和。

多层布线板的制造方法

本发明涉及一种多层布线板的制造方法。本发明的方法包含如下各工序：(1)第1层叠体的形成、(2)第2布线层的形成、(3)第2层叠体的形成、(4)根据期望进行的载体的剥离、(5)第1导通孔和第2导通孔的形成、以及(6)第1布线层和第3布线层的形成。

以下，参照图1～图3对工序(1)～工序(6)分别进行说明。

(1)第1层叠体的形成

如图1的(i)和图1的(ii)所示，准备第1金属箔16，在该第1金属箔16上依次层叠第1绝缘层18和第2金属箔20而形成第1层叠体22。第1金属箔16也可以以带载体的金属箔10的形态被提供。典型而言，带载体的金属箔10依次具备第1载体12、第1剥离层14、以及第1金属箔16。另外，也可以是在第1载体12的两个面以成为上下对称的方式依次具备各种层而成的结构。或者，带载体的金属箔10的第1载体12侧被粘贴于预浸料等临时支承体(未图示)而被赋予刚性。在该情况下，优选的是，在临时支承体的两个面上下对称地粘贴带载体的金属箔10，在得到的层叠体的两个面以成为上下对称的方式形成后述的各层，之后，将临时支承体连同第1载体12一起去除。此外，预浸料是使合成树脂浸渗于合成树脂板、玻璃板、玻璃织布、玻璃无纺布、纸等基材而得到的复合材料的总称。

第1载体12是用于支承第1金属箔16从而提高其处理性的箔或层。作为第1载体12的优选例，可列举出铝箔、铜箔、不锈钢(SUS)箔、树脂膜、利用铜等对表面进行了金属涂布的树脂膜、树脂板、玻璃板、以及它们的组合。第1载体12的厚度典型而言为5μm以上且250μm以下，优选为9μm以上且200μm以下。

第1剥离层14只要为能够实现第1载体12的剥离的层，就对材质没有特别限定。例如，第1剥离层14能够由作为带载体的金属箔的剥离层被采用的公知的材料构成。第1剥离层14可以为有机剥离层及无机剥离层中的任意者，也可以为有机剥离层与无机剥离层的复合剥离层。剥离层的厚度典型而言为1nm以上且1μm以下，优选为5nm以上且500nm以下，更优选为6nm以上且100nm以下。

第1金属箔16能够是无芯积层法的布线层用金属箔所采用的公知的结构。例如，第1金属箔16可以是通过无电解镀法和电解镀法等湿式成膜法、溅射和化学蒸镀等干式成膜法、或通过它们的组合而形成的金属箔。作为第1金属箔16的例子，可列举出铝箔、铜箔、不锈钢(SUS)箔、镍箔等，优选为铜箔。铜箔可以为压延铜箔和电解铜箔中任意者。另外，第1金属箔16的优选厚度为0.1μm以上且12μm以下，更优选为0.5μm以上且9μm以下，进一步优选为1μm以上且7μm以下，特别优选为1.5μm以上且5μm以下。若在这样的范围内，则在后述的导通孔形成工序中，易于从第1金属箔16直接进行激光加工而形成导通孔。另外，在第1金属箔16用于形成布线层的情况下，若第1金属箔16在上述厚度的范围内，则微细电路形成性也优异。

第1绝缘层18可以是无芯积层法的绝缘层所采用的公知的结构，并不特别限定。例如，第1绝缘层18能够通过以下方式较佳地形成：将预浸料、树脂片等绝缘树脂材料层叠在第1金属箔16上，之后实施热压成形。作为向所使用的预浸料浸渗的绝缘性树脂的优选例，可列举出环氧树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、聚苯醚树脂、酚醛树脂等。另外，作为构成树脂片的绝缘性树脂的优选例，可列举出环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等。并且，从提高绝缘性等观点出发，第1绝缘层18中可以含有由二氧化硅、氧化铝等各种无机颗粒构成的填料颗粒等。第1绝缘层18的厚度没有特别限定，但优选为1μm以上且100μm以下，更优选为5μm以上且40μm以下，进一步优选为10μm以上且30μm以下。第1绝缘层18可以由多个层构成。

