阅读说明：本技术 一种高阻抗膜及其制备方法 (High-impedance film and preparation method thereof ) 是由 夏伟 张兵 郑建军 张成金 姚仕军 方添志 赵帅 于 2019-12-06 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种高阻抗膜的制备方法,该方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜,所用靶材为含铟复合材料,溅射室的压强抽到1.5-3.5×10<Sup>-3</Sup>Pa,工作气体为氩气,溅射压强为0.3-1.0Pa。本发明所述的高阻抗膜具有较高的表面电阻值、较好的防静电效果和较好的抗干扰效果。(The invention provides a preparation method of a high-impedance film, which comprises the following steps: coating on glass substrate by magnetron sputtering method, wherein the target is indium-containing composite material, and the pressure in sputtering chamber is 1.5-3.5 × 10 ‑3 Pa, argon as working gas, and 0.3-1.0Pa as sputtering pressure. The high-impedance film has the advantages of higher surface resistance value, better anti-static effect and better anti-interference effect.)

一种高阻抗膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及薄膜技术领域，尤其是涉及一种高阻抗膜及其制备方法。

背景技术

具有高阻抗特性的高阻膜用途广泛，可以应用在电子装置中，当高阻膜接地后，可以为电子装置屏蔽静电，也可以应用于液晶显示器中，作为控制元件，控制某些方向导通，某些方向断开，还可以作为电极。但目前的高阻抗膜的性能一般，尤其是应用在触摸屏上时，要么表面电阻小，抗干扰效果差，要么防静电效果差，限制了触摸屏的使用效果。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种具有较高的表面电阻值、较好的防静电效果和较好的抗干扰效果的高阻抗膜及其制备方法。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为含铟复合材料，溅射室的压强抽到1.5-3.5×10^-3Pa，工作气体为氩气，溅射压强为0.3-1.0Pa。

进一步，所述溅射的时间为3-10min；优选的，所述溅射的时间为7min，形成厚度为5-7nm的薄膜。

进一步，所述溅射的功率为40-100W；优选的，所述溅射的功率为80W。

进一步，所述溅射的距离为5-10cm，溅射的方式为直流溅射。

进一步，所述氩气的浓度为99.99％

进一步，所述含铟复合材料为铟锡氧化物，优选的，含铟复合材料为氧化铟锡陶瓷靶。

本发明还提供了一种由上述的制备方法制备得到的高阻抗膜。

相对于现有技术，本发明所述的高阻抗膜具有以下优势：

(1)本发明所述的高阻抗膜的方阻的阻值较高，为10⁸-10¹⁰欧，具有较好的防静电效果和较好的抗干扰效果，且在可见光范围内，透过率可达98％以上，提高画面的清晰度和能度。

(2)本发明所述的溅射的时间优选为7min，溅射的功率优选为80W，在此溅射时间和溅射功率下能够得到高方阻、高透过率的薄膜。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合实施例来详细说明本发明。

实施例1

一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为氧化铟锡陶瓷靶，溅射室的压强抽到1.5×10^-3Pa，工作气体为氩气，氩气的浓度为99.99％，溅射压强为0.3Pa，溅射的时间为2min，溅射的功率为40W，溅射的距离为8cm，溅射的方式为直流溅射。

实施例2

一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为氧化铟锡陶瓷靶，溅射室的压强抽到2×10^-3Pa，工作气体为氩气，氩气的浓度为99.99％，溅射压强为0.6Pa，溅射的时间为7min，溅射的功率为80W，溅射的距离为8cm，溅射的方式为直流溅射。

实施例3

一种高阻抗膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

采用磁控溅射法在玻璃基板上镀膜，所用靶材为氧化铟锡陶瓷靶，溅射室的压强抽到3×10^-3Pa，工作气体为氩气，氩气的浓度为99.99％，溅射压强为1.0Pa，溅射的时间为10min，溅射的功率为100W，溅射的距离为8cm，溅射的方式为直流溅射。

实施例1-3制得的高阻抗膜的方阻为10⁸-10¹⁰欧。

分别取3块实施例1-3制得的5cm×5cm的镀膜玻璃，测太阳光下镀膜玻璃前后透过率数值以及方阻数值，如表1-表3。

表1实施例1制得镀膜玻璃的透过率

表2实施例1制得镀膜玻璃的透过率

表3实施例1制得镀膜玻璃的透过率

注：玻璃面指玻璃基板的普通面镀膜前透过率数值，镀膜面指玻璃面镀膜后的透过率数值。

将实施例1-3的高阻抗膜应用于液晶显示屏上，起到既能抗静电，又不产生屏蔽，不影响器件的触控功能，同时又拥有良好的透光性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。