阅读说明：本技术 采用湿膜保护pcb内层线路的开腔加工方法 (Cavity opening processing method for protecting PCB inner layer circuit by adopting wet film ) 是由 杜军 李明军 邓贤江 于 2019-08-27 设计创作，主要内容包括：一种采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法,其包括如下步骤：步骤一、在内层上制作内层线路；步骤二、在内层线路外表面覆盖湿膜层；步骤三、在湿膜层外侧形成一金属膜层；步骤四、在金属膜层外侧再覆上一铜层；步骤五、在铜层的外侧压外层及在外层外表面设置外侧铜层；步骤六、激光铣槽至保护层的铜层外侧面上,使保护层上的铜层露出；步骤七、采用蚀刻工艺,对外侧铜层进行蚀刻处理形成外层线路,同时将槽底部的铜层蚀刻掉；步骤八、将槽底的湿膜层退掉。本发明的开腔加工方法不仅可确保腔体内的清洁度,并可避免腔体内废料残留、线路沾金短路、流胶、填充不实、层间空洞的问题。本发明的实用性强,具有较强的推广意义。(A cavity opening processing method for protecting inner layer circuits of a PCB by adopting a wet film comprises the following steps: firstly, manufacturing an inner layer circuit on an inner layer; covering a wet film layer on the outer surface of the inner-layer circuit; step three, forming a metal film layer outside the wet film layer; step four, coating a copper layer on the outer side of the metal film layer; step five, pressing an outer layer on the outer side of the copper layer and arranging an outer copper layer on the outer surface of the outer layer; sixthly, milling a groove to the outer side face of the copper layer of the protective layer by laser to expose the copper layer on the protective layer; step seven, etching the outer copper layer by adopting an etching process to form an outer layer circuit, and etching the copper layer at the bottom of the groove; and step eight, removing the wet film layer at the bottom of the tank. The open cavity processing method can not only ensure the cleanliness in the cavity, but also avoid the problems of residual waste in the cavity, short circuit due to gold-stained circuits, gummosis, infirmity filling and interlayer cavities. The invention has strong practicability and stronger popularization significance.)

采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法

技术领域

本发明涉及一种线路板加工方法，尤其涉及一种采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法。

背景技术：

目前的部分PCB设有内层线路，而其内层线路外的PCB上开设有腔体/盲槽。然而，传统PCB在开腔后，存在腔体内清洁度较低、腔体内有胶迹或树脂或其它废料残留且不易脱落的问题。且腔体/盲槽通常是在PCB最终表面处理后再进行；而在ENIG(ElectrolessNickel Immersion Gold，化学镀镍浸金)工序或ENEPIG(Electroless NickelElectroless Palladium Immersion Gold，化学镀镍镀钯浸金)工序后，腔体内线路之间的间隙易沾金从而导致短路。此外，目前有部分开腔方法为先采用粘接片覆盖开腔区域，再进行开腔。然而，采用该种方法存在流胶、填胶不实及层间空洞的问题，从而导致PCB的可靠性欠佳。

发明内容

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为此，本发明的主要目的在于提供一种采用镍或锡保护PCB内层线路的开腔方法，以解决传统线路板开腔存在内层线路沾金短路、废料残留不易脱落、流胶、填充不实、层间空洞及可靠性较差的问题。

为实现上述目的，本发明主要采用以下技术方案为：

一种采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法，所述PCB包括内层、内层线路、保护层、外层及外层线路，所述内层线路设置于内层上,所述保护层设置于内层线路外表面上，外层覆盖于保护层外侧面上，外层线路设置于外层外表面上；所述PCB上设有一腔体，该腔体自外层线向内依次穿过外层、保护层延伸至内导线路的外表面上；所述保护层包括自外向内依次设置的铜层、金属膜层及湿膜层；

所述采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法包括如下步骤：

步骤一、内层线路制作；提供一基板，该基板的两外侧面上均设置有电路层，内有连接于电路层的内层连接电路，所述电路层的外表面上设置有预开腔区域；其中，所述预开腔区域的面积大于腔体的底面面积；