对于第2金属箔20的至少与第1绝缘层18相对的面，通过傅立叶变换红外分光光度计(FT－IR)测得的、波长10.6μm的激光的反射率为80％以上，且依据ISO25178测得的峰的顶点密度Spd为7000个/mm²以上且15000个/mm²以下。通过将满足这样的条件的金属箔用作内层金属箔(即第2金属箔20)并进行多层布线板的制造，由此，不仅电路密合性优异，而且能够极其有效地防止激光加工导致的内层电路(即第2布线层24)的贯通。

即，通过使第2金属箔20的与第1绝缘层18相对的面的、通过傅立叶变换红外分光光度计测得的波长10.6μm的激光的反射率高达80％以上，能够有效地防止在导通孔形成中使用的激光被吸收。其结果，能够极其有效地防止源自第2金属箔20的第2布线层24的因激光加工而产生的贯通。可以说，越使第2金属箔20的表面平滑，该波长10.6μm的激光的反射率越大。然而，在为了增大激光反射率而简单地使第2金属箔20的表面平滑的情况下，第2金属箔20与第1绝缘层18之间的密合性会降低，容易产生电路剥离。如此，并不容易兼顾电路密合性和防止激光加工导致的内层电路的贯通。对于该点，在本发明中，在第2金属箔20的与第1绝缘层18相对的面，确保有助于波长10.6μm的激光反射率的提高的平滑性，且使峰的顶点密度Spd高达7000个/mm²以上且15000个/mm²以下，由此，能够以很多的触点数来确保第2金属箔20向第1绝缘层18进入。其结果，不仅能够确保较高的电路密合性，而且能够极其有效地防止激光加工导致的内层电路的贯通。

从上述观点出发，第2金属箔20的与第1绝缘层18相对的面的通过傅立叶变换红外分光光度计(FT－IR)测得的、波长10.6μm的激光的反射率为80％以上，优选为85％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。上限值并未特别限定，可以为100％，但典型而言为98％以下。另外，第2金属箔20的与第1绝缘层18相对的面的依据ISO25178测得的峰的顶点密度Spd为7000个/mm²以上且15000个/mm²以下，优选为10000个/mm²以上且15000个/mm²以下，更优选为13000个/mm²以上且15000个/mm²以下。若在上述优选范围内，则不仅能够更进一步确保较高的电路密合性，而且能够更有效地防止激光加工时的第2布线层24的贯通。

优选的是，第2金属箔20的与第1绝缘层18相对的面的十点平均粗糙度Rz为0.2μm以上且2.0μm以下，更优选为0.5μm以上且1.8μm以下，进一步优选为0.8μm以上且1.5μm以下。若在这样的范围内，则能够更进一步提高微细电路形成性。

第2金属箔20的与第1绝缘层18相对的面的上述范围内的波长10.6μm的激光反射率、峰的顶点密度Spd以及十点平均粗糙度Rz均能够通过以公知或期望的条件对铜箔表面实施粗糙化处理而实现。因而，第2金属箔20的与第1绝缘层18相对的面优选为粗糙面。另外，可以选择性地取得具有满足上述诸条件的表面的市售的铜箔。

第2金属箔20可以是通过无电解镀法和电解镀法等湿式成膜法、溅射和化学蒸镀等干式成膜法、或它们的组合而形成的金属箔。作为第2金属箔20的例子，可列举出铝箔、铜箔、不锈钢(SUS)箔等，优选为铜箔。铜箔可以为压延铜箔和电解铜箔中任意者。第2金属箔20的厚度优选为0.1μm以上且12μm以下，更优选为1μm以上且9μm以下，进一步优选为5μm以上且7μm以下。若在这样的范围内，则极其适合形成微细电路。另外，第2金属箔20可以以依次具备第2载体(未图示)、第2剥离层(未图示)、以及第2金属箔20的带载体的金属箔的形态被提供，在该情况下，只要在将第2金属箔20层叠在第1绝缘层18上之后，在形成第2布线层24之前，将第2载体从第1层叠体22剥离即可。第2载体和第2剥离层的结构只要分别是以上述第1载体12和第1剥离层14为标准的结构即可，并不特别限定。

