阅读说明：本技术 一种940nm半导体激光夜视成像光源装置 (940nm semiconductor laser night vision imaging light source device ) 是由 李再金 袁毅 杨云帆 杨隆杰 赵志斌 陈浩 李林 乔忠良 曾丽娜 曲轶 于 2021-01-26 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种940nm半导体激光夜视成像光源装置,包括第一个940nm半导体激光阵列模块(1)、第二个940nm半导体激光阵列模块(2)、第一组准直镜(3)、第二组准直镜(4)、V型棱镜(5)、凹透镜(6)、凸透镜(7)。V型棱镜(5)包括上底面(5-1)、第一下底面(5-2)、第二下底面(5-3)、第一外侧腰面(5-4)、第二外侧腰面(5-5)、第一内侧腰面(5-6)和第二内侧腰面(5-7)。940nm半导体激光阵列模块(1)和(2)分别经过准直镜(3)和(4)通过V型棱镜(5)两次全反射后再通过凹透镜(6)和凸透镜(7),实现940nm半导体激光激光夜视成像光源输出。(The invention discloses a 940nm semiconductor laser night vision imaging light source device which comprises a first 940nm semiconductor laser array module (1), a second 940nm semiconductor laser array module (2), a first group of collimating lenses (3), a second group of collimating lenses (4), a V-shaped prism (5), a concave lens (6) and a convex lens (7). The V-shaped prism (5) comprises an upper bottom surface (5-1), a first lower bottom surface (5-2), a second lower bottom surface (5-3), a first outer waist surface (5-4), a second outer waist surface (5-5), a first inner waist surface (5-6) and a second inner waist surface (5-7). 940nm semiconductor laser array modules (1) and (2) are totally reflected twice through collimating lenses (3) and (4) and a V-shaped prism (5) respectively and then pass through a concave lens (6) and a convex lens (7), and output of 940nm semiconductor laser night vision imaging light sources is achieved.)

一种940nm半导体激光夜视成像光源装置

技术领域

本发明涉及激光夜视成像技术领域，特别涉及一种940nm半导体激光夜视成像光源装置。

背景技术

激光夜视成像技术已经被广泛应用于激光夜视领域，但是目前无法实现远距离的清晰成像。边发射半导体激光以体积小、重量轻、电光转换高等优点，广泛应用于市场各个领域。半导体激光因其出光发散角大、成椭圆形高斯光束和光质量差等缺点，不能用于远距离激光夜视成像光源。为了在远距离较好的获得较高的激光夜视成像质量，提出了一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，可有效地提高激光夜视成像系统的照明距离。

发明内容

本发明的目的在于提出一种940nm半导体激光夜视成像光源装置。

一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，包括第一个940nm半导体激光阵列模块（1）、第二个940nm半导体激光阵列模块（2）、第一组准直镜（3）、第二组准直镜（4）、V型棱镜（5）、凹透镜（6）、凸透镜（7）。

其特征在于：

第一个940nm半导体激光阵列模块（1），包括5个长度为20厘米的bar条，每个bar条发射半导体激光波长为940nm。

第二个940nm半导体激光阵列模块（2），包括5个长度为20厘米的bar条，每个bar条发射半导体激光波长为940nm。

第一组准直镜（3），前后表面镀有212nm TiO₂/112nm SiO₂/183nm TiO₂/109nmSiO₂的光学膜。

第二组准直镜（4），前后表面镀有212nm TiO₂/112nm SiO₂/183nm TiO₂/109nmSiO₂的光学膜。V型棱镜（5）包括上底面（5-1）、第一下底面（5-2）、第二下底面（5-3）、第一外侧腰面（5-4）、第二外侧腰面（5-5）、第一内侧腰面（5-6）和第二内侧腰面（5-7）。第一外侧腰面（5-4）和第一下底面（5-2）成45°角，第一内侧腰面（5-6）和第一下底面（5-2）成135°角，第二外侧腰面（5-5）和第二下底面（5-3）成45°角，第二内侧腰面（5-7）和第二下底面（5-3）成135°角，上底面（5-1）、第一下底面（5-2）和第二下底面（5-3）镀有212nm TiO₂/112nm SiO₂/183nm TiO₂/ 109nm SiO₂的光学膜。

凹透镜（6）前后表面镀有212nm TiO₂/112nm SiO₂/183nm TiO₂/109nm SiO₂的光学膜。

凸透镜（7）前后表面镀有212nm TiO₂/112nm SiO₂/183nm TiO₂/109nm SiO₂的光学膜。

附图说明

图1是本发明

具体实施方式

的装置图。

图2是V型棱镜的结构图。

具体实施方式

下面结合图1和图2对本发明进一步详细说明。

本发明公开了一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，包括第一个940nm半导体激光阵列模块（1）、第二个940nm半导体激光阵列模块（2）、第一组准直镜（3）、第二组准直镜（4）、V型棱镜（5）、凹透镜（6）、凸透镜（7）。

V型棱镜（5）包括上底面（5-1）、第一下底面（5-2）、第二下底面（5-3）、第一外侧腰面（5-4）、第二外侧腰面（5-5）、第一内侧腰面（5-6）和第二内侧腰面（5-7）。

第一个940nm半导体激光阵列模块（1）的每个半导体激光bar条光束通过第一组准直镜（3），经准直后垂直入射到V型棱镜（5）的第一下底面（5-2）上，在V型棱镜（5）的第一外侧腰面（5-4）发生全反射，全反射的光束再通过V型棱镜（5）的第一内侧腰面（5-6）发生全反射，接着通过V型棱镜（5）的上底面（5-1）输出第一部分光束。

第二个940nm半导体激光阵列模块（2）的每个半导体激光bar条光束通过第二组准直镜（4），经准直后垂直入射到V型棱镜（5）的第二下底面（5-3）上，在V型棱镜（5）的第二外侧腰面（5-5）发生全反射，全反射的光束再通过V型棱镜（5）的第二内侧腰面（5-7）发生全反射，接着通过V型棱镜（5）的上底面（5-1）输出第二部分光束。

第一部分光束和第二部分光束再通过凹透镜（6）和凸透镜（7）实现940nm半导体激光激光夜视成像光源输出。