步骤二、覆湿膜层；在内层线路外表面的预开腔区域外覆盖湿膜层；

步骤三、Sputter(磁控溅镀)工艺金属化；采用Sputter(磁控溅镀)工艺在湿膜层外侧形成一金属膜层；

步骤四、覆铜，在金属膜层外侧再覆上一铜层；

步骤五、压外层；在所述铜层的外侧压半固化片以形成所述外层，再在外层外表面设置外侧铜层；

步骤六、激光铣槽；在外侧铜层外表面对应于所述预开腔区域采用激光铣槽至保护层的铜层外侧面上，使保护层上的铜层露出；

步骤七、蚀刻祛铜；采用蚀刻工艺，对外侧铜层进行蚀刻处理形成外层线路，同时将槽底部的铜层蚀刻掉；

步骤八、退湿膜；将槽底的湿膜层退掉。

进一步地，所述预开腔区域的面积大于所述腔体的底面面积，且保护层的周边延伸于腔体外侧的外层与电路层之间。

进一步地，所述铜层完全覆盖于金属膜层的外侧面上，所述外层完全覆盖于铜层的外侧面上。

进一步地，在步骤1中，需再采用溅射铜工艺对线路之间的间隙进行金属化处理。

进一步地，在步骤六中，先在外侧铜层外表面对应于所述预开腔区域制作出铜窗，再在铜窗位置激光铣槽。

综上所述，本发明通过在预开腔位置先设置湿膜层、金属膜层及铜层对内层线路进行保护，且保护层的周边延伸在积大于实际腔体底面面积；然后再进行激光铣槽、祛铜层、退湿膜层；从而可确保腔体内的清洁度，并可避免腔体内废料残留、线路沾金短路、流胶、填充不实、层间空洞的问题。本发明的实用性强，具有较强的推广意义。

附图说明

图1为本发明采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法制作的PCB结构示意图；

图2为本发明的开腔方法的流程示意图。

具体实施方式

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为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。

如图1和图2所示，本发明提供一种采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法，其用于在PCB的内层线路外进行开腔加工。所述PCB包括内层10、内层线路20、保护层30、外层40及外层线路50，所述内层10为常规多层板，内层线路20设置于内层10上。所述保护层30设置于内层线路20外表面上，外层40覆盖于保护层30外侧面上，外层线路50设置于外层40外表面上。所述PCB上设有一腔体11，该腔体11自外层线50向内依次穿过外层40、保护层30延伸至内导线路20的外表面上。所述保护层30包括自外向内依次设置的铜层33、金属膜层32及湿膜层31，本实施例中，所述湿膜层31的材质为油墨。可以理解地，该湿膜层31的材质也并不仅限于油墨材料。

本发明的采用湿膜保护PCB内层线路的开腔加工方法具体包括如下步骤：

步骤一、内层线路制作；提供一内层10，在该内层10上制作内层线路20，该内层线路20显示于内层10的外侧面上；所述内层线路20的外表面上设置有预开腔区域21；本实施例中，所述PCB内层10为常规多层板，因此，其具体结构在此不再赘述；然后再采用溅射铜工艺对内层线路的间隙进行金属化处理；

步骤二、覆湿膜层31；在内层线路20外表面的预开腔区域21外覆盖湿膜层31；其中，所述预开腔区域21的面积大于腔体11的底面面积；所述湿膜层31的设计可保护内层线路20，避免内层线路20被蚀刻掉；

步骤三、Sputter(磁控溅镀)工艺金属化；采用Sputter(磁控溅镀)工艺在湿膜层31外侧形成一金属膜层32；所述金属膜层32的设计便于铜层33的形成；

步骤四、覆铜，在金属膜层32外侧再覆上一铜层33，该铜层33的面积与湿膜层呈上下对齐设置；所述铜层32的设计不仅可保护内层线路20，且加工简便，可避免流胶、填胶不实及层间空洞的问题；

步骤五、压外层40；在所述铜层33的外侧压半固化片以形成所述外层40，该外层40完全包覆于保护层30外侧；然后再在外层40外表面设置外侧铜层51；

步骤六、激光铣槽；在外侧铜层51外表面对应于所述预开腔区域21制作出铜窗，再在铜窗位置采用激光铣槽至保护层30的铜层32外侧面上，形成一槽体，使保护层30上的铜层33露出；所述槽体的底面面积小于铜层33的面积；

步骤七、蚀刻祛铜；采用蚀刻工艺，对外侧铜层51进行蚀刻处理形成外层线路50，由于保护层30的铜层33显露于外侧，则槽底部的铜层32也会同时被蚀刻掉；

步骤八、退湿膜；将槽底的湿膜层退掉，从而形成所需的腔体11。

综上所述，本发明通过在预开腔位置先设置湿膜层31、金属膜层32及铜层33对内层线路进行保护，且保护层30的周边延伸在积大于实际腔体11底面面积；然后再进行激光铣槽、祛铜层33、退湿膜层31；从而可确保腔体11内的清洁度，并可避免腔体11内废料残留、线路沾金短路、流胶、填充不实、层间空洞的问题。本发明的实用性强，具有较强的推广意义。

以上所述实施例仅表达了本发明的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。