(2)第2布线层的形成

如图1的(iii)所示，通过对第2金属箔20实施图案化而形成第2布线层24。图案化只要通过公知的方法进行即可。作为优选的电路形成方法，可列举出保持原样地使用第2金属箔20来形成第2布线层24的方法或将第2金属箔20用作一部分来形成第2布线层24的方法，更优选地可举出不在第2金属箔20上进行镀敷等，而是保持原样地使用第2金属箔20来形成第2布线层24的方法。作为能够进行这样的电路形成的方法的优选例，可举出减成法。作为基于减成法的电路形成的一个例子，首先，在第2金属箔20的表面粘贴干膜，以预定的图案进行曝光和显影，形成抗蚀涂层(未图示)。接着，利用能够将构成第2金属箔20的金属溶解的蚀刻液进行处理，由此，在将从抗蚀涂层中暴露的金属溶解去除之后，剥离抗蚀涂层，从而能够制成第2布线层24。

优选的是，第2布线层24的形成工序还包含对第2布线层24实施内层处理的工序。内层处理优选包含CZ处理等粗糙化处理，CZ处理能够通过以下方式较佳地进行：使用有机酸系微型蚀刻剂(例如MEC株式会社制、产品编号CZ－8101)，对第2布线层24表面实施微细粗糙化。这样一来，在第2布线层24表面形成微细凹凸，能够提高后述的第2层叠体的形成工序中的第2布线层24与第2绝缘层26之间的密合性。

第2布线层24的厚度优选为3μm以上且12μm以下，更优选为5μm以上且10μm以下，进一步优选为5μm以上且8μm以下。若在这样的范围内，则对多层印刷布线板要求的薄型化极其有利。另外，采用本发明的方法，即使在第2布线层24的厚度如上述那样较薄的情况下，也能够有效地防止与激光加工相伴随的贯通。此外，在对第2布线层24实施上述内层处理的情况下，期望内层处理后的第2布线层24的厚度在上述范围内。

(3)第2层叠体的形成

如图2的(iv)所示，在形成有第2布线层24的第1层叠体22上层叠第2绝缘层26和第3金属箔28而形成第2层叠体30。这样一来，成为第2布线层24被埋入到第1绝缘层18与第2绝缘层26之间的内层电路。第2绝缘层26和第3金属箔28的结构只要分别是以第1绝缘层18和第1金属箔16为标准的结构即可。因而，与第1金属箔16和第1绝缘层18有关的优选方式也分别直接适用于第3金属箔28和第2绝缘层26。另外，第3金属箔28也可以以依次具备第3载体(未图示)、第3剥离层(未图示)以及第3金属箔28的带载体的金属箔的形态被提供。第3载体和第3剥离层的结构只要是以上述第1载体12和第1剥离层14为标准的结构即可，并不特别限定。

第2布线层24的与第2绝缘层26相对的面的通过傅立叶变换红外分光光度计(FT－IR)测得的、波长10.6μm的激光的反射率优选为80％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上，特别优选为95％以上。上限值并未特别限定，可以为100％，但典型而言为98％以下。另外，第2布线层24的与第2绝缘层26相对的面的依据ISO25178测得的峰的顶点密度Spd优选为7000个/mm²以上且15000个/mm²以下，更优选为10000个/mm²以上且15000个/mm²以下，进一步优选为13000个/mm²以上且15000个/mm²以下。若在这样的范围内，则能够确保第2布线层24与第2绝缘层26之间的较高的密合性，且在从第3金属箔28进行激光加工时也能够防止第2布线层24的贯通。第2金属箔20的表面可以预先具备第2布线层24的与第2绝缘层26相对的面的上述范围内的波长10.6μm的激光反射率和峰的顶点密度Spd，但也可以利用上述内层处理(例如CZ处理等粗糙化处理)在事后对第2布线层24的表面进行赋予。因而，第2布线层24的与第2绝缘层26相对的面优选为粗糙面。

优选的是，第1金属箔16的厚度T₁相对于第2布线层24的厚度T₂的比T₁/T₂为0.23以上，和/或第3金属箔28的厚度T₃相对于第2布线层24的厚度T₂的比T₃/T₂为0.23以上。更优选的是，T₁/T₂和T₃/T₂这两者均为0.23以上。采用本发明，源自第2金属箔20的第2布线层24具有难以吸收激光的表面，因此，即使以满足上述范围的方式使第2金属箔20极薄化，也能够抑制作为内层电路的第2布线层24的由激光加工引起的损伤。T₁/T₂和/或T₃/T₂优选为1.0以下，更优选为0.50以下，进一步优选为0.33以下。此外，在实施激光加工之前对金属箔或布线层进行表面处理(即，使金属箔或布线层的厚度变化)的情况下，上述T₁、T₂以及T₃分别指的是该表面处理后的第1金属箔16的厚度、第2布线层24的厚度、以及第3金属箔28的厚度。例如，在对第2布线层24实施上述内层处理的情况下，T₂为内层处理后的第2布线层24的厚度。

(4)载体的剥离(任意工序)

在第1金属箔16和/或第3金属箔28以带载体的金属箔的形态被提供的情况下，如图2的(v)所示，将第1载体12和/或第3载体(未图示)从第2层叠体30剥离。这样一来，在后述的第1导通孔和第2导通孔的形成工序中，能够分别从第1金属箔16和第3金属箔28实施激光加工。另外，由于第2层叠体30因第1绝缘层18和第2绝缘层26而增大了刚性，因此，即使在剥离了载体的状态下也能够确保充分的处理性。此外，在如所述那样带载体的金属箔粘贴于预浸料等临时支承体(未图示)的情况下，临时支承体会连同第1载体12和/或第3载体(未图示)一起被从第2层叠体30去除。

(5)第1导通孔和第2导通孔的形成

如图3的(vi)所示，通过分别从第1金属箔16和第3金属箔28对第2层叠体30实施激光加工，从而形成贯通第1金属箔16和第1绝缘层18而到达第2布线层24的第1导通孔32、以及贯通第3金属箔28和第2绝缘层26而到达第2布线层24的第2导通孔34。在激光加工中，能够使用二氧化碳激光、准分子激光、UV激光、YAG激光等各种激光，特别优选使用二氧化碳激光。采用本发明的方法，在导通孔的形成工序中，能够极其有效地防止激光加工导致的第2布线层24的贯通。

在第1导通孔和第2导通孔的形成工序中，优选的是，作为去除在利用激光加工形成导通孔时产生的导通孔底部的树脂残渣(钻污(日文：スミア))的处理，还包含使用了铬酸盐溶液和高锰酸盐溶液中的至少任一者的除钻污工序。除钻污工序是依次进行溶胀处理、铬酸处理或高锰酸处理、以及还原处理这样的处理的处理，能够采用公知的湿式工艺。作为铬酸盐的例子，可举出铬酸钾。作为高锰酸盐的例子，可列举出高锰酸钠、高锰酸钾等。特别是，从除钻污处理液的环境负荷物质的减排、电解再生性等方面考虑，优选使用高锰酸盐。

第1导通孔32的直径和第2导通孔34的直径均优选为30μm以上且80μm以下，更优选为30μm以上且60μm以下，进一步优选为30μm以上且40μm以下。若在这样的范围内，则对于多层印刷布线板的高密度化极其有利。另外，为了形成具有上述那样的较小的直径的导通孔，期望减小激光的光束直径(光斑直径)。在该情况下，激光的能量容易集中于第2布线层24的激光照射部分，因此可以说本来就容易产生第2布线层24的贯通。对于该点，采用本发明的方法，由于源自第2金属箔20的第2布线层24具有难以吸收激光的表面，因此即使在激光的能量集中的情况下，也能够有效地防止第2布线层24的贯通。

(6)第1布线层和第3布线层的形成

如图3的(vii)所示，对于第2层叠体30的两个面，以形成经由第1导通孔32、第2布线层24和第2导通孔34实现的电连接的方式实施镀敷和图案化，从而形成多层布线板42，该多层布线板42包含与第1绝缘层18相邻的第1布线层38、源自第2金属箔20的第2布线层24、以及与第2绝缘层26相邻的第3布线层40。第1布线层38典型而言是源自第1金属箔16的层，典型地包含源自第1金属箔16的金属，但第1布线层38也可以形成为仅继承了第1金属箔16的表面轮廓的新的布线层(不包含源自第1金属箔16的金属)。同样地，第3布线层40典型而言是源自第3金属箔28的层，典型地包含源自第3金属箔28的金属，但第3布线层40也可以形成为仅继承了第3金属箔28的表面轮廓的新的布线层(不包含源自第3金属箔28的金属)。与第1布线层38的形成方法和第3布线层40的形成方法有关的方法并未特别限定，能够使用减成法、MSAP(改良型半加成)法、SAP(半加成)法等公知的方法。在此，图3的(vii)是利用MSAP法来进行电路形成。作为基于MSAP法的电路形成的一个例子，首先，在第1金属箔16和第3金属箔28的表面以预定的图案形成光致抗蚀层(未图示)。光致抗蚀层优选为感光性膜，在该情况下，只要通过曝光和显影对光致抗蚀层赋予预定的布线图案即可。接着，在第1金属箔16的暴露表面和第3金属箔28的暴露表面(即未被光致抗蚀层掩蔽的部分)、以及第1导通孔32和第2导通孔34形成电镀层36。此时，由于在第1导通孔32和第2导通孔34填充有镀金属，因此第2层叠体30的两个面经由第1导通孔32、第2布线层24以及第2导通孔34而电连接。电镀只要通过公知的方法进行即可，并不特别限定。在剥离光致抗蚀层之后，对第1金属箔16、第3金属箔28以及电镀层36进行蚀刻加工，由此能够获得形成有第1布线层38和第3布线层40的多层布线板42。

也可以在多层布线板42上进一步形成积层布线层。即，通过在多层布线板42上进一步交替地层叠配置绝缘层和包含布线图案的布线层，能够获得形成到第n布线层(n为4以上的整数，优选为5、7、9等奇数)的多层布线板。只要重复进行该工序直至形成期望的层数的积层布线层即可。另外，根据需要，也可以在外层面形成阻焊层、柱块等安装用的凸块等。

实施例

利用以下的例子来进一步具体地说明本发明。

例1～例6

准备6种用作多层布线板的内层金属箔的铜箔，并进行了各种评价。具体的步骤如下所述。

(1)铜箔的准备

准备6种在至少一个面具有表1所示的各参数且厚度为12μm的电解铜箔。这些铜箔中的几个铜箔是市售品，其余的铜箔是根据公知的方法另行制作的。准备的铜箔的各参数的测量和算出方法如下所述。

(FT－IR中的波长10.6μm的激光的反射率)

使用红外分光光度计(Thermo Fisher SCIENTIFIC公司制造、Nicolet Nexus640FT－IR Spectrometer)，以下述条件对铜箔表面进行测量，取得了IR光谱数据。通过对取得的IR光谱数据进行分析，从而算出波长10.6μm的激光的反射率。

＜测量条件＞

-测量法：正反射法

-背景：Au蒸镀镜

-分辨率：4cm^－1

-扫描次数：64scan

-检测器：DTGS(Deuterium Tri－Glycine Sulfate)检测器

(峰的顶点密度Spd)

使用激光显微镜(株式会社基恩士制造、VK－X100)，在利用S滤波器得到的截止波长为0.8μm、倍率为2000倍(测量面积107μm×143μm)的条件下，依据ISO25178测量了铜箔表面的峰的顶点密度Spd。

(十点平均粗糙度Rz)

使用激光显微镜(株式会社基恩士制造、VK－X100)，在倍率为2000倍、截止值为0.8μm、测量长度为100μm的条件下，依据日本工业标准JIS B0601－1994测量了铜箔表面的十点平均粗糙度Rz。

(2)铜箔的评价

对于所准备的铜箔，如下那样进行了各种特性的评价。

＜激光加工性＞

使用上述(1)中准备的铜箔作为内层金属箔，如下那样制作了激光加工性评价用层叠体。首先，准备厚度2μm的铜箔作为第1金属箔16，在第1金属箔16上层叠了厚度0.02mm的预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制造、GHPL－830NSF)作为第1绝缘层18。接着，作为第2金属箔20，将上述(1)中准备的铜箔以具有表1所示的各参数的那侧的面抵接于第1绝缘层18上的方式进行层叠，在压力4.0MPa、温度220℃的条件下进行90分钟的热压成形，得到了第1层叠体22。利用微蚀刻液对第2金属箔20的表面进行1μm蚀刻之后，粘贴干膜，以预定的图案进行曝光和显影，形成了抗蚀涂层。用氯化铜蚀刻液来处理第2铜箔表面，在从抗蚀涂层中溶解去除铜之后，剥离抗蚀涂层而形成了第2布线层24。对第2布线层24表面实施了粗糙化处理(CZ处理)。粗糙化处理后的第2布线层24的厚度为9μm。因而，第1金属箔的厚度T₁(2μm)相对于第2布线层的厚度T₂(9μm)的比T₁/T₂为2/9，约为0.22。之后，在形成有第2布线层24的第1层叠体22上依次层叠厚度0.02mm的预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制造、GHPL－830NSF)和厚度2μm的铜箔分别作为第2绝缘层26和第3金属箔28，在压力4.0MPa、温度220℃的条件下进行了90分钟的热压成形。这样一来，得到了激光加工性评价用层叠体。对于得到的激光加工性评价用层叠体，使用二氧化碳激光以9.5MW/cm²的输出密度从第1金属箔16侧实施激光加工，形成贯通第1金属箔16和第1绝缘层18并到达第2布线层24的直径65μm的导通孔。利用金属显微镜从第1金属箔16侧观察该导通孔，对第2布线层24的贯通的有无进行了判断。对于各例，以每例88个孔的方式进行了导通孔的形成和贯通判断，根据导通孔的形成数和第2布线层24的贯通数，算出了激光加工后的第2布线层24的贯通率。

＜电路密合性＞

层叠了3张厚度0.1mm的预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制造、GHPL－830NSF)，将在上述(1)中准备的铜箔以具有表1所示的各参数的那侧的面抵接于所层叠的预浸料的方式进行层叠，在压力4.0MPa、温度220℃的条件下进行90分钟的热压成形，从而制作了覆铜层叠板样品。在该覆铜层叠板样品的两个面粘贴干膜，形成了抗蚀涂层。然后，在该两个面的抗蚀涂层上，对宽度0.8mm的剥离强度测量试验用的电路进行曝光显影，形成了蚀刻图案。之后，用铜蚀刻液进行电路蚀刻，剥离抗蚀涂层而得到了电路。依据日本工业标准JIS C6481－1996，将如此形成的电路(厚度12μm、电路宽度0.8mm)在相对于预浸料表面成90°的方向上进行剥离并测量了剥离强度(kgf/cm)。

＜电路形成性＞

对上述覆铜层叠板样品的表面进行电镀直至电路高度成为20μm。在如此形成的电镀层的表面粘贴干膜，进行曝光和显影，形成了抗蚀涂层。通过用氯化铜蚀刻液进行处理，从抗蚀涂层中溶解去除铜，形成了电路高度20μm、线/空间＝25μm/25μm的直线状布线图案。利用SEM在倍率1000倍的条件下从正上方(观察角度0°)观察如此得到的直线状布线图案。将取得的SEM图像导入数码显微镜(株式会社基恩士制造、VHX500)，在100点对电路底宽度进行了测量。根据测量结果，替代平均值而使用中位数，算出标准偏差σ(μm)，采用3σ－(－3σ)、即6σ作为电路直线性的值。

例7～例12

替代厚度12μm的电解铜箔，而使用在至少一个面具有表1所示的各参数且厚度为9μm的电解铜箔，除此以外，与例1～例6同样地进行了各种特性的评价。此外，激光加工性评价用层叠体中的粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为7μm，T₁/T₂为2/7，约为0.29。

例13～例16

替代厚度12μm的电解铜箔，而使用在至少一个面具有表1所示的各参数且厚度为7μm的电解铜箔，除此以外，与例1～例6同样地进行了各种特性的评价。此外，激光加工性评价用层叠体中的粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为5μm，T₁/T₂为2/5，即0.40。

结果

在例1～例16中得到的评价结果如表1所示。

表1

*表示比较例。

例17

1)作为第1金属箔16和第3金属箔28，分别使用了厚度3μm的铜箔替代厚度2μm的铜箔，2)调整蚀刻量而使粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为5μm(即，使T₁/T₂为3/5即0.60)，3)将二氧化碳激光的输出密度由9.5MW/cm²变更为9.75MW/cm²，除此以外，与例11同样地进行了激光加工性的评价。

例18

1)作为第1金属箔16和第3金属箔28，分别使用了厚度3μm的铜箔替代厚度2μm的铜箔，2)将二氧化碳激光的输出密度由9.5MW/cm²变更为9.75MW/cm²，除此以外，与例16同样地进行了激光加工性的评价。此外，激光加工性评价用层叠体中的粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为5μm，T₁/T₂为3/5，即0.60。

例19

1)作为第1金属箔16和第3金属箔28，使用了厚度3μm的铜箔替代厚度2μm的铜箔，2)将二氧化碳激光的输出密度由9.5MW/cm²变更为9.75MW/cm²，除此以外，与例14同样地进行了激光加工性的评价。此外，激光加工性评价用层叠体中的粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为5μm，T₁/T₂为3/5，即0.60。

例20

1)作为第1金属箔16和和第3金属箔28，分别使用了厚度5μm的铜箔替代厚度3μm的铜箔，2)将二氧化碳激光的输出密度由9.75MW/cm²变更为10.25MW/cm²，除此以外，与例17同样地进行了激光加工性的评价。此外，激光加工性评价用层叠体中的粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为5μm，T₁/T₂为5/5，即1.0。

例21

1)作为第1金属箔16和和第3金属箔28，分别使用了厚度5μm的铜箔替代厚度3μm的铜箔，2)将二氧化碳激光的输出密度由9.75MW/cm²变更为10.25MW/cm²，除此以外，与例18同样地进行了激光加工性的评价。此外，激光加工性评价用层叠体中的粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为5μm，T₁/T₂为5/5，即1.0。

例22

1)作为第1金属箔16和第3金属箔28，使用了厚度5μm的铜箔替代厚度3μm的铜箔，2)将二氧化碳激光的输出密度由9.75MW/cm²变更为10.25MW/cm²，除此以外，与例19同样地进行了激光加工性的评价。此外，激光加工性评价用层叠体中的粗糙化处理(CZ处理)后的第2布线层24的厚度为5μm，T₁/T₂为5/5，即1.0。

结果

在例17～例22中得到的评价结果如表2所示。

表2

*表示比较例。